JPH08290482A - 光ディスク基板の製造法 - Google Patents
光ディスク基板の製造法Info
- Publication number
- JPH08290482A JPH08290482A JP14019496A JP14019496A JPH08290482A JP H08290482 A JPH08290482 A JP H08290482A JP 14019496 A JP14019496 A JP 14019496A JP 14019496 A JP14019496 A JP 14019496A JP H08290482 A JPH08290482 A JP H08290482A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- birefringence
- substrate
- plastic substrate
- annealing
- temperature
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アニーリングを施した後にも基板全面におい
て複屈折がほぼ０であり、長期安定性および耐熱性を備
えた光ディスク基板の製造法を提供する。 【解決手段】 射出成型法を用いて円盤状またはドーナ
ツ状プラスチック基板を成形する工程と、その後前記プ
ラスチック基板を、前記プラスチック基板のガラス転移
温度より１０〜６０℃低い温度で１〜６時間アニーリン
グする工程とを有し、前記成形工程においては、金型の
温度を調整することにより、半径方向の複屈折分布がア
ニール後に均一になるような複屈折分布を持つ前記プラ
スチック基板を成形することを特徴とする光ディスク基
板の製造法。
て複屈折がほぼ０であり、長期安定性および耐熱性を備
えた光ディスク基板の製造法を提供する。 【解決手段】 射出成型法を用いて円盤状またはドーナ
ツ状プラスチック基板を成形する工程と、その後前記プ
ラスチック基板を、前記プラスチック基板のガラス転移
温度より１０〜６０℃低い温度で１〜６時間アニーリン
グする工程とを有し、前記成形工程においては、金型の
温度を調整することにより、半径方向の複屈折分布がア
ニール後に均一になるような複屈折分布を持つ前記プラ
スチック基板を成形することを特徴とする光ディスク基
板の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンパクトディス
ク、ビデオディスク、光ディスク、光磁気ディスク等の
光学式レコードディスクの基板部分として用いる光ディ
スク基板の製造方法に係るもので、その中でも特に基板
内に障害となるような複屈折がなく、長期間安定性及び
耐熱性を有する光ディスク基板の製造方法に関するもの
である。
ク、ビデオディスク、光ディスク、光磁気ディスク等の
光学式レコードディスクの基板部分として用いる光ディ
スク基板の製造方法に係るもので、その中でも特に基板
内に障害となるような複屈折がなく、長期間安定性及び
耐熱性を有する光ディスク基板の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】光学式レコードディスクは、円盤状また
はドーナツ状（本明細書中においては、円盤の中心部の
円盤と同心円部分が打ち抜かれた形状を指すこととす
る）の基板の片面が情報が記載された情報記録面となっ
ており、その情報記録面とは反対側の対向する面から入
射されたレーザー光線などの光線がその基板内部を通り
情報を記録した情報記録面で反射されて出てくる光量変
化を電気信号に変換して情報信号を読み取るように構成
されている。この光量変化における損失を少なくするこ
とが光学式レコードディスクにとって重要な問題である
が、光が通過する部分の複屈折の値が大きいと、反射さ
れて出てくる光量が減り信号を読みとることが困難にな
る。
はドーナツ状（本明細書中においては、円盤の中心部の
円盤と同心円部分が打ち抜かれた形状を指すこととす
る）の基板の片面が情報が記載された情報記録面となっ
ており、その情報記録面とは反対側の対向する面から入
射されたレーザー光線などの光線がその基板内部を通り
情報を記録した情報記録面で反射されて出てくる光量変
化を電気信号に変換して情報信号を読み取るように構成
されている。この光量変化における損失を少なくするこ
とが光学式レコードディスクにとって重要な問題である
が、光が通過する部分の複屈折の値が大きいと、反射さ
れて出てくる光量が減り信号を読みとることが困難にな
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来はこのような光学
式レコードディスク用の光ディスク基板は成形直後でそ
の全面における複屈折がほぼゼロになるように成形され
ていた。しかし、成形後光ディスク基板に反射膜などを
成膜するときや、輸送時などに光ディスク基板が高温に
さらされる場合あるいは長時間に渡って保存する場合
は、光ディスク基板の外周近辺及び外周からある程度離
れた内部において複屈折の値が大きくなってしまうとい
う問題点があった。
式レコードディスク用の光ディスク基板は成形直後でそ
の全面における複屈折がほぼゼロになるように成形され
ていた。しかし、成形後光ディスク基板に反射膜などを
成膜するときや、輸送時などに光ディスク基板が高温に
さらされる場合あるいは長時間に渡って保存する場合
は、光ディスク基板の外周近辺及び外周からある程度離
れた内部において複屈折の値が大きくなってしまうとい
う問題点があった。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑み成されたもので
あり、その目的は、アニーリングを施した後にも基板全
面において複屈折がほぼ０であり、長期安定性および耐
熱性を備えた光ディスク基板の製造法を提供することに
ある。
あり、その目的は、アニーリングを施した後にも基板全
面において複屈折がほぼ０であり、長期安定性および耐
熱性を備えた光ディスク基板の製造法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、射
出成型法を用いて円盤状またはドーナツ状プラスチック
基板を成形する工程と、その後前記プラスチック基板
を、前記プラスチック基板のガラス転移温度より１０〜
６０℃低い温度で１〜６時間アニーリングする工程とを
有し、前記成形工程においては、金型の温度を調整する
ことにより、半径方向の複屈折分布がアニール後に均一
になるような複屈折分布を持つ前記プラスチック基板を
成形することを特徴とする光ディスク基板の製造法によ
って達成される。
出成型法を用いて円盤状またはドーナツ状プラスチック
基板を成形する工程と、その後前記プラスチック基板
を、前記プラスチック基板のガラス転移温度より１０〜
６０℃低い温度で１〜６時間アニーリングする工程とを
有し、前記成形工程においては、金型の温度を調整する
ことにより、半径方向の複屈折分布がアニール後に均一
になるような複屈折分布を持つ前記プラスチック基板を
成形することを特徴とする光ディスク基板の製造法によ
って達成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明において光ディスク基板の
ドーナツ状の記録部は、光ディスク基板を用いて光学式
レコードディスクを作製したとき情報記録部として作用
する部分あるいは記録用材料を配置する部分等である。
また、複屈折の値は偏光顕微鏡により測定したものであ
り、光ディスク基板の径方向において圧縮応力状態のも
のをプラスとし、引張り応力状態をマイナスとして表し
ているものである。
ドーナツ状の記録部は、光ディスク基板を用いて光学式
レコードディスクを作製したとき情報記録部として作用
する部分あるいは記録用材料を配置する部分等である。
また、複屈折の値は偏光顕微鏡により測定したものであ
り、光ディスク基板の径方向において圧縮応力状態のも
のをプラスとし、引張り応力状態をマイナスとして表し
ているものである。
【０００７】本発明の光ディスク基板の製造法において
は、まず記録部等が複屈折分布を有するようにプラスチ
ック基板を射出成形する。このとき複屈折の値大きさを
任意に設定するために、金型温度を１１０〜１３０℃に
上げるか内周部より外周部の金型温度を１０〜２０℃高
めに設定する。あるいは射出速度を内周部から外周部に
かけて徐々に高速にしてゆくなどの手段を用いる。な
お、複屈折は同心円上においてはほぼ同じ値になるよう
に、具体的には同一円周上での複屈折のバラツキは５ｎ
ｍ以下に抑えるようにすることが望ましい。また金型の
温度を調整することにより、外周部付近においては複屈
折の値が−１０〜−３０ｎｍ、内周部付近においては複
屈折の値が＋１０〜＋３０ｎｍとなる複屈折分布を持つ
基板を成形することが望ましい。
は、まず記録部等が複屈折分布を有するようにプラスチ
ック基板を射出成形する。このとき複屈折の値大きさを
任意に設定するために、金型温度を１１０〜１３０℃に
上げるか内周部より外周部の金型温度を１０〜２０℃高
めに設定する。あるいは射出速度を内周部から外周部に
かけて徐々に高速にしてゆくなどの手段を用いる。な
お、複屈折は同心円上においてはほぼ同じ値になるよう
に、具体的には同一円周上での複屈折のバラツキは５ｎ
ｍ以下に抑えるようにすることが望ましい。また金型の
温度を調整することにより、外周部付近においては複屈
折の値が−１０〜−３０ｎｍ、内周部付近においては複
屈折の値が＋１０〜＋３０ｎｍとなる複屈折分布を持つ
基板を成形することが望ましい。
【０００８】続いてアニーリングを行う。その加熱温度
はプラスチック基板のガラス転移温度より１０〜６０℃
低い温度で、時間は１〜６時間である。用いられるプラ
スチックの材質や基板の厚さなどにより、加熱温度と時
間をこの範囲内で調整すればよい。
はプラスチック基板のガラス転移温度より１０〜６０℃
低い温度で、時間は１〜６時間である。用いられるプラ
スチックの材質や基板の厚さなどにより、加熱温度と時
間をこの範囲内で調整すればよい。
【０００９】
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げることにより
本発明を詳細に説明する。
本発明を詳細に説明する。
【００１０】＜実施例＞まず帝人化成（株）製のポリカ
ーボネートＡＤ５５０３（ガラス転移点１５０℃）を住
友重機（株）製の７５トン射出成形機を用いて射出成形
することにより、外径ＯＤ＝φ１３０ｍｍ；内径ＩＤ＝
φ１５ｍｍ；厚さｔ＝１．２ｍｍのドーナツ状プラスチ
ック基板（中心部の同心円状にあいた穴の直径が１５ｍ
ｍである）を得た。このプラスチック基板は中心からの
距離Ｒが２５ｍｍの位置から６４ｍｍの位置にかけての
ドーナツ状の部分が記録部となっており、記録部のＲ＝
２５ｍｍの位置からＲ＝６４ｍｍの位置にかけて勾配し
た複屈折分布が設けられている。
ーボネートＡＤ５５０３（ガラス転移点１５０℃）を住
友重機（株）製の７５トン射出成形機を用いて射出成形
することにより、外径ＯＤ＝φ１３０ｍｍ；内径ＩＤ＝
φ１５ｍｍ；厚さｔ＝１．２ｍｍのドーナツ状プラスチ
ック基板（中心部の同心円状にあいた穴の直径が１５ｍ
ｍである）を得た。このプラスチック基板は中心からの
距離Ｒが２５ｍｍの位置から６４ｍｍの位置にかけての
ドーナツ状の部分が記録部となっており、記録部のＲ＝
２５ｍｍの位置からＲ＝６４ｍｍの位置にかけて勾配し
た複屈折分布が設けられている。
【００１１】この複屈折分布の様子を図１に示す。図１
は上記プラスチック基板の射出成形直後のシングルパス
の複屈折分布を示すグラフであり、横軸Ｒはディスクの
中心からの距離、縦軸△ｎはシングルパスの複屈折であ
る。複屈折分布は図中に示すように、Ｒ＝２５ｍｍの円
周上の位置では複屈折が＋２０ｎｍ、Ｒ＝６４ｍｍの円
周上の位置では複屈折が−２０ｎｍであるような勾配を
有する分布となっている。本発明における複屈折の勾配
は図１に示すように記録部の内周近辺から外周にかけて
複屈折の値が少しずつ小さくなり、外周部近辺で急にマ
イナスに転換するような勾配が好ましい。
は上記プラスチック基板の射出成形直後のシングルパス
の複屈折分布を示すグラフであり、横軸Ｒはディスクの
中心からの距離、縦軸△ｎはシングルパスの複屈折であ
る。複屈折分布は図中に示すように、Ｒ＝２５ｍｍの円
周上の位置では複屈折が＋２０ｎｍ、Ｒ＝６４ｍｍの円
周上の位置では複屈折が−２０ｎｍであるような勾配を
有する分布となっている。本発明における複屈折の勾配
は図１に示すように記録部の内周近辺から外周にかけて
複屈折の値が少しずつ小さくなり、外周部近辺で急にマ
イナスに転換するような勾配が好ましい。
【００１２】次にこのプラスチック基板にアニーリング
（９０℃の乾燥炉に６時間投入）を施し、光ディスク基
板を得た。図２はこの光ディスク基板の複屈折分布を示
すグラフである。このように±２０ｎｍであった複屈折
分布が適当な熱処理によって±１０ｎｍの範囲に抑えら
れる。
（９０℃の乾燥炉に６時間投入）を施し、光ディスク基
板を得た。図２はこの光ディスク基板の複屈折分布を示
すグラフである。このように±２０ｎｍであった複屈折
分布が適当な熱処理によって±１０ｎｍの範囲に抑えら
れる。
【００１３】図３は上記ディスク基板をさらにもう一度
９０℃の乾燥炉に６時間投入した後の複屈折分布を示す
図である。このように一度適当な熱処理を行えば、もう
一度熱が加わっても複屈折には変化がおきないことがわ
かる。
９０℃の乾燥炉に６時間投入した後の複屈折分布を示す
図である。このように一度適当な熱処理を行えば、もう
一度熱が加わっても複屈折には変化がおきないことがわ
かる。
【００１４】＜比較例＞複屈折分布が異なる以外は実施
例と同様のプラスチック基板を得た。この複屈折分布は
従来法と同様で図４に示すようにすべての部分において
複屈折の値を小さく抑えている。このプラスチック基板
に９０℃、６時間の熱処理を行った後の複屈折分布を図
５に示す。図５からわかるように、従来法によれば熱処
理を行った後に複屈折の大きな部分ができてしまい好ま
しくない。
例と同様のプラスチック基板を得た。この複屈折分布は
従来法と同様で図４に示すようにすべての部分において
複屈折の値を小さく抑えている。このプラスチック基板
に９０℃、６時間の熱処理を行った後の複屈折分布を図
５に示す。図５からわかるように、従来法によれば熱処
理を行った後に複屈折の大きな部分ができてしまい好ま
しくない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光ディスク
基板の製造方法によれば、熱処理後に複屈折の値を±１
０ｎｍ以下に抑えられ、その値が長期間変化することの
ない光ディスク基板を得ることができ、高性能な光学式
レコードディスクを提供することが可能となった。
基板の製造方法によれば、熱処理後に複屈折の値を±１
０ｎｍ以下に抑えられ、その値が長期間変化することの
ない光ディスク基板を得ることができ、高性能な光学式
レコードディスクを提供することが可能となった。
【図１】本発明による複屈折分布勾配付成形品の成形直
後の複屈折分布を表すグラフである。
後の複屈折分布を表すグラフである。
【図２】図１に係る成形品を９０℃、６時間アニーリン
グして得られた光ディスク基板の複屈折分布を表すグラ
フである。
グして得られた光ディスク基板の複屈折分布を表すグラ
フである。
【図３】図２に係る光ディスク基板の９０℃、１２時間
加熱処理後の複屈折分布を表すグラフである。
加熱処理後の複屈折分布を表すグラフである。
【図４】従来法による成形品の成形直後の複屈折分布を
表すグラフである。
表すグラフである。
【図５】図４に係る成形品の９０℃、６時間アニーリン
グ後の複屈折分布を表すグラフである。
グ後の複屈折分布を表すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 17:00
Claims (1)
- 【請求項１】 射出成型法を用いて円盤状またはドーナ
ツ状プラスチック基板を成形する工程と、その後前記プ
ラスチック基板を、前記プラスチック基板のガラス転移
温度より１０〜６０℃低い温度で１〜６時間アニーリン
グする工程とを有し、前記成形工程においては、金型の
温度を調整することにより、半径方向の複屈折分布がア
ニール後に均一になるような複屈折分布を持つ前記プラ
スチック基板を成形することを特徴とする光ディスク基
板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14019496A JP2683520B2 (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 光ディスク基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14019496A JP2683520B2 (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 光ディスク基板の製造法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62018476A Division JPH0757499B2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 光デイスク基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08290482A true JPH08290482A (ja) | 1996-11-05 |
| JP2683520B2 JP2683520B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=15263105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14019496A Expired - Fee Related JP2683520B2 (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 光ディスク基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683520B2 (ja) |
-
1996
- 1996-06-03 JP JP14019496A patent/JP2683520B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2683520B2 (ja) | 1997-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |