JPH0330426A - ウエハー裏面洗浄装置 - Google Patents
ウエハー裏面洗浄装置Info
- Publication number
- JPH0330426A JPH0330426A JP16774489A JP16774489A JPH0330426A JP H0330426 A JPH0330426 A JP H0330426A JP 16774489 A JP16774489 A JP 16774489A JP 16774489 A JP16774489 A JP 16774489A JP H0330426 A JPH0330426 A JP H0330426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- rear surface
- particles
- organic solvent
- cleaning device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概 要〕
ウェハー裏面に付着しているパーティクルを除去するウ
ェハー裏面洗浄装置に関し、 製造装置にウェハーをチャッキングした場合、ウェハー
主面のフラットネス（平坦性）をよくすることを目的と
し、 被洗浄ウェハーを複数の周囲端で保持し、且つ、該ウェ
ハーの裏面を露出させたウェハーステージ〔産業上の利
用分野〕 本発明はウェハー裏面に付着しているパーティクルを除
去するウェハー裏面洗浄装置に関する。
ェハー裏面洗浄装置に関し、 製造装置にウェハーをチャッキングした場合、ウェハー
主面のフラットネス（平坦性）をよくすることを目的と
し、 被洗浄ウェハーを複数の周囲端で保持し、且つ、該ウェ
ハーの裏面を露出させたウェハーステージ〔産業上の利
用分野〕 本発明はウェハー裏面に付着しているパーティクルを除
去するウェハー裏面洗浄装置に関する。
近年、半導体装置はＬＳＩ、ＶＬＳＩと高集積化されて
きたが、それに呼応して半導体ウェハーも６〜８インチ
φと大口径化されている。一方、ウェハー面に形成する
パターンは逆に微細化されて、従来の小口径ウェハーの
場合よりもむしろ高精度なパターンが要求されており、
そのためには、従来以上にウェハー面の平坦性（フラッ
トネス；ｆｌａｔｎｅｓｓ）が要求されている。
きたが、それに呼応して半導体ウェハーも６〜８インチ
φと大口径化されている。一方、ウェハー面に形成する
パターンは逆に微細化されて、従来の小口径ウェハーの
場合よりもむしろ高精度なパターンが要求されており、
そのためには、従来以上にウェハー面の平坦性（フラッ
トネス；ｆｌａｔｎｅｓｓ）が要求されている。
Ｃ従来の技術と発明が解決しようとする課題〕ウェハー
プロセスにおいてはフォトリソグラフィ技術が繁用され
ており、それはレジスト塗布。
プロセスにおいてはフォトリソグラフィ技術が繁用され
ており、それはレジスト塗布。
露光、現像、エツチングの工程から構成される装るが、
例えば、レジスト塗布工程で使用されているレジスト塗
布装置は、ウェハー面のフラットネスが十分でないとレ
ジスト膜厚が変動して、露光。
例えば、レジスト塗布工程で使用されているレジスト塗
布装置は、ウェハー面のフラットネスが十分でないとレ
ジスト膜厚が変動して、露光。
現像後のパターンにバラツキが生じるという問題がある
。即ち、ウェハーはウェハー裏面をレジスト塗布装置に
真空チャックでチャッキングしてウェハー主面にレジス
トが塗布されるが、裏面に異物が付着しているとチャッ
キングの強い吸引力のために付着部分の主面が凸状にな
り、その上にレジストを塗布すれば、異物付着部分のレ
ジスト膜厚が薄くなる。従って、そのような局所的な膜
厚バラツキのために製造歩留１品質を低下させる問題が
起こる。
。即ち、ウェハーはウェハー裏面をレジスト塗布装置に
真空チャックでチャッキングしてウェハー主面にレジス
トが塗布されるが、裏面に異物が付着しているとチャッ
キングの強い吸引力のために付着部分の主面が凸状にな
り、その上にレジストを塗布すれば、異物付着部分のレ
ジスト膜厚が薄くなる。従って、そのような局所的な膜
厚バラツキのために製造歩留１品質を低下させる問題が
起こる。
また、同じフォトリングラフィ技術における縮小投影露
光装置においても同様の問題があり、装置内にチャッキ
ングしたウェハー主面に少しでも凹凸があると、局所的
なフォーカスずれ（焦点ずれ）を生じて、そのため精度
良くパターンニングできない部分が発生する。
光装置においても同様の問題があり、装置内にチャッキ
ングしたウェハー主面に少しでも凹凸があると、局所的
なフォーカスずれ（焦点ずれ）を生じて、そのため精度
良くパターンニングできない部分が発生する。
このようなウェハー裏面に付着する異物とじてウェハー
の欠けや塵埃などからなるパーティクル（＠粒子ｉ ｐ
ａｒｔｉｃｌｅ）があり、これらのパーティクルはサブ
ミクロン程度の大きさから数μｍ、の大きさのものまで
ある。
の欠けや塵埃などからなるパーティクル（＠粒子ｉ ｐ
ａｒｔｉｃｌｅ）があり、これらのパーティクルはサブ
ミクロン程度の大きさから数μｍ、の大きさのものまで
ある。
現在、レジスト塗布工程では、例えば、レジスト膜厚１
．２μｍ、誤差上数１０人で、そのバラツキ許容度を３
σで管理しており、そのような非常に高精度なレジスト
膜厚が要求されている。従って、現在もウェハー裏面へ
のパーティクルの付着を少なくするために、ウェハー裏
面への接触を少なくするように製造装置が工夫されてお
り、例えば、フォトリソグラフィ工程におけるインライ
ンシステム（自動化システム）ではベルト搬送に代わる
ロボット搬送がおこなわれている。しかし、それは消極
的な処置で、決して十分なものではない。
．２μｍ、誤差上数１０人で、そのバラツキ許容度を３
σで管理しており、そのような非常に高精度なレジスト
膜厚が要求されている。従って、現在もウェハー裏面へ
のパーティクルの付着を少なくするために、ウェハー裏
面への接触を少なくするように製造装置が工夫されてお
り、例えば、フォトリソグラフィ工程におけるインライ
ンシステム（自動化システム）ではベルト搬送に代わる
ロボット搬送がおこなわれている。しかし、それは消極
的な処置で、決して十分なものではない。
本発明はこれらのウェハー裏面に付着したパーティクル
を減少させて、製造装置にウェハ・−をチャッキングし
た場合、ウェハー主面のフラットネスをよくすることを
目的としたウェハー裏面洗浄装置を提案するものである
。
を減少させて、製造装置にウェハ・−をチャッキングし
た場合、ウェハー主面のフラットネスをよくすることを
目的としたウェハー裏面洗浄装置を提案するものである
。
その課題は、被洗浄ウェハーを複数の周囲端で保持し、
且つ、該ウェハーの裏面を露出させたウェハーステージ
を回転させ、該ウェハーの裏面に有機溶剤を噴き付けて
パーティクルを除去するように構成したウェハー裏面洗
浄装置によって解決される。
且つ、該ウェハーの裏面を露出させたウェハーステージ
を回転させ、該ウェハーの裏面に有機溶剤を噴き付けて
パーティクルを除去するように構成したウェハー裏面洗
浄装置によって解決される。
即ち、本発明は回転できるウェハーステージに被洗浄ウ
ェハーの裏面を露出させた状態で取付け、裏面に有機溶
剤を噴き付けてパーティクルを除去させる構成である。
ェハーの裏面を露出させた状態で取付け、裏面に有機溶
剤を噴き付けてパーティクルを除去させる構成である。
かくして、このようなウェハー裏面洗浄装置による処理
工程をチャッキングしてウェハー処理する製造装置の前
に設置する。そうすると、ウェハー主面の凹凸が減少で
きて、ウェハープロセスにおける製造歩留、製品の品質
を改善することができる。
工程をチャッキングしてウェハー処理する製造装置の前
に設置する。そうすると、ウェハー主面の凹凸が減少で
きて、ウェハープロセスにおける製造歩留、製品の品質
を改善することができる。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるウェハー裏面洗浄装置の要部断
面図、第２図はそのうちのウェハーステージの斜視図を
示しており、図中の記号は両図に共通して、１はウェハ
ーステージ、２は回転シャフト、３は液噴射管９４はカ
バー、５はウェハーである。ウェハーステージｌは４つ
のアーム１１からなり、アーム１１の先にはウェハー裏
面５１がウェハー周囲端で当接して支持され、ウェハー
主面５０の周囲エツジをアーム１１の先端に設けた押さ
え１２によって押圧してウェハー５を固定させている。
面図、第２図はそのうちのウェハーステージの斜視図を
示しており、図中の記号は両図に共通して、１はウェハ
ーステージ、２は回転シャフト、３は液噴射管９４はカ
バー、５はウェハーである。ウェハーステージｌは４つ
のアーム１１からなり、アーム１１の先にはウェハー裏
面５１がウェハー周囲端で当接して支持され、ウェハー
主面５０の周囲エツジをアーム１１の先端に設けた押さ
え１２によって押圧してウェハー５を固定させている。
ウェハーステージ１の中心に円筒形の回転シャフト２を
接続しており、この回転シャフト２の中心には液噴射管
３を導通させて、液噴射管３の先端３０がウェハー裏面
５１にやや離れて位置し、噴射した有機溶剤がウェハー
裏面５１の中央部分に噴き付けられ、ウェハーの回転に
よってウェハー周囲に有機溶剤が拡散して、ウェハー裏
面５１全面に有機溶剤がゆきわたるようになっている。
接続しており、この回転シャフト２の中心には液噴射管
３を導通させて、液噴射管３の先端３０がウェハー裏面
５１にやや離れて位置し、噴射した有機溶剤がウェハー
裏面５１の中央部分に噴き付けられ、ウェハーの回転に
よってウェハー周囲に有機溶剤が拡散して、ウェハー裏
面５１全面に有機溶剤がゆきわたるようになっている。
回転シャフト２の回転は側部（←で示す）よりモータと
ギヤー（いずれも図示せず）によって伝達される。しか
し、液噴射管３は回転シャフト２との間に間隙を設けて
固定させており、その液噴射管３の下方から有機溶剤が
注入される。また、カバー４には排気口４１と液排出口
４２が設けである。
ギヤー（いずれも図示せず）によって伝達される。しか
し、液噴射管３は回転シャフト２との間に間隙を設けて
固定させており、その液噴射管３の下方から有機溶剤が
注入される。また、カバー４には排気口４１と液排出口
４２が設けである。
ウェハーの保持は、ウェハーステージ１のアーム１１先
端部分において、スプリング１３によって下方に押圧し
ている押さえ１２を上方に開いてウェハー５を４つのア
ームに載せ、次に、押さえ１２を下方に戻してウェハー
５の周囲端を押さえて、４つのアーム１１先端で把持す
る。そして、所望のパーティクルを除去する洗浄処理を
おこなう。
端部分において、スプリング１３によって下方に押圧し
ている押さえ１２を上方に開いてウェハー５を４つのア
ームに載せ、次に、押さえ１２を下方に戻してウェハー
５の周囲端を押さえて、４つのアーム１１先端で把持す
る。そして、所望のパーティクルを除去する洗浄処理を
おこなう。
次に、具体的実施例について説明すると、有機溶剤には
レジスト溶解液（例えば、商品名Ｘ−５０）を用いて、
回転数を２００Ｏｒｐｍにして回転しながら５秒間噴射
する。その結果、 紛擾０．２〜０．３μｍ３９６個 ０．３〜１ μｍ３３５個 ｌＩＪｍ以上 １４２個 合計 ８７３個 のパーティクル数がウェハー裏面に付着していた試料は 紛擾０．２〜０．３ ａｍ ３３０個０．３〜１
μｍ２０１個 １μｍ以上 ４０個 合計 ５７１個 のパーティクル数に減少させることができた。この数字
から判るように、特に紛擾１μｍ以上の大きな粒子の減
少に効果がある。
レジスト溶解液（例えば、商品名Ｘ−５０）を用いて、
回転数を２００Ｏｒｐｍにして回転しながら５秒間噴射
する。その結果、 紛擾０．２〜０．３μｍ３９６個 ０．３〜１ μｍ３３５個 ｌＩＪｍ以上 １４２個 合計 ８７３個 のパーティクル数がウェハー裏面に付着していた試料は 紛擾０．２〜０．３ ａｍ ３３０個０．３〜１
μｍ２０１個 １μｍ以上 ４０個 合計 ５７１個 のパーティクル数に減少させることができた。この数字
から判るように、特に紛擾１μｍ以上の大きな粒子の減
少に効果がある。
従って、上記のようなウェハー裏面洗浄装置を配置して
、この装置による処理工程をフォトリソグラフィ工程の
前処運上すれば、ウェハー裏面のパーティクルを減少さ
せて、製造歩留２品質を向上させることができる。
、この装置による処理工程をフォトリソグラフィ工程の
前処運上すれば、ウェハー裏面のパーティクルを減少さ
せて、製造歩留２品質を向上させることができる。
なお、上記実施例におけるウェハーのハンドリングと保
持方式とを少し改めれば、本発明にかかるウェハー裏面
洗浄装置をインラインシステムに組み込むことも可能で
ある。
持方式とを少し改めれば、本発明にかかるウェハー裏面
洗浄装置をインラインシステムに組み込むことも可能で
ある。
且つ、上記実施例においては、噴射させる有機溶剤とし
てレジスト溶解液を使用したが、必ずしもレジスト溶解
液に限るものではなく、速乾性があって残渣の発生しな
い有機溶剤であれば他のものを用いても良い。また、本
発明にかかるウェハー裏面洗浄装置はフォトリソグラフ
ィ工程以外にも適用することができる。
てレジスト溶解液を使用したが、必ずしもレジスト溶解
液に限るものではなく、速乾性があって残渣の発生しな
い有機溶剤であれば他のものを用いても良い。また、本
発明にかかるウェハー裏面洗浄装置はフォトリソグラフ
ィ工程以外にも適用することができる。
以上の説弊力）ら明らかなように、本発明にかかるウェ
ハー裏面洗浄装置によればウェハー主面の凹凸を減少で
き、ウェハープロセスにおけるウェハーの製造歩留の向
上と半導体製品の高品質化に役立てることができる。
ハー裏面洗浄装置によればウェハー主面の凹凸を減少で
き、ウェハープロセスにおけるウェハーの製造歩留の向
上と半導体製品の高品質化に役立てることができる。
視回である。
図において、
１はウェハーステージ、
２は回転シャフト、
３は液噴射管、
４はカバー
５はウェハー
１１はウェハーステージのアーム、
１２はアーム先端の押さえ、
１３はスプリング、
３０は液噴射管の先端、
５０はうエバー主面、
５１は°ウェハー裏面
を示している。
第１図は本発明にかかるウェハー裏面洗浄装置の要部断
面図、
面図、
Claims (1)
- 被洗浄ウェハーを複数の周囲端で保持し、且つ、該ウェ
ハーの裏面を露出させたウェハーステージを回転させて
、該ウェハーの裏面に有機溶剤を噴き付けてパーティク
ルを除去するように構成したことを特徴とするウェハー
裏面洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16774489A JPH0330426A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | ウエハー裏面洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16774489A JPH0330426A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | ウエハー裏面洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330426A true JPH0330426A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15855307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16774489A Pending JPH0330426A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | ウエハー裏面洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330426A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5322079A (en) * | 1991-09-27 | 1994-06-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate holding apparatus of a simple structure for holding a rotating substrate, and a substrate processing apparatus including the substrate holding apparatus |
| US5829156A (en) * | 1996-03-19 | 1998-11-03 | Ebara Corporation | Spin dryer apparatus |
| JP2013098477A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| US8567339B2 (en) | 2009-06-23 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
| JP2014135511A (ja) * | 2014-03-26 | 2014-07-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP16774489A patent/JPH0330426A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5322079A (en) * | 1991-09-27 | 1994-06-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate holding apparatus of a simple structure for holding a rotating substrate, and a substrate processing apparatus including the substrate holding apparatus |
| US5829156A (en) * | 1996-03-19 | 1998-11-03 | Ebara Corporation | Spin dryer apparatus |
| US8567339B2 (en) | 2009-06-23 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
| JP2013098477A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2014135511A (ja) * | 2014-03-26 | 2014-07-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI653663B (zh) | 顯影單元、基板處理裝置、顯影方法及基板處理方法 | |
| TWI661473B (zh) | 基板處理裝置、膜形成單元、基板處理方法及膜形成方法 | |
| CN110444466A (zh) | 光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法及装置 | |
| JPH03502255A (ja) | ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 | |
| TWI762550B (zh) | 基板清洗方法、基板清洗系統及記錄媒體 | |
| US20030200996A1 (en) | Method and system for cleaning a wafer chuck | |
| JPH04186626A (ja) | エッチング装置 | |
| US6765645B1 (en) | De-pellicle tool | |
| JP3011806B2 (ja) | 角状被処理体のフォトレジスト除去装置 | |
| JPH06232108A (ja) | 異物除去方法 | |
| JP5039457B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP2726809B2 (ja) | スピン乾燥処理装置 | |
| JPH07240360A (ja) | 薬液塗布装置 | |
| US20040149322A1 (en) | Automatically-adjusting substrate rinsing system | |
| JPH08107053A (ja) | 成膜除去方法 | |
| JPS62264622A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100744277B1 (ko) | 웨이퍼의 에지 비드 제거장치 | |
| JPS61184824A (ja) | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 | |
| JP2001027812A (ja) | 基板表面のレジストまたは異物の除去方法 | |
| JPH11186123A (ja) | ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法 | |
| JPH01253923A (ja) | 塗布膜除去装置 | |
| JPH08148418A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH08264923A (ja) | 基板端面洗浄方法およびその装置 | |
| JP2000331919A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0715137Y2 (ja) | ウエハー保持装置 |