JPS6366929A - アンチモン拡散用シリカ系被膜形成組成物 - Google Patents
アンチモン拡散用シリカ系被膜形成組成物Info
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- JPS6366929A JPS6366929A JP61209568A JP20956886A JPS6366929A JP S6366929 A JPS6366929 A JP S6366929A JP 61209568 A JP61209568 A JP 61209568A JP 20956886 A JP20956886 A JP 20956886A JP S6366929 A JPS6366929 A JP S6366929A
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- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/14—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
- H10P32/1408—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers
- H10P32/141—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers the applied layer comprising oxides only
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路素子の製造に使用されるアンチ
モン（以下ｓｂであられすことがある）拡散用シリカ系
被膜形成組成物に関する。
モン（以下ｓｂであられすことがある）拡散用シリカ系
被膜形成組成物に関する。
半導体集積回路素子の製造において、種々の拡散方法に
よってｐ型あるいはＩｎｌ型の導電型不純物領域が形成
されることは良く知られている。
よってｐ型あるいはＩｎｌ型の導電型不純物領域が形成
されることは良く知られている。
この拡散方法としてはガス拡散法、固体拡散法、イオン
注入法などが行われているが、比較的高濃度な不純物領
域を形成する方法として、液状の拡散源を塗布し、焼成
することにより不純物領域を形成する塗布拡散法も知ら
れている。この塗布拡散法は複雑な操作を必要とせず、
高濃度な不純物領域が形成できるため近年多く用いられ
ている。
注入法などが行われているが、比較的高濃度な不純物領
域を形成する方法として、液状の拡散源を塗布し、焼成
することにより不純物領域を形成する塗布拡散法も知ら
れている。この塗布拡散法は複雑な操作を必要とせず、
高濃度な不純物領域が形成できるため近年多く用いられ
ている。
ところで、バイポーラ集積回路素子の製造においてはコ
レクタのシリーズ抵抗を下げるために埋め込みコレクタ
層が半導体基板内に形成されて、この半導体基板上にエ
ピタキシャル層が形成されている。埋め込みコレクタ層
を形成するためにはヒ素（Ａｓ）またはｓｂを不純物と
して半導体基板内に拡散することにより形成されるが、
エピタキシャル層の形成時において、埋め込み層からエ
ピタキシャル層への拡散がＡ＄よりｓｂの方が小さいた
め、ｓｂが多く使用されている。
レクタのシリーズ抵抗を下げるために埋め込みコレクタ
層が半導体基板内に形成されて、この半導体基板上にエ
ピタキシャル層が形成されている。埋め込みコレクタ層
を形成するためにはヒ素（Ａｓ）またはｓｂを不純物と
して半導体基板内に拡散することにより形成されるが、
エピタキシャル層の形成時において、埋め込み層からエ
ピタキシャル層への拡散がＡ＄よりｓｂの方が小さいた
め、ｓｂが多く使用されている。
ｓｂの塗布拡散法による塗布液としては、三塩化アンチ
モン（ｓｂｃ１３）を含有したシリカ系被膜形成用塗布
液が主に使用されている。具体的に“は一般式翫−ｎｓ
ｉ （ＯＨ）ｎ （弐′申゛Ｒは水素原子、アルキル基
、アリール基またはアルキルカルボニルオキシ基を表わ
し、ｎはＯ（ｎ≦４の関係を満足する整数を表わす。）
で表わされるシラノール化合物および５ｂＣＩｓ％５ｂ
ＯＣ１，５ｂ４０５ＣＩなどの塩化アンチモン化合物を
有機溶剤に溶解して成る塗布液が用いられている。この
塩化アンチモン化合物はｓｂの拡散源として高濃度の拡
散ができるという利点はあるが、この塗布液中には塩素
原子が含有されているため、半導体基板上に塗布液を塗
布するスピンコーターなどの塗布装置を腐食させるとい
う問題点を有している。このため拡散源として二酸化ニ
アンチモン（８ｂ２０ａ）を有機溶剤に溶解して得た塗
布液を半導体基板に塗布することによりｓｂを拡散させ
る方法も提案されている。しかしながら５ｂ２０３はそ
の融点が６５６℃であり、沸燵が１４２５℃であるのに
対し、通常の拡散温度は１２００〜１３００℃であるた
めに半導体基板中にｓｂが十分に拡散されないという問
題点を有している。さらにこれらのｓｂ拡散用塗布液は
保存安定性が悪いため実用性にも問題があり、その改善
が強く望まれている。
モン（ｓｂｃ１３）を含有したシリカ系被膜形成用塗布
液が主に使用されている。具体的に“は一般式翫−ｎｓ
ｉ （ＯＨ）ｎ （弐′申゛Ｒは水素原子、アルキル基
、アリール基またはアルキルカルボニルオキシ基を表わ
し、ｎはＯ（ｎ≦４の関係を満足する整数を表わす。）
で表わされるシラノール化合物および５ｂＣＩｓ％５ｂ
ＯＣ１，５ｂ４０５ＣＩなどの塩化アンチモン化合物を
有機溶剤に溶解して成る塗布液が用いられている。この
塩化アンチモン化合物はｓｂの拡散源として高濃度の拡
散ができるという利点はあるが、この塗布液中には塩素
原子が含有されているため、半導体基板上に塗布液を塗
布するスピンコーターなどの塗布装置を腐食させるとい
う問題点を有している。このため拡散源として二酸化ニ
アンチモン（８ｂ２０ａ）を有機溶剤に溶解して得た塗
布液を半導体基板に塗布することによりｓｂを拡散させ
る方法も提案されている。しかしながら５ｂ２０３はそ
の融点が６５６℃であり、沸燵が１４２５℃であるのに
対し、通常の拡散温度は１２００〜１３００℃であるた
めに半導体基板中にｓｂが十分に拡散されないという問
題点を有している。さらにこれらのｓｂ拡散用塗布液は
保存安定性が悪いため実用性にも問題があり、その改善
が強く望まれている。
本発明者らは上記問題点を改善したｓｂ拡散用塗布液の
提供を目的とし、鋭意研究した結果、ｓｂの拡散剤とし
て、アルコキシまたはフェノキシアンチモンを用いるこ
とにより、その目的を達成できることを見い出し、この
知見に基づいて本発明をなすに至った。
提供を目的とし、鋭意研究した結果、ｓｂの拡散剤とし
て、アルコキシまたはフェノキシアンチモンを用いるこ
とにより、その目的を達成できることを見い出し、この
知見に基づいて本発明をなすに至った。
本発明はアルコキシシランを部分加水分解したものとア
ルコキシまたはフェノキシアンチモンとを溶解して成る
ｓｂ拡散用シリカ系被膜形成組成物である。
ルコキシまたはフェノキシアンチモンとを溶解して成る
ｓｂ拡散用シリカ系被膜形成組成物である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明で用いられるアルコキシシランは一般式％式％
（式中Ｒ′とＲ“はそれぞれ独立して、アルキル基、ア
ルコキシ基、アリル基、アリール基、グリシジルオキシ
アルキル基、アクリロキシアルキル基、メタクリロキシ
アルキル基、ビニル基を表わし、ｎは０または１〜８の
整数である。） で表わされる化合物である。このような化合物としては
例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、
テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、モノ
メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン
、モノエチルトリエトキシシラン、ジエチルジェトキシ
シラン、ジフェニルジメトキシシラン、モノメチルトリ
エトキシシラン、モノエチルドーリブトキシシラン、ジ
エチルジブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラン
、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルエチルジェト
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエ
トキシシラン、ビニルトリブトキシシラン、γ−アクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシ
プロピルトリエトキシシラン、β−メタクリロキシエチ
ルトリメトキシシラン、β−メタクリロキシエチルトリ
エトキシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリメト
キシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリエトキシ
シラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシ
ラン、ｒ−グリシジルオキシプロビルトリエトキシシラ
ンなどを挙げることができる。
ルコキシ基、アリル基、アリール基、グリシジルオキシ
アルキル基、アクリロキシアルキル基、メタクリロキシ
アルキル基、ビニル基を表わし、ｎは０または１〜８の
整数である。） で表わされる化合物である。このような化合物としては
例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、
テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、モノ
メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン
、モノエチルトリエトキシシラン、ジエチルジェトキシ
シラン、ジフェニルジメトキシシラン、モノメチルトリ
エトキシシラン、モノエチルドーリブトキシシラン、ジ
エチルジブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラン
、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルエチルジェト
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエ
トキシシラン、ビニルトリブトキシシラン、γ−アクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシ
プロピルトリエトキシシラン、β−メタクリロキシエチ
ルトリメトキシシラン、β−メタクリロキシエチルトリ
エトキシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリメト
キシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリエトキシ
シラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシ
ラン、ｒ−グリシジルオキシプロビルトリエトキシシラ
ンなどを挙げることができる。
また本発明で用いられるアルコキシまたはフェノキシア
ンチモンとしては一般式 ％式％（） （式中、Ｒはアルキル基またはアリール基、ｎは８また
は５を示す。） で表わされるアンチモンアルコラード化合物が使用され
る。これらのアンチモンアルコラード化合物としては、
例えばトリメトキシアンチモン、トリエトキシアンチモ
ン、トリプロポキシアンチモン、トリブトキシアンチモ
ン、ペンタメトキシアンチモン、ペンタエトキシアンチ
モン、ペンタプロポキシアンチモン、ペンタブトキシア
ンチモン、トリフエノキシアンチモン、ペンタフェノキ
シアンチモン、トリトリルオキシアンチモン、ペンタト
リルオーキシアンチモンなどを挙げることができ、これ
らは単独でもまた２種以上混合しても用いることができ
る。
ンチモンとしては一般式 ％式％（） （式中、Ｒはアルキル基またはアリール基、ｎは８また
は５を示す。） で表わされるアンチモンアルコラード化合物が使用され
る。これらのアンチモンアルコラード化合物としては、
例えばトリメトキシアンチモン、トリエトキシアンチモ
ン、トリプロポキシアンチモン、トリブトキシアンチモ
ン、ペンタメトキシアンチモン、ペンタエトキシアンチ
モン、ペンタプロポキシアンチモン、ペンタブトキシア
ンチモン、トリフエノキシアンチモン、ペンタフェノキ
シアンチモン、トリトリルオキシアンチモン、ペンタト
リルオーキシアンチモンなどを挙げることができ、これ
らは単独でもまた２種以上混合しても用いることができ
る。
本発明の組成物では上記アルコキシシランを部分加水分
解したものが使用されるが、アルコキシシランはこれを
そのまま水中に加えると急激に加水分解、重縮合して不
溶性のゲルを不均一的に生成するため、アルコキシシラ
ンを有機溶剤に溶解し、この溶液に水を注ぐことが必要
である。
解したものが使用されるが、アルコキシシランはこれを
そのまま水中に加えると急激に加水分解、重縮合して不
溶性のゲルを不均一的に生成するため、アルコキシシラ
ンを有機溶剤に溶解し、この溶液に水を注ぐことが必要
である。
この有機溶剤としてはメチルアルコール、エチルアルコ
ール、プロピルアルコール、ブチルアルコールのような
アルコール類、アセチルアセトン、アセト酢酸エチルエ
ステル、ベンゾイルアセトン、マロン酸ジエチルエステ
ルなどのβ−ジケトン類、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケ′トンなどのケトン類、エチレ
ングリコール１．グリセリン、ジエチレンクリコール、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、プロピレングリコールおよびこれらのア
ルキルエステルのような多価アルコールおよびそのエー
テルまたはエステル類などを挙げることができる。これ
らの有機溶剤は単独でも２種以上混合しても用いること
ができるが、本発明の構成要件であるアルコキシまたは
フェノキシアンチモンに対する溶解性の点から特にアル
コール単独またはアルコールにβ−ジケトン類を混合さ
せた有機溶剤が好ましく使用できる。
ール、プロピルアルコール、ブチルアルコールのような
アルコール類、アセチルアセトン、アセト酢酸エチルエ
ステル、ベンゾイルアセトン、マロン酸ジエチルエステ
ルなどのβ−ジケトン類、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケ′トンなどのケトン類、エチレ
ングリコール１．グリセリン、ジエチレンクリコール、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、プロピレングリコールおよびこれらのア
ルキルエステルのような多価アルコールおよびそのエー
テルまたはエステル類などを挙げることができる。これ
らの有機溶剤は単独でも２種以上混合しても用いること
ができるが、本発明の構成要件であるアルコキシまたは
フェノキシアンチモンに対する溶解性の点から特にアル
コール単独またはアルコールにβ−ジケトン類を混合さ
せた有機溶剤が好ましく使用できる。
アルコキシシランを上記有機溶剤に溶解後、これに水を
注ぐことによりアルコキシシランを部分加水分解して得
られる反応生成物は、それに含有されるヒドロキシシラ
ン化合物のほとんどがその分子中に１〜３個の水酸基を
有するようにすることが好ましく、特に平均的には分子
中に１．５〜３．０個の水酸基を有するヒドロキシシラ
ン化合物とすることが好ましい。
注ぐことによりアルコキシシランを部分加水分解して得
られる反応生成物は、それに含有されるヒドロキシシラ
ン化合物のほとんどがその分子中に１〜３個の水酸基を
有するようにすることが好ましく、特に平均的には分子
中に１．５〜３．０個の水酸基を有するヒドロキシシラ
ン化合物とすることが好ましい。
アルコキシシランの部分加水分解した反・“応生成物を
確認するには、例えば得られた反応生成物を液体クロマ
トグラフにより分析し、得られたヒドロキシシラン化合
物の量をそれぞれのピーク面積から定量し、前記好まし
い反応生成物であるか否かを確認することができる。
確認するには、例えば得られた反応生成物を液体クロマ
トグラフにより分析し、得られたヒドロキシシラン化合
物の量をそれぞれのピーク面積から定量し、前記好まし
い反応生成物であるか否かを確認することができる。
本発明の組成物では結果として前記したような部分加水
分解されたものであれば全て使用できるため、部分加水
分解するための原料成分であるアルコキシシラン、水お
よび必要に応じて添加される塩酸、硫酸、硝酸などの無
機酸触媒の配合割合は限定できないが、通常はアルコキ
シシラン１モル当り、水を１〜８モル、好ましくはｌ・
５〜３・０モルの割合とし、前記の触媒の存在下で加水
分解させることにより好ましい反応生成物を得ることが
できる。しかし前記したように本発明の組成物では部分
加水分解された反応生成物が得られれば、この配合割合
に限定されるものではない。
分解されたものであれば全て使用できるため、部分加水
分解するための原料成分であるアルコキシシラン、水お
よび必要に応じて添加される塩酸、硫酸、硝酸などの無
機酸触媒の配合割合は限定できないが、通常はアルコキ
シシラン１モル当り、水を１〜８モル、好ましくはｌ・
５〜３・０モルの割合とし、前記の触媒の存在下で加水
分解させることにより好ましい反応生成物を得ることが
できる。しかし前記したように本発明の組成物では部分
加水分解された反応生成物が得られれば、この配合割合
に限定されるものではない。
このようにしてアルコキシシランの部分加水分解で得ら
れたヒドロキシシラン含有溶液は必要に応じ、上記有機
溶剤によりシリカ（５ｉ０２）換算濃度１〜２０重量％
に調製し、孔径０・２〜１０μｍのフィダーを用いてゴ
ミ等の不溶解物を０別したのち使用される・ また本発明のもう一つの構成成分であるアルコキシまた
はフェノキシアンチモンは前記アルコキシシランの加水
分解物において換算される５１０２に対して１０〜８０
重量％の範囲で配合される。この範囲より少ないとｓｂ
の拡散剤としての実用性に乏しく、逆に多くなると拡散
用塗布液としての保存安定性が悪くなるため好ましくな
い。またこれらのアルコキシまたはフェノキシアンチモ
ンは上記有機溶剤好ましくは、アルコールを主成分とし
た有機溶剤に所定量を溶解したのち、この溶液をアルコ
キシシランの部分加水分解物に配合してもよい。
れたヒドロキシシラン含有溶液は必要に応じ、上記有機
溶剤によりシリカ（５ｉ０２）換算濃度１〜２０重量％
に調製し、孔径０・２〜１０μｍのフィダーを用いてゴ
ミ等の不溶解物を０別したのち使用される・ また本発明のもう一つの構成成分であるアルコキシまた
はフェノキシアンチモンは前記アルコキシシランの加水
分解物において換算される５１０２に対して１０〜８０
重量％の範囲で配合される。この範囲より少ないとｓｂ
の拡散剤としての実用性に乏しく、逆に多くなると拡散
用塗布液としての保存安定性が悪くなるため好ましくな
い。またこれらのアルコキシまたはフェノキシアンチモ
ンは上記有機溶剤好ましくは、アルコールを主成分とし
た有機溶剤に所定量を溶解したのち、この溶液をアルコ
キシシランの部分加水分解物に配合してもよい。
これらのアルコキシまたはフェノキシアンチモンを有機
溶剤に溶解する場合、特に８価のアルコキシまたはフェ
ノキシアンチモンは、その溶解性が悪いため溶解助剤と
して酒石酸をアルコキシまたはフェノキシアンチモン１
モルに対して１〜２モルを同時に配合することが好まし
い。しかしながら５価のアルコキシまたはフェノキシア
ンチモンは有機溶剤に十分溶解するため特に酒石酸は必
要としない。
溶剤に溶解する場合、特に８価のアルコキシまたはフェ
ノキシアンチモンは、その溶解性が悪いため溶解助剤と
して酒石酸をアルコキシまたはフェノキシアンチモン１
モルに対して１〜２モルを同時に配合することが好まし
い。しかしながら５価のアルコキシまたはフェノキシア
ンチモンは有機溶剤に十分溶解するため特に酒石酸は必
要としない。
本発明の組成物は前記したアルコキシシランを部分加水
分解して得られたヒドロキシシラン含有溶液にアルコキ
シまたはフェノキシアンチモンを溶解してｓｂ拡散用の
シリカ系被膜形成塗布液とし、これをｓｂの拡散を必要
とするシリコンウェハーなどの各種半導体材料から成る
基板上に塗布し、熱拡散することにより、基板内にｓｂ
拡散することができる。基板上に塗布する方法としては
、慣用されている方法のうち、任意のものを選ぶことが
でき、例えばスピンナー法、浸漬引上げ法、スプレー法
、スクリーン印刷法、ロールコート法、刷毛塗り法など
を挙げることができる。また本発明の組成物は塗布液と
して基板上に塗布したのち、１５０℃以上の温度で乾燥
し、次いで１０００℃以上の温度で熱拡散することによ
り基板内にｓｂを高濃度拡散することができる。
分解して得られたヒドロキシシラン含有溶液にアルコキ
シまたはフェノキシアンチモンを溶解してｓｂ拡散用の
シリカ系被膜形成塗布液とし、これをｓｂの拡散を必要
とするシリコンウェハーなどの各種半導体材料から成る
基板上に塗布し、熱拡散することにより、基板内にｓｂ
拡散することができる。基板上に塗布する方法としては
、慣用されている方法のうち、任意のものを選ぶことが
でき、例えばスピンナー法、浸漬引上げ法、スプレー法
、スクリーン印刷法、ロールコート法、刷毛塗り法など
を挙げることができる。また本発明の組成物は塗布液と
して基板上に塗布したのち、１５０℃以上の温度で乾燥
し、次いで１０００℃以上の温度で熱拡散することによ
り基板内にｓｂを高濃度拡散することができる。
また本発明の組成物は半導体素子製造において有害物と
なるアルカリ金属のトラップ剤として５０００ｐｐｍ（
塩素原子換算）を超えない範囲で塩素原子を含む化合物
を添加してもよい。その添加量が５０００ ｐｐｍを超
えるとスピンナーなどの塗布装置に対する顕著な腐食作
用が生じ、本発明の目的が達成されないため好ましくな
い。
なるアルカリ金属のトラップ剤として５０００ｐｐｍ（
塩素原子換算）を超えない範囲で塩素原子を含む化合物
を添加してもよい。その添加量が５０００ ｐｐｍを超
えるとスピンナーなどの塗布装置に対する顕著な腐食作
用が生じ、本発明の目的が達成されないため好ましくな
い。
実施例１
テトラエトキシシラン７６．５＃（０，３７モル）、水
１Ｂ＃（０，７２モル）ｓｍ−ブチルアルコール１４０
ｇおよび塩酸０．１ｍｌを混合し、室温にてかきまぜな
がら１週間反応させることによりテトラエトキシシラン
の部分加水分解（加水分解度：約５０％）すしたヒドロ
キシシラン含有溶液を得た（ＳｉＯ２換算１５重量％）
。
１Ｂ＃（０，７２モル）ｓｍ−ブチルアルコール１４０
ｇおよび塩酸０．１ｍｌを混合し、室温にてかきまぜな
がら１週間反応させることによりテトラエトキシシラン
の部分加水分解（加水分解度：約５０％）すしたヒドロ
キシシラン含有溶液を得た（ＳｉＯ２換算１５重量％）
。
次いでこの溶液をｎ−ブチルアルコールにより希釈し、
５ｉ０２換算６．２重量％にし、その希釈１１４２．Ｇ
ｌにペンタエトキシアンデモ９ンの５０重量％エチルア
ルコール溶液６・８Ｉを加えたものを塗布液とした。こ
の塗布液を８インチシリコンウェハー上に８００Ｏｒｐ
ｍで２０秒間スピンナー塗布し５００℃で１０分間乾燥
させることにより膜厚５１０Ｘの被膜を形成した。次い
でこのシリコンウェハーを拡散炉に入れ最初５００℃の
予備ベークにより被膜中の有機物を分解揮散させ、続い
て窒素−酸素混合ガス（Ｎ２１・５／／ｍ１ｎ−０２０
−５Ａ！／ｍｉｎ ）を流し、１２３０℃で６０分間拡
散を行った。
５ｉ０２換算６．２重量％にし、その希釈１１４２．Ｇ
ｌにペンタエトキシアンデモ９ンの５０重量％エチルア
ルコール溶液６・８Ｉを加えたものを塗布液とした。こ
の塗布液を８インチシリコンウェハー上に８００Ｏｒｐ
ｍで２０秒間スピンナー塗布し５００℃で１０分間乾燥
させることにより膜厚５１０Ｘの被膜を形成した。次い
でこのシリコンウェハーを拡散炉に入れ最初５００℃の
予備ベークにより被膜中の有機物を分解揮散させ、続い
て窒素−酸素混合ガス（Ｎ２１・５／／ｍ１ｎ−０２０
−５Ａ！／ｍｉｎ ）を流し、１２３０℃で６０分間拡
散を行った。
拡散処理後、１５重量％フッ酸にシリコンウェハーを没
し、ｓｂ拡散用被膜を溶解除去した。このシリコンウェ
ハーの抵抗値は３０．９ ｎ／口であった。またこの塗
布液を使用したスピンナー装置は長期の使用においても
腐食は生じなかった。
し、ｓｂ拡散用被膜を溶解除去した。このシリコンウェ
ハーの抵抗値は３０．９ ｎ／口であった。またこの塗
布液を使用したスピンナー装置は長期の使用においても
腐食は生じなかった。
実施例２
テトラブトキシシラン１１２ｇ（０・８５モル）、水１
１．２ ！ｊ（０，６２モル）、ｎ−ブチルアルコール
６２、！？および塩酸０．２ｍｌを混合し、室温でかき
まぜながら１週間反応させてテトラブトキシシランの部
分加水分解（加水分解塵：約５０チ）されたヒドロキシ
シラン含有溶液を得た（ ＳｉＯ２換算１５重量％）。
１．２ ！ｊ（０，６２モル）、ｎ−ブチルアルコール
６２、！？および塩酸０．２ｍｌを混合し、室温でかき
まぜながら１週間反応させてテトラブトキシシランの部
分加水分解（加水分解塵：約５０チ）されたヒドロキシ
シラン含有溶液を得た（ ＳｉＯ２換算１５重量％）。
次いでこの溶液をｎ−ブチルアルコールにより希釈し、
５ｉｎ２換算６．２重量％にし、その希釈液１４４
．２９にペンタエトキシアンチモンの５０重量％ｎ−ブ
チルアルコール溶液６．８１を加えたものを塗布液とし
た。この塗布液を用い、実施例１と同様にしてｓｂの拡
散処理を行ったところ、抵抗値４０．９（′２／口のシ
リコンウェハーが得られた。またこの塗布液を使用した
スピンナー装置は長期の使用においても腐食は生じなか
った。
５ｉｎ２換算６．２重量％にし、その希釈液１４４
．２９にペンタエトキシアンチモンの５０重量％ｎ−ブ
チルアルコール溶液６．８１を加えたものを塗布液とし
た。この塗布液を用い、実施例１と同様にしてｓｂの拡
散処理を行ったところ、抵抗値４０．９（′２／口のシ
リコンウェハーが得られた。またこの塗布液を使用した
スピンナー装置は長期の使用においても腐食は生じなか
った。
実施例８
ジブトキシジメトキシシラン１００．！ｉ’（０，４２
モル）、水１５．９ （０，５８モル）、エチルアルコ
ール１００．９および塩酸０・１ｍ７！を混合し、室温
でかきまぜながら１週間反応させてジブトキシジメトキ
シシランの部分加水分解（加水分解塵：約５０チ）され
たヒドロキシシラン含有溶液を得た（ＳｉＯ２換算１８
重量％）。
モル）、水１５．９ （０，５８モル）、エチルアルコ
ール１００．９および塩酸０・１ｍ７！を混合し、室温
でかきまぜながら１週間反応させてジブトキシジメトキ
シシランの部分加水分解（加水分解塵：約５０チ）され
たヒドロキシシラン含有溶液を得た（ＳｉＯ２換算１８
重量％）。
次いでこの溶液をエチルアルコールにより希釈し、５ｉ
０２換算１０重量％にし、その希釈液７１．２ｆＩ、ア
セチルアセトン９ｇ、トリブトキシアンチモンの５０重
量％ブチルアルコール６．８ｇおよび酒石酸１．７ 、
Ｐを加えたものを塗布液とした。この塗布液を用い実施
例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行ったところ、抵抗
値３０Ω／口のシリコンウェハーが得られた。またこの
塗布液を使用したスピンナー装置は長期の使用において
も腐食を生じなかった。
０２換算１０重量％にし、その希釈液７１．２ｆＩ、ア
セチルアセトン９ｇ、トリブトキシアンチモンの５０重
量％ブチルアルコール６．８ｇおよび酒石酸１．７ 、
Ｐを加えたものを塗布液とした。この塗布液を用い実施
例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行ったところ、抵抗
値３０Ω／口のシリコンウェハーが得られた。またこの
塗布液を使用したスピンナー装置は長期の使用において
も腐食を生じなかった。
実施例４
テトラエトキシシラン３０６．９ （１，４７モル）、
水７９．５ ｇ（４，４１モル）、エチルアルコール５
６０．９および硝酸２ ｍｌを混合し、室温でかきまぜ
ながら１週間反応させてテトラエトキシシランの部分加
水分解（加水分鮮度：約７５％）されたヒドロキシシラ
ン含有溶液を得た（ＳｉＯ２換算１換算１俤 釈し、ＳｉＯ２換算６．２重量％にし、その希釈液１
３ ５、６ ９にペンタブトキシアンチモンの５０重量
％ブチルアルコール溶液１２．２ｇを加えたものを塗布
液とした。この塗布液を用い実施例１と同様にしてｓｂ
の拡散処理を行ったところ、抵抗値２５Ω／口のシリコ
ンウェハーが得られた。
水７９．５ ｇ（４，４１モル）、エチルアルコール５
６０．９および硝酸２ ｍｌを混合し、室温でかきまぜ
ながら１週間反応させてテトラエトキシシランの部分加
水分解（加水分鮮度：約７５％）されたヒドロキシシラ
ン含有溶液を得た（ＳｉＯ２換算１換算１俤 釈し、ＳｉＯ２換算６．２重量％にし、その希釈液１
３ ５、６ ９にペンタブトキシアンチモンの５０重量
％ブチルアルコール溶液１２．２ｇを加えたものを塗布
液とした。この塗布液を用い実施例１と同様にしてｓｂ
の拡散処理を行ったところ、抵抗値２５Ω／口のシリコ
ンウェハーが得られた。
またこの塗布液を使用したスピンナー装置は長期の使用
においても腐食は生じなかった。
においても腐食は生じなかった。
実施例５
テトラメトキシシラ：／２２５１９（１．４８ＥＪし）
、エチルアルコール６４０Ｉおよび水５３ｇ（Ｌ９４モ
ル）を混合し、室温でかきまぜながら１週間反応させて
テトラメトキシランの部分加水分解（加水分鮮度：約５
０％）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た（Ｓｉｎ
ｇ換算１１重量％）。
、エチルアルコール６４０Ｉおよび水５３ｇ（Ｌ９４モ
ル）を混合し、室温でかきまぜながら１週間反応させて
テトラメトキシランの部分加水分解（加水分鮮度：約５
０％）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た（Ｓｉｎ
ｇ換算１１重量％）。
次いでこの溶液をエチルアルコールによす希釈し、５ｉ
ｎ２換算６．２重量％にし、その希釈液１４０、９にペ
ンタブトキシアンチモンの５０重量多ブチルアルコール
溶液１ ２．６ ｇ を加えたものを塗布液とした。こ
の塗布液を用い、実施例１と同様にして、ｓｂの拡散処
理を行ったところ、抵抗値２５．０Ω／口のシリコンウ
ェハーが得られた。またこの塗布液を使用したスピンナ
ー装置は長期の使用においても腐食は生じなかった。
ｎ２換算６．２重量％にし、その希釈液１４０、９にペ
ンタブトキシアンチモンの５０重量多ブチルアルコール
溶液１ ２．６ ｇ を加えたものを塗布液とした。こ
の塗布液を用い、実施例１と同様にして、ｓｂの拡散処
理を行ったところ、抵抗値２５．０Ω／口のシリコンウ
ェハーが得られた。またこの塗布液を使用したスピンナ
ー装置は長期の使用においても腐食は生じなかった。
実施例６
テトラエトキシシラン７ ６．５ １！ （０．３７モ
ル）、ブチルアルコール１４０ｇ、水９．６ ＆ （０
．５８モル）および塩酸ｏ．１ｍｔを混合し、室温でか
きまぜながら１週間反応させてテトラエトキシシランの
部分加水分解（加水分鮮度：約３８％）されたヒドロキ
シシラン含有溶液を得た（ＳｉＯ２換算１５重量％）。
ル）、ブチルアルコール１４０ｇ、水９．６ ＆ （０
．５８モル）および塩酸ｏ．１ｍｔを混合し、室温でか
きまぜながら１週間反応させてテトラエトキシシランの
部分加水分解（加水分鮮度：約３８％）されたヒドロキ
シシラン含有溶液を得た（ＳｉＯ２換算１５重量％）。
この溶液をブチルアルコールで希釈し、５１０２換算６
．２重量％にし、その希釈液１６８．２ｇにトリブトキ
シアンチモンの５０重量％ブチルアルコール溶液１０．
５ｇを加えたものを塗布液とした。この塗布液を用い、
実施例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行ったところ、
抵抗値３４．０Ω／口のシリコンウェハーが得られた。
．２重量％にし、その希釈液１６８．２ｇにトリブトキ
シアンチモンの５０重量％ブチルアルコール溶液１０．
５ｇを加えたものを塗布液とした。この塗布液を用い、
実施例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行ったところ、
抵抗値３４．０Ω／口のシリコンウェハーが得られた。
またこの塗布液を使用したスピンナー装置は長期の使用
においても腐食は生じなかった。
においても腐食は生じなかった。
実施例７
テトラブトキシシラン１ １ ２ 、ｆＦ （ ０．３
５モル）、ブチルアルコール６２ｇ％水１ １．、２
！ｉ（ ０．６ ２モル）および塩酸０．２コを混合
し，室温でかきまぜながら１週間反応させてテトラブト
キシシランの部分加水分解（加水分解度：約５０チ）さ
れたヒドロキシシラン含有溶液を得た（ Ｓ ｉ ０２
換算１５重量％）。
５モル）、ブチルアルコール６２ｇ％水１ １．、２
！ｉ（ ０．６ ２モル）および塩酸０．２コを混合
し，室温でかきまぜながら１週間反応させてテトラブト
キシシランの部分加水分解（加水分解度：約５０チ）さ
れたヒドロキシシラン含有溶液を得た（ Ｓ ｉ ０２
換算１５重量％）。
次いでこの溶液をブチルアルコールにより希釈し、５ｉ
０２換算６．２重量％にし、その希釈液１ ６ ８、２
＃にトリブトキシアンチモンの５０］ｉｉ−チブチル
アルコール溶液ｌＯ・５ｇを加えたものを塗布液とした
。この゛塗布液を用い実施例１と同様にしてｓｂの拡散
処理を行ったところ、抵抗値４１Ω／口のシリコンウェ
ハーが得られた。またこの塗布液を使用したスピンナー
装置は長期の使用においても腐食は生じなかった。
０２換算６．２重量％にし、その希釈液１ ６ ８、２
＃にトリブトキシアンチモンの５０］ｉｉ−チブチル
アルコール溶液ｌＯ・５ｇを加えたものを塗布液とした
。この゛塗布液を用い実施例１と同様にしてｓｂの拡散
処理を行ったところ、抵抗値４１Ω／口のシリコンウェ
ハーが得られた。またこの塗布液を使用したスピンナー
装置は長期の使用においても腐食は生じなかった。
実施例８
テトラエトキシシラン７ ６．５ ｇ（ ０．３ ７モ
ル）、ブチルアルコール１４（１，水２ ０ 、９ （
１．１ １モル）および塩酸ｏ．１ｍｌを混合し、室
温でかきまぜながら１週間反応させることによりテトラ
エトキジシランの部分加水分解（加水分落度：約り５チ
）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た（８ｉ０２換
算１５重量％）。
ル）、ブチルアルコール１４（１，水２ ０ 、９ （
１．１ １モル）および塩酸ｏ．１ｍｌを混合し、室
温でかきまぜながら１週間反応させることによりテトラ
エトキジシランの部分加水分解（加水分落度：約り５チ
）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た（８ｉ０２換
算１５重量％）。
次いでこの溶液をブチルアルコールにより希釈し、５１
０２換算６．２重量％にし、その希釈液１４２．９ Ｆ
にトリエトキシアンチモンの５０重量％エチルアルコー
ル溶液６．８ｇを加えたものを塗布液とした。この塗布
液を用い、実施例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行っ
たところ、抵抗値３１Ω／口のシリコンウェハーが得ら
れた。またこの塗布液を使用したスピンナー装置は長期
の使用においても腐食は生じなかった。
０２換算６．２重量％にし、その希釈液１４２．９ Ｆ
にトリエトキシアンチモンの５０重量％エチルアルコー
ル溶液６．８ｇを加えたものを塗布液とした。この塗布
液を用い、実施例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行っ
たところ、抵抗値３１Ω／口のシリコンウェハーが得ら
れた。またこの塗布液を使用したスピンナー装置は長期
の使用においても腐食は生じなかった。
実施例９
テトラエトキシシラン３０１９（１，４７モル）、エチ
ルアルコール５６０ｇ、水５３９ （２，９４モル）お
よび塩酸ｏ、４ｒｎｌを混合し、室温でかきまぜながら
１週間反応させてテトラエトキシシランの部分加水分解
（加水分落度：約５０％）されたヒドロキシシラン含有
溶液を得た（Ｓｉ０２換算１２重量％）。
ルアルコール５６０ｇ、水５３９ （２，９４モル）お
よび塩酸ｏ、４ｒｎｌを混合し、室温でかきまぜながら
１週間反応させてテトラエトキシシランの部分加水分解
（加水分落度：約５０％）されたヒドロキシシラン含有
溶液を得た（Ｓｉ０２換算１２重量％）。
この溶液をエチルアルコールにより希釈し、５ｉ０２換
算８．７重量％にし、その希釈液１５０１１にトリフエ
ノキシアンチモンの５０重量％エチルアルコール溶液２
ＯＮを加えたものを塗布液とした。この塗布液を用い、
実施例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行ったところ、
抵抗値４５Ω／口のシリコンウェハーが得られた。また
この塗布液を使用したスピンナー装置は長期の使用にお
いても腐食は生じなかった。
算８．７重量％にし、その希釈液１５０１１にトリフエ
ノキシアンチモンの５０重量％エチルアルコール溶液２
ＯＮを加えたものを塗布液とした。この塗布液を用い、
実施例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行ったところ、
抵抗値４５Ω／口のシリコンウェハーが得られた。また
この塗布液を使用したスピンナー装置は長期の使用にお
いても腐食は生じなかった。
実施例１０
テトラメトキシシラン２２１’（１，４８モル）、ブチ
ルアルコール６４（１，水４０ ｇ（２，２２モル）お
よび硝酸２ ｒｔｔｌを混合し、室温でかきまぜながら
１週間反応させることにより、テトラメトキシシランの
部分加水分解（加水分解塵：約８８チ）されたヒドロキ
シシラン含有溶液を得た（Ｓｉ０２換算１８重量％）。
ルアルコール６４（１，水４０ ｇ（２，２２モル）お
よび硝酸２ ｒｔｔｌを混合し、室温でかきまぜながら
１週間反応させることにより、テトラメトキシシランの
部分加水分解（加水分解塵：約８８チ）されたヒドロキ
シシラン含有溶液を得た（Ｓｉ０２換算１８重量％）。
次いでこの溶液をブチルアルコールにより希釈し、５ｉ
０２換算８．７重量％とし、その希釈液１５６ｇにペン
タフェノキシアンチモンの５０重量％溶液１５ｇを加え
たものを塗布液とした。
０２換算８．７重量％とし、その希釈液１５６ｇにペン
タフェノキシアンチモンの５０重量％溶液１５ｇを加え
たものを塗布液とした。
この塗布液を用い、実施例１と同様にしてｓｂの拡散処
理を行ったところ、抵抗値４５Ω／口のシリコンウェハ
ーが得られた。またこの塗布液を使用したスピンナー装
置は長期の使用においても腐食は生じなかった。
理を行ったところ、抵抗値４５Ω／口のシリコンウェハ
ーが得られた。またこの塗布液を使用したスピンナー装
置は長期の使用においても腐食は生じなかった。
実施例１１
テトラプロポキシシラン２０１（０，７６モル）、ｎ−
プロピルアルコール２００１１．水２７Ｊ（１，５６モ
ル）および硫酸０．１ｍｌを混合し、室温でかきまぜな
がら１週間反応させてテトラプロポキシシランの部分加
水分解（加水分落度：約５０％）すしたヒドロキシシラ
ン含有溶液を得た（Ｓｉ０２換算１４重量％）。
プロピルアルコール２００１１．水２７Ｊ（１，５６モ
ル）および硫酸０．１ｍｌを混合し、室温でかきまぜな
がら１週間反応させてテトラプロポキシシランの部分加
水分解（加水分落度：約５０％）すしたヒドロキシシラ
ン含有溶液を得た（Ｓｉ０２換算１４重量％）。
次いでこの溶液をｎ−プロピルアルコールにより希釈し
、５ｉ０２換算？、０重量％にし、その希釈ｇ、１００
ｇにトリフエノキシアンチモンの５０重量％ｎ−プロピ
ルアルコール溶液１０．９ ヲ加えたものを塗布液とし
た。この塗布液を用い、実施例１と同様にしてｓｂの拡
散処理を行ったところ、抵抗値８５Ω／口のシリコンウ
ェハーが得られ１０ また、この塗布液を使用したスピンナー装置は長期の使
用においても腐食は生じなかった。
、５ｉ０２換算？、０重量％にし、その希釈ｇ、１００
ｇにトリフエノキシアンチモンの５０重量％ｎ−プロピ
ルアルコール溶液１０．９ ヲ加えたものを塗布液とし
た。この塗布液を用い、実施例１と同様にしてｓｂの拡
散処理を行ったところ、抵抗値８５Ω／口のシリコンウ
ェハーが得られ１０ また、この塗布液を使用したスピンナー装置は長期の使
用においても腐食は生じなかった。
実施例１２
テトラエトキシシランｌ １２ 、ｐ （０，３５モル
）、エチレングリコールモノブチルエーテル６２ｇ１水
１１．２ ＆ （０，６２モル）および硝酸２ ｍｌを
混合し、室温でかきまぜながら１週間反応させてテトラ
ブトキシシランの部分加水分解（加水分落度：約５０％
）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た（Ｓｉｎｇ換
算１５重量％）。
）、エチレングリコールモノブチルエーテル６２ｇ１水
１１．２ ＆ （０，６２モル）および硝酸２ ｍｌを
混合し、室温でかきまぜながら１週間反応させてテトラ
ブトキシシランの部分加水分解（加水分落度：約５０％
）されたヒドロキシシラン含有溶液を得た（Ｓｉｎｇ換
算１５重量％）。
次いでごめ１液をエチレングリコールモノブチルエーテ
ルにより希釈し、５Ｉ０２換算５重量％にし、その希釈
液１２０Ｉにトリエトキシアンチモン 液６９を加えたものを塗布液とした。この塗布液を用い
、実施例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行ったところ
、抵抗値３２Ω／口のシリコンウェハーが得られた。ま
たこの塗布液を使用したスピンナー装置は長期の使用に
おいても腐食は生じなかった。
ルにより希釈し、５Ｉ０２換算５重量％にし、その希釈
液１２０Ｉにトリエトキシアンチモン 液６９を加えたものを塗布液とした。この塗布液を用い
、実施例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行ったところ
、抵抗値３２Ω／口のシリコンウェハーが得られた。ま
たこの塗布液を使用したスピンナー装置は長期の使用に
おいても腐食は生じなかった。
実施例１３
テトラブトキシラン１１２ ｇ（０，３５モル）、ブチ
ルアルコール６２ｇ、水１１．２．９ （０，６２モル
）および塩酸０．２ｍｌを混合し、室温でかきまぜなが
ら１週間反応させてテトラブトキシシランの部分加水分
解（加水分解塵：約５０％）されたヒドロキシシラン含
有溶液を得た（ Ｓ ｉ ０２換算１５重量％）。
ルアルコール６２ｇ、水１１．２．９ （０，６２モル
）および塩酸０．２ｍｌを混合し、室温でかきまぜなが
ら１週間反応させてテトラブトキシシランの部分加水分
解（加水分解塵：約５０％）されたヒドロキシシラン含
有溶液を得た（ Ｓ ｉ ０２換算１５重量％）。
次いでこの溶液をブチルアルコールにより希釈し、Ｓｉ
Ｏ２換算６．２重量％にし、その希釈液１４４．２ Ｆ
にトリエトキシアンチモンの５０重量％エチルアルコー
ル溶液６・８１！を加えたものを塗布液とした。この塗
布液を用い、実施例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行
ったところ、抵抗値４１Ω／口のシリコンウェハーが得
られた。またこの塗布液を使用したスピンナー装置は長
期の使用においても腐食を生じなかった。
Ｏ２換算６．２重量％にし、その希釈液１４４．２ Ｆ
にトリエトキシアンチモンの５０重量％エチルアルコー
ル溶液６・８１！を加えたものを塗布液とした。この塗
布液を用い、実施例１と同様にしてｓｂの拡散処理を行
ったところ、抵抗値４１Ω／口のシリコンウェハーが得
られた。またこの塗布液を使用したスピンナー装置は長
期の使用においても腐食を生じなかった。
比較例
実施例１で得られたヒドロキシシラン含有溶液を使用し
、この溶液をブチルアルコールにより希釈し、５ｉ０２
換算６．２重量％にし、その希釈液１６８Ｉに塩化アン
チモンの５０重量％エチルアルコール溶液１０．５ｇを
加えたものを塗布液とした。この塗布液を用い、実施例
１と同様にしてｓｂの拡散処理を行ったところ、抵抗値
４ａ、２Ω／口のシリコンウェハーが得られた。しかし
この塗布液を使用したスピンナー装置の塗布液と一接触
する部分は長期の使用により腐食が生じていた。
、この溶液をブチルアルコールにより希釈し、５ｉ０２
換算６．２重量％にし、その希釈液１６８Ｉに塩化アン
チモンの５０重量％エチルアルコール溶液１０．５ｇを
加えたものを塗布液とした。この塗布液を用い、実施例
１と同様にしてｓｂの拡散処理を行ったところ、抵抗値
４ａ、２Ω／口のシリコンウェハーが得られた。しかし
この塗布液を使用したスピンナー装置の塗布液と一接触
する部分は長期の使用により腐食が生じていた。
本発明のｓｂ拡散用シリカ系被膜形成組成物はｓｂの拡
散源としてアルコキシまたはフェノキシアンチモンを使
用するため、スピンナー装置などを腐食することがなく
、そして従来の塩化アンチモンと同程度の高濃度のｓｂ
拡散を行うことができるとともに、その塗布液は保存安
定性が高く、長期の保存に対しても品質低下が少ないた
め極めて実用性の高いｓｂ拡散用の組成物であり、特に
バイポーラ集積回路素子の製造に有効なものである。
散源としてアルコキシまたはフェノキシアンチモンを使
用するため、スピンナー装置などを腐食することがなく
、そして従来の塩化アンチモンと同程度の高濃度のｓｂ
拡散を行うことができるとともに、その塗布液は保存安
定性が高く、長期の保存に対しても品質低下が少ないた
め極めて実用性の高いｓｂ拡散用の組成物であり、特に
バイポーラ集積回路素子の製造に有効なものである。
Claims (1)
- アルコキシシランを部分加水分解したものとアルコキシ
またはフェノキシアンチモンとを溶解して成るアンチモ
ン拡散用シリカ系被膜形成組成物
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209568A JPS6366929A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | アンチモン拡散用シリカ系被膜形成組成物 |
| US07/092,510 US4793862A (en) | 1986-09-08 | 1987-09-03 | Silica-based antimony containing film-forming composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209568A JPS6366929A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | アンチモン拡散用シリカ系被膜形成組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366929A true JPS6366929A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16574985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61209568A Pending JPS6366929A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | アンチモン拡散用シリカ系被膜形成組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4793862A (ja) |
| JP (1) | JPS6366929A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310373A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法 |
| WO2006117975A1 (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
| JP2009537967A (ja) * | 2006-03-21 | 2009-10-29 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 半導体構造体の製造方法および半導体構造体 |
| JP2011082247A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池 |
| JP2012174899A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池用複合膜付き透明基板およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5026008B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2012-09-12 | 東京応化工業株式会社 | 膜形成組成物 |
| US20090239363A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-09-24 | Honeywell International, Inc. | Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes |
| US20100035422A1 (en) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | Honeywell International, Inc. | Methods for forming doped regions in a semiconductor material |
| US8053867B2 (en) * | 2008-08-20 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants |
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