JPH0826280B2 - シリカ系被膜形成用組成物 - Google Patents
シリカ系被膜形成用組成物Info
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- JPH0826280B2 JPH0826280B2 JP62131480A JP13148087A JPH0826280B2 JP H0826280 B2 JPH0826280 B2 JP H0826280B2 JP 62131480 A JP62131480 A JP 62131480A JP 13148087 A JP13148087 A JP 13148087A JP H0826280 B2 JPH0826280 B2 JP H0826280B2
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- coating solution
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリカ系被膜形成用組成物に関し、さらに詳
しくは均一で、厚膜ができ、かつ保存安定性にも優れた
アンチモンを含有したシリカ系被膜形成用組成物に関す
る。
しくは均一で、厚膜ができ、かつ保存安定性にも優れた
アンチモンを含有したシリカ系被膜形成用組成物に関す
る。
基体上にシリカ系被膜を形成する方法としては、気相
成長法と塗布法が知られており、前者が一般的に行われ
ているが、この方法は特殊な装置を必要とし、処理すべ
き基体の大きさに制限がある、大量生産が困難である、
有機物と無機物との混合被膜の同時形成が難しい、など
の欠点を有するため、近年より簡単な方法として後者が
注目されるようになつてきた。
成長法と塗布法が知られており、前者が一般的に行われ
ているが、この方法は特殊な装置を必要とし、処理すべ
き基体の大きさに制限がある、大量生産が困難である、
有機物と無機物との混合被膜の同時形成が難しい、など
の欠点を有するため、近年より簡単な方法として後者が
注目されるようになつてきた。
しかし、塗布法は例えば粒子状のシリカ及びガラスを
高分子化合物とともに溶媒に分散させて基体上に塗布す
る方法であるが、この分散液中では分散質の安定性が悪
く沈澱を生じやすい、被膜の膜厚が不均一になりやす
い、などの欠点があり、実用的なものではない。この欠
点を改善するために、粒子状シリカの代わりにカルボン
酸とハロゲン化シランとアルコールとの反応生成物を用
いる方法が提案されている（特公昭52−16488号公報、
特公昭52−20825号公報）。この方法では被膜形成成分
が溶液状となつているため沈澱を生じたり、被膜が不均
一になることは避けられるが、ハロゲン化シランを用い
る必要上、被膜形成用塗布液中にハロゲン化水素などの
ハロゲン化物が副生するため、最終的に得られる反応液
中にこれが存在すると塗布または加熱の際に基体を腐食
するという問題があり、また比較的厚い被膜（約15〜40
μｍ）を形成する場合に、ピンホールやクラツクを生じ
やすいなどの欠点もあり実用的ではない。
高分子化合物とともに溶媒に分散させて基体上に塗布す
る方法であるが、この分散液中では分散質の安定性が悪
く沈澱を生じやすい、被膜の膜厚が不均一になりやす
い、などの欠点があり、実用的なものではない。この欠
点を改善するために、粒子状シリカの代わりにカルボン
酸とハロゲン化シランとアルコールとの反応生成物を用
いる方法が提案されている（特公昭52−16488号公報、
特公昭52−20825号公報）。この方法では被膜形成成分
が溶液状となつているため沈澱を生じたり、被膜が不均
一になることは避けられるが、ハロゲン化シランを用い
る必要上、被膜形成用塗布液中にハロゲン化水素などの
ハロゲン化物が副生するため、最終的に得られる反応液
中にこれが存在すると塗布または加熱の際に基体を腐食
するという問題があり、また比較的厚い被膜（約15〜40
μｍ）を形成する場合に、ピンホールやクラツクを生じ
やすいなどの欠点もあり実用的ではない。
また上記した基体を腐食するという問題を改善したも
のとして低級アルコキシシランと低級カルボン酸とアル
コールとの混合物を、有機酸系反応促進剤の存在下で反
応させて得られた反応生成物から成るシリカ系被膜形成
用塗布液が提案されている（特公昭57−39658号公
報）。そしてこのシリカ系被膜形成用塗布液には、被膜
の均一化および厚膜化のためにガラス質形成剤として３
価のアンチモンアルコラート化合物を添加できることが
開示されている。この開示されたシリカ系被膜形成用塗
布液は従来のものに比べ、被膜の均一性、厚膜性に優
れ、かつ基体を腐食させないという効果を有している
が、極めて保存安定性が悪く、塗布液がゲル化しやすい
という欠点を有している。
のとして低級アルコキシシランと低級カルボン酸とアル
コールとの混合物を、有機酸系反応促進剤の存在下で反
応させて得られた反応生成物から成るシリカ系被膜形成
用塗布液が提案されている（特公昭57−39658号公
報）。そしてこのシリカ系被膜形成用塗布液には、被膜
の均一化および厚膜化のためにガラス質形成剤として３
価のアンチモンアルコラート化合物を添加できることが
開示されている。この開示されたシリカ系被膜形成用塗
布液は従来のものに比べ、被膜の均一性、厚膜性に優
れ、かつ基体を腐食させないという効果を有している
が、極めて保存安定性が悪く、塗布液がゲル化しやすい
という欠点を有している。
前記のように従来のシリカ系被膜形成用組成物におい
ては、均一で厚膜ができ、かつ保存安定性にも優れたも
のは見いだされておらず、このような塗布液の開発が要
望されていた。
ては、均一で厚膜ができ、かつ保存安定性にも優れたも
のは見いだされておらず、このような塗布液の開発が要
望されていた。
本発明者らは、このような要望に鑑み鋭意研究を重ね
た結果、アルコキシシランの部分加水分解物が共存して
いる系においては、３価のアンチモンよりも５価のアン
チモンの方が不活性であるという知見に基づいてアルコ
キシシランの部分加水分解物を含有して成るシリカ系被
膜形成用塗布液に５価のアンチモンアルコラート化合物
を添加させることにより得られた塗布液が本発明の目的
を達成できることを見い出し、本発明をなすに至つた。
た結果、アルコキシシランの部分加水分解物が共存して
いる系においては、３価のアンチモンよりも５価のアン
チモンの方が不活性であるという知見に基づいてアルコ
キシシランの部分加水分解物を含有して成るシリカ系被
膜形成用塗布液に５価のアンチモンアルコラート化合物
を添加させることにより得られた塗布液が本発明の目的
を達成できることを見い出し、本発明をなすに至つた。
本発明はアルコキシシランの部分加水分解物を含有し
て成るシリカ系被膜形成用塗布液に、一般式Sb（OR）５
（式中、Ｒはアルキル基またはアリール基を示す） で表わされるアンチモンアルコラート化合物を添加して
成るシリカ系被膜形成用組成物である。
て成るシリカ系被膜形成用塗布液に、一般式Sb（OR）５
（式中、Ｒはアルキル基またはアリール基を示す） で表わされるアンチモンアルコラート化合物を添加して
成るシリカ系被膜形成用組成物である。
以下本発明を詳細に説明する。
本発明で用いられるアルコキシシランは一般式 （Ｒ′Ｏ）4-nSiR″ｎ （式中、Ｒ′とＲ″はそれぞれ独立して、アルキル基、
アルコキシ基、アリル基、アリール基、グリシジルオキ
シアルキル基、アクリロキシアルキル基、メタクリロキ
シアルキル基、ビニル基を表わし、ｎは０または１〜３
の整数である） で表わされる化合物である。このような化合物として
は、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、エトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、
モノメチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシ
ラン、モノエチルトリエトキシシラン、ジエチルジエト
キシシラン、ジフエニルジメトキシシラン、モノメチル
トリエトキシシラン、モノエチルトリブトキシシラン、
ジエチルジブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラ
ン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルエチルジエ
トキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリブトキシシラン、γ−アク
リロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキ
シプロピルトリエトキシシラン、β−メタクリロキシエ
チルトリメトキシシラン、β−メタクリロキシエチルト
リエトキシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリメ
トキシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリエトキ
シシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリエトキシシ
ランなどを挙げることができる。
アルコキシ基、アリル基、アリール基、グリシジルオキ
シアルキル基、アクリロキシアルキル基、メタクリロキ
シアルキル基、ビニル基を表わし、ｎは０または１〜３
の整数である） で表わされる化合物である。このような化合物として
は、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、エトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、
モノメチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシ
ラン、モノエチルトリエトキシシラン、ジエチルジエト
キシシラン、ジフエニルジメトキシシラン、モノメチル
トリエトキシシラン、モノエチルトリブトキシシラン、
ジエチルジブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラ
ン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルエチルジエ
トキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリブトキシシラン、γ−アク
リロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキ
シプロピルトリエトキシシラン、β−メタクリロキシエ
チルトリメトキシシラン、β−メタクリロキシエチルト
リエトキシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリメ
トキシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリエトキ
シシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリエトキシシ
ランなどを挙げることができる。
また本発明で用いられるアルコキシまたはフエノキシ
アンチモンとしては一般式 Sb（OR）５（式中、Ｒはアルキル基またはアリール基を
示す） で表わされる５価のアンチモンアルコラート化合物が使
用される。これらのアンチモンアルコラート化合物とし
ては、例えばペンタメトキシアンチモン、ペンタエトキ
シアンチモン、ペンタプロポキシアンチモン、ペンタブ
トキシアンチモン、ペンタフエノキシアンチモン、ペン
タトリルオキシアンチモンなどを挙げることができ、こ
れらは単独でもまた２種以上混合しても用いることがで
きる。
アンチモンとしては一般式 Sb（OR）５（式中、Ｒはアルキル基またはアリール基を
示す） で表わされる５価のアンチモンアルコラート化合物が使
用される。これらのアンチモンアルコラート化合物とし
ては、例えばペンタメトキシアンチモン、ペンタエトキ
シアンチモン、ペンタプロポキシアンチモン、ペンタブ
トキシアンチモン、ペンタフエノキシアンチモン、ペン
タトリルオキシアンチモンなどを挙げることができ、こ
れらは単独でもまた２種以上混合しても用いることがで
きる。
アンチモンアルコラート化合物には３価のものも知ら
れているが、本発明で使用される５価のアンチモンアル
コラート化合物に比べ、３価のアンチモンアルコラート
化合物は安定性が悪く、これを使用して塗布液を調製す
ると塗布液中にゲル化物が発生しやすいという問題点を
有しており、実用的な塗布液が得られない。５価のアン
チモンアルコラート化合物が３価のものより安定な理由
としては、５価のアンチモンアルコラート化合物がアン
チモンの最高原子価の化合価であり、閉殻構造を有する
ためだと推察される。
れているが、本発明で使用される５価のアンチモンアル
コラート化合物に比べ、３価のアンチモンアルコラート
化合物は安定性が悪く、これを使用して塗布液を調製す
ると塗布液中にゲル化物が発生しやすいという問題点を
有しており、実用的な塗布液が得られない。５価のアン
チモンアルコラート化合物が３価のものより安定な理由
としては、５価のアンチモンアルコラート化合物がアン
チモンの最高原子価の化合価であり、閉殻構造を有する
ためだと推察される。
本発明の組成物では上記アルコキシシランを部分加水
分解したものが使用されるが、アルコキシシランはこれ
をそのまま水中に加えると急激に加水分解、重縮合して
不溶性のゲルを不均一に生成するため、アルコキシシラ
ンを有機溶剤に溶解し、この溶液に水を注ぐことが必要
である。
分解したものが使用されるが、アルコキシシランはこれ
をそのまま水中に加えると急激に加水分解、重縮合して
不溶性のゲルを不均一に生成するため、アルコキシシラ
ンを有機溶剤に溶解し、この溶液に水を注ぐことが必要
である。
この有機溶剤としてはメチルアルコール、エチルアル
コール、プロピルアルコール、ブチルアルコールのよう
なアルコール類、アセチルアセトン、アセト酢酸エチル
エステル、ベンゾイルアセトン、マロン酸ジエチルエス
テルなどのβ−ジケトン類、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、エチレ
ングリコール、グリセリン、ジエチレングリコール、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチ
ルエーテル、プロピレングリコールおよびこれらのアル
キルエステルのような多価アルコールおよびそのエーテ
ルまたはエステル類などを挙げることができる。これら
の有機溶剤は単独でも２種以上混合しても用いることが
できるが、本発明で使用するアンチモンアルコラート化
合物に対する溶解性の点から特にアルコール単独または
アルコールにβ−ジケトン類を混合させた有機溶剤が好
ましく使用できる。
コール、プロピルアルコール、ブチルアルコールのよう
なアルコール類、アセチルアセトン、アセト酢酸エチル
エステル、ベンゾイルアセトン、マロン酸ジエチルエス
テルなどのβ−ジケトン類、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、エチレ
ングリコール、グリセリン、ジエチレングリコール、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチ
ルエーテル、プロピレングリコールおよびこれらのアル
キルエステルのような多価アルコールおよびそのエーテ
ルまたはエステル類などを挙げることができる。これら
の有機溶剤は単独でも２種以上混合しても用いることが
できるが、本発明で使用するアンチモンアルコラート化
合物に対する溶解性の点から特にアルコール単独または
アルコールにβ−ジケトン類を混合させた有機溶剤が好
ましく使用できる。
アルコキシシランを上記有機溶剤に溶解後、これに水
を注ぐことによりアルコキシシランを部分加水分解して
得られる生成物はその分子中に１〜３個の水酸基を有す
るようにすることが好ましく、特に平均的には分子中に
1.5〜3.0個の水酸基を有するヒドロキシシラン化合物と
することが好ましい。
を注ぐことによりアルコキシシランを部分加水分解して
得られる生成物はその分子中に１〜３個の水酸基を有す
るようにすることが好ましく、特に平均的には分子中に
1.5〜3.0個の水酸基を有するヒドロキシシラン化合物と
することが好ましい。
アルコキシシランの部分加水分解生成物を確認するに
は、例えば得られた生成物を液体クロマトグラフにより
分析し、得られたヒドロキシシラン化合物の量をそれぞ
れのピーク面積から定量し、前記好ましい生成物である
か否かを確認することができる。
は、例えば得られた生成物を液体クロマトグラフにより
分析し、得られたヒドロキシシラン化合物の量をそれぞ
れのピーク面積から定量し、前記好ましい生成物である
か否かを確認することができる。
本発明の組成物では結果として前記したような部分加
水分解されたものであればすべけ使用できるため、部分
加水分解するための原料成分であるアルコキシシラン、
水および必要に応じて添加される塩酸、硫酸、硝酸など
の無機酸触媒の配合割合は限定できないが、通常はアル
コキシシラン１モル当たり、水を１〜３モル、好ましく
は1.5〜3.0モルの割合とし、前記の触媒の存在下で加水
分解させることにより好ましい生成物を得ることができ
る。しかし前記したように本発明の組成物では部分加水
分解された生成物が得られればこの配合割合に限定され
るものではない。
水分解されたものであればすべけ使用できるため、部分
加水分解するための原料成分であるアルコキシシラン、
水および必要に応じて添加される塩酸、硫酸、硝酸など
の無機酸触媒の配合割合は限定できないが、通常はアル
コキシシラン１モル当たり、水を１〜３モル、好ましく
は1.5〜3.0モルの割合とし、前記の触媒の存在下で加水
分解させることにより好ましい生成物を得ることができ
る。しかし前記したように本発明の組成物では部分加水
分解された生成物が得られればこの配合割合に限定され
るものではない。
このようにしてアルコキシシランの部分加水分解で得
られたヒドロキシシラン含有溶液は必要に応じ、上記有
機溶剤により希釈してシリカ（SiO2）換算濃度１〜20重
量％に調製し、孔径0.2〜10μｍのフイルターを用いて
ゴミなどの不溶解物を別したのちにシリカ系被膜形成
用組成物として使用される。この場合のシリカ換算濃度
とは、得られたヒドロキシシラン含有溶液を３〜5ml正
確に秤量し、これを140℃で３時間蒸発乾固して得られ
る不揮発分量をシリカ量とみなし概算的に計算したもの
である。
られたヒドロキシシラン含有溶液は必要に応じ、上記有
機溶剤により希釈してシリカ（SiO2）換算濃度１〜20重
量％に調製し、孔径0.2〜10μｍのフイルターを用いて
ゴミなどの不溶解物を別したのちにシリカ系被膜形成
用組成物として使用される。この場合のシリカ換算濃度
とは、得られたヒドロキシシラン含有溶液を３〜5ml正
確に秤量し、これを140℃で３時間蒸発乾固して得られ
る不揮発分量をシリカ量とみなし概算的に計算したもの
である。
また本発明の一つの構成成分であるアンチモンアルコ
ラート化合物は前記アルコキシシランの部分加水分解物
において換算されるシリカに対して10〜80重量％の範囲
で配合される。この範囲により少ないと例えば半導体素
子製造用のシリカ系被膜形成用組成物としての実用性に
乏しく、逆に多くなると保存安定性が悪くなるため好ま
しくない。またこれらのアンチモンアルコラート化合物
は上記有機溶剤好ましくはアルコールを主成分とした有
機溶剤に所定量を溶解したのち、この溶液をアルコキシ
シランの部分加水分解物の溶液に配合してもよい。
ラート化合物は前記アルコキシシランの部分加水分解物
において換算されるシリカに対して10〜80重量％の範囲
で配合される。この範囲により少ないと例えば半導体素
子製造用のシリカ系被膜形成用組成物としての実用性に
乏しく、逆に多くなると保存安定性が悪くなるため好ま
しくない。またこれらのアンチモンアルコラート化合物
は上記有機溶剤好ましくはアルコールを主成分とした有
機溶剤に所定量を溶解したのち、この溶液をアルコキシ
シランの部分加水分解物の溶液に配合してもよい。
本発明の組成物は前記したアルコキシシランを部分加
水分解して得られたヒドロキシシラン含有溶液にアンチ
モンアルコラート化合物を溶解してシリカ系被膜形成用
組成物とし、これをシリコン、金属、ガラスなどの各種
材料から成る基板上にスピンナー法、浸漬法、スプレー
法、印刷法、ロールコート法、刷毛塗り法などの慣用方
法で塗布する。次いで150〜900℃の温度範囲で焼成する
ことにより均一で、ピンホールやスラツクの発生のない
シリカ系被膜を形成することができる。この場合の焼成
温度において、上記範囲より低いと均質な被膜が得られ
ないため好ましくない、逆に高いと被膜中のアンチモン
が基板中に拡散してしまうため好ましくない。またこの
焼成温度は使用する基板の耐熱性により決定され、基板
に悪影響を与えない範囲であれば高い温度ほど好まし
い。例えばアルミニウムの基板を用いた場合には、500
℃を超えないことが必要であり、400〜500℃で焼成する
のが好ましい。
水分解して得られたヒドロキシシラン含有溶液にアンチ
モンアルコラート化合物を溶解してシリカ系被膜形成用
組成物とし、これをシリコン、金属、ガラスなどの各種
材料から成る基板上にスピンナー法、浸漬法、スプレー
法、印刷法、ロールコート法、刷毛塗り法などの慣用方
法で塗布する。次いで150〜900℃の温度範囲で焼成する
ことにより均一で、ピンホールやスラツクの発生のない
シリカ系被膜を形成することができる。この場合の焼成
温度において、上記範囲より低いと均質な被膜が得られ
ないため好ましくない、逆に高いと被膜中のアンチモン
が基板中に拡散してしまうため好ましくない。またこの
焼成温度は使用する基板の耐熱性により決定され、基板
に悪影響を与えない範囲であれば高い温度ほど好まし
い。例えばアルミニウムの基板を用いた場合には、500
℃を超えないことが必要であり、400〜500℃で焼成する
のが好ましい。
また本発明の組成物には、半導体素子製造において有
害物となるアルカリ金属のトラツプ剤として500ppm（塩
素原子換算）を超えない範囲で塩素原子を含む化合物を
添加してもよい。その添加量が5000ppmを超えるとスピ
ンナーなどの塗布装置に対する顕著な腐食作用が生じる
ため好ましくない。
害物となるアルカリ金属のトラツプ剤として500ppm（塩
素原子換算）を超えない範囲で塩素原子を含む化合物を
添加してもよい。その添加量が5000ppmを超えるとスピ
ンナーなどの塗布装置に対する顕著な腐食作用が生じる
ため好ましくない。
実施例１ テトラエトキシシラン153g（0.74モル）、水26g（1.4
4モル）、ｎ−ブチルアルコール300gおよび濃塩酸0.1ml
を混合し、室温にてかきまぜながら１週間反応させるこ
とによりテトラエトキシシランの部分加水分解（加水分
解度：約50％）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た
（シリカ換算15重量％）。
4モル）、ｎ−ブチルアルコール300gおよび濃塩酸0.1ml
を混合し、室温にてかきまぜながら１週間反応させるこ
とによりテトラエトキシシランの部分加水分解（加水分
解度：約50％）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た
（シリカ換算15重量％）。
次いでこの溶液142.9gにペンタエトキシアンチモンの
50重量％エチルアルコール溶液6.8gを加えたものを塗布
液とした。この塗布液を３インチシリコンウエハー上に
3000rpmで20秒間スピンナー塗布し、600℃で10分間焼成
させることにより膜厚30μｍの被膜が形成された。この
被膜は均一で、ピンホールやクラツクの発生はなかつ
た。この塗布液は室温による保存において１カ月以上放
置しても安定で、塗布液中にゲル化物の発生はなかつ
た。
50重量％エチルアルコール溶液6.8gを加えたものを塗布
液とした。この塗布液を３インチシリコンウエハー上に
3000rpmで20秒間スピンナー塗布し、600℃で10分間焼成
させることにより膜厚30μｍの被膜が形成された。この
被膜は均一で、ピンホールやクラツクの発生はなかつ
た。この塗布液は室温による保存において１カ月以上放
置しても安定で、塗布液中にゲル化物の発生はなかつ
た。
実施例２ ジブトキシジメトキシラン200g（0.84モル）、水30g
（1.66モル）、エチルアルコール200gおよび濃塩酸0.1m
lを混合し、室温でかきまぜながら１週間反応させてジ
ブトキシジメトキシシランの部分加水分解（加水分解
度：約50％）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た
（シリカ換算18重量％）。
（1.66モル）、エチルアルコール200gおよび濃塩酸0.1m
lを混合し、室温でかきまぜながら１週間反応させてジ
ブトキシジメトキシシランの部分加水分解（加水分解
度：約50％）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た
（シリカ換算18重量％）。
次いでこの溶液をエチルアルコールにより希釈し、シ
リカ換算10重量％にし、その希釈液71.2gにペンタブト
キシアンチモンの50重量％ブチルアルコール溶液6.8gを
加えたものを塗布液とした。この塗布液を３インチシリ
コンウエハー上に3000rpmで20秒間スピンナー塗布し、5
00℃で10分間焼成することで膜厚20μｍの被膜が形成さ
れた。この被膜は均一でピンホールやクラツクの発生は
なかつた。またこの塗布液は室温による保存において１
カ月以上放置しても安定で、塗布液中にゲル化物の発生
はなかつた。
リカ換算10重量％にし、その希釈液71.2gにペンタブト
キシアンチモンの50重量％ブチルアルコール溶液6.8gを
加えたものを塗布液とした。この塗布液を３インチシリ
コンウエハー上に3000rpmで20秒間スピンナー塗布し、5
00℃で10分間焼成することで膜厚20μｍの被膜が形成さ
れた。この被膜は均一でピンホールやクラツクの発生は
なかつた。またこの塗布液は室温による保存において１
カ月以上放置しても安定で、塗布液中にゲル化物の発生
はなかつた。
実施例３ テトラエトキシシラン153g（0.74モル）、水19.2g
（1.06モル）、ブチルアルコール200gおよび濃塩酸0.1m
lを混合し、室温でかきまぜながら１週間反応させてテ
トラエトキシシランの部分加水分解（加水分解度：約38
％）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た。
（1.06モル）、ブチルアルコール200gおよび濃塩酸0.1m
lを混合し、室温でかきまぜながら１週間反応させてテ
トラエトキシシランの部分加水分解（加水分解度：約38
％）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た。
次いでこのヒドロキシシランがシリカ換算濃度で6.2
重量％になるようにブチルアルコールを添加して希釈
し、その希釈液168.2gにベンタブトキシアンチモンの50
重量％ブチルアルコール溶液10.5gを加えたものを塗布
液とした。この塗布液を用い、表面にアルミニウムの蒸
着された３インチシリコンウエハー上に3000rpmで20秒
間スピンナー塗布し、400℃で20分間焼成することで膜
厚５μｍの被膜が形成された。この被膜は均一でピンホ
ールやクラツクの発生はなかつた。またこの塗布液は室
温による保存において１カ月以上放置しても安定で、塗
布液中にゲル化物の発生はなかつた。
重量％になるようにブチルアルコールを添加して希釈
し、その希釈液168.2gにベンタブトキシアンチモンの50
重量％ブチルアルコール溶液10.5gを加えたものを塗布
液とした。この塗布液を用い、表面にアルミニウムの蒸
着された３インチシリコンウエハー上に3000rpmで20秒
間スピンナー塗布し、400℃で20分間焼成することで膜
厚５μｍの被膜が形成された。この被膜は均一でピンホ
ールやクラツクの発生はなかつた。またこの塗布液は室
温による保存において１カ月以上放置しても安定で、塗
布液中にゲル化物の発生はなかつた。
実施例４ テトラプロポキシシラン153g（0.73モル）、水26.5g
（1.47モル）、ｎ−プロピルアルコール200gおよび濃酸
塩0.4mlを混合し、室温でかきまぜながら１週間反応さ
せてテトラプロポキシシランの部分加水分解（加水分解
度：約50％）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た
（シリカ換算12重量％）。
（1.47モル）、ｎ−プロピルアルコール200gおよび濃酸
塩0.4mlを混合し、室温でかきまぜながら１週間反応さ
せてテトラプロポキシシランの部分加水分解（加水分解
度：約50％）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た
（シリカ換算12重量％）。
この溶液にペンタフエノキシアンチモンの50重量％プ
ロピルアルコール溶液20gを加えたものを塗布液とし
た。この塗布液を用い、実施例１と同様にして膜厚30μ
ｍの被膜が形成された。この被膜は均一でピンホールや
クラツクはなかつた。またこの塗布液は室温による保存
において１カ月以上放置しても安定で、塗布液中にゲル
化物の発生はなかつた。
ロピルアルコール溶液20gを加えたものを塗布液とし
た。この塗布液を用い、実施例１と同様にして膜厚30μ
ｍの被膜が形成された。この被膜は均一でピンホールや
クラツクはなかつた。またこの塗布液は室温による保存
において１カ月以上放置しても安定で、塗布液中にゲル
化物の発生はなかつた。
比較例１ 実施例１においてペンタエトキシアンチモンの代わり
に、トリエトキシアンチモンを用いた以外は全て同様に
して得られた塗布液は室温による保存において１週間
で、塗布液中にゲル化物の発生がみられた。
に、トリエトキシアンチモンを用いた以外は全て同様に
して得られた塗布液は室温による保存において１週間
で、塗布液中にゲル化物の発生がみられた。
本発明のシリカ系被膜形成用組成物を使用することに
より、0.05〜50μｍの膜厚で平滑かつ均一な、しかもピ
ンホールやクラツクのない連続性被膜を簡単に形成させ
ることができる。したがつて表面に段差（凹凸）を有す
る基板に塗布した場合でも、表面を平坦化することがで
き、電子部品用の多層配線の絶縁膜として好適に用いら
れる。
より、0.05〜50μｍの膜厚で平滑かつ均一な、しかもピ
ンホールやクラツクのない連続性被膜を簡単に形成させ
ることができる。したがつて表面に段差（凹凸）を有す
る基板に塗布した場合でも、表面を平坦化することがで
き、電子部品用の多層配線の絶縁膜として好適に用いら
れる。
またアンチモンアルコラート化合物を使用することで
均一で厚膜の被膜を形成できるとともに極めて保存安定
性に優れた塗布液となる。
均一で厚膜の被膜を形成できるとともに極めて保存安定
性に優れた塗布液となる。
Claims (1)
- 【請求項１】アルコキシシランの部分加水分解物を含有
して成るシリカ系被膜形成用塗布液に、一般式 Sb（OR）５ （式中、Ｒはアルキル基またはアリール基を示す） で表わされるアンチモンアルコラート化合物を添加して
成るシリカ系被膜形成用組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62131480A JPH0826280B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | シリカ系被膜形成用組成物 |
| US07/194,248 US4835017A (en) | 1987-05-29 | 1988-05-16 | Liquid composition for forming silica-based coating film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62131480A JPH0826280B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | シリカ系被膜形成用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63297468A JPS63297468A (ja) | 1988-12-05 |
| JPH0826280B2 true JPH0826280B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=15058961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62131480A Expired - Lifetime JPH0826280B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | シリカ系被膜形成用組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4835017A (ja) |
| JP (1) | JPH0826280B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2736342B1 (fr) * | 1995-07-07 | 1999-01-29 | Univ Claude Bernard Lyon | Procede pour la fabrication d'aerogels de silice monolithiques et aerogels de silice ainsi obtenus |
| US9273574B2 (en) * | 2009-09-30 | 2016-03-01 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Exhaust gas purifying filter |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2624888A1 (de) * | 1976-06-03 | 1977-12-15 | Dynamit Nobel Ag | Waessrige loesung von gemischen siliciumorganischer verbindungen |
| US4322476A (en) * | 1979-12-12 | 1982-03-30 | General Electric Company | Impact resistant laminate |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62131480A patent/JPH0826280B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-05-16 US US07/194,248 patent/US4835017A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4835017A (en) | 1989-05-30 |
| JPS63297468A (ja) | 1988-12-05 |
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