JPH08190205A - フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法Info
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- JPH08190205A JPH08190205A JP7002077A JP207795A JPH08190205A JP H08190205 A JPH08190205 A JP H08190205A JP 7002077 A JP7002077 A JP 7002077A JP 207795 A JP207795 A JP 207795A JP H08190205 A JPH08190205 A JP H08190205A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体集積回路の製造工程において無機質基体
上に塗布されたフォトレジスト膜、ドライエッチング後
に残存するフォトレジスト層またはアッシング後に残存
するフォトレジスト残渣物等を低温でかつ短時間に容易
に剥離でき、配線材料を全く腐食せず、水のみでリンス
できるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。 【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルア
ミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を５〜５
０重量％、グリコールモノアルキルエーテルを１〜３０
重量％、糖類または糖アルコール類を０．５〜１５重量
％を含み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物
および該組成物を用いる剥離方法。
上に塗布されたフォトレジスト膜、ドライエッチング後
に残存するフォトレジスト層またはアッシング後に残存
するフォトレジスト残渣物等を低温でかつ短時間に容易
に剥離でき、配線材料を全く腐食せず、水のみでリンス
できるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。 【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルア
ミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を５〜５
０重量％、グリコールモノアルキルエーテルを１〜３０
重量％、糖類または糖アルコール類を０．５〜１５重量
％を含み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物
および該組成物を用いる剥離方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造工
程においてフォトレジスト層を剥離するための剥離剤組
成物およびフォトレジスト剥離方法に関するものであ
る。
程においてフォトレジスト層を剥離するための剥離剤組
成物およびフォトレジスト剥離方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、無機質基体上にフォ
トレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成
し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、非
マスク領域の無機質基体をエッチングを行い、微細回路
を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質基体から
剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成した
後、アッシングを行い、残存するレジスト残渣物を無機
質基体から剥離する方法によって製造される。
トレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成
し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、非
マスク領域の無機質基体をエッチングを行い、微細回路
を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質基体から
剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成した
後、アッシングを行い、残存するレジスト残渣物を無機
質基体から剥離する方法によって製造される。
【０００３】従来、これらの方法のフォトレジスト剥離
液としては、酸性剥離剤とアルカリ剥離剤とが一般的に
使用されている。酸性剥離剤としては、例えばベンゼン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸
等のアリールスルホン酸類、フェノール類及び塩素系有
機溶剤から成る剥離剤（米国特許３，５８２，４０１
号）、ナフタレン等の芳香族炭化水素類、フェノール
類、及びアリールスルホン酸類から成る剥離剤（特開昭
６２−３５３５７号）等が挙げられる。これらの酸性剥
離剤は剥離力が弱く、また微細配線加工の配線材料に多
用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作用が強いの
で、近年の寸法精度が厳しい微細加工には好ましくな
い。またこれらの酸性剥離液は、水に対する溶解度が低
いため、フォトレジスト剥離の後にアルコールのような
有機溶剤でリンスし、次いで水洗を行う必要があり、工
程が煩雑になる等の問題を有している。
液としては、酸性剥離剤とアルカリ剥離剤とが一般的に
使用されている。酸性剥離剤としては、例えばベンゼン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸
等のアリールスルホン酸類、フェノール類及び塩素系有
機溶剤から成る剥離剤（米国特許３，５８２，４０１
号）、ナフタレン等の芳香族炭化水素類、フェノール
類、及びアリールスルホン酸類から成る剥離剤（特開昭
６２−３５３５７号）等が挙げられる。これらの酸性剥
離剤は剥離力が弱く、また微細配線加工の配線材料に多
用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作用が強いの
で、近年の寸法精度が厳しい微細加工には好ましくな
い。またこれらの酸性剥離液は、水に対する溶解度が低
いため、フォトレジスト剥離の後にアルコールのような
有機溶剤でリンスし、次いで水洗を行う必要があり、工
程が煩雑になる等の問題を有している。
【０００４】一方、アルカリ性剥離液はアルカノールア
ミンまたはポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサ
イド付加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキ
ルエーテルから成る剥離剤（特開昭６２−４９３５５
号）、ジメチルスルホキシドを主成分とし、ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロ
キシ化合物から成る剥離剤（特開昭６４−４２６５３
号）等が挙げられる。しかしながら上記のアルカリ性剥
離剤は、使用時に吸湿した水分によりアミンが解離して
アルカリ性を呈し、剥離の後にアルコール等の有機溶剤
を使用しないで水洗を行った場合には水洗時にアルカリ
性を呈する。またアルカリ性剥離剤は微細配線加工の配
線材料に多用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作
用が強く、近年寸法精度が厳しい超微細配線の加工には
好ましくない。更にアルカリ性剥離剤はフォトレジスト
剥離の後にアルコール等の有機溶剤によるリンスが必要
で、酸性剥離液の場合と同様、工程が複雑になる等の問
題を有している。
ミンまたはポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサ
イド付加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキ
ルエーテルから成る剥離剤（特開昭６２−４９３５５
号）、ジメチルスルホキシドを主成分とし、ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロ
キシ化合物から成る剥離剤（特開昭６４−４２６５３
号）等が挙げられる。しかしながら上記のアルカリ性剥
離剤は、使用時に吸湿した水分によりアミンが解離して
アルカリ性を呈し、剥離の後にアルコール等の有機溶剤
を使用しないで水洗を行った場合には水洗時にアルカリ
性を呈する。またアルカリ性剥離剤は微細配線加工の配
線材料に多用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作
用が強く、近年寸法精度が厳しい超微細配線の加工には
好ましくない。更にアルカリ性剥離剤はフォトレジスト
剥離の後にアルコール等の有機溶剤によるリンスが必要
で、酸性剥離液の場合と同様、工程が複雑になる等の問
題を有している。
【０００５】更に近年、配線工程における超微細化に伴
い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用した
フォトレジストが変質する傾向にあり、先に述べた酸性
剥離液、あるいはアルカリ性剥離液では剥離性が弱く、
フォトレジストが無機質基体上に残存するという問題が
生じている。従って以上の様な問題を防止するために、
レジスト膜、レジスト層、レジスト残渣物等の剥離が容
易で、しかもその際配線材料を腐食しないような剥離剤
が要求されている。
い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用した
フォトレジストが変質する傾向にあり、先に述べた酸性
剥離液、あるいはアルカリ性剥離液では剥離性が弱く、
フォトレジストが無機質基体上に残存するという問題が
生じている。従って以上の様な問題を防止するために、
レジスト膜、レジスト層、レジスト残渣物等の剥離が容
易で、しかもその際配線材料を腐食しないような剥離剤
が要求されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術における上記の如き剥離剤の問題点を解決し、無機
質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチン
グ後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッ
チング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残
渣物等を、低温でかつ短時間に容易に剥離でき、その際
配線材料を全く腐食せずに超微細加工が可能であり、更
にリンス液としてアルコールの様な有機溶媒を使用する
必要がなく、水のみでリンスすることができ、高精度の
回路配線を製造できるようなフォトレジスト剥離剤組成
物を提供することである。
技術における上記の如き剥離剤の問題点を解決し、無機
質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチン
グ後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッ
チング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残
渣物等を、低温でかつ短時間に容易に剥離でき、その際
配線材料を全く腐食せずに超微細加工が可能であり、更
にリンス液としてアルコールの様な有機溶媒を使用する
必要がなく、水のみでリンスすることができ、高精度の
回路配線を製造できるようなフォトレジスト剥離剤組成
物を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、アルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシ
アルカノールアミン類と、グリコールモノアルキルエー
テル類、更に糖類または糖アルコール類を含む水溶液か
らなる剥離剤組成物が、半導体集積回路の製造工程にお
けるフォトレジストを低温でかつ短時間で容易に剥離で
きること、さらに該剥離剤組成物は配線材料を全く腐食
しない非腐食性と作業の簡便性を備えた極めて優れた特
性を有することを見い出し本発明に到達した。
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、アルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシ
アルカノールアミン類と、グリコールモノアルキルエー
テル類、更に糖類または糖アルコール類を含む水溶液か
らなる剥離剤組成物が、半導体集積回路の製造工程にお
けるフォトレジストを低温でかつ短時間で容易に剥離で
きること、さらに該剥離剤組成物は配線材料を全く腐食
しない非腐食性と作業の簡便性を備えた極めて優れた特
性を有することを見い出し本発明に到達した。
【０００８】即ち本発明は、一般式 Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm
Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ1 及びＲ2 は水素原子、炭素数１〜４の
アルキル基またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原
子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、
メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は２〜４
の整数）で表されるアルカノールアミン類、アルコキシ
アルキルアミン類又はアルコキシアルカノールアミン類
を５〜５０重量％、一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q −
Ｒ4 （Ｒ4 は水素または炭素数１〜４のアルキル基、p
は２〜３の整数、q は１〜３の整数）で表されるグリコ
ールモノアルキルエーテルを１〜３０重量％、糖類また
は糖アルコール類を０．５〜１５重量％を含み、残部が
水であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物
である。
Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ1 及びＲ2 は水素原子、炭素数１〜４の
アルキル基またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原
子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、
メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は２〜４
の整数）で表されるアルカノールアミン類、アルコキシ
アルキルアミン類又はアルコキシアルカノールアミン類
を５〜５０重量％、一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q −
Ｒ4 （Ｒ4 は水素または炭素数１〜４のアルキル基、p
は２〜３の整数、q は１〜３の整数）で表されるグリコ
ールモノアルキルエーテルを１〜３０重量％、糖類また
は糖アルコール類を０．５〜１５重量％を含み、残部が
水であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物
である。
【０００９】本発明において一般式 Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm
Ｈ2mＯＲ3 で表されるアルカノールアミン類、アルコキ
シアルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミ
ン類としては、例えば、エタノールアミン、Ｎ−メチル
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエ
タノールアミン、プロパノールアミン、Ｎ−メチルプロ
パノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノールアミ
ン、Ｎ−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル
プロパノールアミン、２−メトキシエチルアミン、２−
エトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、
３−エトキシプロピルアミン、２−（２−アミノエトキ
シ）エタノール、２−（２−アミノエトキシ）プロパノ
ール、２−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２
−プロパノール等が挙げられる。上記アルカノールアミ
ン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアルカ
ノールアミン類の中でエタノールアミン、Ｎ−メチルエ
タノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノー
ル等が好適に用いられる。これらのアルカノールアミン
類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアルカノ
ールアミン類の濃度範囲は全溶液中５〜５０重量％であ
り、好ましくは１０〜４０重量％である。アルカノール
アミン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシア
ルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類
の濃度が該範囲より低い場合には、フォトレジストの剥
離速度が遅く、また該範囲よりも高い場合には、配線材
料の腐食を防止できない。
Ｈ2mＯＲ3 で表されるアルカノールアミン類、アルコキ
シアルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミ
ン類としては、例えば、エタノールアミン、Ｎ−メチル
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエ
タノールアミン、プロパノールアミン、Ｎ−メチルプロ
パノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノールアミ
ン、Ｎ−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル
プロパノールアミン、２−メトキシエチルアミン、２−
エトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、
３−エトキシプロピルアミン、２−（２−アミノエトキ
シ）エタノール、２−（２−アミノエトキシ）プロパノ
ール、２−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２
−プロパノール等が挙げられる。上記アルカノールアミ
ン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアルカ
ノールアミン類の中でエタノールアミン、Ｎ−メチルエ
タノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノー
ル等が好適に用いられる。これらのアルカノールアミン
類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアルカノ
ールアミン類の濃度範囲は全溶液中５〜５０重量％であ
り、好ましくは１０〜４０重量％である。アルカノール
アミン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシア
ルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類
の濃度が該範囲より低い場合には、フォトレジストの剥
離速度が遅く、また該範囲よりも高い場合には、配線材
料の腐食を防止できない。
【００１０】また一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ
4 で表されるグリコールアルキルエーテルとしては、例
えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピ
レングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。これ
らのグリコールアルキルエーテルの濃度の範囲は全溶液
中１〜３０重量％であり、好ましくは５〜３０重量％で
ある。グリコールアルキルエーテルが該濃度範囲より低
い場合には配線材料の腐食が進行し、また該濃度範囲よ
り高い場合にはフォトレジストの剥離速度が低下する。
4 で表されるグリコールアルキルエーテルとしては、例
えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピ
レングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。これ
らのグリコールアルキルエーテルの濃度の範囲は全溶液
中１〜３０重量％であり、好ましくは５〜３０重量％で
ある。グリコールアルキルエーテルが該濃度範囲より低
い場合には配線材料の腐食が進行し、また該濃度範囲よ
り高い場合にはフォトレジストの剥離速度が低下する。
【００１１】本発明において使用される糖類または糖ア
ルコールとしては、単糖類、多糖類等の糖類、具体的に
は、例えば炭素数３〜６のグリセリンアルデヒド、トレ
オース、アラビノース、キシロース、リボース、リブロ
ース、キシルロース、グルコース、マンノース、ガラク
トース、タガトース、アロース、アルトロース、グロー
ス、イドース、タロース、ソルボース、プシコース、果
糖等が挙げられる。また糖アルコールとしては、トレイ
トール、エリトリトール、アドニトール、アラビトー
ル、キシリトール、タリトール、ソルビトール、マンニ
トール、イジトール、ズルシトール、等が挙げられる。
これらのうち、グルコース、マンノース、ガラクトー
ス、ソルビトール、マンニトール、キシリトール等が溶
解性あるいは分解性などの点から好適である。これら糖
類または糖アルコールは全溶液中０．１〜１５重量％、
好ましくは１〜１０重量％の濃度範囲で使用され、糖類
または糖アルコールが該濃度範囲より低い場合には配線
材料の腐食を充分に防止できない。一方、該濃度範囲よ
りも高くても格別な利点はなく、経済的な面から得策で
ない。
ルコールとしては、単糖類、多糖類等の糖類、具体的に
は、例えば炭素数３〜６のグリセリンアルデヒド、トレ
オース、アラビノース、キシロース、リボース、リブロ
ース、キシルロース、グルコース、マンノース、ガラク
トース、タガトース、アロース、アルトロース、グロー
ス、イドース、タロース、ソルボース、プシコース、果
糖等が挙げられる。また糖アルコールとしては、トレイ
トール、エリトリトール、アドニトール、アラビトー
ル、キシリトール、タリトール、ソルビトール、マンニ
トール、イジトール、ズルシトール、等が挙げられる。
これらのうち、グルコース、マンノース、ガラクトー
ス、ソルビトール、マンニトール、キシリトール等が溶
解性あるいは分解性などの点から好適である。これら糖
類または糖アルコールは全溶液中０．１〜１５重量％、
好ましくは１〜１０重量％の濃度範囲で使用され、糖類
または糖アルコールが該濃度範囲より低い場合には配線
材料の腐食を充分に防止できない。一方、該濃度範囲よ
りも高くても格別な利点はなく、経済的な面から得策で
ない。
【００１２】本発明に使用される無機質基体としては、
シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タングステ
ン、窒化チタン、タングステン等の半導体配線材料ある
いはガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リ
ン等の化合物半導体、さらにＬＣＤのガラス基板等が使
用される。本発明のフォトレジスト剥離剤は、無機質基
体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質基体
上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後
に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッチン
グ後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物
等を無機質基体上のフォトレジスト膜を剥離する際に用
いられ、これらの剥離を行う際には、必要に応じて適宜
加熱あるいは超音波等を併用することができる。また本
発明に係る剥離剤による処理方法は、浸透法が一般的で
あるが、その他の方法、例えばスプレーによる方法を使
用してもよい。本発明による剥離剤の処理後のリンスと
しては、アルコールの様な有機溶媒を使用する必要はな
く、水でリンスするだけで充分である。
シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タングステ
ン、窒化チタン、タングステン等の半導体配線材料ある
いはガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リ
ン等の化合物半導体、さらにＬＣＤのガラス基板等が使
用される。本発明のフォトレジスト剥離剤は、無機質基
体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質基体
上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後
に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッチン
グ後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物
等を無機質基体上のフォトレジスト膜を剥離する際に用
いられ、これらの剥離を行う際には、必要に応じて適宜
加熱あるいは超音波等を併用することができる。また本
発明に係る剥離剤による処理方法は、浸透法が一般的で
あるが、その他の方法、例えばスプレーによる方法を使
用してもよい。本発明による剥離剤の処理後のリンスと
しては、アルコールの様な有機溶媒を使用する必要はな
く、水でリンスするだけで充分である。
【００１３】
【実施例】次に実施例および比較例により本発明を更に
具体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により
制限されるものではない。
具体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により
制限されるものではない。
【００１４】実施例１〜９、比較例１〜４ 図１はレジスト膜４をマクスとしてドライエッチングを
行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断
面を示す。図１において半導体装置基板１は酸化膜２に
被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護膜
５が形成されている。図１の半導体装置を表１に示す組
成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリンスして
乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。レジス
ト膜４および残査物５の剥離性と、アルミニウム（Ａ
ｌ）配線体３の腐食性について評価を行った結果を表１
に示す。なおＳＥＭ観察による判断基準は次の通りであ
る。 （剥離性）◎：完全に除去された。 △：一部残存物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性）◎：腐食は全く認められなかった。 △：一部腐食が認められた。 ×：激しい腐食が認められた・
行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断
面を示す。図１において半導体装置基板１は酸化膜２に
被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護膜
５が形成されている。図１の半導体装置を表１に示す組
成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリンスして
乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。レジス
ト膜４および残査物５の剥離性と、アルミニウム（Ａ
ｌ）配線体３の腐食性について評価を行った結果を表１
に示す。なおＳＥＭ観察による判断基準は次の通りであ
る。 （剥離性）◎：完全に除去された。 △：一部残存物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性）◎：腐食は全く認められなかった。 △：一部腐食が認められた。 ×：激しい腐食が認められた・
【００１５】
【表１】
【００１６】実施例１０〜１５、比較例５〜８ 図２は実施例１で用いた半導体装置を酸素プラズマを用
いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４を
除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては残
査物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは除去さ
れず、残査物５の上側はアルミニウム配線体３の中心に
対して開くように変形されているだけである。図２のレ
ジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２表に
示す組成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリン
スして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。
残査物５の剥離性およびアルミニウム（Ａｌ）配線体３
の腐食性についての評価を行った結果を表２に示す。
いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４を
除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては残
査物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは除去さ
れず、残査物５の上側はアルミニウム配線体３の中心に
対して開くように変形されているだけである。図２のレ
ジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２表に
示す組成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリン
スして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。
残査物５の剥離性およびアルミニウム（Ａｌ）配線体３
の腐食性についての評価を行った結果を表２に示す。
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を
使用することにより、無機質基体上に塗布されたフォト
レジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレ
ジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジス
ト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い
残存するフォトレジスト残渣物等を、低温でかつ短時間
に容易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに超
微細加工が可能であり、更にリンス液としてアルコール
の様な有機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンス
することができ、高精度の回路配線を製造できる。
使用することにより、無機質基体上に塗布されたフォト
レジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレ
ジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジス
ト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い
残存するフォトレジスト残渣物等を、低温でかつ短時間
に容易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに超
微細加工が可能であり、更にリンス液としてアルコール
の様な有機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンス
することができ、高精度の回路配線を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】断面図レジスト膜４をマクスとしてドライエッ
チングを行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体
装置の断面を示す。
チングを行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体
装置の断面を示す。
【図２】断面図図１の半導体装置を酸素プラズマを用い
てレジストアッシングを行い、レジスト膜４を除去した
半導体装置の断面図を示す。
てレジストアッシングを行い、レジスト膜４を除去した
半導体装置の断面図を示す。
１：半導体装置基板 ２：酸化膜 ３：アルミニウム配線体 ４：レジスト膜 ５：残査物（側壁保護堆積膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 英俊 新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱 瓦斯化学株式会社新潟研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】一般式 Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ
1 およびＲ2 は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基ま
たはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原子、炭素数１〜
４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、メトキシエチル
基またはエトキシエチル基、m は２〜４の整数）で表さ
れるアルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン
類またはアルコキシアルカノールアミン類を５〜５０重
量％、一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ4 （Ｒ4 は
水素または炭素数１〜４のアルキル基、p は２〜３の整
数、q は１〜３の整数）で表されるグリコールモノアル
キルエーテルを１〜３０重量％、糖類または糖アルコー
ル類を０．５〜１５重量％を含み、残部が水であること
を特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項２】請求項１に記載の剥離剤組成物を用いてフ
ォトレジストを剥離することを特徴とするフォトレジス
ト剥離方法。 - 【請求項３】無機質基体上に塗布されたフォトレジスト
膜を剥離する請求項２に記載のフォトレジスト剥離方
法。 - 【請求項４】無機質基体上にフォトレジスト膜を用いて
マスク形成を行い、非マスク領域をドライエッチング
し、マスク形成されたフォトレジスト層を剥離する請求
項２に記載のフォトレジスト剥離方法。 - 【請求項５】無機質基体上にフォトレジスト膜を用いて
マスク形成を行い、非マスク領域をドライエッチング
し、マスク形成されたフォトレジスト層をさらにアッシ
ングを行い、残存するフォトレジスト残渣を剥離する請
求項２に記載のフォトレジスト剥離方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7002077A JPH08190205A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
| US08/569,673 US5567574A (en) | 1995-01-10 | 1995-12-08 | Removing agent composition for photoresist and method of removing |
| TW084113224A TW389848B (en) | 1995-01-10 | 1995-12-12 | Removing agent composition for photoresist and method of removing |
| DE69526637T DE69526637T2 (de) | 1995-01-10 | 1995-12-13 | Reinigungsmittelzusammensetzung und Verfahren zum Entfernen von Photoresist mit dieser Zusammensetzung |
| EP95119606A EP0723205B1 (en) | 1995-01-10 | 1995-12-13 | Removing agent composition and method of removing photoresist using the same |
| KR1019960000342A KR100377445B1 (ko) | 1995-01-10 | 1996-01-10 | 포토레지스트박리조성물및박리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7002077A JPH08190205A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190205A true JPH08190205A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11519289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7002077A Pending JPH08190205A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190205A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335484B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2002-05-04 | 윤종용 | 알콕시 ｎ-하이드록시알킬 알칸아미드로 된 레지스트 제거제, 레지스트 제거용 조성물, 이들의 제조 방법 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법 |
| KR100469558B1 (ko) * | 2002-04-03 | 2005-02-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 알코올과 에테르를 포함하는 새로운 에지 비드 제거용세정 용액 및 이를 이용한 세정 방법 |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| WO2006107169A1 (en) * | 2005-04-06 | 2006-10-12 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Remover composition for photoresist of semiconductor device |
| JP2019191565A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-10-31 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | フォトレジスト剥離剤 |
-
1995
- 1995-01-10 JP JP7002077A patent/JPH08190205A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335484B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2002-05-04 | 윤종용 | 알콕시 ｎ-하이드록시알킬 알칸아미드로 된 레지스트 제거제, 레지스트 제거용 조성물, 이들의 제조 방법 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법 |
| KR100469558B1 (ko) * | 2002-04-03 | 2005-02-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 알코올과 에테르를 포함하는 새로운 에지 비드 제거용세정 용액 및 이를 이용한 세정 방법 |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| WO2006107169A1 (en) * | 2005-04-06 | 2006-10-12 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Remover composition for photoresist of semiconductor device |
| JP2019191565A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-10-31 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | フォトレジスト剥離剤 |
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