JPH08288172A - ケイ素添加無定形水素化炭素誘電体を有するコンデンサ - Google Patents
ケイ素添加無定形水素化炭素誘電体を有するコンデンサInfo
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- JPH08288172A JPH08288172A JP8003623A JP362396A JPH08288172A JP H08288172 A JPH08288172 A JP H08288172A JP 8003623 A JP8003623 A JP 8003623A JP 362396 A JP362396 A JP 362396A JP H08288172 A JPH08288172 A JP H08288172A
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- dielectric layer
- dielectric
- capacitor
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
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- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い絶縁耐力を有すると共に広い周波数範囲
にわたって小さい誘電正接を示すコンデンサを提供す
る。 【解決手段】 少なくとも１つの誘電体層によって隔て
られた２つ以上の導電層を設け、誘電体層をケイ素添加
無定形水素化炭素で構成する。添加される適当なドーパ
ントとしてはシラン（好適品である）、テトラアルコキ
シシラン及びポリオルガノシロキサンが挙げられる。
にわたって小さい誘電正接を示すコンデンサを提供す
る。 【解決手段】 少なくとも１つの誘電体層によって隔て
られた２つ以上の導電層を設け、誘電体層をケイ素添加
無定形水素化炭素で構成する。添加される適当なドーパ
ントとしてはシラン（好適品である）、テトラアルコキ
シシラン及びポリオルガノシロキサンが挙げられる。
Description
【０００１】
【発明の背景】本発明はコンデンサ及びその製造方法に
関するものであって、更に詳しく言えば、高い絶縁耐力
及び小さい誘電正接を有する無定形水素化炭素（ａｍｏ
ｒｐｈｏｕｓ ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｃａｒｂｏ
ｎ）誘電体を含むコンデンサに関する。
関するものであって、更に詳しく言えば、高い絶縁耐力
及び小さい誘電正接を有する無定形水素化炭素（ａｍｏ
ｒｐｈｏｕｓ ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｃａｒｂｏ
ｎ）誘電体を含むコンデンサに関する。
【０００２】コンデンサは、電子回路用電源における電
圧変動の低減、パルス信号の伝達、無線周波数の電磁振
動の発生又は検出、電子的時間遅延の付与などを目的と
する素子として電気回路中に常用されている。典型的な
コンデンサは、少なくとも１つの誘電体層によって隔て
られた２つ以上の導電層を有している。コンデンサにお
ける誘電体層としては、各種の材料が有用であることが
知られている。近年、無定形水素化炭素（これはダイヤ
モンド様炭素としても知られており、以後は「ＤＬＣ」
とも呼ぶ）がこの種の材料として多くの関心を集めてい
る。米国特許第５２７５９６７号明細書中には、それが
主としてＳＰ3 構造の炭素から成ると共に、短距離では
ダイヤモンド型構造を有するが長距離では無秩序の無定
形特性を示すことが記載されている。また、「ケミカル
・アンド・エンジニアリング・ニューズ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ａｎｄ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＮｅｗｓ）」１
９８９年５月１５日号の３２〜３３頁に記載されている
ごとく、この材料の薄膜は概して無定形であるが、通例
は直径２〜２０ｎｍ未満の極めて小さい結晶を有するこ
とがあり、またほぼ０％ないし５０％以上の水素を含有
することがある。１ｃｃ当り０．２グラム原子より多い
炭素含量を有するものとして特徴づけられた場合、かか
る薄膜は高い絶縁耐力及び小さい誘電正接をはじめとす
るダイヤモンドに極めて近似した性質を有し得る。
圧変動の低減、パルス信号の伝達、無線周波数の電磁振
動の発生又は検出、電子的時間遅延の付与などを目的と
する素子として電気回路中に常用されている。典型的な
コンデンサは、少なくとも１つの誘電体層によって隔て
られた２つ以上の導電層を有している。コンデンサにお
ける誘電体層としては、各種の材料が有用であることが
知られている。近年、無定形水素化炭素（これはダイヤ
モンド様炭素としても知られており、以後は「ＤＬＣ」
とも呼ぶ）がこの種の材料として多くの関心を集めてい
る。米国特許第５２７５９６７号明細書中には、それが
主としてＳＰ3 構造の炭素から成ると共に、短距離では
ダイヤモンド型構造を有するが長距離では無秩序の無定
形特性を示すことが記載されている。また、「ケミカル
・アンド・エンジニアリング・ニューズ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ａｎｄ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＮｅｗｓ）」１
９８９年５月１５日号の３２〜３３頁に記載されている
ごとく、この材料の薄膜は概して無定形であるが、通例
は直径２〜２０ｎｍ未満の極めて小さい結晶を有するこ
とがあり、またほぼ０％ないし５０％以上の水素を含有
することがある。１ｃｃ当り０．２グラム原子より多い
炭素含量を有するものとして特徴づけられた場合、かか
る薄膜は高い絶縁耐力及び小さい誘電正接をはじめとす
るダイヤモンドに極めて近似した性質を有し得る。
【０００３】ＤＬＣの絶縁耐力を更に上昇させかつ誘電
正接を更に減少させることには興味深いものがある。絶
縁耐力が上昇するとそれに対応して動作時の電気応力が
増大し、従って規定された定格電圧を達成するために必
要な薄膜の厚さを減少させることができる。薄膜の厚さ
が減少すれば堆積または蒸着時間を短縮することがで
き、ひいては原価の低減をもたらす。それはまた１層当
りのキャパシタンスを増大させ、その結果として所定の
全キャパシタンスを得るために必要な誘電体層の数が減
少する。他方、誘電正接の減少はコンデンサの寿命を延
長し、そして回路効率の向上をもたらす。
正接を更に減少させることには興味深いものがある。絶
縁耐力が上昇するとそれに対応して動作時の電気応力が
増大し、従って規定された定格電圧を達成するために必
要な薄膜の厚さを減少させることができる。薄膜の厚さ
が減少すれば堆積または蒸着時間を短縮することがで
き、ひいては原価の低減をもたらす。それはまた１層当
りのキャパシタンスを増大させ、その結果として所定の
全キャパシタンスを得るために必要な誘電体層の数が減
少する。他方、誘電正接の減少はコンデンサの寿命を延
長し、そして回路効率の向上をもたらす。
【０００４】一般に、誘電正接はコンデンサ端子に加わ
る電圧信号の周波数に応じて変化する。ＤＬＣ誘電体層
を有する典型的なコンデンサは、たとえば電動機に特有
な６０〜１０００００Ｈｚ程度の低域ないし中域周波数
では十分に小さい誘電正接を有する。しかるに、１ＭＨ
ｚを越える周波数では誘電正接が実質的に増加し、その
ためにかかる周波数で動作する製品中においては該コン
デンサを使用することができない。
る電圧信号の周波数に応じて変化する。ＤＬＣ誘電体層
を有する典型的なコンデンサは、たとえば電動機に特有
な６０〜１０００００Ｈｚ程度の低域ないし中域周波数
では十分に小さい誘電正接を有する。しかるに、１ＭＨ
ｚを越える周波数では誘電正接が実質的に増加し、その
ためにかかる周波数で動作する製品中においては該コン
デンサを使用することができない。
【０００５】本発明は、ＤＬＣ薄膜に低率のケイ素を添
加すると絶縁耐力が実質的に上昇すると共に高い周波数
における誘電正接が減少するという発見に基づいてい
る。デミケリス（Ｄｅｍｉｃｈｅｌｉｓ）等によるマテ
リアルズ・サイエンス・アンド・エンジニアリング（Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉ
ｎｅｅｒｉｎｇ）、Ｂ１１、３１３−３１６頁（１９９
２年）に記載のように、ケイ素の添加が摩擦係数を減少
させかつ摩擦特性を向上させることは知られている。し
かしながら、ケイ素の添加による誘電特性の向上は以前
に報告されてはいないと信じられる。
加すると絶縁耐力が実質的に上昇すると共に高い周波数
における誘電正接が減少するという発見に基づいてい
る。デミケリス（Ｄｅｍｉｃｈｅｌｉｓ）等によるマテ
リアルズ・サイエンス・アンド・エンジニアリング（Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉ
ｎｅｅｒｉｎｇ）、Ｂ１１、３１３−３１６頁（１９９
２年）に記載のように、ケイ素の添加が摩擦係数を減少
させかつ摩擦特性を向上させることは知られている。し
かしながら、ケイ素の添加による誘電特性の向上は以前
に報告されてはいないと信じられる。
【０００６】
【発明の概要】本発明の一側面に従えば、少なくとも１
つの誘電体層によって隔てられた２つ以上の導電層を有
していて、前記誘電体層が約１〜１０原子％のケイ素含
量を有するケイ素添加無定形水素化炭素から成ることを
特徴とするコンデンサが提供される。
つの誘電体層によって隔てられた２つ以上の導電層を有
していて、前記誘電体層が約１〜１０原子％のケイ素含
量を有するケイ素添加無定形水素化炭素から成ることを
特徴とするコンデンサが提供される。
【０００７】本発明のもう１つの側面に従えば、（ａ）
第１の導電層を用意し、（ｂ）上記のごときケイ素添加
無定形水素化炭素から成る誘電体層を前記第１の導電層
上に堆積し、次いで（ｃ）前記誘電体層上に第２の導電
層を堆積する諸工程を含むことを特徴とするコンデンサ
の製造方法が提供される。
第１の導電層を用意し、（ｂ）上記のごときケイ素添加
無定形水素化炭素から成る誘電体層を前記第１の導電層
上に堆積し、次いで（ｃ）前記誘電体層上に第２の導電
層を堆積する諸工程を含むことを特徴とするコンデンサ
の製造方法が提供される。
【０００８】
【好適な実施の態様の説明】本発明のコンデンサは、少
なくとも１つの誘電体層によって隔てられた２つ以上の
導電層を有するという点では従来通りのものである。そ
れらの中には、複数の導電層が２つ以上の誘電体層によ
って隔てられて成る積層型コンデンサも含まれる。な
お、導電層は導電性金属（通例はアルミニウム、亜鉛又
はアルミニウム／亜鉛合金）から成っている。
なくとも１つの誘電体層によって隔てられた２つ以上の
導電層を有するという点では従来通りのものである。そ
れらの中には、複数の導電層が２つ以上の誘電体層によ
って隔てられて成る積層型コンデンサも含まれる。な
お、導電層は導電性金属（通例はアルミニウム、亜鉛又
はアルミニウム／亜鉛合金）から成っている。
【０００９】本発明のコンデンサにおける誘電体層は、
主としてＤＬＣから成っている。導電層上にＤＬＣを堆
積するためには様々な方法が知られているが、その実例
としてはプラズマ促進化学蒸着法（以後は「ＰＥＣＶＤ
法」と呼ぶ）、カスケードアーク（ｃａｓｃａｄｅｄ
ａｒｃ）法、スパッタリング法及びイオンビーム堆積法
が挙げられる。
主としてＤＬＣから成っている。導電層上にＤＬＣを堆
積するためには様々な方法が知られているが、その実例
としてはプラズマ促進化学蒸着法（以後は「ＰＥＣＶＤ
法」と呼ぶ）、カスケードアーク（ｃａｓｃａｄｅｄ
ａｒｃ）法、スパッタリング法及びイオンビーム堆積法
が挙げられる。
【００１０】典型的なＰＥＣＶＤ操作に際しては、Ｃ
1-4 アルカン、ブタジエン、アセチレン、アセトン、メ
チルエチルケトン、トルエン又はエチルベンゼンのごと
き揮発性有機化合物が炭素源として使用される。なお、
メタンやブタジエンのごとき炭化水素が好適である場合
が多い。通例、かかる有機化合物はアルゴンのごとき不
活性ガスで希釈される。典型的な堆積条件について述べ
れば、約０．５〜０．７５Ｗ／ｃｍ2 のパワー密度、約
２０〜４０℃の基体温度、及び約１００〜３００ミリト
ルの圧力の下でそれぞれ約６０〜８０ｓｃｃｍのアルゴ
ン及び有機化合物ガス流を約２０〜４０分間にわたり流
すことによって厚さ約７０００〜１００００オングスト
ロームの炭素薄膜が得られる。
1-4 アルカン、ブタジエン、アセチレン、アセトン、メ
チルエチルケトン、トルエン又はエチルベンゼンのごと
き揮発性有機化合物が炭素源として使用される。なお、
メタンやブタジエンのごとき炭化水素が好適である場合
が多い。通例、かかる有機化合物はアルゴンのごとき不
活性ガスで希釈される。典型的な堆積条件について述べ
れば、約０．５〜０．７５Ｗ／ｃｍ2 のパワー密度、約
２０〜４０℃の基体温度、及び約１００〜３００ミリト
ルの圧力の下でそれぞれ約６０〜８０ｓｃｃｍのアルゴ
ン及び有機化合物ガス流を約２０〜４０分間にわたり流
すことによって厚さ約７０００〜１００００オングスト
ロームの炭素薄膜が得られる。
【００１１】炭素薄膜の堆積に先立ち、それの密着性を
向上させるため導電層にコンディショニングを施すこと
がしばしば好適である。そのためには、通例約０．５〜
０．７５Ｗ／ｃｍ2 の範囲内の一層高いパワー密度の下
で約１０〜１５分間にわたって導電層を通例約６０〜８
０ｓｃｃｍのアルゴンガス流に暴露すればよい。このよ
うなコンディショニング操作の完了後、有機化合物を短
時間だけ流して付着界面を形成することができる。次い
で、パワーを低下させ、アルゴン及び有機化合物の流れ
を維持し、そして所望の厚さ（通例約５０００〜１００
００オングストローム）の誘電体層が得られるまで堆積
を継続すればよい。
向上させるため導電層にコンディショニングを施すこと
がしばしば好適である。そのためには、通例約０．５〜
０．７５Ｗ／ｃｍ2 の範囲内の一層高いパワー密度の下
で約１０〜１５分間にわたって導電層を通例約６０〜８
０ｓｃｃｍのアルゴンガス流に暴露すればよい。このよ
うなコンディショニング操作の完了後、有機化合物を短
時間だけ流して付着界面を形成することができる。次い
で、パワーを低下させ、アルゴン及び有機化合物の流れ
を維持し、そして所望の厚さ（通例約５０００〜１００
００オングストローム）の誘電体層が得られるまで堆積
を継続すればよい。
【００１２】本発明に従えば、堆積操作に際して導入さ
れる原料物質の中にドーパントとしての使用量のケイ素
化合物が含まれる。適当なケイ素化合物としては、シラ
ン（すなわち、ケイ素−水素化合物）、テトラアルコキ
シシラン及びポリオルガノシロキサン（以後は「シリコ
ーン」と呼ぶ）が挙げられる。揮発性が高いという点か
ら見て、シラン（すなわち、式Ｓｉn Ｈ2n+2で表わされ
るケイ素−水素化合物）及びテトラエトキシシランのご
とき低級アルコキシシラン（「低級」とは７個以下の炭
素原子を有するアルコキシ基を意味する）が好適であ
り、またシラン（ＳｉＨ4 ）が最も好適である。
れる原料物質の中にドーパントとしての使用量のケイ素
化合物が含まれる。適当なケイ素化合物としては、シラ
ン（すなわち、ケイ素−水素化合物）、テトラアルコキ
シシラン及びポリオルガノシロキサン（以後は「シリコ
ーン」と呼ぶ）が挙げられる。揮発性が高いという点か
ら見て、シラン（すなわち、式Ｓｉn Ｈ2n+2で表わされ
るケイ素−水素化合物）及びテトラエトキシシランのご
とき低級アルコキシシラン（「低級」とは７個以下の炭
素原子を有するアルコキシ基を意味する）が好適であ
り、またシラン（ＳｉＨ4 ）が最も好適である。
【００１３】ケイ素化合物がシラン又はテトラエトキシ
シランのごとき揮発性のものである場合には、堆積に際
して使用されるアルゴン中にそれを混入するのが簡便で
ある。シリコーンのごとき不揮発性のケイ素化合物は、
堆積容器内の雰囲気をそれで飽和させるような条件下で
加熱すればよい。一般に、適度の時間内に所望のケイ素
含量を与えるような条件が使用される。アルゴン中への
混入の場合における適当な条件としては、ケイ素反応剤
とアルゴンとの合計量を基準として約１〜１０容量％の
濃度のケイ素反応剤がアルゴン中に使用されるのが通例
である。通例、ケイ素反応剤は炭素の堆積の開始後に徐
々に導入されるのが好ましい。ケイ素含量を測定するた
めには、化学分析電子分光法（ＥＳＣＡ）のごとき分析
法を使用することができる。
シランのごとき揮発性のものである場合には、堆積に際
して使用されるアルゴン中にそれを混入するのが簡便で
ある。シリコーンのごとき不揮発性のケイ素化合物は、
堆積容器内の雰囲気をそれで飽和させるような条件下で
加熱すればよい。一般に、適度の時間内に所望のケイ素
含量を与えるような条件が使用される。アルゴン中への
混入の場合における適当な条件としては、ケイ素反応剤
とアルゴンとの合計量を基準として約１〜１０容量％の
濃度のケイ素反応剤がアルゴン中に使用されるのが通例
である。通例、ケイ素反応剤は炭素の堆積の開始後に徐
々に導入されるのが好ましい。ケイ素含量を測定するた
めには、化学分析電子分光法（ＥＳＣＡ）のごとき分析
法を使用することができる。
【００１４】堆積操作の最終段階は、基体の初期コンデ
ィショニングのために使用されたものと同じ条件下で実
施されるのが通例である。かかる条件とは、パワー密度
を上昇させ、ケイ素反応剤を除去し、かつ炭素化合物の
流量を徐々に減少させるというものである。本発明の方
法は、単一の誘電体層によって隔てられた２つの導電層
を有するコンデンサを製造するために使用することがで
きる。また、複数の誘電体層及び導電層を交互に堆積し
て成るコンデンサの製造も本発明の範囲内に含まれる。
ィショニングのために使用されたものと同じ条件下で実
施されるのが通例である。かかる条件とは、パワー密度
を上昇させ、ケイ素反応剤を除去し、かつ炭素化合物の
流量を徐々に減少させるというものである。本発明の方
法は、単一の誘電体層によって隔てられた２つの導電層
を有するコンデンサを製造するために使用することがで
きる。また、複数の誘電体層及び導電層を交互に堆積し
て成るコンデンサの製造も本発明の範囲内に含まれる。
【００１５】本発明を例示するため、以下に実施例を示
す。この実施例においては、スパッタリング法によって
厚さ１０００オングストロームのアルミニウムでそれぞ
れ被覆された２枚のシリコーンウェーハを使用した。対
照ウェーハに対しては、下記のごとき条件下でアルゴン
プラズマ処理によるコンディショニングを施した。 圧力 ２００ミリトル アルゴン流量 ７５ｓｃｃｍ パワー密度 ０．６１Ｗ／ｃｍ2 基体温度 ３０℃ 時間 １２分 次に、７５ｓｃｃｍの流量でプラズマ中にブタジエンを
導入し、そして１分間にわたり付着界面を堆積した。パ
ワー密度を０．１１Ｗ／ｃｍ2 に低下させた後、約８５
００オングストロームの厚さが得られるまで３０分間に
わたってＤＬＣを堆積した。次いで、パワー密度を再び
０．６１Ｗ／ｃｍ2 に上昇させ、そしてブタジエンの流
量を徐々にゼロまで減少させた。
す。この実施例においては、スパッタリング法によって
厚さ１０００オングストロームのアルミニウムでそれぞ
れ被覆された２枚のシリコーンウェーハを使用した。対
照ウェーハに対しては、下記のごとき条件下でアルゴン
プラズマ処理によるコンディショニングを施した。 圧力 ２００ミリトル アルゴン流量 ７５ｓｃｃｍ パワー密度 ０．６１Ｗ／ｃｍ2 基体温度 ３０℃ 時間 １２分 次に、７５ｓｃｃｍの流量でプラズマ中にブタジエンを
導入し、そして１分間にわたり付着界面を堆積した。パ
ワー密度を０．１１Ｗ／ｃｍ2 に低下させた後、約８５
００オングストロームの厚さが得られるまで３０分間に
わたってＤＬＣを堆積した。次いで、パワー密度を再び
０．６１Ｗ／ｃｍ2 に上昇させ、そしてブタジエンの流
量を徐々にゼロまで減少させた。
【００１６】本発明に係わる第２のウェーハに対して
は、堆積工程に際してアルゴンガス流の代りに２容量％
のシランを含有するアルゴンガス流を使用した点を除け
ば同様な処理を施した。堆積の完了後、シラン−アルゴ
ン混合ガス流を再びアルゴンガス流で置換し、そして対
照ウェーハの場合と同様にして堆積を終了した。６．４
ｍｍの直径及び２５０オングストロームの厚さを有する
アルミニウム点電極の配列を各々のＤＬＣ被膜上にスパ
ッタリングにより堆積し、そして絶縁耐力及び誘電正接
の測定を行った。結果を下記表１中に示す。
は、堆積工程に際してアルゴンガス流の代りに２容量％
のシランを含有するアルゴンガス流を使用した点を除け
ば同様な処理を施した。堆積の完了後、シラン−アルゴ
ン混合ガス流を再びアルゴンガス流で置換し、そして対
照ウェーハの場合と同様にして堆積を終了した。６．４
ｍｍの直径及び２５０オングストロームの厚さを有する
アルミニウム点電極の配列を各々のＤＬＣ被膜上にスパ
ッタリングにより堆積し、そして絶縁耐力及び誘電正接
の測定を行った。結果を下記表１中に示す。
【００１７】
【表１】 対 照 品 Ｓｉ添加品 ＥＳＣＡによるＳｉ含量（原子％） ０ ２ 絶縁耐力（ＭＶ／ｃｍ）： 平均 ３．７ ４．６ ピーク ４．１ ５．１ 誘電正接： １００ｋＨｚ ０．０３ ０．０５ １ＭＨｚ ０．４ ０．０５ 平均及びピーク絶縁耐力が共に向上した点並びに広い周
波数範囲にわたって小さい誘電正接が一貫して維持され
た点で本発明のケイ素添加品が対照品よりも優れている
ことは明らかである。
波数範囲にわたって小さい誘電正接が一貫して維持され
た点で本発明のケイ素添加品が対照品よりも優れている
ことは明らかである。
Claims (11)
- 【請求項１】 少なくとも１つの誘電体層によって隔て
られた２つ以上の導電層を有していて、前記誘電体層が
約１〜１０原子％のケイ素含量を有するケイ素添加無定
形水素化炭素から成ることを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項２】 前記導電層がアルミニウム、亜鉛又はア
ルミニウム／亜鉛合金から成る請求項１記載のコンデン
サ。 - 【請求項３】 （ａ）第１の導電層を用意し、（ｂ）約
１〜１０原子％のケイ素含量を有するケイ素添加無定形
水素化炭素から成る誘電体層を前記第１の導電層上に堆
積し、次いで（ｃ）前記誘電体層上に第２の導電層を堆
積する諸工程を含むことを特徴とするコンデンサの製造
方法。 - 【請求項４】 前記導電層がアルミニウム、亜鉛又はア
ルミニウム／亜鉛合金から成る請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 前記誘電体層中の無定形水素化炭素の供
給源が揮発性有機化合物である請求項３記載の方法。 - 【請求項６】 前記有機化合物がＣ1-4 炭化水素、ブタ
ジエン、アセチレン、アセトン、メチルエチルケトン、
トルエン又はエチルベンゼンである請求項５記載の方
法。 - 【請求項７】 前記誘電体層の密着性を向上させるた
め、前記第１の導電層を約０．５〜０．７５Ｗ／ｃｍ2
の範囲内のパワー密度の下でアルゴンガス流に暴露する
ことによってコンディショニングが施される請求項３記
載の方法。 - 【請求項８】 前記誘電体層中のケイ素の供給源がシラ
ン、テトラアルコキシシラン又はポリオルガノシロキサ
ンである請求項３記載の方法。 - 【請求項９】 前記誘電体層中のケイ素の供給源がシラ
ン（ＳｉＨ4 ）である請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 前記シランが、ケイ素反応剤とアルゴ
ンとの合計量を基準として、約１〜１０容量％の濃度で
アルゴンと共に導入される請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 前記誘電体層がプラズマ促進化学蒸着
法、カスケードアーク法、スパッタリング法又はイオン
ビーム堆積法によって堆積される請求項３記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/376564 | 1995-01-23 | ||
| US08/376,564 US5569487A (en) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | Capacitor dielectrics of silicon-doped amorphous hydrogenated carbon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288172A true JPH08288172A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=23485511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8003623A Withdrawn JPH08288172A (ja) | 1995-01-23 | 1996-01-12 | ケイ素添加無定形水素化炭素誘電体を有するコンデンサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5569487A (ja) |
| EP (1) | EP0724276A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08288172A (ja) |
| CN (1) | CN1138737A (ja) |
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