JPH08268783A - 耐酸化性部材及びその製造方法 - Google Patents
耐酸化性部材及びその製造方法Info
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- JPH08268783A JPH08268783A JP7071500A JP7150095A JPH08268783A JP H08268783 A JPH08268783 A JP H08268783A JP 7071500 A JP7071500 A JP 7071500A JP 7150095 A JP7150095 A JP 7150095A JP H08268783 A JPH08268783 A JP H08268783A
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- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
- C04B41/5059—Silicon carbide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 繊維強化セラミックスの耐酸化性を高める。
【構成】 基体1の凹部1AにSiセラミック(Si
C,Si3 N4 )とB4 Cの充填層3を形成し、その表
面にSiC又はSi3 N4 のCVD被膜4を形成する。 【効果】 最外表面のSiC又はSi3 N4 のCVD被
膜の保護効果で良好な耐酸化性が得られる。このCVD
被膜は、基体とCVD被膜との線熱膨張係数の差や基体
の強化繊維の異方性等により、特に、基体の凹部近傍に
おいて、クラックが入り易いが、CVD被膜にクラック
が入り、この部分から酸素の侵入が起こった場合であっ
ても、凹部に形成したSi−B充填層がまず酸化されて
クラックの先端部分に緻密なB2 O3 −SiO2 系ガラ
ス相を形成することにより、クラックを封止し、酸素が
基体に達することを防止する。基体が酸素に接触するこ
とが防止され、基体の酸化劣化が抑制される。
C,Si3 N4 )とB4 Cの充填層3を形成し、その表
面にSiC又はSi3 N4 のCVD被膜4を形成する。 【効果】 最外表面のSiC又はSi3 N4 のCVD被
膜の保護効果で良好な耐酸化性が得られる。このCVD
被膜は、基体とCVD被膜との線熱膨張係数の差や基体
の強化繊維の異方性等により、特に、基体の凹部近傍に
おいて、クラックが入り易いが、CVD被膜にクラック
が入り、この部分から酸素の侵入が起こった場合であっ
ても、凹部に形成したSi−B充填層がまず酸化されて
クラックの先端部分に緻密なB2 O3 −SiO2 系ガラ
ス相を形成することにより、クラックを封止し、酸素が
基体に達することを防止する。基体が酸素に接触するこ
とが防止され、基体の酸化劣化が抑制される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は耐酸化性部材及びその製
造方法に係り、特に、セラミック繊維にセラミック前躯
体ポリマーを含浸させた後焼成して得られる繊維強化セ
ラミックスよりなる基体の表面に耐酸化被膜を形成して
なる耐酸化性部材及びその製造方法に関する。
造方法に係り、特に、セラミック繊維にセラミック前躯
体ポリマーを含浸させた後焼成して得られる繊維強化セ
ラミックスよりなる基体の表面に耐酸化被膜を形成して
なる耐酸化性部材及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、セラミック繊維に、セラミック前
躯体ポリマー(プリセラミックポリマー;PCP)を繰
り返し含浸させた後焼成して得られる繊維強化セラミッ
クスは、セラミックス本来の高強度、特に耐熱高強度の
特性に加え、高靭性を示すことから、自動車用エンジン
等の各種高温構造部材として有望視されている。
躯体ポリマー(プリセラミックポリマー;PCP)を繰
り返し含浸させた後焼成して得られる繊維強化セラミッ
クスは、セラミックス本来の高強度、特に耐熱高強度の
特性に加え、高靭性を示すことから、自動車用エンジン
等の各種高温構造部材として有望視されている。
【0003】しかし、繊維強化セラミックスは、耐酸化
性が十分でなく、高温酸化雰囲気中では劣化して、その
強度、靭性が低下するという欠点がある。
性が十分でなく、高温酸化雰囲気中では劣化して、その
強度、靭性が低下するという欠点がある。
【0004】そこで、従来、繊維強化セラミックスの酸
化劣化の防止のために、繊維強化セラミックスの表面に
化学気相蒸着(CVD)法による耐酸化被膜を形成する
ことが研究されている。
化劣化の防止のために、繊維強化セラミックスの表面に
化学気相蒸着(CVD)法による耐酸化被膜を形成する
ことが研究されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、繊維強
化セラミックス表面にCVD被膜を形成したのみでは、
繊維強化セラミックスの耐酸化性を十分に高めることは
できず、従来において、繊維強化セラミックスの酸化劣
化を防止する実用的な技術は開発されていない。
化セラミックス表面にCVD被膜を形成したのみでは、
繊維強化セラミックスの耐酸化性を十分に高めることは
できず、従来において、繊維強化セラミックスの酸化劣
化を防止する実用的な技術は開発されていない。
【0006】本発明は上記従来の実情に鑑みてなされた
ものであって、繊維強化セラミックスの耐酸化性を高
め、高温酸化雰囲気中で使用される強度部材としての用
途を拡大する耐酸化性部材及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
ものであって、繊維強化セラミックスの耐酸化性を高
め、高温酸化雰囲気中で使用される強度部材としての用
途を拡大する耐酸化性部材及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の耐酸化性部材
は、表面に多数の凹部を有する繊維強化セラミックスよ
りなる基体と、該凹部に充填された、Si及びBを含ん
だ、セラミックの粉末及び/又はウィスカーとからなる
部材本体;並びに該部材本体の外面に形成されたSiC
又はSi3 N4 の化学気相蒸着被膜;を備えることを特
徴とする。
は、表面に多数の凹部を有する繊維強化セラミックスよ
りなる基体と、該凹部に充填された、Si及びBを含ん
だ、セラミックの粉末及び/又はウィスカーとからなる
部材本体;並びに該部材本体の外面に形成されたSiC
又はSi3 N4 の化学気相蒸着被膜;を備えることを特
徴とする。
【0008】請求項2の耐酸化性部材は、表面に多数の
凹部を有する繊維強化セラミックスよりなる基体と、該
凹部内面を含めて該基体の露出面のすべてに形成された
SiC又はSi3 N4 の第1の化学気相蒸着被膜と、内
面に該第1の化学気相蒸着被膜が形成された該凹部に充
填された、Si及びBを含んだ、セラミックの粉末及び
/又はウィスカーとからなる部材本体;並びに該部材本
体の外面に形成されたSiC又はSi3 N4 の第2の化
学気相蒸着被膜;を備えることを特徴とする。
凹部を有する繊維強化セラミックスよりなる基体と、該
凹部内面を含めて該基体の露出面のすべてに形成された
SiC又はSi3 N4 の第1の化学気相蒸着被膜と、内
面に該第1の化学気相蒸着被膜が形成された該凹部に充
填された、Si及びBを含んだ、セラミックの粉末及び
/又はウィスカーとからなる部材本体;並びに該部材本
体の外面に形成されたSiC又はSi3 N4 の第2の化
学気相蒸着被膜;を備えることを特徴とする。
【0009】請求項3の耐酸化性部材の製造方法は、請
求項1に記載の耐酸化性部材を製造する方法であって、
前記基体の凹部に、SiC粉末、SiCウィスカー、S
i3N4 粉末及びSi3 N4 ウィスカーよりなる群から
選ばれる1種又は2種以上とB4 C粉末とを含むスラリ
ーを含浸させて乾燥した後、化学気相蒸着法によりSi
C又はSi3 N4 の被膜を形成することを特徴とする。
求項1に記載の耐酸化性部材を製造する方法であって、
前記基体の凹部に、SiC粉末、SiCウィスカー、S
i3N4 粉末及びSi3 N4 ウィスカーよりなる群から
選ばれる1種又は2種以上とB4 C粉末とを含むスラリ
ーを含浸させて乾燥した後、化学気相蒸着法によりSi
C又はSi3 N4 の被膜を形成することを特徴とする。
【0010】請求項4の耐酸化性部材の製造方法は、請
求項2に記載の耐酸化性部材を製造する方法であって、
前記基体の表面に化学気相蒸着法により、SiC又はS
i3N4 の第1の被膜を形成した後、該基体の凹部に、
SiC粉末、SiCウィスカー、Si3 N4 粉末及びS
i3 N4 ウィスカーよりなる群から選ばれる1種又は2
種以上とB4 C粉末とを含むスラリーを含浸させて乾燥
し、次いで、化学気相蒸着法によりSiC又はSi3 N
4 の第2の被膜を形成することを特徴とする。
求項2に記載の耐酸化性部材を製造する方法であって、
前記基体の表面に化学気相蒸着法により、SiC又はS
i3N4 の第1の被膜を形成した後、該基体の凹部に、
SiC粉末、SiCウィスカー、Si3 N4 粉末及びS
i3 N4 ウィスカーよりなる群から選ばれる1種又は2
種以上とB4 C粉末とを含むスラリーを含浸させて乾燥
し、次いで、化学気相蒸着法によりSiC又はSi3 N
4 の第2の被膜を形成することを特徴とする。
【0011】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【0012】図1(a)〜(d)は本発明の耐酸化性部
材の製造手順の一実施例を示す断面図である。
材の製造手順の一実施例を示す断面図である。
【0013】本実施例の方法においては、表面に多数の
凹部(空孔、亀裂等を包含する。)1Aを有する、繊維
強化セラミックスよりなる基体1(図1(a))の該凹
部1Aの内面を含む基体1の表面に、CVD法によりS
iC又はSi3 N4 の第1の被膜2を形成する(図1
(b))。
凹部(空孔、亀裂等を包含する。)1Aを有する、繊維
強化セラミックスよりなる基体1(図1(a))の該凹
部1Aの内面を含む基体1の表面に、CVD法によりS
iC又はSi3 N4 の第1の被膜2を形成する(図1
(b))。
【0014】本発明において、繊維強化セラミックス
は、前述のPCP含浸法による繊維強化セラミックスが
挙げられ、そのPCPとしては、ポリシラザン、ポリカ
ルボシラン、ポリチタノカルボシランが、また、セラミ
ック繊維としては、Si3 N4繊維、Si−C−O系繊
維、Si−Ti−C−O系繊維、SiC繊維等を用いる
ことができる。これらのうち、特に好ましいPCPとセ
ラミック繊維との組み合せ例は、PCPとしてポリシラ
ザンを用い、セラミック繊維としてSi3 N4 繊維、S
i−C−O系繊維又はSi−Ti−C−O系繊維を用い
たもの、或いは、PCPとしてポリチタノカルボシラン
を用い、セラミック繊維としてSi−Ti−C−O系繊
維、Si−C−O系繊維又はSi3 N4 繊維を用いたも
のである。
は、前述のPCP含浸法による繊維強化セラミックスが
挙げられ、そのPCPとしては、ポリシラザン、ポリカ
ルボシラン、ポリチタノカルボシランが、また、セラミ
ック繊維としては、Si3 N4繊維、Si−C−O系繊
維、Si−Ti−C−O系繊維、SiC繊維等を用いる
ことができる。これらのうち、特に好ましいPCPとセ
ラミック繊維との組み合せ例は、PCPとしてポリシラ
ザンを用い、セラミック繊維としてSi3 N4 繊維、S
i−C−O系繊維又はSi−Ti−C−O系繊維を用い
たもの、或いは、PCPとしてポリチタノカルボシラン
を用い、セラミック繊維としてSi−Ti−C−O系繊
維、Si−C−O系繊維又はSi3 N4 繊維を用いたも
のである。
【0015】なお、繊維強化セラミックス中のセラミッ
ク繊維の含有量は15〜65体積%であることが好まし
い。
ク繊維の含有量は15〜65体積%であることが好まし
い。
【0016】このような繊維強化セラミックスは、通
常、その表面に深さ3〜400μm,直径5〜500μ
m程度の多数の凹部や、幅2〜50μm、深さ10〜5
00μm程度の亀裂が形成されている。
常、その表面に深さ3〜400μm,直径5〜500μ
m程度の多数の凹部や、幅2〜50μm、深さ10〜5
00μm程度の亀裂が形成されている。
【0017】本実施例においては、まず、この凹部(或
いは亀裂)1Aの内面を含む基体1の露出面のすべてに
第1のCVD被膜2を形成する。
いは亀裂)1Aの内面を含む基体1の露出面のすべてに
第1のCVD被膜2を形成する。
【0018】ここで、この第1のCVD被膜2の厚さは
2〜20μm程度とするのが好ましい。この厚さが2μ
m未満では、第1のCVD被膜を形成することによる耐
酸化性の向上効果が十分に得られず、20μmを超える
被膜を形成しても効果に有意な差異はなく、むしろ、上
述のような大きさの基体1表面の凹部1AがCVD被膜
2で埋まり、後工程で、凹部1Aへのセラミックの粉末
又はウィスカーの充填を行えなくなることから好ましく
ない。
2〜20μm程度とするのが好ましい。この厚さが2μ
m未満では、第1のCVD被膜を形成することによる耐
酸化性の向上効果が十分に得られず、20μmを超える
被膜を形成しても効果に有意な差異はなく、むしろ、上
述のような大きさの基体1表面の凹部1AがCVD被膜
2で埋まり、後工程で、凹部1Aへのセラミックの粉末
又はウィスカーの充填を行えなくなることから好ましく
ない。
【0019】第1のCVD被膜2を形成した後は、この
第1のCVD被膜2が形成された基体1の表面の凹部1
Aに、SiC粉末、SiCウィスカー、Si3 N4 粉末
及びSi3 N4 ウィスカーよりなる群から選ばれる1種
又は2種以上(以下「Si系セラミック」と称す。)
と、B4 C粉末とを含むセラミックスラリーを含浸させ
た後、乾燥し、該凹部1Aにセラミックスの充填層(以
下「Si−B充填層」と称す。)3を形成する(図1
(c))。
第1のCVD被膜2が形成された基体1の表面の凹部1
Aに、SiC粉末、SiCウィスカー、Si3 N4 粉末
及びSi3 N4 ウィスカーよりなる群から選ばれる1種
又は2種以上(以下「Si系セラミック」と称す。)
と、B4 C粉末とを含むセラミックスラリーを含浸させ
た後、乾燥し、該凹部1Aにセラミックスの充填層(以
下「Si−B充填層」と称す。)3を形成する(図1
(c))。
【0020】かかる基体1、被膜2及びSi−B充填層
3とにより部材本体10が構成される。
3とにより部材本体10が構成される。
【0021】このセラミックスラリーとしては、前記S
i系セラミックとB4 C粉末とをアルコール等の分散媒
に混合分散させたものを用いることができる。このセラ
ミックスラリーのSi系セラミックとB4 C粉末との好
適な混合割合は、Si:B=1:0.4〜2.5(重量
比)である。
i系セラミックとB4 C粉末とをアルコール等の分散媒
に混合分散させたものを用いることができる。このセラ
ミックスラリーのSi系セラミックとB4 C粉末との好
適な混合割合は、Si:B=1:0.4〜2.5(重量
比)である。
【0022】Si系セラミックに対するB4 C粉末の割
合が上記範囲より多過ぎても少な過ぎても、後述する酸
化物の緻密なガラス相を形成し得ず、良好な耐酸化性を
得ることができない。なお、セラミックスラリーの原料
として、ウィスカーを用いる場合、その平均径は0.2
〜30μm,平均長さは20〜200μmであることが
好ましい。また、粉末を用いる場合、好ましい平均粒径
は0.2〜100μmである。
合が上記範囲より多過ぎても少な過ぎても、後述する酸
化物の緻密なガラス相を形成し得ず、良好な耐酸化性を
得ることができない。なお、セラミックスラリーの原料
として、ウィスカーを用いる場合、その平均径は0.2
〜30μm,平均長さは20〜200μmであることが
好ましい。また、粉末を用いる場合、好ましい平均粒径
は0.2〜100μmである。
【0023】Si−B充填層3を形成した後は、部材本
体10の外面に(即ち、第1のCVD被膜2の露出面と
Si−B充填層3の露出面の双方を覆うように)CVD
法によりSiC又はSi3 N4 の第2のCVD被膜4を
形成する。
体10の外面に(即ち、第1のCVD被膜2の露出面と
Si−B充填層3の露出面の双方を覆うように)CVD
法によりSiC又はSi3 N4 の第2のCVD被膜4を
形成する。
【0024】この第2のCVD被膜4の厚さは1〜20
μm程度とするのが好ましい。この厚さが1μm未満で
は、第2のCVD被膜4を形成することによる良好な耐
酸化性を得ることができず、20μmを超える被膜を形
成しても、効果に有意な差異はなく、被膜剥離やコスト
の高騰を招き好ましくない。
μm程度とするのが好ましい。この厚さが1μm未満で
は、第2のCVD被膜4を形成することによる良好な耐
酸化性を得ることができず、20μmを超える被膜を形
成しても、効果に有意な差異はなく、被膜剥離やコスト
の高騰を招き好ましくない。
【0025】本発明においては、基体の繊維強化セラミ
ックスを構成するセラミック繊維とPCPから形成され
るセラミックとCVD被膜のセラミックスとが異なる材
質の場合、これらの材質間の線熱膨張係数との差によ
り、或いは、これらのセラミックスが同材質の場合で
も、基体の強化繊維の異方性等のために、CVD被膜に
クラックが入り易いが、CVD被膜にクラックが入った
場合でも、本発明においては、後述の作用の項で述べる
ガラス相の形成により、良好な耐酸化性を得ることがで
きる。
ックスを構成するセラミック繊維とPCPから形成され
るセラミックとCVD被膜のセラミックスとが異なる材
質の場合、これらの材質間の線熱膨張係数との差によ
り、或いは、これらのセラミックスが同材質の場合で
も、基体の強化繊維の異方性等のために、CVD被膜に
クラックが入り易いが、CVD被膜にクラックが入った
場合でも、本発明においては、後述の作用の項で述べる
ガラス相の形成により、良好な耐酸化性を得ることがで
きる。
【0026】なお、本発明においては、製造する耐酸化
性部材に高い寸法精度が要求される場合、或いは、表面
粗度を改善する必要がある場合には、下記及び/又は
の処理を行うことが好ましい。
性部材に高い寸法精度が要求される場合、或いは、表面
粗度を改善する必要がある場合には、下記及び/又は
の処理を行うことが好ましい。
【0027】 前記第1のCVD被膜2の形成後、こ
の被膜2を表面研磨する。 第2のCVD被膜4の形成後、この被膜4を表面研
磨する。更に、必要に応じて研磨後、SiC又はSi3
N4 のCVD被覆を行う。 このようにして製造される本発明の耐酸化性部材は、C
VD被膜2,4及びSi−B充填層3による内部保護効
果で十分な耐酸化性が得られるが、熱応力、その他の何
らかの原因でCVD被膜2,4にクラック等の欠陥が発
生した場合であっても、Si−B充填層3が内部の基体
1の酸化劣化を確実に防止する。
の被膜2を表面研磨する。 第2のCVD被膜4の形成後、この被膜4を表面研
磨する。更に、必要に応じて研磨後、SiC又はSi3
N4 のCVD被覆を行う。 このようにして製造される本発明の耐酸化性部材は、C
VD被膜2,4及びSi−B充填層3による内部保護効
果で十分な耐酸化性が得られるが、熱応力、その他の何
らかの原因でCVD被膜2,4にクラック等の欠陥が発
生した場合であっても、Si−B充填層3が内部の基体
1の酸化劣化を確実に防止する。
【0028】即ち、熱応力は特に基体1の凹部1A付近
に集中し易いことから、CVD被膜2,4のクラック
は、特に、基体1の凹部1A付近で発生し易いが、図2
に示す如く、第2のCVD被膜4にクラック5A,5B
が入り、また、第1のCVD被膜2にクラック5Cが入
り、このクラック5A〜5Cの部分から酸素の侵入が起
こった場合であっても、Si−B充填層3がまず酸化さ
れてクラック5A〜5Cの先端部分に緻密なB2 O3 −
SiO2 系ガラス相6が形成される。このB2 O3 −S
iO2 系ガラス相により、クラック5A〜5Cが封止さ
れ、酸素が基体1に達することが防止される。このよう
にして基体1が酸素に接触することが防止されるため、
基体1の酸化劣化が抑制される。
に集中し易いことから、CVD被膜2,4のクラック
は、特に、基体1の凹部1A付近で発生し易いが、図2
に示す如く、第2のCVD被膜4にクラック5A,5B
が入り、また、第1のCVD被膜2にクラック5Cが入
り、このクラック5A〜5Cの部分から酸素の侵入が起
こった場合であっても、Si−B充填層3がまず酸化さ
れてクラック5A〜5Cの先端部分に緻密なB2 O3 −
SiO2 系ガラス相6が形成される。このB2 O3 −S
iO2 系ガラス相により、クラック5A〜5Cが封止さ
れ、酸素が基体1に達することが防止される。このよう
にして基体1が酸素に接触することが防止されるため、
基体1の酸化劣化が抑制される。
【0029】なお、図示の実施例では、基体1の表面に
第1,2のCVD被膜2,4を形成したものを示した
が、これらのCVD被膜のうち、第1のCVD被膜2は
必ずしも必要とされず、本発明の耐酸化性部材は、図3
の如く、基体1の表面の凹部1Aに直接Si−B充填層
を形成した後、CVD被膜を形成したものであっても良
い。この場合、基体1とSi−B充填層3とによって部
材本体10が構成されている。
第1,2のCVD被膜2,4を形成したものを示した
が、これらのCVD被膜のうち、第1のCVD被膜2は
必ずしも必要とされず、本発明の耐酸化性部材は、図3
の如く、基体1の表面の凹部1Aに直接Si−B充填層
を形成した後、CVD被膜を形成したものであっても良
い。この場合、基体1とSi−B充填層3とによって部
材本体10が構成されている。
【0030】この図3の耐酸化性部材においても、前述
と同様にしてSi−B充填層3が酸化されてB2 O3 −
SiO2 系ガラス相を形成することによるクラック封止
効果で、良好な耐酸化性を得ることができる。
と同様にしてSi−B充填層3が酸化されてB2 O3 −
SiO2 系ガラス相を形成することによるクラック封止
効果で、良好な耐酸化性を得ることができる。
【0031】また、図4に示す如く、第1のCVD被膜
2にクラック1Bが発生した場合において、このクラッ
ク1BにSi−B充填層3を形成して第2のCVD膜4
を形成した場合においても、当該クラック部分に良好な
耐酸化性を得ることができる。
2にクラック1Bが発生した場合において、このクラッ
ク1BにSi−B充填層3を形成して第2のCVD膜4
を形成した場合においても、当該クラック部分に良好な
耐酸化性を得ることができる。
【0032】
【作用】最外表面のSiC又はSi3 N4 のCVD被膜
の保護効果で良好な耐酸化性が得られる。このCVD被
膜は、基体とCVD被膜との線熱膨張係数の差や基体の
強化繊維の異方性等により、特に、基体の凹部近傍にお
いて、クラックが入り易いが、CVD被膜にクラックが
入り、この部分から酸素の侵入が起こった場合であって
も、凹部に形成したSi−B充填層がまず酸化されてク
ラックの先端部分に緻密なB2 O3 −SiO2 系ガラス
相を形成することにより、クラックを封止し、酸素が基
体に達することを防止する。このため、基体が酸素に接
触することが防止され、基体の酸化劣化が抑制される。
の保護効果で良好な耐酸化性が得られる。このCVD被
膜は、基体とCVD被膜との線熱膨張係数の差や基体の
強化繊維の異方性等により、特に、基体の凹部近傍にお
いて、クラックが入り易いが、CVD被膜にクラックが
入り、この部分から酸素の侵入が起こった場合であって
も、凹部に形成したSi−B充填層がまず酸化されてク
ラックの先端部分に緻密なB2 O3 −SiO2 系ガラス
相を形成することにより、クラックを封止し、酸素が基
体に達することを防止する。このため、基体が酸素に接
触することが防止され、基体の酸化劣化が抑制される。
【0033】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明を
より具体的に説明する。
より具体的に説明する。
【0034】なお、以下において、用いた繊維強化セラ
ミックスは、セラミック繊維としてSi−C−O繊維を
用い、PCPとしてポリシラザンを用い、セラミック繊
維含有量が50体積%となるようにPCPを含浸させた
後1350℃で1時間焼成する含浸、焼成工程を8回繰
り返し行って得られたSi−C−O系繊維強化セラミッ
クスAと、Si3 N4 系セラミック繊維として高純度窒
化珪素繊維を用い、PCPとしてポリシラザンを用い、
セラミック繊維含有量が50体積%となるようにPCP
を含浸させた後1350℃で1時間焼成する含浸、焼成
工程を8回繰り返し行って得られたSi3 N4 系繊維強
化セラミックスBと、セラミック繊維としてSi−C−
Ti−O繊維を用い、PCPとしてポリチタノカルボシ
ランを用い、セラミック繊維含有量が50体積%となる
ようにPCPを含浸させた後1000℃で1時間焼成す
る含浸、焼成工程を8回繰り返し行って得られたSi−
C−Ti−O系繊維強化セラミックスCである。セラミ
ックス繊維としては、いずれも平織布を用いた。
ミックスは、セラミック繊維としてSi−C−O繊維を
用い、PCPとしてポリシラザンを用い、セラミック繊
維含有量が50体積%となるようにPCPを含浸させた
後1350℃で1時間焼成する含浸、焼成工程を8回繰
り返し行って得られたSi−C−O系繊維強化セラミッ
クスAと、Si3 N4 系セラミック繊維として高純度窒
化珪素繊維を用い、PCPとしてポリシラザンを用い、
セラミック繊維含有量が50体積%となるようにPCP
を含浸させた後1350℃で1時間焼成する含浸、焼成
工程を8回繰り返し行って得られたSi3 N4 系繊維強
化セラミックスBと、セラミック繊維としてSi−C−
Ti−O繊維を用い、PCPとしてポリチタノカルボシ
ランを用い、セラミック繊維含有量が50体積%となる
ようにPCPを含浸させた後1000℃で1時間焼成す
る含浸、焼成工程を8回繰り返し行って得られたSi−
C−Ti−O系繊維強化セラミックスCである。セラミ
ックス繊維としては、いずれも平織布を用いた。
【0035】また、SiC粉末又はウィスカー、Si3
N4 粉末又はウィスカー、B4 C粉末としては、次のよ
うなものを用いた。
N4 粉末又はウィスカー、B4 C粉末としては、次のよ
うなものを用いた。
【0036】SiC粉末:平均粒径2μm Si3 N4 粉末:平均粒径1.5μm B4 C粉末:平均粒径3μm SiCウィスカー:平均長さ120μm,平均径0.2
5μm Si3 N4 ウィスカー:平均長さ140μm,平均径
0.35μm 実施例1 繊維強化セラミックスBの表面にCVD法により厚さ1
0μmの第1のSiC−CVD被膜を形成した後、表面
の凹部に下記配合のセラミックスラリーを含浸させ、乾
燥後、CVD法により厚さ10μmの第2のSiC−C
VD被膜を形成した。
5μm Si3 N4 ウィスカー:平均長さ140μm,平均径
0.35μm 実施例1 繊維強化セラミックスBの表面にCVD法により厚さ1
0μmの第1のSiC−CVD被膜を形成した後、表面
の凹部に下記配合のセラミックスラリーを含浸させ、乾
燥後、CVD法により厚さ10μmの第2のSiC−C
VD被膜を形成した。
【0037】セラミックスラリー SiC粉末:5重量% B4 C粉末:10重量% 分散媒(エタノール):残部 得られた耐酸化性部材について、耐酸化性試験として、
1250℃で200時間、高温の耐酸化性雰囲気(大
気)にさらした後、常温で3点曲げ試験を行い、結果を
表1に示した。
1250℃で200時間、高温の耐酸化性雰囲気(大
気)にさらした後、常温で3点曲げ試験を行い、結果を
表1に示した。
【0038】比較例1 実施例1において、耐酸化性被膜を形成せず、繊維強化
セラミックスBについての耐酸化性試験結果を表1に示
した。
セラミックスBについての耐酸化性試験結果を表1に示
した。
【0039】比較例2 実施例1において、第1のCVD被膜のみを形成したも
のについて耐酸化性試験を行い、結果を表1に示した。
のについて耐酸化性試験を行い、結果を表1に示した。
【0040】比較例3 実施例1において、第1及び第2のCVD被膜のみを形
成したものについて耐酸化性試験を行い、結果を表1に
示した。
成したものについて耐酸化性試験を行い、結果を表1に
示した。
【0041】比較例4 実施例1において、第2のCVD被膜を形成しなかった
こと以外は同様にして製造した部材について、耐酸化性
試験を行い、結果を表1に示した。
こと以外は同様にして製造した部材について、耐酸化性
試験を行い、結果を表1に示した。
【0042】実施例2 実施例1において、第1のCVD被膜を形成しなかった
こと以外は同様にして製造した部材について、耐酸化性
試験を行い、結果を表1に示した。
こと以外は同様にして製造した部材について、耐酸化性
試験を行い、結果を表1に示した。
【0043】
【表1】
【0044】表1より、Si−B充填層及び第2のCV
D被膜を備える本発明の耐酸化性部材であれば、良好な
耐酸化性が得られ、更に第1のCVD被膜を形成するこ
とにより、より一層良好な耐酸化性が得られることが明
らかである。
D被膜を備える本発明の耐酸化性部材であれば、良好な
耐酸化性が得られ、更に第1のCVD被膜を形成するこ
とにより、より一層良好な耐酸化性が得られることが明
らかである。
【0045】実施例3〜10 表2に示す繊維強化セラミックスに、表2に示す第1の
CVD被膜を形成した後、表面の凹部に表2に示す配合
のセラミックスラリーを含浸させ、乾燥後、表2に示す
第2のCVD被膜を形成した。
CVD被膜を形成した後、表面の凹部に表2に示す配合
のセラミックスラリーを含浸させ、乾燥後、表2に示す
第2のCVD被膜を形成した。
【0046】各々の耐酸化性部材について、実施例1と
同様にして耐酸化性試験を行い、結果を表2に示した。
同様にして耐酸化性試験を行い、結果を表2に示した。
【0047】比較例5,6 繊維強化セラミックスA(比較例5)、繊維強化セラミ
ックスC(比較例6)について耐酸化性試験を行い、結
果を表2に示した。
ックスC(比較例6)について耐酸化性試験を行い、結
果を表2に示した。
【0048】
【表2】
【0049】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の耐酸化性部
材によれば、耐酸化性が改善され、高温酸化雰囲気中で
使用される高強度、高靭性部材として好適な耐酸化性部
材が提供される。
材によれば、耐酸化性が改善され、高温酸化雰囲気中で
使用される高強度、高靭性部材として好適な耐酸化性部
材が提供される。
【0050】請求項2の耐酸化性部材によれば、より一
層優れた耐酸化性の改善効果が得られる。
層優れた耐酸化性の改善効果が得られる。
【0051】このような本発明の耐酸化性部材は、請求
項3又は4の方法により、容易かつ効率的に製造するこ
とができる。
項3又は4の方法により、容易かつ効率的に製造するこ
とができる。
【図1】本発明の耐酸化性部材の製造手順の一実施例を
示す表面の模式的な断面図である。
示す表面の模式的な断面図である。
【図2】本発明の耐酸化性部材による酸化劣化防止の作
用機構を説明する表面の模式的な断面図である。
用機構を説明する表面の模式的な断面図である。
【図3】別の実施例に係る耐酸化性部材の表面の模式的
な断面図である。
な断面図である。
【符号の説明】 1 基体 1A 凹部 2 第1のCVD被膜 3 Si−B充填層 4 第2のCVD被膜 10 部材本体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 健藏 岡山県玉野市玉3丁目1番1号 三井造船 株式会社玉野事業所内
Claims (4)
- 【請求項1】 表面に多数の凹部を有する繊維強化セラ
ミックスよりなる基体と、該凹部に充填された、Si及
びBを含んだ、セラミックの粉末及び/又はウィスカー
とからなる部材本体;並びに該部材本体の外面に形成さ
れたSiC又はSi3 N4 の化学気相蒸着被膜;を備え
ることを特徴とする耐酸化性部材。 - 【請求項2】 表面に多数の凹部を有する繊維強化セラ
ミックスよりなる基体と、該凹部内面を含めて該基体の
露出面のすべてに形成されたSiC又はSi3 N4 の第
1の化学気相蒸着被膜と、内面に該第1の化学気相蒸着
被膜が形成された該凹部に充填された、Si及びBを含
んだ、セラミックの粉末及び/又はウィスカーとからな
る部材本体;並びに該部材本体の外面に形成されたSi
C又はSi3 N4 の第2の化学気相蒸着被膜;を備える
ことを特徴とする耐酸化性部材。 - 【請求項3】 請求項1に記載の耐酸化性部材を製造す
る方法であって、前記基体の凹部に、SiC粉末、Si
Cウィスカー、Si3 N4 粉末及びSi3 N4 ウィスカ
ーよりなる群から選ばれる1種又は2種以上とB4 C粉
末とを含むスラリーを含浸させて乾燥した後、化学気相
蒸着法によりSiC又はSi3 N4 の被膜を形成するこ
とを特徴とする耐酸化性部材の製造方法。 - 【請求項4】 請求項2に記載の耐酸化性部材を製造す
る方法であって、前記基体の表面に化学気相蒸着法によ
り、SiC又はSi3 N4 の第1の被膜を形成した後、
該基体の凹部に、SiC粉末、SiCウィスカー、Si
3 N4 粉末及びSi3 N4 ウィスカーよりなる群から選
ばれる1種又は2種以上とB4 C粉末とを含むスラリー
を含浸させて乾燥し、次いで、化学気相蒸着法によりS
iC又はSi3 N4 の第2の被膜を形成することを特徴
とする耐酸化性部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7071500A JPH08268783A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 耐酸化性部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7071500A JPH08268783A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 耐酸化性部材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08268783A true JPH08268783A (ja) | 1996-10-15 |
Family
ID=13462466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7071500A Pending JPH08268783A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 耐酸化性部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08268783A (ja) |
-
1995
- 1995-03-29 JP JP7071500A patent/JPH08268783A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040824 |