JPH0954442A - フォトレジスト剥離剤組成物及び剥離方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物及び剥離方法Info
- Publication number
- JPH0954442A JPH0954442A JP7205876A JP20587695A JPH0954442A JP H0954442 A JPH0954442 A JP H0954442A JP 7205876 A JP7205876 A JP 7205876A JP 20587695 A JP20587695 A JP 20587695A JP H0954442 A JPH0954442 A JP H0954442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- stripping
- hydroxylamine
- inorganic substrate
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体集積回路の製造工程において低温でかつ
短時間に容易にフォトレジストを剥離でき、配線材料を
腐食せず、水のみでリンスできるフォトレジスト剥離剤
組成物および剥離方法を提供する。 【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルア
ミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を１０〜
７０重量％、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルア
ミン誘導体類を１〜４０重量％、糖類または糖アルコー
ル類を１〜２０重量％、界面活性剤０〜１０重量％を含
み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物及び該
組成物を用いるフォトレジスト剥離方法。
短時間に容易にフォトレジストを剥離でき、配線材料を
腐食せず、水のみでリンスできるフォトレジスト剥離剤
組成物および剥離方法を提供する。 【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルア
ミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を１０〜
７０重量％、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルア
ミン誘導体類を１〜４０重量％、糖類または糖アルコー
ル類を１〜２０重量％、界面活性剤０〜１０重量％を含
み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物及び該
組成物を用いるフォトレジスト剥離方法。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は半導体集積回路の製造工
程においてフォトレジスト層を剥離するための剥離剤組
成物及びフォトレジスト剥離方法に関するものである。
程においてフォトレジスト層を剥離するための剥離剤組
成物及びフォトレジスト剥離方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、無機質基体上にフォ
トレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成
し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、非
マスク領域の無機質基体をエッチングを行い、微細回路
を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質基体上か
ら剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成し
た後、アッシングを行い、残存するレジスト残渣物を無
機質基体上から剥離する方法によって製造される。
トレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成
し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、非
マスク領域の無機質基体をエッチングを行い、微細回路
を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質基体上か
ら剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成し
た後、アッシングを行い、残存するレジスト残渣物を無
機質基体上から剥離する方法によって製造される。
【０００３】従来、これらの方法のフォトレジスト剥離
液としては、酸性剥離剤とアルカリ剥離剤とが一般的に
使用されている。酸性剥離剤としては、例えばベンゼン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸
等のアリールスルホン酸類、フェノール類及び塩素系有
機溶剤からなる剥離剤（米国特許３，５８２，４０１
号）、ナフタレン等の芳香族炭化水素類、フェノール
類、及びアリールスルホン酸類から成る剥離剤（特開昭
６２−３５３５７号）等が挙げられる。これらの酸性剥
離剤は剥離力が弱く、また微細配線加工の配線材料に多
用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作用が強いの
で、近年の寸法精度が厳しい微細加工には好ましくな
い。またこれらの酸性剥離液は、水に対する溶解度が低
いため、フォトレジスト剥離の後にアルコールのような
有機溶剤でリンスし、次いで水洗を行う必要があり、工
程が煩雑になる等の問題を有している。
液としては、酸性剥離剤とアルカリ剥離剤とが一般的に
使用されている。酸性剥離剤としては、例えばベンゼン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸
等のアリールスルホン酸類、フェノール類及び塩素系有
機溶剤からなる剥離剤（米国特許３，５８２，４０１
号）、ナフタレン等の芳香族炭化水素類、フェノール
類、及びアリールスルホン酸類から成る剥離剤（特開昭
６２−３５３５７号）等が挙げられる。これらの酸性剥
離剤は剥離力が弱く、また微細配線加工の配線材料に多
用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作用が強いの
で、近年の寸法精度が厳しい微細加工には好ましくな
い。またこれらの酸性剥離液は、水に対する溶解度が低
いため、フォトレジスト剥離の後にアルコールのような
有機溶剤でリンスし、次いで水洗を行う必要があり、工
程が煩雑になる等の問題を有している。
【０００４】一方、アルカリ性剥離液はアルカノールア
ミンまたはポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサ
イド付加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキ
ルエーテルから成る剥離剤（特開昭６２−４９３５５
号）、ジメチルスルホキシドを主成分とし、ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロ
キシ化合物から成る剥離剤（特開昭６４−４２６５３
号）等が挙げられる。しかしながら上記のアルカリ性剥
離剤は、使用時に吸湿した水分によりアミンが解離して
アルカリ性を呈し、剥離の後にアルコール等の有機溶剤
を使用しないで水洗を行った場合には水洗時にアルカリ
性を呈する。またアルカリ性剥離剤は微細配線加工の配
線材料に多用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作
用が強く、近年寸法精度が厳しい超微細配線の加工には
好ましくない。更にアルカリ性剥離剤はフォトレジスト
剥離の後にアルコール等の有機溶剤によるリンスが必要
で、酸性剥離剤の場合と同様、工程が複雑になる等の問
題を有している。
ミンまたはポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサ
イド付加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキ
ルエーテルから成る剥離剤（特開昭６２−４９３５５
号）、ジメチルスルホキシドを主成分とし、ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロ
キシ化合物から成る剥離剤（特開昭６４−４２６５３
号）等が挙げられる。しかしながら上記のアルカリ性剥
離剤は、使用時に吸湿した水分によりアミンが解離して
アルカリ性を呈し、剥離の後にアルコール等の有機溶剤
を使用しないで水洗を行った場合には水洗時にアルカリ
性を呈する。またアルカリ性剥離剤は微細配線加工の配
線材料に多用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作
用が強く、近年寸法精度が厳しい超微細配線の加工には
好ましくない。更にアルカリ性剥離剤はフォトレジスト
剥離の後にアルコール等の有機溶剤によるリンスが必要
で、酸性剥離剤の場合と同様、工程が複雑になる等の問
題を有している。
【０００５】更に近年、配線工程における超微細化に伴
い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用した
フォトレジストが変質する傾向にあり、先に述べた酸性
剥離液、あるいはアルカリ性剥離液では剥離性が弱く、
フォトレジストが無機質基体上に残存するという問題が
生じている。そこで、過酷なドライエッチングで変質し
たレジスト残渣物を剥離する目的でヒドロキシルアミン
の様な求核アミンとアルカノールアミン、更にはジヒド
ロキシベンゼンの様なキレート剤を含む水溶液である剥
離剤（特開平６−２６６１１９号）が記載されている。
しかしながら、上記剥離剤は各種配線材料に対して防食
効果が弱く、更には剥離後にアルコール等の有機溶剤を
リンス液として使用する必要があり、工程が複雑になる
等の問題を有している。従って以上の様な問題を防止す
るために、レジスト膜、レジスト層、レジスト残渣物等
の剥離が容易で、しかもその際、配線材料を腐食しない
ような剥離剤が要求されており、更にはリンス液として
アルコール等の有機溶媒を必要とせず、水のみをリンス
液とする簡便な剥離法が要望されている。
い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用した
フォトレジストが変質する傾向にあり、先に述べた酸性
剥離液、あるいはアルカリ性剥離液では剥離性が弱く、
フォトレジストが無機質基体上に残存するという問題が
生じている。そこで、過酷なドライエッチングで変質し
たレジスト残渣物を剥離する目的でヒドロキシルアミン
の様な求核アミンとアルカノールアミン、更にはジヒド
ロキシベンゼンの様なキレート剤を含む水溶液である剥
離剤（特開平６−２６６１１９号）が記載されている。
しかしながら、上記剥離剤は各種配線材料に対して防食
効果が弱く、更には剥離後にアルコール等の有機溶剤を
リンス液として使用する必要があり、工程が複雑になる
等の問題を有している。従って以上の様な問題を防止す
るために、レジスト膜、レジスト層、レジスト残渣物等
の剥離が容易で、しかもその際、配線材料を腐食しない
ような剥離剤が要求されており、更にはリンス液として
アルコール等の有機溶媒を必要とせず、水のみをリンス
液とする簡便な剥離法が要望されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術における上記の如き剥離剤の問題点を解決し、無機
質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチン
グ後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッ
チング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残
渣物等を、低温でかつ短時間に容易に剥離でき、その際
配線材料を全く腐食せずに超微細加工が可能であり、更
にリンス液としてアルコールの様な有機溶媒を使用する
必要がなく、水のみでリンスすることができ、構成度の
回路配線を製造できるようなフォトレジスト剥離剤組成
物を提供することである。
技術における上記の如き剥離剤の問題点を解決し、無機
質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチン
グ後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッ
チング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残
渣物等を、低温でかつ短時間に容易に剥離でき、その際
配線材料を全く腐食せずに超微細加工が可能であり、更
にリンス液としてアルコールの様な有機溶媒を使用する
必要がなく、水のみでリンスすることができ、構成度の
回路配線を製造できるようなフォトレジスト剥離剤組成
物を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、アルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシ
アルカノールアミン類と、ヒドロキシルアミンあるいは
ヒドロキシルアミン誘導体類、更に糖類または糖アルコ
ール類を含む水溶液からなる剥離剤組成物、あるいは上
記剥離剤組成物に界面活性剤を含む剥離剤組成物が、半
導体集積回路の製造工程におけるフォトレジストを低温
でかつ短時間で容易に剥離できること、さらに該剥離剤
組成物は配線材料を全く腐食しない非腐食性と作業の簡
便性を備えた極めて優れた特性を有することを見出し、
本発明に到達した。
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、アルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシ
アルカノールアミン類と、ヒドロキシルアミンあるいは
ヒドロキシルアミン誘導体類、更に糖類または糖アルコ
ール類を含む水溶液からなる剥離剤組成物、あるいは上
記剥離剤組成物に界面活性剤を含む剥離剤組成物が、半
導体集積回路の製造工程におけるフォトレジストを低温
でかつ短時間で容易に剥離できること、さらに該剥離剤
組成物は配線材料を全く腐食しない非腐食性と作業の簡
便性を備えた極めて優れた特性を有することを見出し、
本発明に到達した。
【０００８】即ち本発明は、一般式、Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm
Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ1 及びＲ2 は水素原子、炭素数１〜４の
アルキル基またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原
子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、
メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は２〜４
の整数）で表されるアルカノールアミン類、アルコキシ
アミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を１０
〜７０重量％、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシル
アミン誘導体類を１〜４０重量％、糖類または糖アルコ
ール類を１〜２０重量％を含み、残部が水であることを
特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物、更に該組成物
に０．０１〜１．０重量％の界面活性剤を含むフォトレ
ジスト剥離剤組成物、およびこのような剥離剤組成物を
用いてフォトレジストを剥離することを特徴とするフォ
トレジスト剥離方法である。
Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ1 及びＲ2 は水素原子、炭素数１〜４の
アルキル基またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原
子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、
メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は２〜４
の整数）で表されるアルカノールアミン類、アルコキシ
アミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を１０
〜７０重量％、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシル
アミン誘導体類を１〜４０重量％、糖類または糖アルコ
ール類を１〜２０重量％を含み、残部が水であることを
特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物、更に該組成物
に０．０１〜１．０重量％の界面活性剤を含むフォトレ
ジスト剥離剤組成物、およびこのような剥離剤組成物を
用いてフォトレジストを剥離することを特徴とするフォ
トレジスト剥離方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明において一般式 Ｒ1 Ｒ2
−ＮＣm Ｈ2mＯＲ3 で表されるアルカノールアミン類、
アルコキシアルキルアミン類、およびアルコキシアルカ
ノールアミン類としては、例えばエタノールアミン、Ｎ
−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノー
ルアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルエタノールアミン、プロパノールアミン、Ｎ−メチ
ルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノール
アミン、Ｎ−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルプロパノールアミン、２−メトキシエチルアミン、
２−エトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミ
ン、３−エトキシプロピルアミン、２−（２−アミノエ
トキシ）エタノール、２−（２−アミノエトキシ）プロ
パノール、２−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ
−２−プロパノール等が挙げられる。上記アルカノール
アミン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシア
ルカノールアミン類の中でエタノールアミン、Ｎ−メチ
ルエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタ
ノール等が好適に用いられる。これらのアルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアル
カノールアミン類の濃度範囲は全溶液中２０〜７０重量
％であり、好ましくは３０〜６０重量％である。アルカ
ノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類、または
アルコキシアルカノールアミン類の濃度が該範囲よりも
低い場合には、フォトレジストの剥離速度が遅く、また
該範囲よりも高い場合には、配線材料の腐食を防止でき
ない。
−ＮＣm Ｈ2mＯＲ3 で表されるアルカノールアミン類、
アルコキシアルキルアミン類、およびアルコキシアルカ
ノールアミン類としては、例えばエタノールアミン、Ｎ
−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノー
ルアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルエタノールアミン、プロパノールアミン、Ｎ−メチ
ルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノール
アミン、Ｎ−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルプロパノールアミン、２−メトキシエチルアミン、
２−エトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミ
ン、３−エトキシプロピルアミン、２−（２−アミノエ
トキシ）エタノール、２−（２−アミノエトキシ）プロ
パノール、２−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ
−２−プロパノール等が挙げられる。上記アルカノール
アミン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシア
ルカノールアミン類の中でエタノールアミン、Ｎ−メチ
ルエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタ
ノール等が好適に用いられる。これらのアルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアル
カノールアミン類の濃度範囲は全溶液中２０〜７０重量
％であり、好ましくは３０〜６０重量％である。アルカ
ノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類、または
アルコキシアルカノールアミン類の濃度が該範囲よりも
低い場合には、フォトレジストの剥離速度が遅く、また
該範囲よりも高い場合には、配線材料の腐食を防止でき
ない。
【００１０】本発明に使用されるヒドロキシルアミンお
よびヒドロキシルアミン誘導体類としては、例えばヒド
ロキシルアミン、Ｎ−メチルヒドロキシルアミン、Ｎ−
エチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキ
シルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルヒドロキシルアミン等
が挙げられるが、これらの中でヒドロキシルアミンが好
適に用いられる。これらヒドロキシルアミンまたはヒド
ロキシルアミン誘導体類の濃度範囲は１〜４０重量％、
好ましくは５〜３０重量％である。ヒドロキシルアミン
またはヒドロキシルアミン誘導体類が該濃度より低い場
合にはレジスト残渣物の剥離速度が低下し、該濃度範囲
より高い場合には、配線材料の腐食が進行する。
よびヒドロキシルアミン誘導体類としては、例えばヒド
ロキシルアミン、Ｎ−メチルヒドロキシルアミン、Ｎ−
エチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキ
シルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルヒドロキシルアミン等
が挙げられるが、これらの中でヒドロキシルアミンが好
適に用いられる。これらヒドロキシルアミンまたはヒド
ロキシルアミン誘導体類の濃度範囲は１〜４０重量％、
好ましくは５〜３０重量％である。ヒドロキシルアミン
またはヒドロキシルアミン誘導体類が該濃度より低い場
合にはレジスト残渣物の剥離速度が低下し、該濃度範囲
より高い場合には、配線材料の腐食が進行する。
【００１１】本発明において使用される糖類としては、
単糖類、多糖類等の糖類の他、具体的には例えば炭素数
３〜６のグリセリンアルデヒド、トレオース、アラビノ
ース、キシロース、リボース、シブロース、キシルロー
ス、グルコース、マンノース、ガラクトース、タガトー
ス、アロース、アルトース、グロース、イドース、タロ
ース、ソルボース、プシコース、果糖等が挙げられる。
また糖アルコール類としては、トレイトール、エリトリ
トール、アドニトール、アラビトール、キシリトール、
タリトール、ソルビトール、マンニトール、イジトー
ル、ズルシトール等が挙げられる。これらのうち、グル
コース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マ
ンニトール、キシリトール等が溶解性あるいは分解性な
どの点から好適である。これら糖類または糖アルコール
類は全溶液中１〜２０重量％、好ましくは３〜１５重量
％の濃度範囲で使用される。糖類または糖アルコール類
が該範囲より低い場合には配線材料の腐食を充分に防止
できない。一方、該濃度範囲よりも高くても格別な利点
はなく、経済的な面から得策ではない。
単糖類、多糖類等の糖類の他、具体的には例えば炭素数
３〜６のグリセリンアルデヒド、トレオース、アラビノ
ース、キシロース、リボース、シブロース、キシルロー
ス、グルコース、マンノース、ガラクトース、タガトー
ス、アロース、アルトース、グロース、イドース、タロ
ース、ソルボース、プシコース、果糖等が挙げられる。
また糖アルコール類としては、トレイトール、エリトリ
トール、アドニトール、アラビトール、キシリトール、
タリトール、ソルビトール、マンニトール、イジトー
ル、ズルシトール等が挙げられる。これらのうち、グル
コース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マ
ンニトール、キシリトール等が溶解性あるいは分解性な
どの点から好適である。これら糖類または糖アルコール
類は全溶液中１〜２０重量％、好ましくは３〜１５重量
％の濃度範囲で使用される。糖類または糖アルコール類
が該範囲より低い場合には配線材料の腐食を充分に防止
できない。一方、該濃度範囲よりも高くても格別な利点
はなく、経済的な面から得策ではない。
【００１２】また、本発明において使用される界面活性
剤としては、カチオン系、アニオン系、非イオン系界面
活性剤なら何等限定されることなく使用できるが、非イ
オン系界面活性剤が最も好適に使用される。これら界面
活性剤の使用濃度は全溶液中０．０１〜１．０重量％の
濃度範囲で使用される。界面活性剤の濃度が該濃度より
も低い場合には剥離速度が低下し、一方、該濃度範囲よ
りも高くても格別な利点はなく、経済的な面から得策で
はない。
剤としては、カチオン系、アニオン系、非イオン系界面
活性剤なら何等限定されることなく使用できるが、非イ
オン系界面活性剤が最も好適に使用される。これら界面
活性剤の使用濃度は全溶液中０．０１〜１．０重量％の
濃度範囲で使用される。界面活性剤の濃度が該濃度より
も低い場合には剥離速度が低下し、一方、該濃度範囲よ
りも高くても格別な利点はなく、経済的な面から得策で
はない。
【００１３】本発明のフォトレジスト剥離剤は、無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質基
体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング
後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッチ
ング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣
物等の無機質基体上のフォトレジスト膜を剥離する際に
用いられ、これらの剥離を行う際には、必要に応じて適
宜加熱あるいは超音波等を併用することができる。本発
明に使用される無機質基体としては、シリコン、ポリシ
リコン、シリコン酸化膜、アルミニウム、アルミニウム
合金、チタン、チタン−タングステン、窒化チタン、タ
ングステン等の半導体配線材料あるいはガリウム−砒
素、ガリウム−リン、インジウム−リン等の化合物半導
体、さらにＬＣＤのガラス基板等が使用される。本発明
に係る剥離剤による処理方法は、浸漬法が一般的である
が、その他の方法、例えばスプレーによる方法を使用し
てもよい。本発明による剥離剤の処理後のリンスとして
は、アルコールの様な有機溶媒を使用する必要はなく、
水でリンスするだけで充分である。
基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質基
体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング
後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッチ
ング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣
物等の無機質基体上のフォトレジスト膜を剥離する際に
用いられ、これらの剥離を行う際には、必要に応じて適
宜加熱あるいは超音波等を併用することができる。本発
明に使用される無機質基体としては、シリコン、ポリシ
リコン、シリコン酸化膜、アルミニウム、アルミニウム
合金、チタン、チタン−タングステン、窒化チタン、タ
ングステン等の半導体配線材料あるいはガリウム−砒
素、ガリウム−リン、インジウム−リン等の化合物半導
体、さらにＬＣＤのガラス基板等が使用される。本発明
に係る剥離剤による処理方法は、浸漬法が一般的である
が、その他の方法、例えばスプレーによる方法を使用し
てもよい。本発明による剥離剤の処理後のリンスとして
は、アルコールの様な有機溶媒を使用する必要はなく、
水でリンスするだけで充分である。
【００１４】
【実施例】次に実施例及び比較例により本発明を更に具
体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により制
限されるものではない。
体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により制
限されるものではない。
【００１５】実施例１〜９、比較例１〜４ 図１はレジスト膜４をマスクとしてドライエッチングを
行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断
面を示す。図１において半導体装置基板１は酸化膜２に
被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護膜
５が形成されている。図１の半導体装置を表１に示す組
成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリンスして
乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。レジス
ト膜４及び残渣物５の剥離性と、アルミニウム（Ａｌ）
配線体３の腐食性に付いて評価を行った結果を表１に示
す。なおＳＥＭ観察による判断基準は次の通りである。 （剥離性）◎：完全に除去された。 △：一部残存物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性）◎：腐食は全く認められなかった。 △：一部腐食が認められた。 ×：激しい腐食が認められた。
行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断
面を示す。図１において半導体装置基板１は酸化膜２に
被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護膜
５が形成されている。図１の半導体装置を表１に示す組
成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリンスして
乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。レジス
ト膜４及び残渣物５の剥離性と、アルミニウム（Ａｌ）
配線体３の腐食性に付いて評価を行った結果を表１に示
す。なおＳＥＭ観察による判断基準は次の通りである。 （剥離性）◎：完全に除去された。 △：一部残存物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性）◎：腐食は全く認められなかった。 △：一部腐食が認められた。 ×：激しい腐食が認められた。
【００１６】
【表１】
【００１７】実施例１０〜１８、比較例５〜８ 図２は実施例１で用いた半導体装置を酸素プラズマを用
いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４を
除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては残
渣物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは除去さ
れず、残渣物５の上側はアルミニウム配線体３の中心に
対して開くように変形されているだけである。図２のレ
ジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２表に
示す組成の剥離剤に所定の時間浸漬した後、超純水でリ
ンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。残渣物５の剥離性及びアルミニウム（Ａｌ）配線体
３の腐食性に付いて評価を行った結果を表２に示す。
いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４を
除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては残
渣物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは除去さ
れず、残渣物５の上側はアルミニウム配線体３の中心に
対して開くように変形されているだけである。図２のレ
ジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２表に
示す組成の剥離剤に所定の時間浸漬した後、超純水でリ
ンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。残渣物５の剥離性及びアルミニウム（Ａｌ）配線体
３の腐食性に付いて評価を行った結果を表２に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】
【発明の効果】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を
使用することにより、無機質基体上に塗布されたフォト
レジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレ
ジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジス
ト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い
残存するフォトレジスト残渣物等を、低温でかつ短時間
に容易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに超
微細加工が可能であり、更にリンス液としてアルコール
の様な有機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンス
することができ、高精度の回路配線を製造できる。
使用することにより、無機質基体上に塗布されたフォト
レジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレ
ジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジス
ト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い
残存するフォトレジスト残渣物等を、低温でかつ短時間
に容易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに超
微細加工が可能であり、更にリンス液としてアルコール
の様な有機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンス
することができ、高精度の回路配線を製造できる。
【図１】断面図 レジスト膜４をマスクとしてドライエッチングを行い、
アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断面を示
す。
アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断面を示
す。
【図２】断面図 図１の半導体装置を酸素プラズマを用いてレジストアッ
シングを行い、レジスト膜４を除去した半導体装置の断
面図を示す。
シングを行い、レジスト膜４を除去した半導体装置の断
面図を示す。
１：半導体装置基板 ２：酸化膜 ３：アルミニウム配線体 ４：レジスト膜 ５：残渣物（側壁保護堆積膜）
フロントページの続き (72)発明者 池田 英俊 新潟県新潟市太夫浜182番地 三菱瓦斯化 学株式会社新潟研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】一般式、Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ
1 及びＲ2 は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基また
はヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原子、炭素数１〜４
のアルキル基、ヒドロキシエチル基、メトキシエチル基
またはエトキシエチル基、m は２〜４の整数）で表され
るアルカノールアミン類、アルコキシアミン類またはア
ルコキシアルカノールアミン類を１０〜７０重量％、ヒ
ドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体類を
１〜４０重量％、糖類または糖アルコール類を１〜２０
重量％を含み、残部が水であることを特徴とするフォト
レジスト剥離剤組成物。 - 【請求項２】０．０１〜１．０重量％の界面活性剤を含
有する請求項１に記載のフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の剥離剤組成物を
用いてフォトレジストを剥離することを特徴とするフォ
トレジスト剥離方法。 - 【請求項４】無機質基体上に塗布されたフォトレジスト
膜を剥離する請求項３に記載のフォトレジスト剥離方
法。 - 【請求項５】無機質基体上にフォトレジスト膜を用いて
マスク形成を行い、非マスク領域をドライエッチング
し、マスク形成されたフォトレジスト層を剥離する請求
項３に記載のフォトレジスト剥離方法。 - 【請求項６】無機質基体上にフォトレジスト膜を用いて
マスク形成を行い、非マスク領域をドライエッチング
し、マスク形成されたフォトレジスト層をさらにアッシ
ングを行い、残存するフォトレジスト残部を剥離する請
求項３に記載のフォトレジスト剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7205876A JPH0954442A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | フォトレジスト剥離剤組成物及び剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7205876A JPH0954442A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | フォトレジスト剥離剤組成物及び剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0954442A true JPH0954442A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16514199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7205876A Pending JPH0954442A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | フォトレジスト剥離剤組成物及び剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0954442A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434491B1 (ko) * | 2001-08-17 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 레지스트 또는 식각 부산물 제거용 조성물 및 이를 이용한레지스트 제거 방법 |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| JP2012113101A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| JP2017054969A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | キヤノン株式会社 | 除去対象物の除去方法 |
| KR20180078159A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 세정액, 방식제, 및 이들을 제조하는 방법 |
| CN108345189A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-07-31 | 东友精细化工有限公司 | 抗蚀剂剥离液组合物 |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP7205876A patent/JPH0954442A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434491B1 (ko) * | 2001-08-17 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 레지스트 또는 식각 부산물 제거용 조성물 및 이를 이용한레지스트 제거 방법 |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| JP2012113101A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| JP2017054969A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | キヤノン株式会社 | 除去対象物の除去方法 |
| KR20180078159A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 세정액, 방식제, 및 이들을 제조하는 방법 |
| JP2018109153A (ja) * | 2016-12-29 | 2018-07-12 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄液、防食剤、及びこれらを製造する方法 |
| CN108345189A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-07-31 | 东友精细化工有限公司 | 抗蚀剂剥离液组合物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100377445B1 (ko) | 포토레지스트박리조성물및박리방법 | |
| EP1043629B1 (en) | Photoresist stripping composition and process for stripping photoresist | |
| EP0788143B1 (en) | Method of producing semiconductor device and use of a rinse for cleaning semiconductor device | |
| US5091103A (en) | Photoresist stripper | |
| EP1024965B1 (en) | Process for removing residues from a semiconductor substrate | |
| KR100503702B1 (ko) | 포토레지스트용 박리액 및 이를 사용한 포토레지스트박리방법 | |
| JP3614242B2 (ja) | フォトレジスト剥離剤及び半導体集積回路の製造方法 | |
| JP3339575B2 (ja) | 剥離剤組成物および剥離方法 | |
| JPH1167632A (ja) | 半導体装置用洗浄剤 | |
| KR20030035827A (ko) | 포토레지스트용 박리액 및 이를 사용한 포토레지스트의박리방법 | |
| JP2002184743A (ja) | ストリッピング組成物 | |
| JP2001523356A (ja) | レジスト剥離および洗浄用の非腐食性組成物 | |
| JP2003129089A (ja) | 洗浄用組成物 | |
| JP3940634B2 (ja) | レジスト除去用組成物及びこれを利用したレジスト除去方法 | |
| JP2001083712A (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| JPH08262746A (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 | |
| KR100554685B1 (ko) | 레지스트박리제 조성물 | |
| JP3929518B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| JPH11282176A (ja) | フォトレジスト剥離用組成物 | |
| US20050089489A1 (en) | Composition for exfoliation agent effective in removing resist residues | |
| WO2010037263A1 (zh) | 一种光刻胶清洗剂 | |
| JPH08190205A (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 | |
| KR20020053718A (ko) | 박리제 조성물 | |
| JPH08202051A (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 | |
| JP5659729B2 (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040726 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040825 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050112 |