JPH08264420A - 荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画装置Info
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- JPH08264420A JPH08264420A JP7065934A JP6593495A JPH08264420A JP H08264420 A JPH08264420 A JP H08264420A JP 7065934 A JP7065934 A JP 7065934A JP 6593495 A JP6593495 A JP 6593495A JP H08264420 A JPH08264420 A JP H08264420A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 可変面積型荷電粒子ビーム描画において、ビ
ームサイズの変化によるビームのぼけの影響を著しく軽
減することができる荷電粒子ビーム描画装置を実現す
る。 【構成】 フォーカス補正メモリー２０には、フォーカ
ス補正テーブルが含まれており、このテーブルにはＸ方
向のビームサイズとＹ方向のビームサイズに応じたフォ
ーカスの補正値が記憶されている。従って、フォーカス
補正メモリー２０は、ショット分割器１４からのＸ方向
ビームサイズとＹ方向ビームサイズに応じた補正値を読
みだし、この補正値に応じた補正信号をフォーカス補正
レンズ８に供給する。この結果、材料１０にはビームサ
イズによらず、常にフォーカスの合った電子ビームが照
射される。
ームサイズの変化によるビームのぼけの影響を著しく軽
減することができる荷電粒子ビーム描画装置を実現す
る。 【構成】 フォーカス補正メモリー２０には、フォーカ
ス補正テーブルが含まれており、このテーブルにはＸ方
向のビームサイズとＹ方向のビームサイズに応じたフォ
ーカスの補正値が記憶されている。従って、フォーカス
補正メモリー２０は、ショット分割器１４からのＸ方向
ビームサイズとＹ方向ビームサイズに応じた補正値を読
みだし、この補正値に応じた補正信号をフォーカス補正
レンズ８に供給する。この結果、材料１０にはビームサ
イズによらず、常にフォーカスの合った電子ビームが照
射される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、矩形断面に成形された
電子ビームやイオンビームを用いて被描画材料上に所定
のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置に関す
る。
電子ビームやイオンビームを用いて被描画材料上に所定
のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画装置として、電子ビーム
の断面を可変して描画する方式の装置が広く利用されて
いる。この装置では、電子ビームを第１のアパーチャに
照射し、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチャ
上に結像するようにしている。そして、第１のアパーチ
ャの開口像の第２のアパーチャ上の投射位置を第１と第
２のアパーチャの間に配置された成形偏向器で変化させ
ることにより、任意の面積の矩形断面を有した電子ビー
ムが成形される。この成形された電子ビームは、被描画
材料にショットされる。このショットされる電子ビーム
の位置は、位置決め偏向器によって変えられる。
の断面を可変して描画する方式の装置が広く利用されて
いる。この装置では、電子ビームを第１のアパーチャに
照射し、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチャ
上に結像するようにしている。そして、第１のアパーチ
ャの開口像の第２のアパーチャ上の投射位置を第１と第
２のアパーチャの間に配置された成形偏向器で変化させ
ることにより、任意の面積の矩形断面を有した電子ビー
ムが成形される。この成形された電子ビームは、被描画
材料にショットされる。このショットされる電子ビーム
の位置は、位置決め偏向器によって変えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した可変面積型電
子ビーム描画装置においては、ショットする電子ビーム
のサイズを変化させながら描画を行うが、このとき、ビ
ームサイズによって被描画材料に照射される電子ビーム
の電流量も変化する。ところで、対物レンズのフォーカ
ス値は、空間電荷効果（クーロン効果とも呼ばれる）に
より異なるので、電子ビームのサイズが変化すると最適
フォーカスでない状態、すなわち、ぼけた状態で描画が
行われることになる。
子ビーム描画装置においては、ショットする電子ビーム
のサイズを変化させながら描画を行うが、このとき、ビ
ームサイズによって被描画材料に照射される電子ビーム
の電流量も変化する。ところで、対物レンズのフォーカ
ス値は、空間電荷効果（クーロン効果とも呼ばれる）に
より異なるので、電子ビームのサイズが変化すると最適
フォーカスでない状態、すなわち、ぼけた状態で描画が
行われることになる。
【０００４】電子ビームのぼけは、パターンサイズの変
化につながるが、従来はビームサイズ変化によるビーム
ぼけのパターンサイズへの影響は許容されていたが、近
年、パターン精度に対する要求が厳しくなり、このぼけ
の影響を無視することができなくなってきた。
化につながるが、従来はビームサイズ変化によるビーム
ぼけのパターンサイズへの影響は許容されていたが、近
年、パターン精度に対する要求が厳しくなり、このぼけ
の影響を無視することができなくなってきた。
【０００５】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、可変面積型荷電粒子ビーム描画に
おいて、ビームサイズの変化によるビームのぼけの影響
を著しく軽減することができる荷電粒子ビーム描画装置
を実現するにある。
もので、その目的は、可変面積型荷電粒子ビーム描画に
おいて、ビームサイズの変化によるビームのぼけの影響
を著しく軽減することができる荷電粒子ビーム描画装置
を実現するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
荷電粒子ビーム描画装置は、第１のアパーチャの開口像
を第２のアパーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開
口を透過した矩形断面の荷電粒子ビームを対物レンズに
よって集束し、被描画材料上にショットすると共に、位
置決め偏向器への荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷
電粒子ビームを偏向し、被描画材料上のショット位置を
変化させるようにした荷電粒子ビーム描画装置におい
て、フォーカス補正レンズを設け、矩形断面のサイズに
応じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームの
フォーカスを変化させるように構成したことを特徴とし
ている。
荷電粒子ビーム描画装置は、第１のアパーチャの開口像
を第２のアパーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開
口を透過した矩形断面の荷電粒子ビームを対物レンズに
よって集束し、被描画材料上にショットすると共に、位
置決め偏向器への荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷
電粒子ビームを偏向し、被描画材料上のショット位置を
変化させるようにした荷電粒子ビーム描画装置におい
て、フォーカス補正レンズを設け、矩形断面のサイズに
応じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームの
フォーカスを変化させるように構成したことを特徴とし
ている。
【０００７】請求項２の発明に基づく荷電粒子ビーム描
画装置は、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチ
ャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した矩形
断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束し、被
描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向器への
荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビームを偏
向し、被描画材料上のショット位置を変化させるように
した荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカス補正
レンズを設け、矩形断面のサイズに応じて、フォーカス
補正レンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを変化さ
せると共に、位置決め偏向器の信号を矩形断面のサイズ
に応じて補正するように構成したことを特徴としてい
る。
画装置は、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチ
ャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した矩形
断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束し、被
描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向器への
荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビームを偏
向し、被描画材料上のショット位置を変化させるように
した荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカス補正
レンズを設け、矩形断面のサイズに応じて、フォーカス
補正レンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを変化さ
せると共に、位置決め偏向器の信号を矩形断面のサイズ
に応じて補正するように構成したことを特徴としてい
る。
【０００８】請求項３の発明に基づく荷電粒子ビーム描
画装置は、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチ
ャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した矩形
断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束し、被
描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向器への
荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビームを偏
向し、被描画材料上のショット位置を変化させるように
した荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカス補正
レンズを設け、矩形断面のサイズと位置決め偏向器への
偏向信号に応じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒
子ビームのフォーカスを変化させるように構成したこと
を特徴としている。
画装置は、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチ
ャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した矩形
断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束し、被
描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向器への
荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビームを偏
向し、被描画材料上のショット位置を変化させるように
した荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカス補正
レンズを設け、矩形断面のサイズと位置決め偏向器への
偏向信号に応じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒
子ビームのフォーカスを変化させるように構成したこと
を特徴としている。
【０００９】
【作用】請求項１の発明は、矩形断面のサイズに応じ
て、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフォ
ーカスを変化させる。
て、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフォ
ーカスを変化させる。
【００１０】請求項２の発明は、矩形断面のサイズに応
じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフ
ォーカスを変化させると共に、位置決め偏向器の信号を
矩形断面のサイズに応じて補正する。
じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフ
ォーカスを変化させると共に、位置決め偏向器の信号を
矩形断面のサイズに応じて補正する。
【００１１】請求項３の発明は、矩形断面のサイズと位
置決め偏向器への偏向信号に応じて、フォーカス補正レ
ンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを変化させる。
置決め偏向器への偏向信号に応じて、フォーカス補正レ
ンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを変化させる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は本発明を実施するための可変面積型
電子ビーム描画装置の一例を示している。１は電子ビー
ムＥＢを発生する電子銃であり、該電子銃１から発生し
た電子ビームＥＢは、照明レンズ２を介して第１成形ア
パーチャ３上に照射される。第１成形アパーチャの開口
像は、成形レンズ４により、第２成形アパーチャ６上に
結像されるが、その結像の位置は、成形偏向器５により
変えることができる。
に説明する。図１は本発明を実施するための可変面積型
電子ビーム描画装置の一例を示している。１は電子ビー
ムＥＢを発生する電子銃であり、該電子銃１から発生し
た電子ビームＥＢは、照明レンズ２を介して第１成形ア
パーチャ３上に照射される。第１成形アパーチャの開口
像は、成形レンズ４により、第２成形アパーチャ６上に
結像されるが、その結像の位置は、成形偏向器５により
変えることができる。
【００１３】第２成形アパーチャ６により成形された像
は、対物レンズ７、フォーカス補正レンズ８を経て描画
材料１０上に照射される。描画材料１０への照射位置
は、位置決め偏向器９により変えることができる。な
お、フォーカス補正レンズ８としては、フォーカスを高
速で微調整することができる静電型レンズが用いられて
いる。
は、対物レンズ７、フォーカス補正レンズ８を経て描画
材料１０上に照射される。描画材料１０への照射位置
は、位置決め偏向器９により変えることができる。な
お、フォーカス補正レンズ８としては、フォーカスを高
速で微調整することができる静電型レンズが用いられて
いる。
【００１４】１１はコンピュータであり、コンピュータ
１１はパターンデータメモリー１２からのパターンデー
タをデータ転送回路１３に転送する。データ転送回路１
３からのパターンデータは、ショット分割器１４に供給
されてショット分割される。ショット分割器１４からの
描画データに応じた信号は、成形偏向器５を制御する偏
向制御回路１５、位置決め偏向器９を制御する制御回路
１６、電子銃１から発生した電子ビームのブランキング
を行うブランキング電極１７を制御するブランキングコ
ントロール回路１８に供給される。
１１はパターンデータメモリー１２からのパターンデー
タをデータ転送回路１３に転送する。データ転送回路１
３からのパターンデータは、ショット分割器１４に供給
されてショット分割される。ショット分割器１４からの
描画データに応じた信号は、成形偏向器５を制御する偏
向制御回路１５、位置決め偏向器９を制御する制御回路
１６、電子銃１から発生した電子ビームのブランキング
を行うブランキング電極１７を制御するブランキングコ
ントロール回路１８に供給される。
【００１５】成形偏向器５に供給されるビームサイズに
応じた信号は、位置補正メモリー１９とフォーカス補正
レンズメモリー２０に供給される。位置補正メモリー１
９からの信号は、制御回路１６に供給され、ショット分
割器１４からの位置データと加算される。また、フォー
カス補正メモリー２０には補正テーブルが含まれてお
り、供給されたビームサイズに応じた信号に基づいて補
正テーブル内のデータを読みだし、そのデータに応じて
フォーカス補正信号を補正レンズ８に供給する。更に、
コンピュータ１１は、材料のフィールド毎の移動のため
に、材料が載せられたステージ２１の駆動機構２２を制
御する。このような構成の動作を次に説明する。
応じた信号は、位置補正メモリー１９とフォーカス補正
レンズメモリー２０に供給される。位置補正メモリー１
９からの信号は、制御回路１６に供給され、ショット分
割器１４からの位置データと加算される。また、フォー
カス補正メモリー２０には補正テーブルが含まれてお
り、供給されたビームサイズに応じた信号に基づいて補
正テーブル内のデータを読みだし、そのデータに応じて
フォーカス補正信号を補正レンズ８に供給する。更に、
コンピュータ１１は、材料のフィールド毎の移動のため
に、材料が載せられたステージ２１の駆動機構２２を制
御する。このような構成の動作を次に説明する。
【００１６】パターンデータメモリ１２に格納されたパ
ターンデータは、逐次読み出され、データ転送回路１３
を経てショット分割器１４に供給される。ショット分割
器１４で分割されたデータに基づき、偏向制御回路１５
は成形偏向器５を制御し、また、制御回路１６は位置決
め偏向器９を制御する。
ターンデータは、逐次読み出され、データ転送回路１３
を経てショット分割器１４に供給される。ショット分割
器１４で分割されたデータに基づき、偏向制御回路１５
は成形偏向器５を制御し、また、制御回路１６は位置決
め偏向器９を制御する。
【００１７】この結果、各分割されたビームサイズデー
タに基づき、成形偏向器５により電子ビームの断面が所
定のビームサイズに成形され、そのビームサイズの電子
ビームが順々に材料上にショットされ、所望の形状のパ
ターン描画が行われる。なお、この時、ブランキングコ
ントロール回路１８からブランキング電極１７へのブラ
ンキング信号により、材料１０への電子ビームのショッ
トに同期して電子ビームのブランキングが実行される。
タに基づき、成形偏向器５により電子ビームの断面が所
定のビームサイズに成形され、そのビームサイズの電子
ビームが順々に材料上にショットされ、所望の形状のパ
ターン描画が行われる。なお、この時、ブランキングコ
ントロール回路１８からブランキング電極１７へのブラ
ンキング信号により、材料１０への電子ビームのショッ
トに同期して電子ビームのブランキングが実行される。
【００１８】さて、フォーカス補正メモリー２０には、
図２に示すような構造のテーブルＴ 1が記憶されてい
る。すなわち、このテーブルＴ1はＸ方向のビームサイ
ズとＹ方向のビームサイズに応じたフォーカスの補正値
が記憶されている。従って、フォーカス補正メモリー２
０は、ショット分割器１４からのＸ方向ビームサイズと
Ｙ方向ビームサイズに応じた補正値を読みだし、この補
正値に応じた補正信号をフォーカス補正レンズ８に供給
する。この結果、材料１０にはビームサイズによらず、
常にフォーカスの合った電子ビームが照射されることに
なる。
図２に示すような構造のテーブルＴ 1が記憶されてい
る。すなわち、このテーブルＴ1はＸ方向のビームサイ
ズとＹ方向のビームサイズに応じたフォーカスの補正値
が記憶されている。従って、フォーカス補正メモリー２
０は、ショット分割器１４からのＸ方向ビームサイズと
Ｙ方向ビームサイズに応じた補正値を読みだし、この補
正値に応じた補正信号をフォーカス補正レンズ８に供給
する。この結果、材料１０にはビームサイズによらず、
常にフォーカスの合った電子ビームが照射されることに
なる。
【００１９】ここで、フオーカス補正レンズ８に軸ずれ
があると、フォーカス補正レンズ８に供給される補正信
号の強度に応じて材料１０のショット位置が僅かにずれ
てしまう。そのため、この実施例では、位置補正メモリ
ー１９に図３に示すような構造のテーブルを設けてお
く。すなわち、このテーブルはＸ方向のビームサイズと
Ｙ方向のビームサイズに応じた２枚の位置補正テーブル
Ｔ2，Ｔ3より成り、それぞれのテーブルＴ2，Ｔ3には、
Ｘ方向の位置補正とＹ方向の位置補正の補正値が記憶さ
れている。
があると、フォーカス補正レンズ８に供給される補正信
号の強度に応じて材料１０のショット位置が僅かにずれ
てしまう。そのため、この実施例では、位置補正メモリ
ー１９に図３に示すような構造のテーブルを設けてお
く。すなわち、このテーブルはＸ方向のビームサイズと
Ｙ方向のビームサイズに応じた２枚の位置補正テーブル
Ｔ2，Ｔ3より成り、それぞれのテーブルＴ2，Ｔ3には、
Ｘ方向の位置補正とＹ方向の位置補正の補正値が記憶さ
れている。
【００２０】従って、メモリー１９からは、ショット分
割器１４からのＸ方向ビームサイズとＹ方向ビームサイ
ズに応じた補正値が読み出され、その値は制御回路１６
に供給されてショット分割器１５からの位置データと加
算される。この結果、位置決め偏向器９には位置補正さ
れた偏向信号が供給され、補正レンズ８の軸ずれによっ
て発生するビーム位置のずれはキャンセルされることに
なる。
割器１４からのＸ方向ビームサイズとＹ方向ビームサイ
ズに応じた補正値が読み出され、その値は制御回路１６
に供給されてショット分割器１５からの位置データと加
算される。この結果、位置決め偏向器９には位置補正さ
れた偏向信号が供給され、補正レンズ８の軸ずれによっ
て発生するビーム位置のずれはキャンセルされることに
なる。
【００２１】なお、上記フォーカス補正メモリー２０の
テーブルは次のようにして作成される。まず、特定ビー
ムサイズで電子ビームのフォーカス合わせを行う。この
ときのフォーカス合わせは対物レンズ７によって行う
が、フォーカス合わせの方法は、よく知られているよう
に、対物レンズ７の励磁をステップ状に変化させ、その
都度ステージ上に設けられたナイフエッジマークを走査
した時に検出されたビーム信号の微分波形を比較するこ
とによって行う。次に、フォーカス補正レンズ８を動作
させ、ビームサイズごとの最適フォーカス値を測定し、
テーブルを作成する。なお、この際、補正レンズの各フ
ォーカス値ごとに電子ビームの位置ずれも測定し、これ
によって位置補正メモリー１９内のテーブルを作成す
る。
テーブルは次のようにして作成される。まず、特定ビー
ムサイズで電子ビームのフォーカス合わせを行う。この
ときのフォーカス合わせは対物レンズ７によって行う
が、フォーカス合わせの方法は、よく知られているよう
に、対物レンズ７の励磁をステップ状に変化させ、その
都度ステージ上に設けられたナイフエッジマークを走査
した時に検出されたビーム信号の微分波形を比較するこ
とによって行う。次に、フォーカス補正レンズ８を動作
させ、ビームサイズごとの最適フォーカス値を測定し、
テーブルを作成する。なお、この際、補正レンズの各フ
ォーカス値ごとに電子ビームの位置ずれも測定し、これ
によって位置補正メモリー１９内のテーブルを作成す
る。
【００２２】図４は本発明の他の実施例を示しており、
図１の実施例と同一ないしは類似の構成要素には同一番
号を付し、その詳細な説明は省略する。この実施例で
は、補正レンズ８により、ビームサイズによる電子ビー
ムのぼけと電子ビームの偏向位置によるフォーカスぼけ
とを補正するようにしている。ショット分割器１４から
制御回路１６に供給される位置決め信号は、事前に偏向
歪み補正メモリー２３に供給される。
図１の実施例と同一ないしは類似の構成要素には同一番
号を付し、その詳細な説明は省略する。この実施例で
は、補正レンズ８により、ビームサイズによる電子ビー
ムのぼけと電子ビームの偏向位置によるフォーカスぼけ
とを補正するようにしている。ショット分割器１４から
制御回路１６に供給される位置決め信号は、事前に偏向
歪み補正メモリー２３に供給される。
【００２３】偏向歪み補正メモリー２３には、図５に示
すような２枚の補正テーブルＴ4，Ｔ5が記憶されてい
る。すなわち、それぞれの補正テーブルＴ4，Ｔ5には、
偏向信号のＸ座標とＹ座標に応じたＸ方向とＹ方向の歪
み補正値が記憶されている。この結果、偏向歪み補正メ
モリー２３により、偏向歪みが補正された位置決め偏向
信号（Ｘ座標，Ｙ座標）が作成される。この偏向信号
は、制御回路１６によって偏向歪み補正メモリー１９か
らの補正信号と加算され、位置決め偏向器９に供給され
る。
すような２枚の補正テーブルＴ4，Ｔ5が記憶されてい
る。すなわち、それぞれの補正テーブルＴ4，Ｔ5には、
偏向信号のＸ座標とＹ座標に応じたＸ方向とＹ方向の歪
み補正値が記憶されている。この結果、偏向歪み補正メ
モリー２３により、偏向歪みが補正された位置決め偏向
信号（Ｘ座標，Ｙ座標）が作成される。この偏向信号
は、制御回路１６によって偏向歪み補正メモリー１９か
らの補正信号と加算され、位置決め偏向器９に供給され
る。
【００２４】制御回路１６からの位置決め偏向信号はフ
ォーカス補正メモリー２４にも供給される。フォーカス
補正メモリー２４には図６に示すようなテーブルＴ6が
記憶されている。すなわち、偏向信号のＸ座標とＹ座標
に応じたフォーカスのぼけの補正値が記憶されている。
この結果、フォーカス補正メモリー２４からは電子ビー
ムの偏向位置に応じたぼけを補正する信号が得られる。
この補正信号は、加算器２５に供給され、フォーカス補
正メモリー２０からのビームサイズに応じた補正信号と
加算される。加算器２５によって加算された補正信号
は、フォーカス補正レンズ８に供給され、ビームサイズ
と偏向位置によるぼけを補正する。
ォーカス補正メモリー２４にも供給される。フォーカス
補正メモリー２４には図６に示すようなテーブルＴ6が
記憶されている。すなわち、偏向信号のＸ座標とＹ座標
に応じたフォーカスのぼけの補正値が記憶されている。
この結果、フォーカス補正メモリー２４からは電子ビー
ムの偏向位置に応じたぼけを補正する信号が得られる。
この補正信号は、加算器２５に供給され、フォーカス補
正メモリー２０からのビームサイズに応じた補正信号と
加算される。加算器２５によって加算された補正信号
は、フォーカス補正レンズ８に供給され、ビームサイズ
と偏向位置によるぼけを補正する。
【００２５】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、可変面積型の電
子ビーム描画装置を例に説明したが、イオンビーム描画
装置にも本発明を用いることができる。
はこの実施例に限定されない。例えば、可変面積型の電
子ビーム描画装置を例に説明したが、イオンビーム描画
装置にも本発明を用いることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明
は、矩形断面のサイズに応じて、フォーカス補正レンズ
により荷電粒子ビームのフォーカスを変化させるように
構成したので、矩形断面のサイズによる対物レンズのフ
ォーカスのぼけは著しく軽減され、精度の高い描画を実
施することができる。
は、矩形断面のサイズに応じて、フォーカス補正レンズ
により荷電粒子ビームのフォーカスを変化させるように
構成したので、矩形断面のサイズによる対物レンズのフ
ォーカスのぼけは著しく軽減され、精度の高い描画を実
施することができる。
【００２７】請求項２の発明は、矩形断面のサイズに応
じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフ
ォーカスを変化させると共に、位置決め偏向器の信号を
矩形断面のサイズに応じて補正するように構成したの
で、矩形断面のサイズによる対物レンズのフォーカスの
ぼけは著しく軽減されると共に、フォーカス補正レンズ
の軸ずれの影響もなくすことができ、精度の高い描画を
実施することができる。
じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフ
ォーカスを変化させると共に、位置決め偏向器の信号を
矩形断面のサイズに応じて補正するように構成したの
で、矩形断面のサイズによる対物レンズのフォーカスの
ぼけは著しく軽減されると共に、フォーカス補正レンズ
の軸ずれの影響もなくすことができ、精度の高い描画を
実施することができる。
【００２８】請求項３の発明は、矩形断面のサイズと位
置決め偏向器への偏向信号に応じて、フォーカス補正レ
ンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを変化させるよ
うに構成したので、矩形断面のサイズによる対物レンズ
のフォーカスのぼけは著しく軽減され、また、併せて荷
電粒子ビームの偏向に伴う荷電粒子ビームのフォーカス
のぼけもなくすことができ、精度の高い描画を実施する
ことができる。
置決め偏向器への偏向信号に応じて、フォーカス補正レ
ンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを変化させるよ
うに構成したので、矩形断面のサイズによる対物レンズ
のフォーカスのぼけは著しく軽減され、また、併せて荷
電粒子ビームの偏向に伴う荷電粒子ビームのフォーカス
のぼけもなくすことができ、精度の高い描画を実施する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】フォーカス補正テーブルを示す図である。
【図３】位置補正テーブルを示す図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す図である。
【図５】偏向歪み補正テーブルを示す図である。
【図６】フォーカス補正テーブルを示す図である。
１ 電子銃 ２ 照明レンズ ３，６ 成形アパーチャ ４ 成形レンズ ５，９帆偏向器 ７ 対物レンズ ８ フォーカス補正レンズ １０ 材料 １１ コンピュータ １２ メモリ １３ データ転送回路 １４ ショット分割器 １５ 成形偏向器制御回路 １６ 位置決め偏向器制御回路 １７ ブランキング電極 １８ ブランキングコントロール回路 １９ 位置補正メモリー ２０ フォーカス補正メモリー ２１ ステージ ２２ 駆動機構
Claims (3)
- 【請求項１】 第１のアパーチャの開口像を第２のアパ
ーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した
矩形断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束
し、被描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向
器への荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビー
ムを偏向し、被描画材料上のショット位置を変化させる
ようにした荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカ
ス補正レンズを設け、矩形断面のサイズに応じて、フォ
ーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを
変化させるように構成した荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項２】 第１のアパーチャの開口像を第２のアパ
ーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した
矩形断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束
し、被描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向
器への荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビー
ムを偏向し、被描画材料上のショット位置を変化させる
ようにした荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカ
ス補正レンズを設け、矩形断面のサイズに応じて、フォ
ーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを
変化させると共に、位置決め偏向器の信号を矩形断面の
サイズに応じて補正するように構成した荷電粒子ビーム
描画装置。 - 【請求項３】 第１のアパーチャの開口像を第２のアパ
ーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した
矩形断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束
し、被描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向
器への荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビー
ムを偏向し、被描画材料上のショット位置を変化させる
ようにした荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカ
ス補正レンズを設け、矩形断面のサイズと位置決め偏向
器への偏向信号に応じて、フォーカス補正レンズにより
荷電粒子ビームのフォーカスを変化させるように構成し
た荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7065934A JPH08264420A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7065934A JPH08264420A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264420A true JPH08264420A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13301294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7065934A Pending JPH08264420A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1199601A3 (en) * | 2000-10-17 | 2003-12-03 | Sony Corporation | Photomask fabrication method, photomask, and exposure method thereof |
| US10622186B2 (en) | 2017-12-14 | 2020-04-14 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP7065934A patent/JPH08264420A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1199601A3 (en) * | 2000-10-17 | 2003-12-03 | Sony Corporation | Photomask fabrication method, photomask, and exposure method thereof |
| US6924068B2 (en) | 2000-10-17 | 2005-08-02 | Sony Corporation | Photomask fabrication method, photomask, and exposure method thereof |
| US10622186B2 (en) | 2017-12-14 | 2020-04-14 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011030 |