JPH083735A - 薄膜作製方法 - Google Patents
薄膜作製方法Info
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- JPH083735A JPH083735A JP13313794A JP13313794A JPH083735A JP H083735 A JPH083735 A JP H083735A JP 13313794 A JP13313794 A JP 13313794A JP 13313794 A JP13313794 A JP 13313794A JP H083735 A JPH083735 A JP H083735A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス等の基板上に薄膜を形成する薄膜作製
方法において、表面が平滑で品質の高い薄膜が得られる
ようにする。 【構成】 カソード２からのアーク放電により放電プラ
ズマ流１３を発生させ、このプラズマ流１３を磁気回路
８によって真空容器６内に設置したハース（アノード）
７上の蒸発材料１５に導く。そして、イオンプレーティ
ング成膜法により、上記プラズマ流１３が当たった部分
から蒸発した材料を基板１２に付着させる。その際、基
板１２の温度を２００℃以下にして成膜を行う。
方法において、表面が平滑で品質の高い薄膜が得られる
ようにする。 【構成】 カソード２からのアーク放電により放電プラ
ズマ流１３を発生させ、このプラズマ流１３を磁気回路
８によって真空容器６内に設置したハース（アノード）
７上の蒸発材料１５に導く。そして、イオンプレーティ
ング成膜法により、上記プラズマ流１３が当たった部分
から蒸発した材料を基板１２に付着させる。その際、基
板１２の温度を２００℃以下にして成膜を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特にイオンプレーティ
ング成膜法を用いて基板に薄膜を形成する薄膜作製方法
に関するものである。
ング成膜法を用いて基板に薄膜を形成する薄膜作製方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のスパッタリング法を用いた
成膜装置の概略を示す構成図である。同図中、１０１は
真空ポンプで排気される真空槽、１０２は不活性ガスを
導入するためのガス導入口、１０３はターゲットに取り
付けたカソード、１０４はカソード１０３に対向して設
けられたアノードで、基板１０５を保持する基板ホルダ
ーなどとして形成されている。１０６は放電用の高圧電
源、１０７はカソード１０３を水冷する冷却水の配管を
通すための絶縁体である。
成膜装置の概略を示す構成図である。同図中、１０１は
真空ポンプで排気される真空槽、１０２は不活性ガスを
導入するためのガス導入口、１０３はターゲットに取り
付けたカソード、１０４はカソード１０３に対向して設
けられたアノードで、基板１０５を保持する基板ホルダ
ーなどとして形成されている。１０６は放電用の高圧電
源、１０７はカソード１０３を水冷する冷却水の配管を
通すための絶縁体である。
【０００３】スパッタリングは、まず１０-4Ｐａ程度に
排気された真空槽１０１に０．１Ｐａ程度までになるよ
うに不活性ガス（主にＡｒ）をガス導入口１０２から入
れ、ターゲットに取り付けたカソード１０３及びこれと
対向するアノード１０４の間に直流あるいは交流の高電
圧（数百Ｖ）を印加して、グロー放電を起こさせる。そ
して、放電によってプラスにイオン化された不活性ガス
は、カソード１０３にあるターゲットに入射し、ターゲ
ット材をスパッタリングし、基板１０５上に必要とする
薄膜を形成する、また、図４は従来の電子ビーム蒸着法
を用いた成膜装置の概略を示す構成図である。同図中、
１１０はガスを導入するバルブ、１１１はシャッター、
１１２は基板ホルダー、１１３は基板ホルダー１１２を
回転させるモーター、１１４は水晶モニターである。
排気された真空槽１０１に０．１Ｐａ程度までになるよ
うに不活性ガス（主にＡｒ）をガス導入口１０２から入
れ、ターゲットに取り付けたカソード１０３及びこれと
対向するアノード１０４の間に直流あるいは交流の高電
圧（数百Ｖ）を印加して、グロー放電を起こさせる。そ
して、放電によってプラスにイオン化された不活性ガス
は、カソード１０３にあるターゲットに入射し、ターゲ
ット材をスパッタリングし、基板１０５上に必要とする
薄膜を形成する、また、図４は従来の電子ビーム蒸着法
を用いた成膜装置の概略を示す構成図である。同図中、
１１０はガスを導入するバルブ、１１１はシャッター、
１１２は基板ホルダー、１１３は基板ホルダー１１２を
回転させるモーター、１１４は水晶モニターである。
【０００４】電子ビーム蒸着は、電子銃からの電子ビー
ムを加速して試料表面に照射することにより、高融点金
属であるＭｏ，Ｔａ，Ｗをはじめ、石英，アルミナ，Ｉ
ＴＯ，ＺｎＯなどの酸化物を蒸着するのに用いられてい
る。蒸発源としては、電子ビーム発生用のフィラメント
（Ｗ），ビームを偏向させる磁気回路，蒸発材料を置く
水冷されたアノードからなる。また電子は、数ＫＶ（１
０〜２０ＫＷクラスの電源）で加速され、アノードにお
いた蒸発材料を加熱蒸発させる。
ムを加速して試料表面に照射することにより、高融点金
属であるＭｏ，Ｔａ，Ｗをはじめ、石英，アルミナ，Ｉ
ＴＯ，ＺｎＯなどの酸化物を蒸着するのに用いられてい
る。蒸発源としては、電子ビーム発生用のフィラメント
（Ｗ），ビームを偏向させる磁気回路，蒸発材料を置く
水冷されたアノードからなる。また電子は、数ＫＶ（１
０〜２０ＫＷクラスの電源）で加速され、アノードにお
いた蒸発材料を加熱蒸発させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の薄膜作製方法（スパッタリング，電子ビー
ム蒸着法）で成膜した膜（例えばＩＴＯ膜）は、研磨し
た平滑なガラス等の基板に例えば２００ｎｍ程度の膜厚
の成膜を行った場合でも、膜表面に１０ｎｍ（スパッタ
リング膜）から数十ｎｍ（電子ビーム蒸着膜）の凹凸が
見られる。特に、基板温度が高温になると基板上に付い
た膜が結晶成長し、凹凸が助長される。また膜厚が厚く
なるに従い、初め多結晶もしくはアモルファス状態であ
ったものが、膜表面に針状，円錐状，ドーム状など種々
の形状が現われることもある。
ような従来の薄膜作製方法（スパッタリング，電子ビー
ム蒸着法）で成膜した膜（例えばＩＴＯ膜）は、研磨し
た平滑なガラス等の基板に例えば２００ｎｍ程度の膜厚
の成膜を行った場合でも、膜表面に１０ｎｍ（スパッタ
リング膜）から数十ｎｍ（電子ビーム蒸着膜）の凹凸が
見られる。特に、基板温度が高温になると基板上に付い
た膜が結晶成長し、凹凸が助長される。また膜厚が厚く
なるに従い、初め多結晶もしくはアモルファス状態であ
ったものが、膜表面に針状，円錐状，ドーム状など種々
の形状が現われることもある。
【０００６】このような膜表面は、各種光学膜｛バンド
パスフィルタ，エッジフィルタ，反射鏡，反射防止膜等
（単層，多層含む）｝ではエッジのだれ，反射率の低
下，逆に透過率の低下につながる。またディスプレー
（液晶ディスプレー，プラズマディスプレー，エレクト
ロルミネッセンスディスプレー，有機ＥＬ，半導体等）
や電子部品（集積回路，抵抗チップ）などに用いた場
合、凸部への電界の集中や、更に上に成膜した膜の成膜
ムラ（特に膜厚が薄い場合下地が表面に露出する）が起
こり、電気的なリークや断線等が起こる。
パスフィルタ，エッジフィルタ，反射鏡，反射防止膜等
（単層，多層含む）｝ではエッジのだれ，反射率の低
下，逆に透過率の低下につながる。またディスプレー
（液晶ディスプレー，プラズマディスプレー，エレクト
ロルミネッセンスディスプレー，有機ＥＬ，半導体等）
や電子部品（集積回路，抵抗チップ）などに用いた場
合、凸部への電界の集中や、更に上に成膜した膜の成膜
ムラ（特に膜厚が薄い場合下地が表面に露出する）が起
こり、電気的なリークや断線等が起こる。
【０００７】本発明は、上記のような問題点に着目して
なされたもので、表面が平滑な薄膜が得られ、各種光学
膜や機能膜として特性の優れたものが得られる薄膜作製
方法を提供することを目的としている。
なされたもので、表面が平滑な薄膜が得られ、各種光学
膜や機能膜として特性の優れたものが得られる薄膜作製
方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜作製方法
は、アーク放電を用いたイオンプレーティング成膜法に
より、薄膜を付着させる基板の温度を２００℃以下にし
て該基板に成膜させるようにしたものである。
は、アーク放電を用いたイオンプレーティング成膜法に
より、薄膜を付着させる基板の温度を２００℃以下にし
て該基板に成膜させるようにしたものである。
【０００９】
【作用】本発明の薄膜作製方法においては、アーク放電
を用いたイオンプレーティング成膜法で、且つ基板温度
が２００℃以下で成膜が行われ、作製された膜の表面が
平滑になる。
を用いたイオンプレーティング成膜法で、且つ基板温度
が２００℃以下で成膜が行われ、作製された膜の表面が
平滑になる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明に係る薄膜作製方法を用いた成
膜装置（イオンプレーティング装置）の構成図である。
同図において、１は不活性ガスを導入するガス導入口、
２はカソード、３は環状永久磁石、４は空芯コイル、５
はカソード２に接続された放電用の高圧の直流電源、６
は真空容器、７は真空容器６内に設置されたハース（ア
ノード）で、冷却水により水冷されるようになってい
る。
膜装置（イオンプレーティング装置）の構成図である。
同図において、１は不活性ガスを導入するガス導入口、
２はカソード、３は環状永久磁石、４は空芯コイル、５
はカソード２に接続された放電用の高圧の直流電源、６
は真空容器、７は真空容器６内に設置されたハース（ア
ノード）で、冷却水により水冷されるようになってい
る。
【００１１】８は永久磁石を用いた磁気回路で、ハース
７と一体的に設けられている。９は真空排気のための排
気口、１０は反応ガスの導入口、１２はハース７の上方
に配置された基板、１３はアーク放電によって生じた放
電プラズマ流、１４は収束用の補助空芯コイル、１５は
ハース７上に置かれた蒸発材料である。
７と一体的に設けられている。９は真空排気のための排
気口、１０は反応ガスの導入口、１２はハース７の上方
に配置された基板、１３はアーク放電によって生じた放
電プラズマ流、１４は収束用の補助空芯コイル、１５は
ハース７上に置かれた蒸発材料である。
【００１２】上記の装置は、真空容器６の中にアーク放
電用のカソード２と蒸発材料１５を載置したハース７と
がある距離と角度を持って配置された構成となってい
る。そして、蒸発材料１５を蒸発させる際には、先ず１
０-6Ｔｏｒｒ〜１０-7Ｔｏｒｒに排気した真空容器６内
にカソード２の後部のガス導入口１からＡｒ等の不活性
ガスを導入し、真空容器６を１０-4Ｔｏｒｒ〜１０-3Ｔ
ｏｒｒ台の圧力にした後、カソード２とハース７間に直
流電源５により高電圧を与えて放電させる。
電用のカソード２と蒸発材料１５を載置したハース７と
がある距離と角度を持って配置された構成となってい
る。そして、蒸発材料１５を蒸発させる際には、先ず１
０-6Ｔｏｒｒ〜１０-7Ｔｏｒｒに排気した真空容器６内
にカソード２の後部のガス導入口１からＡｒ等の不活性
ガスを導入し、真空容器６を１０-4Ｔｏｒｒ〜１０-3Ｔ
ｏｒｒ台の圧力にした後、カソード２とハース７間に直
流電源５により高電圧を与えて放電させる。
【００１３】この時、カソード２から出た放電プラズマ
流１３は、磁力線に沿って流れ、ハース７の内部の磁気
回路８のＮ極に向かって落ちる。そして、この放電プラ
ズマ流１３が落ちる位置に置かれた蒸発材料１５は、放
電プラズマ流１３が当たる数平方センチメートルの部分
が昇華、あるいは加熱溶融後に蒸発する。またハース７
上には、ある適当な距離を置いて上記蒸発した材料を付
着させる基板１２が配置されている。
流１３は、磁力線に沿って流れ、ハース７の内部の磁気
回路８のＮ極に向かって落ちる。そして、この放電プラ
ズマ流１３が落ちる位置に置かれた蒸発材料１５は、放
電プラズマ流１３が当たる数平方センチメートルの部分
が昇華、あるいは加熱溶融後に蒸発する。またハース７
上には、ある適当な距離を置いて上記蒸発した材料を付
着させる基板１２が配置されている。
【００１４】ここで、実際の成膜に際しては、カソード
−アノード間で電流１３０Ａ、電圧５８Ｖのアーク放電
をさせ、アノード（ハース７）に置いた蒸発材料｛ＩＴ
Ｏ(Indium Tin Oxide)ペレット｝１５を蒸発させた。ま
た基板１２にはガラス基板を用いた。そして、その基板
温度を２５〜３００℃まで変え、表面の平滑性をＳＴＭ
(Scanning Tunnering Microscope) で測定した。図４に
その測定結果である基板温度と膜表面の粗さ（ｎｍ）の
関係を示す。
−アノード間で電流１３０Ａ、電圧５８Ｖのアーク放電
をさせ、アノード（ハース７）に置いた蒸発材料｛ＩＴ
Ｏ(Indium Tin Oxide)ペレット｝１５を蒸発させた。ま
た基板１２にはガラス基板を用いた。そして、その基板
温度を２５〜３００℃まで変え、表面の平滑性をＳＴＭ
(Scanning Tunnering Microscope) で測定した。図４に
その測定結果である基板温度と膜表面の粗さ（ｎｍ）の
関係を示す。
【００１５】図４から２００℃以下で特に平滑な表面が
見られることがわかる。同様に測定した従来のスパッタ
法の膜はＲａ（１μｍ×１μｍ面内の平均粗さ）：３．
７０４ｎｍ，Ｒｍａｘ（最高凸部，最低凹部）：２９．
６８１、また電子ビーム蒸着法の膜はＲａ：８．２６
２，Ｒｍａｘ：７７．４２５であり、これに比べて表面
の荒れは１／２から１／数十になり、アーク放電を使っ
たイオンプレーティング膜は平滑性において非常に優れ
ていることがわかる。
見られることがわかる。同様に測定した従来のスパッタ
法の膜はＲａ（１μｍ×１μｍ面内の平均粗さ）：３．
７０４ｎｍ，Ｒｍａｘ（最高凸部，最低凹部）：２９．
６８１、また電子ビーム蒸着法の膜はＲａ：８．２６
２，Ｒｍａｘ：７７．４２５であり、これに比べて表面
の荒れは１／２から１／数十になり、アーク放電を使っ
たイオンプレーティング膜は平滑性において非常に優れ
ていることがわかる。
【００１６】このように、アーク放電を使ったイオンプ
レーティング成膜法で、且つ基板温度を２００℃以下に
して作製した薄膜は、表面が平滑で特性が優れているた
め、例えば光学膜の一種であるバンドパスフィルタに使
用すれば、エッジがシャープな光学特性が得られ、各種
のミラー（アルミ鏡，他の金属，誘電体，セラミック材
料を使っても良い）に使えば、反射された像は乱れのな
い高品位な像が得られる。
レーティング成膜法で、且つ基板温度を２００℃以下に
して作製した薄膜は、表面が平滑で特性が優れているた
め、例えば光学膜の一種であるバンドパスフィルタに使
用すれば、エッジがシャープな光学特性が得られ、各種
のミラー（アルミ鏡，他の金属，誘電体，セラミック材
料を使っても良い）に使えば、反射された像は乱れのな
い高品位な像が得られる。
【００１７】また、電子デバイス（例えば集積回路）に
使用すれば、従来のスパッタリング法では得られないシ
ャープなエッチングパターンが得られる。
使用すれば、従来のスパッタリング法では得られないシ
ャープなエッチングパターンが得られる。
【００１８】また、液晶ディスプレーに使用される透明
電極（ＳＴＮ：Super Twisted Nematic 用）に使用すれ
ば、セルギャップが狭い液晶ディスプレーでもショート
や凸部への電界の集中がなく、欠陥の少ない高品位な画
像が得られる。更に、凹凸のある透明電極に比べ膜が緻
密になり、同じ膜厚でもより低抵抗な電極が得られる。
電極（ＳＴＮ：Super Twisted Nematic 用）に使用すれ
ば、セルギャップが狭い液晶ディスプレーでもショート
や凸部への電界の集中がなく、欠陥の少ない高品位な画
像が得られる。更に、凹凸のある透明電極に比べ膜が緻
密になり、同じ膜厚でもより低抵抗な電極が得られる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、アーク
放電を用いたイオンプレーティング成膜法で、且つ基板
温度を２００℃以下で成膜するようにしたので、表面が
平滑な薄膜が得られ、各種光学膜や機能膜として特性の
優れたものが得られるという効果がある。
放電を用いたイオンプレーティング成膜法で、且つ基板
温度を２００℃以下で成膜するようにしたので、表面が
平滑な薄膜が得られ、各種光学膜や機能膜として特性の
優れたものが得られるという効果がある。
【図１】 本発明の一実施例を示す構成図
【図２】 一実施例の基板温度と表面の粗さの関係を示
す図
す図
【図３】 従来例を示す構成図
【図４】 他の従来例を示す構成図
２ カソード ５ 直流電源 ６ 真空容器 ７ ハース（アノード） ８ 磁気回路 １２ 基板 １３ 放電プラズマ流 １５ 蒸発材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新野 史 茨城県つくば市天久保２−11−１ コーポ りぶる203号
Claims (1)
- 【請求項１】 アーク放電を用いたイオンプレーティン
グ成膜法により、薄膜を付着させる基板の温度を２００
℃以下にして該基板に成膜させることを特徴とする薄膜
作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13313794A JPH083735A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 薄膜作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13313794A JPH083735A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 薄膜作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH083735A true JPH083735A (ja) | 1996-01-09 |
Family
ID=15097635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13313794A Pending JPH083735A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 薄膜作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083735A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100356565B1 (ko) * | 1997-01-14 | 2002-12-18 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 증가된 박막 성장 속도로 산화 마그네슘 박막을 형성할 수 있는박막 성장 방법 및 장치 |
| DE19950852B4 (de) * | 1998-10-22 | 2005-03-24 | Stanley Electric Co. Ltd. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer dünnen Schicht mit niedrigem Widerstand |
| USRE41747E1 (en) | 2001-01-25 | 2010-09-21 | Kyocera Optec Co., Ltd. | Metal film and metal film-coated member, metal oxide film and metal oxide film-coated member, thin film forming apparatus and thin film forming method for producing metal film and metal oxide film |
| CN115491642A (zh) * | 2022-09-23 | 2022-12-20 | 研博智创任丘科技有限公司 | 一种电弧蒸发镀膜装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02240250A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Asahi Glass Co Ltd | 導電性カラーフィルター基板及びコーティング方法 |
-
1994
- 1994-06-15 JP JP13313794A patent/JPH083735A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02240250A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Asahi Glass Co Ltd | 導電性カラーフィルター基板及びコーティング方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100356565B1 (ko) * | 1997-01-14 | 2002-12-18 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 증가된 박막 성장 속도로 산화 마그네슘 박막을 형성할 수 있는박막 성장 방법 및 장치 |
| DE19950852B4 (de) * | 1998-10-22 | 2005-03-24 | Stanley Electric Co. Ltd. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer dünnen Schicht mit niedrigem Widerstand |
| USRE41747E1 (en) | 2001-01-25 | 2010-09-21 | Kyocera Optec Co., Ltd. | Metal film and metal film-coated member, metal oxide film and metal oxide film-coated member, thin film forming apparatus and thin film forming method for producing metal film and metal oxide film |
| CN115491642A (zh) * | 2022-09-23 | 2022-12-20 | 研博智创任丘科技有限公司 | 一种电弧蒸发镀膜装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980106 |