JPH08295662A - ケトニトリル誘導体及びヘキセノン誘導体の製造方法 - Google Patents
ケトニトリル誘導体及びヘキセノン誘導体の製造方法Info
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- JPH08295662A JPH08295662A JP7063549A JP6354995A JPH08295662A JP H08295662 A JPH08295662 A JP H08295662A JP 7063549 A JP7063549 A JP 7063549A JP 6354995 A JP6354995 A JP 6354995A JP H08295662 A JPH08295662 A JP H08295662A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C221/00—Preparation of compounds containing amino groups and doubly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C253/00—Preparation of carboxylic acid nitriles
- C07C253/30—Preparation of carboxylic acid nitriles by reactions not involving the formation of cyano groups
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 原料の光学純度を損なわずに、収率よく光学
的に純粋な(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−
5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体及
び(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−5−アミ
ノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導
体の工業的な製造方法の提供。 【構成】 (2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フェ
ニルアラニンエステル誘導体とアセトニトリルとを、リ
チウム化合物あるいはマグネシウム化合物の存在下にて
反応させる(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−
5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体の
製造方法、及び誘導体を含有する反応液にベンジルマグ
ネシウムハライドまたはベンジルリチウムを加え、誘導
体とベンジルマグネシウムハライドまたはベンジルリチ
ウムとを反応させる該誘導体の製造方法。
的に純粋な(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−
5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体及
び(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−5−アミ
ノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導
体の工業的な製造方法の提供。 【構成】 (2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フェ
ニルアラニンエステル誘導体とアセトニトリルとを、リ
チウム化合物あるいはマグネシウム化合物の存在下にて
反応させる(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−
5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体の
製造方法、及び誘導体を含有する反応液にベンジルマグ
ネシウムハライドまたはベンジルリチウムを加え、誘導
体とベンジルマグネシウムハライドまたはベンジルリチ
ウムとを反応させる該誘導体の製造方法。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明の化合物は、レトロウイル
スプロテアーゼの阻害剤、特に後天性ヒト免疫不全症候
群(エイズ)ウイルス(HIV)の増殖及び形質の発現
に関するHIVプロテアーゼを阻害する一般式(7)
スプロテアーゼの阻害剤、特に後天性ヒト免疫不全症候
群(エイズ)ウイルス(HIV)の増殖及び形質の発現
に関するHIVプロテアーゼを阻害する一般式(7)
【0002】 A−X−B (7) (式中、Xは一般式(8)
【0003】
【化9】
【0004】で、R1 ’は水素原子、低級アルキル基、
R2 ’及びR3 ’は独立にアリールアルキル基、シクロ
アルキル基、アルキル基である。A及びBは、R6 ’−
C(O)−(NH)−CH(R5 ’))−(CO)−及
びR6 ’−C(O)−、R6 ’はR7 ’−NH−、
R7 ’−N(低級アルキル)−、R7 ’は(複素環)ア
ルキル、R5 ’は低級アルキルを示す。)
R2 ’及びR3 ’は独立にアリールアルキル基、シクロ
アルキル基、アルキル基である。A及びBは、R6 ’−
C(O)−(NH)−CH(R5 ’))−(CO)−及
びR6 ’−C(O)−、R6 ’はR7 ’−NH−、
R7 ’−N(低級アルキル)−、R7 ’は(複素環)ア
ルキル、R5 ’は低級アルキルを示す。)
【0005】で表される化合物及び薬学的に許容される
その塩またはプロドラッグ(特開平4−308574号
公報及びJ.Org.Chem.,1994,59,pp4040-4041 )の中間体
の製造方法に関する。
その塩またはプロドラッグ(特開平4−308574号
公報及びJ.Org.Chem.,1994,59,pp4040-4041 )の中間体
の製造方法に関する。
【0006】
【従来の技術】従来、下記(9)の反応スキーム
【0007】
【化10】
【0008】(式中、Bnはベンジル基、Phはフェニ
ル基、また*印は不斉炭素原子を示す。)
ル基、また*印は不斉炭素原子を示す。)
【0009】で表される様に、フェニルアラニンを炭酸
カリウムの存在下にベンジルクロリドと反応せしめて
N,N−ジベンジル−フェニルアラニンベンジルエステ
ル(10)とした後、これにアセトニトリルとナトリウ
ムアミドから調製したアセトニトリルのカルバニオンを
縮合せしめることで、本発明の一般式(2)で表される
化合物である(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ
−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリルが合成
でき、ついで、上記一般式(2)で表される化合物を分
離したのち、上記化合物を、テトラヒドロフラン中、ベ
ンジルマグネシウムクロリドと縮合せしめることで、一
般式(6)で表される化合物である(2S)−2−N,
N−ジベンジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニ
ル−4−ヘキセン−3−オンが合成できることが、知ら
れている(J.Org.Chem.,1994,59,pp4040-4041 参照)。
カリウムの存在下にベンジルクロリドと反応せしめて
N,N−ジベンジル−フェニルアラニンベンジルエステ
ル(10)とした後、これにアセトニトリルとナトリウ
ムアミドから調製したアセトニトリルのカルバニオンを
縮合せしめることで、本発明の一般式(2)で表される
化合物である(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ
−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリルが合成
でき、ついで、上記一般式(2)で表される化合物を分
離したのち、上記化合物を、テトラヒドロフラン中、ベ
ンジルマグネシウムクロリドと縮合せしめることで、一
般式(6)で表される化合物である(2S)−2−N,
N−ジベンジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニ
ル−4−ヘキセン−3−オンが合成できることが、知ら
れている(J.Org.Chem.,1994,59,pp4040-4041 参照)。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らの知見によ
ると、前述した文献記載の方法で(4S)−4−N,N
−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペン
タンニトリル誘導体(2)を工業的にかつ経済的に多量
合成を行なう場合には以下に述べる反応操作となる。
ると、前述した文献記載の方法で(4S)−4−N,N
−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペン
タンニトリル誘導体(2)を工業的にかつ経済的に多量
合成を行なう場合には以下に述べる反応操作となる。
【0011】すなわち、(2S)−N,N−ジベンジル
アミノ−フェニルアラニンエステル誘導体(1)をテト
ラヒドロフランとアセトニトリルの混合液に溶かし、−
45℃に冷却する。別にナトリウムアミドをアセトニト
リルに加えて−45℃冷却し、この溶液を、先に調製し
たフェニルアラニン誘導体(1)のテトラヒドロフラン
とアセトニトリルとの混合溶液に、−45℃でゆっくり
滴下する。滴下終了後、反応溶液を25%のクエン酸水
溶液で処理し、そこで得られた有機層を飽和食塩水で2
回洗浄し、続いてこの溶液にヘプタンを加えて更に5%
の食塩水で3回、次に10%メタノール水で2回洗浄す
る。このような操作で得られた有機層を濃縮して、目的
とする(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−
フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体を得
る。
アミノ−フェニルアラニンエステル誘導体(1)をテト
ラヒドロフランとアセトニトリルの混合液に溶かし、−
45℃に冷却する。別にナトリウムアミドをアセトニト
リルに加えて−45℃冷却し、この溶液を、先に調製し
たフェニルアラニン誘導体(1)のテトラヒドロフラン
とアセトニトリルとの混合溶液に、−45℃でゆっくり
滴下する。滴下終了後、反応溶液を25%のクエン酸水
溶液で処理し、そこで得られた有機層を飽和食塩水で2
回洗浄し、続いてこの溶液にヘプタンを加えて更に5%
の食塩水で3回、次に10%メタノール水で2回洗浄す
る。このような操作で得られた有機層を濃縮して、目的
とする(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−
フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体を得
る。
【0012】しかしながら、本反応においては、反応終
了時における生成物の光学純度は出発原料の光学純度を
そのまま保持するが、反応液の後処理操作時に、部分的
にラセミ化することが明らかとなった。
了時における生成物の光学純度は出発原料の光学純度を
そのまま保持するが、反応液の後処理操作時に、部分的
にラセミ化することが明らかとなった。
【0013】一般に、医薬品において、その分子にキラ
リテーが存在する場合、鏡像体の一方のみが生理作用を
示すことが多く、他方のものは生理作用を示さないばか
りでなく望ましくない生理作用を示す場合もある。従っ
て、使用に当たっては光学的に純粋であることが望まれ
る。その中間体も当然光学的に純粋であることが重要と
なる。
リテーが存在する場合、鏡像体の一方のみが生理作用を
示すことが多く、他方のものは生理作用を示さないばか
りでなく望ましくない生理作用を示す場合もある。従っ
て、使用に当たっては光学的に純粋であることが望まれ
る。その中間体も当然光学的に純粋であることが重要と
なる。
【0014】すなわち、本発明の課題は、出発原料の光
学純度を損なうことなく、かつ収率良く光学的に純粋な
(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニ
ル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体(2)を工業
的に多量に合成する新規な製造方法を提供することであ
る。更に、次の目的化合物である(2S)−2−N,N
−ジベンジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル
−4−ヘキセン−3−オン誘導体(6)を経済的にかつ
多量に合成する新規な製造方法を提供することである。
学純度を損なうことなく、かつ収率良く光学的に純粋な
(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニ
ル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体(2)を工業
的に多量に合成する新規な製造方法を提供することであ
る。更に、次の目的化合物である(2S)−2−N,N
−ジベンジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル
−4−ヘキセン−3−オン誘導体(6)を経済的にかつ
多量に合成する新規な製造方法を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】かかる実情において、本
発明者らは、光学的に純粋な(4S)−4−N,N−ジ
ベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタン
ニトリル誘導体(2)の工業的合成法を鋭意研究した結
果、アセトニトリルから調製するカルバニオンの発生剤
としてリチウム化合物及びマグネシウム化合物を用いる
と、出発原料の光学純度を損なうことなく、かつ収率良
く光学的に純粋な化合物(2)を製造できることを見い
出した。更に、本発明者らは、アセトニトリルとグリニ
ヤール試薬とからアセトニトリルのカルバニオンを調製
したのち、(2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フェ
ニルアラニンベンジルエステル誘導体(1)と反応せし
めると、中間体として生成しているケトニトリル(2)
のエノラートを水で処理して単離することなく、続いて
ベンジルマグネシウムハライドあるいはベンジルリチウ
ムを反応させれば、一段階で、次の目的物である(2
S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−5−アミノ−
1,6−ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体
(6)が合成できることを見い出し、本発明を完成する
に至ったのである。
発明者らは、光学的に純粋な(4S)−4−N,N−ジ
ベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタン
ニトリル誘導体(2)の工業的合成法を鋭意研究した結
果、アセトニトリルから調製するカルバニオンの発生剤
としてリチウム化合物及びマグネシウム化合物を用いる
と、出発原料の光学純度を損なうことなく、かつ収率良
く光学的に純粋な化合物(2)を製造できることを見い
出した。更に、本発明者らは、アセトニトリルとグリニ
ヤール試薬とからアセトニトリルのカルバニオンを調製
したのち、(2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フェ
ニルアラニンベンジルエステル誘導体(1)と反応せし
めると、中間体として生成しているケトニトリル(2)
のエノラートを水で処理して単離することなく、続いて
ベンジルマグネシウムハライドあるいはベンジルリチウ
ムを反応させれば、一段階で、次の目的物である(2
S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−5−アミノ−
1,6−ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体
(6)が合成できることを見い出し、本発明を完成する
に至ったのである。
【0016】すなわち、本発明の要点は以下のとおりで
ある。 1.下記一般式(1)
ある。 1.下記一般式(1)
【0017】
【化11】
【0018】(式中、R1 は低級アルキル基、ベンジル
基、Bnはベンジル基、Phはフェニル基、*印は不斉
炭素原子を意味する。)
基、Bnはベンジル基、Phはフェニル基、*印は不斉
炭素原子を意味する。)
【0019】で表される(2S)−N,N−ジベンジル
アミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセトニト
リルとを、リチウム化合物あるいはマグネシウム化合物
の存在下にて反応させることを特徴とする、下記一般式
(2)
アミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセトニト
リルとを、リチウム化合物あるいはマグネシウム化合物
の存在下にて反応させることを特徴とする、下記一般式
(2)
【0020】
【化12】
【0021】(式中、Bnはベンジル基、Phはフェニ
ル基、*印は不斉炭素原子を意味する。)
ル基、*印は不斉炭素原子を意味する。)
【0022】で表される(4S)−4−N,N−ジベン
ジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニト
リル誘導体の製造方法。
ジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニト
リル誘導体の製造方法。
【0023】2.リチウム化合物が、下記一般式(3)
【0024】
【化13】
【0025】(式中、R2 、R3 は同じでも異なってい
てもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル
基、フェニル基、ベンジル基から選ばれたものである。
但し、R2 とR3 の両方が共に水素原子ではなく、ま
た、両者が窒素原子と共に5員環あるいは6員環を形成
してもよい。)
てもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル
基、フェニル基、ベンジル基から選ばれたものである。
但し、R2 とR3 の両方が共に水素原子ではなく、ま
た、両者が窒素原子と共に5員環あるいは6員環を形成
してもよい。)
【0026】で表される有機リチウム化合物である前記
第1項記載の(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ
−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体
の製造方法。
第1項記載の(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ
−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体
の製造方法。
【0027】3.マグネシウム化合物が、下記一般式
(4)
(4)
【0028】
【化14】
【0029】(式中、Xはハロゲン原子を意味し、R4
は低級アルキル基、アラルキル基、フェニル基、ビニル
基から選ばれたものである。)
は低級アルキル基、アラルキル基、フェニル基、ビニル
基から選ばれたものである。)
【0030】で表される有機マグネシウム化合物、ある
いは下記一般式(5)
いは下記一般式(5)
【0031】
【化15】 (式中、Xはハロゲン原子を意味し、R5 、R6 は同一
でも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、
低級アルケニル基、フェニル基、ベンジル基から選ばれ
たものであり、但し、R5 とR6 の両方が共に水素原子
ではなく、また、両者が窒素原子と共に5員環あるいは
6員環を形成してもよい。)
でも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、
低級アルケニル基、フェニル基、ベンジル基から選ばれ
たものであり、但し、R5 とR6 の両方が共に水素原子
ではなく、また、両者が窒素原子と共に5員環あるいは
6員環を形成してもよい。)
【0032】で表される有機マグネシウム化合物である
前記第1項記載の(4S)−4−N,N−ジベンジルア
ミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘
導体の製造方法。
前記第1項記載の(4S)−4−N,N−ジベンジルア
ミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘
導体の製造方法。
【0033】4.前記第1項記載の製造方法により得ら
れた(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フ
ェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体を含有す
る反応液に、ベンジルマグネシウムハライドあるいはベ
ンジルリチウムを加え、上記誘導体と上記ベンジルマグ
ネシウムハライドあるいはベンジルリチウムとを反応さ
せることを特徴とする下記一般式(6)
れた(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フ
ェニル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体を含有す
る反応液に、ベンジルマグネシウムハライドあるいはベ
ンジルリチウムを加え、上記誘導体と上記ベンジルマグ
ネシウムハライドあるいはベンジルリチウムとを反応さ
せることを特徴とする下記一般式(6)
【0034】
【化16】
【0035】(式中、Bnはベンジル基、Phはフェニ
ル基、また*印は不斉炭素原子を意味する。)
ル基、また*印は不斉炭素原子を意味する。)
【0036】で表される(2S)−2−N,N−ジベン
ジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘ
キセン−3−オン誘導体の製造方法。
ジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘ
キセン−3−オン誘導体の製造方法。
【0037】5.下記一般式(1)
【0038】
【化17】
【0039】(式中、R1 は低級アルキル基、ベンジル
基、Bnはベンジル基、Phはフェニル基、*印は不斉
炭素原子を意味する。)
基、Bnはベンジル基、Phはフェニル基、*印は不斉
炭素原子を意味する。)
【0040】で表される(2S)−N,N−ジベンジル
アミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセトニト
リルとを、ベンジルマグネシウムハライドあるいはベン
ジルリチウムの存在下にて反応させることを特徴とす
る、下記一般式(6)
アミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセトニト
リルとを、ベンジルマグネシウムハライドあるいはベン
ジルリチウムの存在下にて反応させることを特徴とす
る、下記一般式(6)
【0041】
【化18】
【0042】(式中、Bnはベンジル基、Phはフェニ
ル基、また*印は不斉炭素原子を意味する。)
ル基、また*印は不斉炭素原子を意味する。)
【0043】で表される(2S)−2−N,N−ジベン
ジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘ
キセン−3−オン誘導体の製造方法。
ジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘ
キセン−3−オン誘導体の製造方法。
【0044】以下、本発明を詳細に説明する。先ず、マ
グネシウム化合物をアセトニトリルのカルバニオン発生
剤として用いる場合について説明する。
グネシウム化合物をアセトニトリルのカルバニオン発生
剤として用いる場合について説明する。
【0045】マグネシウム化合物をアセトニトリルのカ
ルバニオン発生剤として用いる場合の代表的な例として
は、以下のとおりである。すなわち、(2S)−N,N
−ジベンジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体
(1)とアセトニトリルとをテトラヒドロフランに溶か
し、この溶液を別に調製した有機マグネシウム試薬のテ
トラヒドロフラン溶液の中に0℃〜25℃で滴下する。
滴下終了後、更に室温で1〜5時間撹拌した後、クエン
酸水溶液に注ぎ込み、トルエンとヘプタンの2対1の混
合溶媒を用いて抽出し、有機層をメタノール水及び水で
洗浄する。洗浄液を濃縮し、目的物のケトニトリル誘導
体(2)を得る。
ルバニオン発生剤として用いる場合の代表的な例として
は、以下のとおりである。すなわち、(2S)−N,N
−ジベンジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体
(1)とアセトニトリルとをテトラヒドロフランに溶か
し、この溶液を別に調製した有機マグネシウム試薬のテ
トラヒドロフラン溶液の中に0℃〜25℃で滴下する。
滴下終了後、更に室温で1〜5時間撹拌した後、クエン
酸水溶液に注ぎ込み、トルエンとヘプタンの2対1の混
合溶媒を用いて抽出し、有機層をメタノール水及び水で
洗浄する。洗浄液を濃縮し、目的物のケトニトリル誘導
体(2)を得る。
【0046】本発明のマグネシウム化合物を用いる場合
の縮合反応においては、フェニルアラニンエステル誘導
体(1)に対する各々の試薬の使用量は、通常、アセト
ニトリルは1〜1.5等量、好ましくは1.05〜1.
3等量を、また、カルバニオン発生剤としての有機マグ
ネシウム試薬は2〜5当量、好ましくは2.5〜2.7
当量を用いる。
の縮合反応においては、フェニルアラニンエステル誘導
体(1)に対する各々の試薬の使用量は、通常、アセト
ニトリルは1〜1.5等量、好ましくは1.05〜1.
3等量を、また、カルバニオン発生剤としての有機マグ
ネシウム試薬は2〜5当量、好ましくは2.5〜2.7
当量を用いる。
【0047】また、縮合反応における温度は−40℃〜
40℃、好ましくは−20℃〜30℃であり、また、反
応時間は1〜24時間、好ましくは2〜4時間である。
また、反応終了後の溶媒濃縮時の温度は10℃〜60
℃、好ましくは10℃〜50℃、また、濃縮に必要とす
る時間は1〜8時間、好ましくは1〜2時間がよい。
40℃、好ましくは−20℃〜30℃であり、また、反
応時間は1〜24時間、好ましくは2〜4時間である。
また、反応終了後の溶媒濃縮時の温度は10℃〜60
℃、好ましくは10℃〜50℃、また、濃縮に必要とす
る時間は1〜8時間、好ましくは1〜2時間がよい。
【0048】更に、縮合反応における反応溶媒について
は、有機マグネシウムを用いた反応の場合には、通常グ
リニヤール反応で用いられているエーテル系の溶媒が好
ましく、例えばテトラヒドロフラン、1,2−ジメトキ
シエタン、ジグライム、ジイソプロピルエーテル、te
rt−ブチルメチルエーテルが好ましい。
は、有機マグネシウムを用いた反応の場合には、通常グ
リニヤール反応で用いられているエーテル系の溶媒が好
ましく、例えばテトラヒドロフラン、1,2−ジメトキ
シエタン、ジグライム、ジイソプロピルエーテル、te
rt−ブチルメチルエーテルが好ましい。
【0049】本反応におけるカルバニオン発生剤として
利用できる好ましい有機マグネシウム化合物は、下記一
般式(4)
利用できる好ましい有機マグネシウム化合物は、下記一
般式(4)
【0050】
【化19】
【0051】(式中、Xはハロゲン原子を意味し、R4
は低級アルキル基、アラルキル基、フェニル基、ビニル
基から選ばれたものである。)
は低級アルキル基、アラルキル基、フェニル基、ビニル
基から選ばれたものである。)
【0052】で表される有機マグネシウム化合物であ
り、その代表的なものを例示すると、メチルマグネシウ
ムブロミド、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグ
ネシウムヨージド、エチルマグネシウムブロミド、エチ
ルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムヨージ
ド、ビニルマグネシウムクロリド、ビニルマグネシウム
ブロミド、ブチルマグネシウムブロミド、ヘキシルマグ
ネシウムブロミド、プロピルマグネシウムブロミド、プ
ロピルマグネシウムクロリド、シクロヘキシルマグネシ
ウムクロリド、シクロヘキシルマグネシウムブロミド、
シクロペンチルマグネシウムブロミド、シクロペンチル
マグネシウムクロリド、フェニルマグネシウムブロミ
ド、フェニルマグネシウムクロリド、ベンジルマグネシ
ウムクロリド、ベンジルマグネシウムブロミドを挙げる
ことができる。
り、その代表的なものを例示すると、メチルマグネシウ
ムブロミド、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグ
ネシウムヨージド、エチルマグネシウムブロミド、エチ
ルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムヨージ
ド、ビニルマグネシウムクロリド、ビニルマグネシウム
ブロミド、ブチルマグネシウムブロミド、ヘキシルマグ
ネシウムブロミド、プロピルマグネシウムブロミド、プ
ロピルマグネシウムクロリド、シクロヘキシルマグネシ
ウムクロリド、シクロヘキシルマグネシウムブロミド、
シクロペンチルマグネシウムブロミド、シクロペンチル
マグネシウムクロリド、フェニルマグネシウムブロミ
ド、フェニルマグネシウムクロリド、ベンジルマグネシ
ウムクロリド、ベンジルマグネシウムブロミドを挙げる
ことができる。
【0053】また、このようなグリニヤール試薬の他
に、一般式(10)
に、一般式(10)
【0054】
【化20】
【0055】(式中、R7 、R8 は低級アルキル基、ベ
ンジル基、フェニル基を意味し、R7とR8 は同じでも
異なっていてもよく、両者が隣接して5或は6環を形成
していてもよい。)
ンジル基、フェニル基を意味し、R7とR8 は同じでも
異なっていてもよく、両者が隣接して5或は6環を形成
していてもよい。)
【0056】で表される有機マグネシウム化合物も好ま
しく使用することができる。
しく使用することができる。
【0057】また、その他、一般式(5)
【0058】
【化21】
【0059】(式中、R5 とR6 は低級アルキル基、低
級アルケニル基、ベンジル基、フェニル基を意味し、R
5 とR6 は同一でも異なっていも良く、両者が隣接して
環を形成してもよい。)
級アルケニル基、ベンジル基、フェニル基を意味し、R
5 とR6 は同一でも異なっていも良く、両者が隣接して
環を形成してもよい。)
【0060】で表される有機マグネシウムも本反応に好
ましく使用できる。具体的には、N,N−ジメチルアミ
ノマグネシウムクロリド、N,N−ジメチルアミノマグ
ネシウムブロミド、N,N−ジエチルアミノマグネシウ
ムクロリド、N,N−ジエチルアミノマグネシウムブロ
ミド、N,N−ジフェニルアミノマグネシウムクロリ
ド、N−メチル−N−フェニル−アミノマグネシウムク
ロリド、ピペリジノマグネシウムクロリド、ピペリジノ
マグネシウムブロミド、ピロリジノマグネシウムクロリ
ド、ピロリジノマグネシウムブロミド等が挙げられる。
ましく使用できる。具体的には、N,N−ジメチルアミ
ノマグネシウムクロリド、N,N−ジメチルアミノマグ
ネシウムブロミド、N,N−ジエチルアミノマグネシウ
ムクロリド、N,N−ジエチルアミノマグネシウムブロ
ミド、N,N−ジフェニルアミノマグネシウムクロリ
ド、N−メチル−N−フェニル−アミノマグネシウムク
ロリド、ピペリジノマグネシウムクロリド、ピペリジノ
マグネシウムブロミド、ピロリジノマグネシウムクロリ
ド、ピロリジノマグネシウムブロミド等が挙げられる。
【0061】次に、有機リチウム化合物をカルバニオン
発生剤として用いる場合について説明する。本反応に使
用できる試薬は、グリニヤール試薬と同様に、例えばブ
チルリチウム、ビニルリチウム、プロピルリチウム等の
他、N,N−ジエチルアミノリチウム、N,N−ジイソ
プロピルアミノリチウム、N−イソプロピルアミノリチ
ウム、N,N−ジフェニルアミノリチウム、N−メチル
−N−フェニル−アミノリチウム、N−tert−ブチ
ルアミノリチウム等も、好ましく使用できる。また、有
機リチウム試薬を用いる場合の溶媒としては、トルエ
ン、ヘプタン等に代表される炭化水素系及び有機マグネ
シウム試薬で用いるエーテル系の溶媒、あるいは両者の
混合系でよい。
発生剤として用いる場合について説明する。本反応に使
用できる試薬は、グリニヤール試薬と同様に、例えばブ
チルリチウム、ビニルリチウム、プロピルリチウム等の
他、N,N−ジエチルアミノリチウム、N,N−ジイソ
プロピルアミノリチウム、N−イソプロピルアミノリチ
ウム、N,N−ジフェニルアミノリチウム、N−メチル
−N−フェニル−アミノリチウム、N−tert−ブチ
ルアミノリチウム等も、好ましく使用できる。また、有
機リチウム試薬を用いる場合の溶媒としては、トルエ
ン、ヘプタン等に代表される炭化水素系及び有機マグネ
シウム試薬で用いるエーテル系の溶媒、あるいは両者の
混合系でよい。
【0062】また、フェニルアラニンエステル誘導体
(1)に対する各々の試薬の使用量、縮合反応の温度及
び時間、並びに反応終了後の溶媒濃縮温度及び時間につ
いては、前述したマグネシウム化合物をアセトニトリル
のカルバニオン発生剤として用いる場合と、ほぼ同様で
ある。
(1)に対する各々の試薬の使用量、縮合反応の温度及
び時間、並びに反応終了後の溶媒濃縮温度及び時間につ
いては、前述したマグネシウム化合物をアセトニトリル
のカルバニオン発生剤として用いる場合と、ほぼ同様で
ある。
【0063】さらに、本発明は、(4S)−4−N,N
−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペン
タンニトリル誘導体(2)からベンジルマグネシウムハ
ライドの存在下にて(2S)−2−N,N−ジベンジル
アミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキセ
ン−3−オン誘導体(6)を製造する方法、並びに、
(2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルアラニ
ンエステル誘導体(1)とアセトニトリルとを、ベンジ
ルマグネシウムハライドあるいはベンジルリチウムの存
在下にて反応させて、(2S)−2−N,N−ジベンジ
ルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキ
セン−3−オン誘導体(6)を製造する方法をも提供す
る。
−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペン
タンニトリル誘導体(2)からベンジルマグネシウムハ
ライドの存在下にて(2S)−2−N,N−ジベンジル
アミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキセ
ン−3−オン誘導体(6)を製造する方法、並びに、
(2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルアラニ
ンエステル誘導体(1)とアセトニトリルとを、ベンジ
ルマグネシウムハライドあるいはベンジルリチウムの存
在下にて反応させて、(2S)−2−N,N−ジベンジ
ルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキ
セン−3−オン誘導体(6)を製造する方法をも提供す
る。
【0064】特に、有機マグネシウムのなかでもグリニ
ヤール試薬をカルバニオン発生剤に用いる場合は、アセ
トニトリルとグリニヤール試薬からアセトニトリルのカ
ルバニオンを調製したのち、(2S)−N,N−ジベン
ジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体(1)と
反応せしめると、ケトニトリル(2)のエノラートが中
間体として生成しているから、これを水で処理して単離
することなく、続いてベンジルマグネシウムハライドあ
るいはベンジルリチウムを反応させることによって、次
の目的物である(2S)−2,5−ジアミノ−1,6−
ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体(6)が、
一段階で合成できる長所がある。
ヤール試薬をカルバニオン発生剤に用いる場合は、アセ
トニトリルとグリニヤール試薬からアセトニトリルのカ
ルバニオンを調製したのち、(2S)−N,N−ジベン
ジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体(1)と
反応せしめると、ケトニトリル(2)のエノラートが中
間体として生成しているから、これを水で処理して単離
することなく、続いてベンジルマグネシウムハライドあ
るいはベンジルリチウムを反応させることによって、次
の目的物である(2S)−2,5−ジアミノ−1,6−
ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体(6)が、
一段階で合成できる長所がある。
【0065】
【実施例】以下、本発明を比較例及び実施例を用いて更
に詳細に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定さ
れるものではない。
に詳細に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定さ
れるものではない。
【0066】1.生成物の化学純度の測定は以下に述べ
る条件で行なった。 使用分析機器: Hitachi L−6000 Pump カラム: ShodexC18−5B 4.6×250mm 移動相: アセトニトリル/水=9/1 流速 : 1.0ml/min 検出: 254nm(UV)
る条件で行なった。 使用分析機器: Hitachi L−6000 Pump カラム: ShodexC18−5B 4.6×250mm 移動相: アセトニトリル/水=9/1 流速 : 1.0ml/min 検出: 254nm(UV)
【0067】2.生成物の光学純度の測定は以下に述べ
る条件で行なった。 使用分析機器: ShimadzuLC−9A Pump カラム : Chiralcel OD−H 4.6×250mm 移動相 : ヘキサン/イソプロピルアルコール=7/
3 流速 : 0.5ml/min 検出: 250nm(UV)
る条件で行なった。 使用分析機器: ShimadzuLC−9A Pump カラム : Chiralcel OD−H 4.6×250mm 移動相 : ヘキサン/イソプロピルアルコール=7/
3 流速 : 0.5ml/min 検出: 250nm(UV)
【0068】3.反応のモニタリングは化学純度の測定
条件を用いて行った。 4.生成物は文献記載の方法(Timothy L. Stuk et al
J. Org. Chem. 1994, 59, 4040-4041 )で標準品を合成
し、HPLC及び1H NMRから同定した。
条件を用いて行った。 4.生成物は文献記載の方法(Timothy L. Stuk et al
J. Org. Chem. 1994, 59, 4040-4041 )で標準品を合成
し、HPLC及び1H NMRから同定した。
【0069】
【比較例1】ナトリウムアミド(80.2g、2.06
mol)をトルエン(1020ml)に懸濁し、これに
7℃〜−20℃で(2S)−N,N−ジベンジルアミノ
−フェニルアラニンベンジルエステル(340g、78
1mmol)とアセトニトリル(42.7g、1.04
mol)のトルエン(550ml)溶液を1時間で滴下
した。これを15〜25℃で6時間攪拌した後、反応液
を4N−塩酸の40%メタノール水(1000ml)に
注いだ。有機層を30%メタノール水(2250ml)
で2回、水(1500ml)で2回、30%テトラヒド
ロフラン水で1回洗浄した。この時点での生成物(4
S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−
3−オキソ−ペンタンニトリルの光学純度は95.6%
e.e.であったが、このものを室温で一晩放置した後
の光学純度は93.18%e.e.となった。更に、こ
の溶液を減圧下に40〜50℃で濃縮したところ光学純
度は更に低下して74.1%e.e.となった。
mol)をトルエン(1020ml)に懸濁し、これに
7℃〜−20℃で(2S)−N,N−ジベンジルアミノ
−フェニルアラニンベンジルエステル(340g、78
1mmol)とアセトニトリル(42.7g、1.04
mol)のトルエン(550ml)溶液を1時間で滴下
した。これを15〜25℃で6時間攪拌した後、反応液
を4N−塩酸の40%メタノール水(1000ml)に
注いだ。有機層を30%メタノール水(2250ml)
で2回、水(1500ml)で2回、30%テトラヒド
ロフラン水で1回洗浄した。この時点での生成物(4
S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−
3−オキソ−ペンタンニトリルの光学純度は95.6%
e.e.であったが、このものを室温で一晩放置した後
の光学純度は93.18%e.e.となった。更に、こ
の溶液を減圧下に40〜50℃で濃縮したところ光学純
度は更に低下して74.1%e.e.となった。
【0070】
【比較例2】ナトリウムアミド(6.94g、178m
mol)のテトラヒドロフラン(20ml)懸濁液に、
(2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルアラニ
ンベンジルエステル(29.8g、68.4mmol)
とアセトニトリル(3.65g、89.0mmol)の
混合液をを0℃以下で滴下した。滴下後0℃以下で2時
間攪拌し、反応液を4N−硫酸(100ml)に注いで
中和し、これをトルエン対ヘプタン( 150ml対75
ml)にて抽出し、40%メタノール水溶液、水にて洗
浄した。この段階で、ケトニトリルの光学純度はは9
9.0e.e.%であった。このものを30℃にて90
時間放置すると94.9%e.e.にまでラセミ化し
た。更に1 日放置すると91.7%e.e.にラセミ化
した。
mol)のテトラヒドロフラン(20ml)懸濁液に、
(2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルアラニ
ンベンジルエステル(29.8g、68.4mmol)
とアセトニトリル(3.65g、89.0mmol)の
混合液をを0℃以下で滴下した。滴下後0℃以下で2時
間攪拌し、反応液を4N−硫酸(100ml)に注いで
中和し、これをトルエン対ヘプタン( 150ml対75
ml)にて抽出し、40%メタノール水溶液、水にて洗
浄した。この段階で、ケトニトリルの光学純度はは9
9.0e.e.%であった。このものを30℃にて90
時間放置すると94.9%e.e.にまでラセミ化し
た。更に1 日放置すると91.7%e.e.にラセミ化
した。
【0071】
【実施例1】リチウムジエチルアミド(94mmol)
のテトラヒドロフラン溶液(100ml)を10℃以下
に冷却しておき、この中に(2S)−N,N−ジベンジ
ルアミノ−フェニルアラニンベンジルエステル(18.
5g、42mmol)とアセトニトリル(3.38g、
82.4mmol)のテトラヒドロフラン溶液(50m
l)を滴下した。滴下後、9〜5℃で30分攪拌してか
ら2Nの塩酸水(200ml)に注ぎ込み、トルエン
(300ml)で抽出した。分液の後に有機層を、水
(50ml)、5%炭酸水素ナトリウム水溶液(50m
l)、水(50ml)の順で洗浄した。この時点で生成
物の光学純度は100%e.e.であった。トルエン溶
液を60℃以下、15〜5mmHgの減圧下で7時間か
けて濃縮した。この時点での光学純度は98%e.e.
であった。このものをブタノール(20ml)で再結晶
して9.26gの(4S)−4−N,N−ジベンジルア
ミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリルを
得た。この化合物の光学純度は98%e.e.、収率は
59.3%であった。
のテトラヒドロフラン溶液(100ml)を10℃以下
に冷却しておき、この中に(2S)−N,N−ジベンジ
ルアミノ−フェニルアラニンベンジルエステル(18.
5g、42mmol)とアセトニトリル(3.38g、
82.4mmol)のテトラヒドロフラン溶液(50m
l)を滴下した。滴下後、9〜5℃で30分攪拌してか
ら2Nの塩酸水(200ml)に注ぎ込み、トルエン
(300ml)で抽出した。分液の後に有機層を、水
(50ml)、5%炭酸水素ナトリウム水溶液(50m
l)、水(50ml)の順で洗浄した。この時点で生成
物の光学純度は100%e.e.であった。トルエン溶
液を60℃以下、15〜5mmHgの減圧下で7時間か
けて濃縮した。この時点での光学純度は98%e.e.
であった。このものをブタノール(20ml)で再結晶
して9.26gの(4S)−4−N,N−ジベンジルア
ミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリルを
得た。この化合物の光学純度は98%e.e.、収率は
59.3%であった。
【0072】
【実施例2】リチウム(18.8g、2.68mo
l)、ジエチルアミン(794g、10.87mo
l)、ミルセン(純度78%、正味364g、2.67
mol)から調製したリチウムジエチルアミドを(2
S)−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルアラニンベ
ンジルエステル(500g、1.15mol)とアセト
ニトリル(61.3g、1.49mol)のトルエン
(1670ml)−ヘプタン(833ml)の混合液
に、10℃以下で滴下した。滴下後30分攪拌し、4N
−硫酸水溶液(3300ml)に注ぎ込んだ。トルエン
層は40%メタノール(2500ml)で2回、水(2
000ml)で1回洗浄した後、ブタノール(1100
ml)で再結晶し、341gの目的物(4S)−4−
N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ
−ペンタンニトリルを得た。収率は80.2%であっ
た。なお、このものの光学純度は100%e.e.であ
った。
l)、ジエチルアミン(794g、10.87mo
l)、ミルセン(純度78%、正味364g、2.67
mol)から調製したリチウムジエチルアミドを(2
S)−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルアラニンベ
ンジルエステル(500g、1.15mol)とアセト
ニトリル(61.3g、1.49mol)のトルエン
(1670ml)−ヘプタン(833ml)の混合液
に、10℃以下で滴下した。滴下後30分攪拌し、4N
−硫酸水溶液(3300ml)に注ぎ込んだ。トルエン
層は40%メタノール(2500ml)で2回、水(2
000ml)で1回洗浄した後、ブタノール(1100
ml)で再結晶し、341gの目的物(4S)−4−
N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ
−ペンタンニトリルを得た。収率は80.2%であっ
た。なお、このものの光学純度は100%e.e.であ
った。
【0073】
【実施例3】(2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フ
ェニルアラニンベンジルエステル(50g、115mm
ol)とアセトニトリル(6.12g、149mol)
のテトラヒドロフラン溶液(32ml)を、0℃にてt
ert−ブチルマグネシウムクロリド(420mmo
l)のテトラヒドロフラン溶液(150ml)中に滴下
した。滴下後室温に戻して、更に3時間攪拌し、反応液
を11%クエン酸水溶液に注いだ。有機層をトルエン
(400ml)/ヘプタン(200ml)にて抽出し、
分液後、有機層を40%メタノール水溶液で2回、更
に、水(200ml)で2回洗浄し、濃縮した。この時
点の生成物の光学純度は100%e.e.であった。濃
縮物をブタノール(100ml)から再結晶して37.
7gの目的物(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ
−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリルを得
た。この化合物の光学純度は100%e.e.、収率は
88.9%であった。
ェニルアラニンベンジルエステル(50g、115mm
ol)とアセトニトリル(6.12g、149mol)
のテトラヒドロフラン溶液(32ml)を、0℃にてt
ert−ブチルマグネシウムクロリド(420mmo
l)のテトラヒドロフラン溶液(150ml)中に滴下
した。滴下後室温に戻して、更に3時間攪拌し、反応液
を11%クエン酸水溶液に注いだ。有機層をトルエン
(400ml)/ヘプタン(200ml)にて抽出し、
分液後、有機層を40%メタノール水溶液で2回、更
に、水(200ml)で2回洗浄し、濃縮した。この時
点の生成物の光学純度は100%e.e.であった。濃
縮物をブタノール(100ml)から再結晶して37.
7gの目的物(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ
−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリルを得
た。この化合物の光学純度は100%e.e.、収率は
88.9%であった。
【0074】
【実施例4】(2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フ
ェニルアラニンベンジルエステル(16g、36.7m
mol)とアセトニトリル(1.96g、47.8mm
ol)のテトラヒドロフラン溶液(32ml)を、−1
0℃以下で、ベンジルマグネシウムクロリド(161.
7mmol)のテトラヒドロフラン溶液(100ml)
に滴下した。これを−15℃で1.5時間攪拌し、8%
クエン酸水溶液(336g)に注いで、トルエン(40
0ml)とヘプタン(200ml)で抽出し、有機層を
20%メタノール水溶液(100ml)で2回、水(1
00ml)で2回洗浄後、濃縮した。この時点の生成物
の光学純度は100%e.e.であった。濃縮物をブタ
ノール(43ml)で再結晶することにより(10.7
g)の目的物(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ
−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキセン−3
−オンを得た。この化合物の光学純度は100%e.
e.、収率は79.1%であった。
ェニルアラニンベンジルエステル(16g、36.7m
mol)とアセトニトリル(1.96g、47.8mm
ol)のテトラヒドロフラン溶液(32ml)を、−1
0℃以下で、ベンジルマグネシウムクロリド(161.
7mmol)のテトラヒドロフラン溶液(100ml)
に滴下した。これを−15℃で1.5時間攪拌し、8%
クエン酸水溶液(336g)に注いで、トルエン(40
0ml)とヘプタン(200ml)で抽出し、有機層を
20%メタノール水溶液(100ml)で2回、水(1
00ml)で2回洗浄後、濃縮した。この時点の生成物
の光学純度は100%e.e.であった。濃縮物をブタ
ノール(43ml)で再結晶することにより(10.7
g)の目的物(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ
−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキセン−3
−オンを得た。この化合物の光学純度は100%e.
e.、収率は79.1%であった。
【0075】
【実施例5】(2S)−N,N−ジベンジルアミノ−フ
ェニルアラニンベンジルエステル(50g、115mm
ol)とアセトニトリル(4.95g、121mmo
l)のテトラヒドロフラン溶液(100ml)をベンジ
ルマグネシウムクロリド(917mmol)のテトラヒ
ドロフラン溶液(300ml)の中に−10℃〜−15
℃で滴下した。同温度で2.5時間攪拌した後、更に5
℃で15時間攪拌した。テトラヒドロフランを減圧下に
回収した後、トルエン(250ml)を加えて、22%
クエン酸水溶液に注いだ。水(250ml)で3回洗浄
後、有機層を濃縮し、エタノール(165ml)から再
結晶して34gの目的物(2S)−2−N,N−ジベン
ジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘ
キセン−3−オンを得た。この化合物の光学純度は10
0%e.e.、収率は58%であった。
ェニルアラニンベンジルエステル(50g、115mm
ol)とアセトニトリル(4.95g、121mmo
l)のテトラヒドロフラン溶液(100ml)をベンジ
ルマグネシウムクロリド(917mmol)のテトラヒ
ドロフラン溶液(300ml)の中に−10℃〜−15
℃で滴下した。同温度で2.5時間攪拌した後、更に5
℃で15時間攪拌した。テトラヒドロフランを減圧下に
回収した後、トルエン(250ml)を加えて、22%
クエン酸水溶液に注いだ。水(250ml)で3回洗浄
後、有機層を濃縮し、エタノール(165ml)から再
結晶して34gの目的物(2S)−2−N,N−ジベン
ジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘ
キセン−3−オンを得た。この化合物の光学純度は10
0%e.e.、収率は58%であった。
【0076】
【発明の効果】本発明の製造方法によって、部分的にラ
セミ化することなく、光学的に純粋な(4S)−4−
N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ
−ペンタンニトリル誘導体(2)及び(2S)−2−
N,N−ジベンジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフ
ェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体(6)を、収率
良く工業的に製造することができる。
セミ化することなく、光学的に純粋な(4S)−4−
N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ
−ペンタンニトリル誘導体(2)及び(2S)−2−
N,N−ジベンジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフ
ェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体(6)を、収率
良く工業的に製造することができる。
【0077】また、有機マグネシウムのなかでもグリニ
ヤール試薬をカルバニオン発生剤に用いる場合は、アセ
トニトリルとグリニヤール試薬からアセトニトリルのカ
ルバニオンを調製したのち、(2S)−N,N−ジベン
ジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体(1)と
反応せしめると、中間体として生成しているケトニトリ
ル(2)のエノラートを水で処理して単離することな
く、続いてベンジルマグネシウムハライドあるいはベン
ジルリチウムを反応させることによって、(2S)−
2,5−ジアミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキセン
−3−オン誘導体(6)を、一段階で製造することがで
きる。
ヤール試薬をカルバニオン発生剤に用いる場合は、アセ
トニトリルとグリニヤール試薬からアセトニトリルのカ
ルバニオンを調製したのち、(2S)−N,N−ジベン
ジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体(1)と
反応せしめると、中間体として生成しているケトニトリ
ル(2)のエノラートを水で処理して単離することな
く、続いてベンジルマグネシウムハライドあるいはベン
ジルリチウムを反応させることによって、(2S)−
2,5−ジアミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキセン
−3−オン誘導体(6)を、一段階で製造することがで
きる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成7年12月8日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【化1】 (式中、R1は低級アルキル基、ベンジル基、Bnはベ
ンジル基、Phはフェニル基、*印は不斉炭素原子を意
味する。)で表される(2S)−2−N,N−ジベンジ
ルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセトニ
トリルとを、リチウム化合物あるいはマグネシウム化合
物の存在下にて反応させることを特徴とする、下記一般
式(2)
ンジル基、Phはフェニル基、*印は不斉炭素原子を意
味する。)で表される(2S)−2−N,N−ジベンジ
ルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセトニ
トリルとを、リチウム化合物あるいはマグネシウム化合
物の存在下にて反応させることを特徴とする、下記一般
式(2)
【化2】 (式中、Bnはベンジル基、Phはフェニル基、また*
印は不斉炭素原子を意味する。)で表される(4S)−
4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オ
キソ−ペンタンニトリル誘導体の製造方法。
印は不斉炭素原子を意味する。)で表される(4S)−
4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オ
キソ−ペンタンニトリル誘導体の製造方法。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項5
【補正方法】変更
【補正内容】
【化7】 (式中、R1は低級アルキル基、ベンジル基、Bnはベ
ンジル基、Phはフェニル基、*印は不斉炭素原子を意
味する。)で表される(2S)−2−N,N−ジベンジ
ルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセトニ
トリルとを、ベンジルマグネシウムハライドあるいはベ
ンジルリチウムの存在下にて反応させることを特徴とす
る、下記一般式(6)
ンジル基、Phはフェニル基、*印は不斉炭素原子を意
味する。)で表される(2S)−2−N,N−ジベンジ
ルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセトニ
トリルとを、ベンジルマグネシウムハライドあるいはベ
ンジルリチウムの存在下にて反応させることを特徴とす
る、下記一般式(6)
【化8】 (式中、Bnはベンジル基、Phはフェニル基、また*
印は不斉炭素原子を意味する。)で表される(2S)−
2−N,N−ジベンジルアミノ−5−アミノ−1,6−
ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体の製造方
法。
印は不斉炭素原子を意味する。)で表される(2S)−
2−N,N−ジベンジルアミノ−5−アミノ−1,6−
ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体の製造方
法。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】すなわち、(2S)−2−N,N−ジベン
ジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体(1)を
テトラヒドロフランとアセトニトリルの混合液に溶か
し、−45℃に冷却する。別にアセトニトリルをナトリ
ウムアミドサスペンジョンに−45℃で加えて、この溶
液を、先に調製したフェニルアラニン誘導体(1)のテ
トラヒドロフランとアセトニトリルとの混合溶液に、−
45℃でゆっくり滴下する。滴下終了後、反応溶液を2
5%のクエン酸水溶液で処理し、そこで得られた有機層
を飽和食塩水で2回洗浄し、続いてこの溶液にヘプタン
を加えて更に5%の食塩水で3回、次に10%メタノー
ル水で2回洗浄する。このような操作で得られた有機層
を濃縮して、目的とする(4S)−4−N,N−ジベン
ジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニト
リル誘導体を得る。
ジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体(1)を
テトラヒドロフランとアセトニトリルの混合液に溶か
し、−45℃に冷却する。別にアセトニトリルをナトリ
ウムアミドサスペンジョンに−45℃で加えて、この溶
液を、先に調製したフェニルアラニン誘導体(1)のテ
トラヒドロフランとアセトニトリルとの混合溶液に、−
45℃でゆっくり滴下する。滴下終了後、反応溶液を2
5%のクエン酸水溶液で処理し、そこで得られた有機層
を飽和食塩水で2回洗浄し、続いてこの溶液にヘプタン
を加えて更に5%の食塩水で3回、次に10%メタノー
ル水で2回洗浄する。このような操作で得られた有機層
を濃縮して、目的とする(4S)−4−N,N−ジベン
ジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニト
リル誘導体を得る。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】
【課題を解決するための手段】かかる実情において、本
発明者らは、光学的に純粋な(4S)−4−N,N−ジ
ベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタン
ニトリル誘導体(2)の工業的合成法を鋭意研究した結
果、アセトニトリルから調製するカルバニオンの発生剤
としてリチウム化合物及びマグネシウム化合物を用いる
と、出発原料の光学純度を損なうことなく、かつ収率良
く光学的に純粋な化合物(2)を製造できることを見い
出した。更に、本発明者らは、アセトニトリルとグリニ
ヤール試薬とからアセトニトリルのカルバニオンを調製
したのち、(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−
フェニルアラニンベンジルエステル誘導体(1)と反応
せしめると、中間体として生成しているケトニトリル
(2)のエノラートを水で処理して単離することなく、
続いてベンジルマグネシウムハライドあるいはベンジル
リチウムを反応させれば、一段階で、次の目的物である
(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−5−アミノ
−1,6−ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体
(6)が合成できることを見い出し、本発明を完成する
に至ったのである。
発明者らは、光学的に純粋な(4S)−4−N,N−ジ
ベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタン
ニトリル誘導体(2)の工業的合成法を鋭意研究した結
果、アセトニトリルから調製するカルバニオンの発生剤
としてリチウム化合物及びマグネシウム化合物を用いる
と、出発原料の光学純度を損なうことなく、かつ収率良
く光学的に純粋な化合物(2)を製造できることを見い
出した。更に、本発明者らは、アセトニトリルとグリニ
ヤール試薬とからアセトニトリルのカルバニオンを調製
したのち、(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−
フェニルアラニンベンジルエステル誘導体(1)と反応
せしめると、中間体として生成しているケトニトリル
(2)のエノラートを水で処理して単離することなく、
続いてベンジルマグネシウムハライドあるいはベンジル
リチウムを反応させれば、一段階で、次の目的物である
(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−5−アミノ
−1,6−ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体
(6)が合成できることを見い出し、本発明を完成する
に至ったのである。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】で表される(2S)−2−N,N−ジベン
ジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセト
ニトリルとを、リチウム化合物あるいはマグネシウム化
合物の存在下にて反応させることを特徴とする、下記一
般式(2)
ジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセト
ニトリルとを、リチウム化合物あるいはマグネシウム化
合物の存在下にて反応させることを特徴とする、下記一
般式(2)
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0040
【補正方法】変更
【補正内容】
【0040】で表される(2S)−2−N,N−ジベン
ジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセト
ニトリルとを、ベンジルマグネシウムハライドあるいは
ベンジルリチウムの存在下にて反応させることを特徴と
する、下記一般式(6)
ジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセト
ニトリルとを、ベンジルマグネシウムハライドあるいは
ベンジルリチウムの存在下にて反応させることを特徴と
する、下記一般式(6)
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0045
【補正方法】変更
【補正内容】
【0045】マグネシウム化合物をアセトニトリルのカ
ルバニオン発生剤として用いる場合の代表的な例として
は、以下のとおりである。すなわち、(2S)−2−
N,N−ジベンジルアミノ−フェニルアラニンエステル
誘導体(1)とアセトニトリルとをテトラヒドロフラン
に溶かし、この溶液を別に調製した有機マグネシウム試
薬のテトラヒドロフラン溶液の中に0℃〜25℃で滴下
する。又は、逆に、(2S)−2−N,N−ジベンジル
アミノ−フェニルアラニンエステル誘導体のアセトニト
リルとテトラヒドロフラン溶液に有機マグネシウム試薬
のテトラヒドロフラン溶液を0℃〜25℃で滴下するこ
ともできる。滴下終了後、更に室温で1〜5時間撹拌し
た後、クエン酸水溶液に注ぎ込み、トルエンとヘプタン
の2対1の混合溶媒を用いて抽出し、有機層をメタノー
ル水及び水で洗浄する。洗浄液を濃縮し、目的物のケト
ニトリル誘導体(2)を得る。
ルバニオン発生剤として用いる場合の代表的な例として
は、以下のとおりである。すなわち、(2S)−2−
N,N−ジベンジルアミノ−フェニルアラニンエステル
誘導体(1)とアセトニトリルとをテトラヒドロフラン
に溶かし、この溶液を別に調製した有機マグネシウム試
薬のテトラヒドロフラン溶液の中に0℃〜25℃で滴下
する。又は、逆に、(2S)−2−N,N−ジベンジル
アミノ−フェニルアラニンエステル誘導体のアセトニト
リルとテトラヒドロフラン溶液に有機マグネシウム試薬
のテトラヒドロフラン溶液を0℃〜25℃で滴下するこ
ともできる。滴下終了後、更に室温で1〜5時間撹拌し
た後、クエン酸水溶液に注ぎ込み、トルエンとヘプタン
の2対1の混合溶媒を用いて抽出し、有機層をメタノー
ル水及び水で洗浄する。洗浄液を濃縮し、目的物のケト
ニトリル誘導体(2)を得る。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0052
【補正方法】変更
【補正内容】
【0052】で表される有機マグネシウム化合物であ
り、その代表的なものを例示すると、メチルマグネシウ
ムブロミド、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグ
ネシウムヨージド、エチルマグネシウムブロミド、エチ
ルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムヨージ
ド、ビニルマグネシウムクロリド、ビニルマグネシウム
ブロミド、ブチルマグネシウムブロミド、t−ブチルマ
グネシウムクロリド、ヘキシルマグネシウムブロミド、
プロピルマグネシウムブロミド、プロピルマグネシウム
クロリド、シクロヘキシルマグネシウムクロリド、シク
ロヘキシルマグネシウムブロミド、シクロペンチルマグ
ネシウムブロミド、シクロペンチルマグネシウムクロリ
ド、フェニルマグネシウムブロミド、フェニルマグネシ
ウムクロリド、ベンジルマグネシウムクロリド、ベンジ
ルマグネシウムブロミドを挙げることができる。
り、その代表的なものを例示すると、メチルマグネシウ
ムブロミド、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグ
ネシウムヨージド、エチルマグネシウムブロミド、エチ
ルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムヨージ
ド、ビニルマグネシウムクロリド、ビニルマグネシウム
ブロミド、ブチルマグネシウムブロミド、t−ブチルマ
グネシウムクロリド、ヘキシルマグネシウムブロミド、
プロピルマグネシウムブロミド、プロピルマグネシウム
クロリド、シクロヘキシルマグネシウムクロリド、シク
ロヘキシルマグネシウムブロミド、シクロペンチルマグ
ネシウムブロミド、シクロペンチルマグネシウムクロリ
ド、フェニルマグネシウムブロミド、フェニルマグネシ
ウムクロリド、ベンジルマグネシウムクロリド、ベンジ
ルマグネシウムブロミドを挙げることができる。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0063
【補正方法】変更
【補正内容】
【0063】さらに、本発明は、(4S)−4−N,N
−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペン
タンニトリル誘導体(2)からベンジルマグネシウムハ
ライドの存在下にて(2S)−2−N,N−ジベンジル
アミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキセ
ン−3−オン誘導体(6)を製造する方法、並びに、
(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルア
ラニンエステル誘導体(1)とアセトニトリルとを、ベ
ンジルマグネシウムハライドあるいはベンジルリチウム
の存在下にて反応させて、(2S)−2−N,N−ジベ
ンジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−
ヘキセン−3−オン誘導体(6)を製造する方法をも提
供する。
−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペン
タンニトリル誘導体(2)からベンジルマグネシウムハ
ライドの存在下にて(2S)−2−N,N−ジベンジル
アミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘキセ
ン−3−オン誘導体(6)を製造する方法、並びに、
(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルア
ラニンエステル誘導体(1)とアセトニトリルとを、ベ
ンジルマグネシウムハライドあるいはベンジルリチウム
の存在下にて反応させて、(2S)−2−N,N−ジベ
ンジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−
ヘキセン−3−オン誘導体(6)を製造する方法をも提
供する。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0064
【補正方法】変更
【補正内容】
【0064】特に、有機マグネシウムのなかでもグリニ
ヤール試薬をカルバニオン発生剤に用いる場合は、アセ
トニトリルとグリニヤール試薬からアセトニトリルのカ
ルバニオンを調製したのち、(2S)−2−N,N−ジ
ベンジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体
(1)と反応せしめると、ケトニトリル(2)のエノラ
ートが中間体として生成しているから、これを水で処理
して単離することなく、続いてベンジルマグネシウムハ
ライドあるいはベンジルリチウムを反応させることによ
って、次の目的物である(2S)−2,5−ジアミノ−
1,6−ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体
(6)が、一段階で合成できる長所がある。
ヤール試薬をカルバニオン発生剤に用いる場合は、アセ
トニトリルとグリニヤール試薬からアセトニトリルのカ
ルバニオンを調製したのち、(2S)−2−N,N−ジ
ベンジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体
(1)と反応せしめると、ケトニトリル(2)のエノラ
ートが中間体として生成しているから、これを水で処理
して単離することなく、続いてベンジルマグネシウムハ
ライドあるいはベンジルリチウムを反応させることによ
って、次の目的物である(2S)−2,5−ジアミノ−
1,6−ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体
(6)が、一段階で合成できる長所がある。
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0069
【補正方法】変更
【補正内容】
【0069】
【比較例1】ナトリウムアミド(80.2g、2.06
mol)をトルエン(1020ml)に懸濁し、これに
7℃〜−20℃で(2S)−2−N,N−ジベンジルア
ミノ−フェニルアラニンベンジルエステル(340g、
781mmol)とアセトニトリル(42.7g、1.
04mol)のトルエン(550ml)溶液を1時間で
滴下した。これを15〜25℃で6時間攪拌した後、反
応液を4N−塩酸の40%メタノール水(1000m
l)に注いだ。有機層を30%メタノール水(2250
ml)で2回、水(1500ml)で2回、30%テト
ラヒドロフラン水で1回洗浄した。この時点での生成物
(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニ
ル−3−オキソ−ペンタンニトリルの光学純度は95.
6%e.e.であったが、このものを室温で一晩放置し
た後の光学純度は93.18%e.e.となった。更
に、この溶液を減圧下に40〜50℃で濃縮したところ
光学純度は更に低下して74.1%e.e.となった。
mol)をトルエン(1020ml)に懸濁し、これに
7℃〜−20℃で(2S)−2−N,N−ジベンジルア
ミノ−フェニルアラニンベンジルエステル(340g、
781mmol)とアセトニトリル(42.7g、1.
04mol)のトルエン(550ml)溶液を1時間で
滴下した。これを15〜25℃で6時間攪拌した後、反
応液を4N−塩酸の40%メタノール水(1000m
l)に注いだ。有機層を30%メタノール水(2250
ml)で2回、水(1500ml)で2回、30%テト
ラヒドロフラン水で1回洗浄した。この時点での生成物
(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニ
ル−3−オキソ−ペンタンニトリルの光学純度は95.
6%e.e.であったが、このものを室温で一晩放置し
た後の光学純度は93.18%e.e.となった。更
に、この溶液を減圧下に40〜50℃で濃縮したところ
光学純度は更に低下して74.1%e.e.となった。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0070
【補正方法】変更
【補正内容】
【0070】
【比較例2】ナトリウムアミド(6.94g、178m
mol)のテトラヒドロフラン(20ml)懸濁液に、
(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルア
ラニンベンジルエステル(29.8g、68.4mmo
l)とアセトニトリル(3.65g、89.0mmo
l)の混合液をを0℃以下で滴下した。滴下後0℃以下
で2時間攪拌し、反応液を4N−硫酸(100ml)に
注いで中和し、これをトルエン対ヘプタン(150ml
対75ml)にて抽出し、40%メタノール水溶液、水
にて洗浄した。この段階で、ケトニトリルの光学純度は
は99.0e.e.%であった。このものを30℃にて
90時間放置すると94.9%e.e.にまでラセミ化
した。更に1日放置すると91.7%e.e.にラセミ
化した。
mol)のテトラヒドロフラン(20ml)懸濁液に、
(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルア
ラニンベンジルエステル(29.8g、68.4mmo
l)とアセトニトリル(3.65g、89.0mmo
l)の混合液をを0℃以下で滴下した。滴下後0℃以下
で2時間攪拌し、反応液を4N−硫酸(100ml)に
注いで中和し、これをトルエン対ヘプタン(150ml
対75ml)にて抽出し、40%メタノール水溶液、水
にて洗浄した。この段階で、ケトニトリルの光学純度は
は99.0e.e.%であった。このものを30℃にて
90時間放置すると94.9%e.e.にまでラセミ化
した。更に1日放置すると91.7%e.e.にラセミ
化した。
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0071
【補正方法】変更
【補正内容】
【0071】
【実施例1】リチウムジエチルアミド(94mmol)
のテトラヒドロフラン溶液(100ml)を10℃以下
に冷却しておき、この中に(2S)−2−N,N−ジベ
ンジルアミノ−フェニルアラニンベンジルエステル(1
8.5g、42mmol)とアセトニトリル(3.38
g、82.4mmol)のテトラヒドロフラン溶液(5
0ml)を滴下した。滴下後、9〜5℃で30分攪拌し
てから2Nの塩酸水(200ml)に注ぎ込み、トルエ
ン(300ml)で抽出した。分液の後に有機層を、水
(50ml)、5%炭酸水素ナトリウム水溶液(50m
l)、水(50ml)の順で洗浄した。この時点で生成
物の光学純度は100%e.e.であった。トルエン溶
液を60℃以下、15〜5mmHgの減圧下で7時間か
けて濃縮した。この時点での光学純度は98%e.e.
であった。このものをブタノール(20ml)で再結晶
して9.26gの(4S)−4−N,N−ジベンジルア
ミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリルを
得た。この化合物の光学純度は98%e.e.、収率は
59.3%であった。
のテトラヒドロフラン溶液(100ml)を10℃以下
に冷却しておき、この中に(2S)−2−N,N−ジベ
ンジルアミノ−フェニルアラニンベンジルエステル(1
8.5g、42mmol)とアセトニトリル(3.38
g、82.4mmol)のテトラヒドロフラン溶液(5
0ml)を滴下した。滴下後、9〜5℃で30分攪拌し
てから2Nの塩酸水(200ml)に注ぎ込み、トルエ
ン(300ml)で抽出した。分液の後に有機層を、水
(50ml)、5%炭酸水素ナトリウム水溶液(50m
l)、水(50ml)の順で洗浄した。この時点で生成
物の光学純度は100%e.e.であった。トルエン溶
液を60℃以下、15〜5mmHgの減圧下で7時間か
けて濃縮した。この時点での光学純度は98%e.e.
であった。このものをブタノール(20ml)で再結晶
して9.26gの(4S)−4−N,N−ジベンジルア
ミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリルを
得た。この化合物の光学純度は98%e.e.、収率は
59.3%であった。
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0072
【補正方法】変更
【補正内容】
【0072】
【実施例2】リチウム(18.8g、2.68mo
l)、ジエチルアミン(794g、10.87mo
l)、ミルセン(純度78%、正味364g、2.67
mol)から調製したリチウムジエチルアミドを(2
S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルアラニ
ンベンジルエステル(500g、1.15mol)とア
セトニトリル(61.3g、1.49mol)のトルエ
ン(1670ml)−ヘプタン(833ml)の混合液
に、10℃以下で滴下した。滴下後30分攪拌し、4N
−硫酸水溶液(3300ml)に注ぎ込んだ。トルエン
層は40%メタノール(2500ml)で2回、水(2
000ml)で1回洗浄した後、ブタノール(1100
ml)で再結晶し、341gの目的物(4S)−4−
N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ
−ペンタンニトリルを得た。収率は80.2%であっ
た。なお、このものの光学純度は100%e.e.であ
った。
l)、ジエチルアミン(794g、10.87mo
l)、ミルセン(純度78%、正味364g、2.67
mol)から調製したリチウムジエチルアミドを(2
S)−2−N,N−ジベンジルアミノ−フェニルアラニ
ンベンジルエステル(500g、1.15mol)とア
セトニトリル(61.3g、1.49mol)のトルエ
ン(1670ml)−ヘプタン(833ml)の混合液
に、10℃以下で滴下した。滴下後30分攪拌し、4N
−硫酸水溶液(3300ml)に注ぎ込んだ。トルエン
層は40%メタノール(2500ml)で2回、水(2
000ml)で1回洗浄した後、ブタノール(1100
ml)で再結晶し、341gの目的物(4S)−4−
N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ
−ペンタンニトリルを得た。収率は80.2%であっ
た。なお、このものの光学純度は100%e.e.であ
った。
【手続補正15】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0073
【補正方法】変更
【補正内容】
【0073】
【実施例3】(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ
−フェニルアラニンベンジルエステル(50g、115
mmol)とアセトニトリル(6.12g、149mo
l)のテトラヒドロフラン溶液(32ml)を、0℃に
てtert−ブチルマグネシウムクロリド(420mm
ol)のテトラヒドロフラン溶液(150ml)中に滴
下した。滴下後室温に戻して、更に3時間攪拌し、反応
液を11%クエン酸水溶液に注いだ。有機層をトルエン
(400ml)/ヘプタン(200ml)にて抽出し、
分液後、有機層を40%メタノール水溶液で2回、更
に、水(200ml)で2回洗浄し、濃縮した。この時
点の生成物の光学純度は100%e.e.であった。濃
縮物をブタノール(100ml)から再結晶して37.
7gの目的物(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ
−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリルを得
た。この化合物の光学純度は100%e.e.、収率は
88.9%であった。
−フェニルアラニンベンジルエステル(50g、115
mmol)とアセトニトリル(6.12g、149mo
l)のテトラヒドロフラン溶液(32ml)を、0℃に
てtert−ブチルマグネシウムクロリド(420mm
ol)のテトラヒドロフラン溶液(150ml)中に滴
下した。滴下後室温に戻して、更に3時間攪拌し、反応
液を11%クエン酸水溶液に注いだ。有機層をトルエン
(400ml)/ヘプタン(200ml)にて抽出し、
分液後、有機層を40%メタノール水溶液で2回、更
に、水(200ml)で2回洗浄し、濃縮した。この時
点の生成物の光学純度は100%e.e.であった。濃
縮物をブタノール(100ml)から再結晶して37.
7gの目的物(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ
−5−フェニル−3−オキソ−ペンタンニトリルを得
た。この化合物の光学純度は100%e.e.、収率は
88.9%であった。
【手続補正16】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0074
【補正方法】変更
【補正内容】
【0074】
【実施例4】(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ
−フェニルアラニンベンジルエステル(16g、36.
7mmol)とアセトニトリル(1.96g、47.8
mmol)のテトラヒドロフラン溶液(32ml)を、
−10℃以下で、ベンジルマグネシウムクロリド(16
1.7mmol)のテトラヒドロフラン溶液(100m
l)に滴下した。これを−15℃で1.5時間攪拌し、
8%クエン酸水溶液(336g)に注いで、トルエン
(400ml)とヘプタン(200ml)で抽出し、有
機層を20%メタノール水溶液(100ml)で2回、
水(100ml)で2回洗浄後、濃縮した。この時点の
生成物の光学純度は100%e.e.であった。濃縮物
をブタノール(43ml)で再結晶することにより(1
0.7g)の目的物(4S)−4−N,N−ジベンジル
アミノ−5−フェニル−3−オクソペンタンニトリルを
得た。この化合物の光学純度は100%e.e.、収率
は79.1%であった。
−フェニルアラニンベンジルエステル(16g、36.
7mmol)とアセトニトリル(1.96g、47.8
mmol)のテトラヒドロフラン溶液(32ml)を、
−10℃以下で、ベンジルマグネシウムクロリド(16
1.7mmol)のテトラヒドロフラン溶液(100m
l)に滴下した。これを−15℃で1.5時間攪拌し、
8%クエン酸水溶液(336g)に注いで、トルエン
(400ml)とヘプタン(200ml)で抽出し、有
機層を20%メタノール水溶液(100ml)で2回、
水(100ml)で2回洗浄後、濃縮した。この時点の
生成物の光学純度は100%e.e.であった。濃縮物
をブタノール(43ml)で再結晶することにより(1
0.7g)の目的物(4S)−4−N,N−ジベンジル
アミノ−5−フェニル−3−オクソペンタンニトリルを
得た。この化合物の光学純度は100%e.e.、収率
は79.1%であった。
【手続補正17】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0075
【補正方法】変更
【補正内容】
【0075】
【実施例5】(2S)−2−N,N−ジベンジルアミノ
−フェニルアラニンベンジルエステル(50g、115
mmol)とアセトニトリル(4.95g、121mm
ol)のテトラヒドロフラン溶液(100ml)をベン
ジルマグネシウムクロリド(917mmol)のテトラ
ヒドロフラン溶液(300ml)の中に−10℃〜−1
5℃で滴下した。同温度で2.5時間攪拌した後、更に
5℃で15時間攪拌した。テトラヒドロフランを減圧下
に回収した後、トルエン(250ml)を加えて、22
%クエン酸水溶液に注いだ。水(250ml)で3回洗
浄後、有機層を濃縮し、エタノール(165ml)から
再結晶して34gの目的物(2S)−2−N,N−ジベ
ンジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−
ヘキセン−3−オンを得た。この化合物の光学純度は1
00%e.e.、収率は58%であった。
−フェニルアラニンベンジルエステル(50g、115
mmol)とアセトニトリル(4.95g、121mm
ol)のテトラヒドロフラン溶液(100ml)をベン
ジルマグネシウムクロリド(917mmol)のテトラ
ヒドロフラン溶液(300ml)の中に−10℃〜−1
5℃で滴下した。同温度で2.5時間攪拌した後、更に
5℃で15時間攪拌した。テトラヒドロフランを減圧下
に回収した後、トルエン(250ml)を加えて、22
%クエン酸水溶液に注いだ。水(250ml)で3回洗
浄後、有機層を濃縮し、エタノール(165ml)から
再結晶して34gの目的物(2S)−2−N,N−ジベ
ンジルアミノ−5−アミノ−1,6−ジフェニル−4−
ヘキセン−3−オンを得た。この化合物の光学純度は1
00%e.e.、収率は58%であった。
【手続補正18】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0077
【補正方法】変更
【補正内容】
【0077】また、有機マグネシウムのなかでもグリニ
ヤール試薬をカルバニオン発生剤に用いる場合は、アセ
トニトリルとグリニヤール試薬からアセトニトリルのカ
ルバニオンを調製したのち、(2S)−2−N,N−ジ
ベンジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体
(1)と反応せしめると、中間体として生成しているケ
トニトリル(2)のエノラートを水で処理して単離する
ことなく、続いてベンジルマグネシウムハライドあるい
はベンジルリチウムを反応させることによって、(2
S)−2,5−ジアミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘ
キセン−3−オン誘導体(6)を、一段階で製造するこ
とができる。
ヤール試薬をカルバニオン発生剤に用いる場合は、アセ
トニトリルとグリニヤール試薬からアセトニトリルのカ
ルバニオンを調製したのち、(2S)−2−N,N−ジ
ベンジルアミノ−フェニルアラニンエステル誘導体
(1)と反応せしめると、中間体として生成しているケ
トニトリル(2)のエノラートを水で処理して単離する
ことなく、続いてベンジルマグネシウムハライドあるい
はベンジルリチウムを反応させることによって、(2
S)−2,5−ジアミノ−1,6−ジフェニル−4−ヘ
キセン−3−オン誘導体(6)を、一段階で製造するこ
とができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // C07M 7:00 (72)発明者 竹沢 敏之 静岡県磐田郡豊田町海老塚1 高砂香料工 業株式会社磐田工場内 (72)発明者 渡辺 誠司 静岡県磐田郡豊田町海老塚1 高砂香料工 業株式会社磐田工場内
Claims (5)
- 【請求項1】 下記一般式(1) 【化1】 (式中、R1 は低級アルキル基、ベンジル基、Bnはベ
ンジル基、Phはフェニル基、*印は不斉炭素原子を意
味する。)で表される(2S)−N,N−ジベンジルア
ミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセトニトリ
ルとを、リチウム化合物あるいはマグネシウム化合物の
存在下にて反応させることを特徴とする、下記一般式
(2) 【化2】 (式中、Bnはベンジル基、Phはフェニル基、また*
印は不斉炭素原子を意味する。)で表される(4S)−
4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オ
キソ−ペンタンニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項2】 リチウム化合物が、下記一般式(3) 【化3】 (式中、R2 、R3 は同じでも異なっていてもよく、水
素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、フェニル
基、ベンジル基から選ばれたものである。但し、R2 と
R3 の両方が共に水素原子ではなく、また、両者が窒素
原子と共に5員環あるいは6員環を形成してもよい。)
で表される有機リチウム化合物である請求項1記載の
(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニ
ル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項3】 マグネシウム化合物が、下記一般式
(4) 【化4】 (式中、Xはハロゲン原子を意味し、R4 は低級アルキ
ル基、アラルキル基、フェニル基、ビニル基から選ばれ
たものである。)で表される有機マグネシウム化合物、
あるいは下記一般式(5) 【化5】 (式中、Xはハロゲン原子を意味し、R5 、R6 は同一
でも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、
低級アルケニル基、フェニル基、ベンジル基から選ばれ
たものであり、但し、R5 とR6 の両方が共に水素原子
ではなく、また、両者が窒素原子と共に5員環あるいは
6員環を形成してもよい。)で表される有機マグネシウ
ム化合物である請求項1記載の(4S)−4−N,N−
ジベンジルアミノ−5−フェニル−3−オキソ−ペンタ
ンニトリル誘導体の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1記載の製造方法により得られた
(4S)−4−N,N−ジベンジルアミノ−5−フェニ
ル−3−オキソ−ペンタンニトリル誘導体を含有する反
応液に、ベンジルマグネシウムハライドあるいはベンジ
ルリチウムを加え、上記誘導体と上記ベンジルマグネシ
ウムハライドあるいはベンジルリチウムとを反応させる
ことを特徴とする下記一般式(6) 【化6】 (式中、Bnはベンジル基、Phはフェニル基、また*
印は不斉炭素原子を意味する。)で表される(2S)−
2−N,N−ジベンジルアミノ−5−アミノ−1,6−
ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体の製造方
法。 - 【請求項5】 下記一般式(1) 【化7】 (式中、R1 は低級アルキル基、ベンジル基、Bnはベ
ンジル基、Phはフェニル基、*印は不斉炭素原子を意
味する。)で表される(2S)−N,N−ジベンジルア
ミノ−フェニルアラニンエステル誘導体とアセトニトリ
ルとを、ベンジルマグネシウムハライドあるいはベンジ
ルリチウムの存在下にて反応させることを特徴とする、
下記一般式(6) 【化8】 (式中、Bnはベンジル基、Phはフェニル基、また*
印は不斉炭素原子を意味する。)で表される(2S)−
2−N,N−ジベンジルアミノ−5−アミノ−1,6−
ジフェニル−4−ヘキセン−3−オン誘導体の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06354995A JP3338227B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | ケトニトリル誘導体及びヘキセノン誘導体の製造方法 |
| DE69613256T DE69613256T2 (de) | 1995-02-28 | 1996-01-22 | Verfahren zur Herstellung von Ketonitril-Derivaten und Hexenon-Derivaten |
| EP96300403A EP0729941B1 (en) | 1995-02-28 | 1996-01-22 | Process for producing keto nitrile derivative and hexenone derivative |
| US08/590,177 US5688985A (en) | 1995-02-28 | 1996-01-23 | Process for producing keto nitrile derivative |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06354995A JP3338227B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | ケトニトリル誘導体及びヘキセノン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08295662A true JPH08295662A (ja) | 1996-11-12 |
| JP3338227B2 JP3338227B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=13232430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06354995A Expired - Fee Related JP3338227B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | ケトニトリル誘導体及びヘキセノン誘導体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5688985A (ja) |
| EP (1) | EP0729941B1 (ja) |
| JP (1) | JP3338227B2 (ja) |
| DE (1) | DE69613256T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932766A (en) * | 1997-05-30 | 1999-08-03 | Abbott Laboratories | Process for the preparation of substituted keto-enamines |
| US8316660B2 (en) * | 2005-11-16 | 2012-11-27 | Technologies Holdings Corp. | Defrost bypass dehumidifier |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IE20010533A1 (en) * | 1990-11-20 | 2003-03-05 | Abbott Lab | Intermediates for preparing retroviral protease inhibiting compounds |
| US5491253A (en) | 1993-10-22 | 1996-02-13 | Abbott Laboratories | Process for the preparation of a substituted 2,5-diamino-3-hydroxyhexane |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP06354995A patent/JP3338227B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-01-22 DE DE69613256T patent/DE69613256T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-01-22 EP EP96300403A patent/EP0729941B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-01-23 US US08/590,177 patent/US5688985A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69613256D1 (de) | 2001-07-19 |
| DE69613256T2 (de) | 2001-11-15 |
| EP0729941A1 (en) | 1996-09-04 |
| EP0729941B1 (en) | 2001-06-13 |
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| US5688985A (en) | 1997-11-18 |
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