JPH0827566A - 真空装置の覗き窓の製法 - Google Patents

真空装置の覗き窓の製法

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JPH0827566A
JPH0827566A JP18414394A JP18414394A JPH0827566A JP H0827566 A JPH0827566 A JP H0827566A JP 18414394 A JP18414394 A JP 18414394A JP 18414394 A JP18414394 A JP 18414394A JP H0827566 A JPH0827566 A JP H0827566A
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JP
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alumina
film
alumina film
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JP18414394A
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English (en)
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Shinichi Okabe
信一 岡部
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空装置の覗き窓の透明度を維持し、覗き窓
の表面を機械的特性及び耐食性に優れたものとする。 【構成】 覗き窓として使用されるガラス基材を純水洗
浄で前処理し、溶解によるアルミナを蒸発材料として用
い、前記ガラス基材の表面に、350〜600℃で、1
×10-4Torr以下の雰囲気で第1層のアルミナ膜を
イオンプ−ティング法で被覆し、酸素ガスを導入し、2
50〜350℃で1×10-4Torr〜1×10-3To
rrの雰囲気で第2層のアルミナ膜を第1層のアルミナ
膜上にイオンプレ−ティング法で被覆し、全膜厚が10
μm以下で、その30%〜70%を第1層のアルミナ膜
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、真空装置の覗き窓に関
する。
【0002】
【従来の技術】ガラス基材は、耐熱、耐食性に優れ、透
明性を有していることから真空装置などの覗き窓に使用
されている。しかし近年、過酷な条件で使用されるよう
になり、本来ガラス基材が有する以上の耐熱、耐食性な
どが要求されるようになってきた。例えば、プラズマエ
ッチング装置の覗き窓は、プラズマ中で発生するイオン
や電子、熱や光などによりスパッタリングをはじめとす
る複雑な物理現象の影響を受け、また、活性なプラズマ
を利用するためにプラズマ侵食される場合がある。
【0003】上記のような影響を低減させる方法とし
て、覗き窓の表面に透明で耐熱性、耐食性に優れた被膜
を形成する方法が考えられるが、このような被覆には透
明性や密着力で問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は真空装置の覗き窓の透明度を維持し、覗き窓の表面を
機械的特性及び耐食性に優れたものとすることにある。
【0005】
【課題が解決するための手段】本発明は、覗き窓として
使用されるガラス基材を純水洗浄で前処理し、溶解で作
製した溶解アルミナを蒸発材料として用い、前記ガラス
基材の表面に350〜600℃の温度および1×10-4
Torr以下の圧力の雰囲気で第1層のアルミナ膜をイ
オンプレーティング法で被覆し、次いで酸素ガスを導入
し、250〜350℃の温度および1×10-4Torr
〜1×10-3Torrの圧力の雰囲気で第2層のアルミ
ナ膜を第1層のアルミナ膜上にイオンプレーティング法
で被覆し、全膜厚が10μm以下で、その30%〜70
%を第1層のアルミナ膜とする。
【0006】
【作用】本発明には使用される覗き窓の材質は、使用用
途や使用条件によって珪酸塩系ガラス、ホウ珪酸系ガラ
ス、燐酸塩系ガラス等から適宜選択できる。ガラス基材
の大きさ、形状は真空反応槽内にセットできれば、特に
制約はない。
【0007】本発明のアルミナ膜の被膜特性は前処理と
成膜条件に依存する。
【0008】覗き窓として用いるガラス基材の前処理を
有機溶剤やアルカリ溶液で脱脂洗浄を行うと、洗浄剤な
どが残留してシミなどが発生し、その後成膜する被膜の
密着力が低下させる原因になる。そこで、脱脂洗浄後に
純水を用いて洗浄する。純水は、イオン交換樹脂やフィ
ルターなどにより、残留塩素及び1μm以下の不純物を
除去した純度1μS(マイクロジーメンス)以下のもの
を60〜80℃に加温して使用するのが望ましい。超音
波や揺動などの物理力を併用すると、より有効である。
純水による洗浄後は液切り乾燥を行う。
【0009】蒸発材料としてのアルミナには焼結して作
製した焼結アルミナと溶解により作製した溶解アルミナ
がある。焼結アルミナを用いると成膜中にアルミナ内部
からガスが発生するため、突沸が起きやすく、ガラス基
材表面にアルミナ粒子が付着し、表面が荒れるという問
題が生じる。溶解アルミナを用いれば、アルミナからの
ガス発生が少ないために突沸をかなり抑えることがで
き、滑らかな被覆面を得ることが出来る。しかし、溶解
アルミナを用いても成膜速度が速すぎると突沸が問題と
なるため成膜速度は10μm/hr以下にする必要があ
る。溶解アルミナの粒径に特に制限はないが、望ましく
は1〜5mm程度のものがよい。
【0010】上記洗浄を施したガラス基材を真空反応槽
内にセットし、1×10-5Torrまで排気したのち、
350〜600℃に加熱し、その状態を保持したまま、
1×10-4Torr以下で被覆することによりクラック
や剥離のない被膜が可能となった。350℃未満で加
熱、被覆すると熱膨張係数や内部応力の影響でクラッ
ク、剥離が生じ、逆に600℃を超えて加熱、被覆する
と第1層のアルミナ膜が結晶化するために、やはりクラ
ックや剥離が生じる。また、1×10-4Torrを超え
た圧力(例えば酸素を導入)で被覆すると、蒸発粒子の
衝突確率が増すために蒸発粒子の平均自由工程が短くな
り、その結果、ガラス基材への衝突エネルギが減少して
ガラス基材と第1のアルミナ膜の密着力が低下するので
望ましくない。
【0011】続いて、第2層として、成膜温度250〜
350℃に下げてから、純度99%以上の酸素ガスを導
入し、1×10-4Torr〜1×10-3Torrの範囲
に保持して第2層のアルミナ膜を成膜する。250℃未
満で成膜すると、第1層のアルミナ膜との密着力が低下
するので好ましくない。また、1×10-3Torrを超
えて酵素を導入すると、蒸発材料の溶解に用いる電子銃
のタングステンフィラメントや基板加熱ヒーターの急激
な劣化を引き起こすので望ましくない。なお、成膜中に
酸素圧が上記の圧力範囲で変動しても、得られる被膜特
性に変わりはない。
【0012】該第1層及び第2層を総合してアルミナ膜
の膜圧は10μm以下に保持しなければならない。膜厚
が10μmを超えると覗き窓の十分な透過率(80%以
上)が得られず、機械的強度も減少するので望ましくな
い。また、アルミナ膜の全膜厚の30〜70%が第1層
の膜厚であるのが望ましい。第1層のアルミナ膜の膜厚
が30%未満であると十分な密着力が得られず、また、
70%を超えると高硬度の被膜が得られない。膜厚は成
膜時間で制御できる。
【0013】本発明に用いるイオンプレーティング法と
しては、蒸発方法に抵抗加熱、電子銃加熱などの蒸発材
料の溶融を伴う方法を用いたものであればよく、また、
被覆材料のイオン化の方法としてアーク放電、グロー放
電、高周波放電などのいずれの方法を備えたのでもよ
い。
【0014】以上のような条件で被覆した第1層のアル
ミナ膜は、イオンプレーティング時にアルミナが蒸発し
て分解することよりアルミナ膜中の酸素が不足し、化学
組成からずれた被膜となり、また、高温で被覆するため
に内部応力も緩和されるので硬度が低い。そこで、第1
層のアルミナ膜の上に酸素を1×10-4Torr〜1×
10-3Torrになるように導入した状態で第2層のア
ルミナ膜を被覆すれば、不足していた酸素を補うことが
でき、さらに成膜温度を250〜350℃に下げること
で、膜中の内部応力が高くなりHv700〜Hv110
0程度の高硬度の被膜が得られる。
【0015】また、第1層及び第2層のアルミナ膜は、
アモルファスで緻密な膜構造をしているために、耐食性
にも優れている。
【0016】
【実施例】
(実施例1)本発明の実施例として、蒸発材料にアルミ
ナ(高純度化学研究所製)を用い、ガラス基材上にイオ
ンプレーティング法でアルミナ膜を被覆した。機械的特
徴としてビッカース硬度計で被膜硬度、スクラッチテス
タ(LSRH製REVETEST)で密着力を測定し
た。また、ヘイズメーター(村上色材製)により透過率
を測定した。
【0017】ガラス基材にソーダ石灰ガラス基板を用
い、この基板をエタノールで超音波洗浄後、70℃に加
温した純水に浸漬して洗浄し、ドライヤーより液切り乾
燥を行った。真空反応槽内にセット後、槽内を1×10
-5Torrまで真空に排気した。目標真空度に到達後、
350℃に加熱保持し、溶解アルミナを9kv−400
mAの電子ビームで加熱溶解した。溶解アルミナの溶融
面が安定したところで、第1層として1×10-4Tor
r以下で20分間の被覆を行った。この状態では酵素ガ
スは導入されていない。その後、成膜温度を250℃ま
で下げてから純度99.99%の酸素ガスを導入し、圧
力を1.5×10-4Torrとして40分間第2層の被
覆を行った。第1層及び第2層を通して、基板にバイア
ス電圧は印可していない。また成膜速度は5.2μm/
hrであった。上記のような条件の成膜により、5.2
μmのアルミナ被膜が得られた。密着力は12N、硬度
はHv1080であった。また、透過率は86.3%で
あった。
【0018】(実施例2)第1層の成膜時間を60分
間、第2層の成膜時間を60分間にした以外は実施例1
と同様の条件でアルミナ膜を成膜した。得られた被膜は
9.7μmで密着力は8N、被膜硬度はHv873であ
った。また、透過率は84.1%であった。
【0019】(実施例3)第1層及び第2層の成膜中に
蒸発材料をイオン化するためにイオン化電極に200W
の高周波を印加した以外は実施例1と同様の条件でアル
ミナ膜を成膜した。得られた被膜は4.8μmで密着力
は15N、被膜硬度はHv1130であった。また、透
過率は87.5%であった。
【0020】(実施例4)基材に石英ガラス基板を用
い、第1層の成膜温度を600℃、第2層成製膜温度を
350℃にした以外は実施例1と同様の条件でアルミナ
膜成製膜した。得られた被膜は5μmで密着力は7.5
N、被膜硬度はHv978であった。また、透過率は8
7.0%であった。
【0021】(実施例5)基材に直径200mm、厚さ
10mmの石英ガラス製のプラズマエッチング装置の覗
き窓を用い、第1層のアルミナ膜を10分間、第2層の
アルミナ膜を20分間成膜した以外は、実施例1と同様
の条件で成膜を行った。得られた被膜は2.7μmであ
った。また、透過率は88.2%であった。
【0022】この覗き窓をプラズマエッチング装置に装
置し、CF4 ガスプラズマによりSiO2 のエッチング
処理を1週間行ったところ、覗き窓は侵食されることも
無く、透明度も維持されていた。
【0023】(比較例1)実施例5で用いた覗き窓をア
ルミナ膜(第1層と第2層の両者)を成膜せずに用い
て、実施例5と同様のプラズマエッチング処理を1週間
行ったところ、覗き窓は約2mm侵食され、覗き窓とし
ての機能を果たしていなかった。
【0024】(比較例2)実施例5で用いた覗き窓に第
1層のアルミナ膜を成膜せずに、直接に酵素ガスを導入
して第2層のアルミナ膜のみを20分間成膜したとこ
ろ、プラズマエッチング装置する作業中に、アルミナ膜
が剥離するところが生じた。
【0025】
【発明の効果】本発明の覗き窓は、高密着力、高硬度に
優れたアルミナ膜で被覆されているために機械的特性に
優れ、また、アモルファスで緻密な膜構造をしているた
めに、耐食性にも優れている。さらに可視光域における
透過率が80%以上である実用的効果を有した覗き窓を
得ることが出来る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23C 14/32 8939−4K

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 覗き窓として使用されるガラス基材を純
    水洗浄で前処理し、アルミナを蒸発材料として用い、前
    記ガラス基材の表面に、350〜600℃の温度および
    1×10-4Torr以下の圧力の雰囲気で第1層のアル
    ミナ膜をイオンプレーティング法で被覆し、酸素ガスを
    導入し、250〜350℃の温度および1×10-4To
    rr〜1×10-3Torrの圧力の雰囲気で第2層のア
    ルミナ膜を第1層のアルミナ膜上にイオンプレーティン
    グ法で被覆することにより、全膜厚が10μm以下で、
    その30%〜70%を第1層のアルミナ膜とすることを
    特徴とする真空装置の覗き窓の製法。
  2. 【請求項2】 アルミナを溶解により作製する請求項1
    に記載の製法。
JP18414394A 1994-07-14 1994-07-14 真空装置の覗き窓の製法 Pending JPH0827566A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000074123A1 (fr) * 1999-05-31 2000-12-07 Tokyo Electron Limited Fenetre transparente pour chambre de traitement d'appareil de traitement et son procede de production
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JP2009296006A (ja) * 2004-03-29 2009-12-17 Tokyo Electron Ltd パーティクルモニタ窓部材及び窓部材
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US8854625B2 (en) 2004-03-29 2014-10-07 Tokyo Electron Limited Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring

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