JPH0641444B2 - 光学活性スレオニンの製造法 - Google Patents

光学活性スレオニンの製造法

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JPH0641444B2
JPH0641444B2 JP62324399A JP32439987A JPH0641444B2 JP H0641444 B2 JPH0641444 B2 JP H0641444B2 JP 62324399 A JP62324399 A JP 62324399A JP 32439987 A JP32439987 A JP 32439987A JP H0641444 B2 JPH0641444 B2 JP H0641444B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、２−Ｎ−アシルアミノ−アセト酢酸エステル
類を、触媒としてルテニウム−光学活性ホスフイン錯体
を用いて不斉水素化し、次いでこれを加水分解すること
により、不可欠アミノ酸として重要な、且つ、医薬品の
中間体として用いられる光学活性スレオニンを製造する
方法に関するものであつて、使用するルテニウム−光学
活性ホスフイン錯体の配位子の絶対配置を選択すること
により、天然型スレオニン、非天然型スレオニンをつく
り分けることができるものである。
〔従来の技術〕
光学活性スレオニンの製造方法としては、従来から数多
く知られているが、その代表的な例を挙げると、まず、
ラセミ体のＤＬ−スレオニンを合成し、これを酵素を用
いて光学分割し、不要部はラセミ化して再使用する方法
が知られている （Fodorら；J.Biol.Chem.,178，503(1949)）。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のスレオニン合成に於いて問題となる点は、第一
に、スレオ体だけを選択的に合成することは難しく、普
通はスレオ／エリスロ＝８／２となること及びスレオ
体、エリスロ体の各々に光学異性体（対掌体）が存在す
るために各々を純粋に作る場合の手段としては、ラセミ
体の光学分割法によらなければならないことである。そ
してこのことから分離精製工程、不要部のラセミ化工程
等が必要となり、スレオニンの製造価格が高くなるとい
う問題点があつた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らは、このような問題点を解決し、工業界の要
請に答えるべく研究を重ねた結果、ルテニウム−光学活
性ホスフイン錯体を触媒とし、２−Ｎ−アシルアミノ−
アセト酢酸エステル類を水素化することにより光学活性
なＮ−アシルスレオニン類を選択的に、且つ高収率で合
成できることを見出した。また、この方法によれば、ル
テニウム−光学活性ホスフイン錯体の配位子の絶対配置
を選択することで、天然型スレオニン、または非天然型
スレオニンのどちらでも自由に合成することができるこ
とを見出した。
本発明は、これらの知見に基き完成されたものであり、
次の一般式(I) （式中、R1は低級アルキル基、低級アルキル基若しくは
低級アルコキシ基で置換してもよいフエニル基、または
低級アルキル基若しくは低級アルコキシ基で置換しても
よいベンジル基を、R2は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、低級アルキル基若しくは低級アルコキ
シ基で置換してもよいフエニル基、または低級アルキル
基若しくは低級アルコキシ基で置換してもよいベンジル
オキシ基を示す） で表わされる２−Ｎ−アシルアミノ−アセト酢酸エステ
ル類を、後記の一般式（III）、（Ｖ）、（VI）又は（V
II）で表わされるルテニウム−光学活性ホスフイン錯体
を触媒として不斉水素化を行い、次の一般式(II) （式中、R1及びR2は上記と同じ意義を有する） で表わされる光学活性スレオニン誘導体を得、ついでこ
れを加水分解することを特徴とする光学活性スレオニン
の製造法である。
本発明方法の原料である２−Ｎ−アシルアミノ−アセト
酢酸エステル類は、例えばShulginら；J.Am.Chem.So
c.，74，2427(1952)，Attenburrowら；J.Chem.Soc.，31
0(1948)に記載の方法により得ることが出来る。２−Ｎ
−アシルアミノ−アセト酢酸エステル類としては、たと
えば、２−Ｎ−アセトアミド−アセト酢酸メチルエステ
ル、２−Ｎ−アセトアミド−アセト酸酸エチルエステ
ル、２−Ｎ−アセトアミド−アセト酢酸ｎ−ブチルエス
テル、２−Ｎ−アセトアミド−アセト酢酸ｔ−ブチルエ
ステル、２−Ｎ−アセトアミド−アセト酢酸ベンジルエ
ステル、２−Ｎ−アセトアミド−アセト酢酸ｐ−メトキ
シベンジルエステル、２−Ｎ−アセトアミド−アセト酢
酸ｐ−メチルベンジルエステル、２−Ｎ−ベンズアミド
−アセト酢酸メチルエステル、２−Ｎ−ベンズアミド−
アセト酢酸エチルエステル、２−Ｎ−ベンズアミド−ア
セト酢酸ベンジルエステル、２−Ｎ−ベンジルオキシカ
ルボニルアミド−アセト酢酸エチルエステル、２−Ｎ−
エトキシカルボニルアミド−アセト酢酸メチルエステ
ル、２−Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルアミド−アセト酢
酸エチルエステル、２−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル
アミド−アセト酢酸ベンジルエステル、２−Ｎ−ホルム
アミド−アセト酢酸メチルエステル、２−Ｎ−ホルムア
ミド−アセト酢酸ベンジルエステル、２−Ｎ−ホルムア
ミド−アセト酢酸ｔ−ブチルエステル等が使用できる
が、これらに限られるものではない。
本発明に用いられる触媒のルテニウム−光学活性ホスフ
ィン錯体は、次の一般式（III）、（Ｖ）、（VI）また
は（VII）で表わされるものである。
RuxHyclz(R3-BINAP)2(S)p (III) （式中、R3−BINAPは式(IV) で表わされる三級ホスフインを示し、R3は水素、メチル
基またはｔ−ブチル基を示し、Ｓは三級アミンを示し、
ｙが０のときｘは２、ｚは４、ｐは１を示し、ｙが１の
ときｘは１、ｚは１、ｐは０を示す） 〔RuHu(R3-BINAP)v〕Yw (V) （式中、R3−BINAPは上記と同じ意義を有し、ＹはCl
O4、BF4又はPF6を示し、ｕが０のときｖは１、ｗは２を
示し、ｕが１のときｖは２、ｗは１を示す） （式中、R3−BINAPは上記と同じ意義を有し、R4は低級
アルキル基またはトリフロロメチル基を示す） 〔Ru(R3-BINAP)MClk〕lXm (VII) （式中、R3−BINAPは上記と同じ意義を有し、ＭはZn、A
l、TiまたはSnを意味し、Ｘは N(C2H5)3またはCH3CO2を意味し、ＸがN(C2H5)3の場合、
ｌが２、ｍが１であり、かつＭがZnのときはｋが４、Al
のときはｋが５、TiまたはSnのときはｋが６であり、Ｘ
がCH3CO2の場合、ｌが１、ｍが２であり、かつＭがZnの
ときはｋが２、Alのときはｋが３、TiまたはSnのときは
ｋが４である） 式(III)のルテニウム−光学活性ホスフイン錯体は、T.I
kariyaら；J.Chem.Soc.，Chem.Commun.，（1985）ｐ．9
22−924及び特開昭６１−63690号で開示されている方法
により得ることができる。すなわち、ｙ＝０の場合の式
(III)の錯体は、ルテニウムクロライドとシクロオクタ
−１，５−ジエン（以下、ＣＯＤと略す）をエタノール
溶液中で反応させることにより得られる〔RuCl2（CO
D）〕ｎ１モルと、２，２′−ビス（ジ−ｐ−R3−フエ
ニルホスフイノ）−１，１′−ビナフチル（R3−BINA
P）1.2モルをトリエチルアミンのごとき三級アミン４モ
ルの存在下、トルエンまたはエタノール等の溶媒中で加
熱反応させることにより得られる。ｙ＝１の場合の化合
物は、〔RuCl2（COD）〕ｎ１モル、R3−BINAP2.25モル
及び三級アミン4.5モルを反応させることにより得られ
る。
式(V)のルテニウム−光学活性ホスフイン錯体のうち、
ｕが０、ｖが１、ｗが２の場合の錯体も上記の方法によ
り得られたRu2Cl4(R3-BINAP)2（NEt3）（Etはエチル基
を示す）を原料として製造することができる。すなわ
ち、このものと次式(VIII) MY (VIII) （式中、ＭはNa、Ｋ、Li、Mg、Agの金属を示し、Ｙは前
記と同様の意義を有する） で表わされる塩とを、溶媒として水と塩化メチレンを用
いて、次式(IX) R5R6R7R8AB (IX) 式中、R5、R6、R7及びR8は炭素数１〜１６のアルキル
基、フエニル基またはベンジル基を意味し、Ａは窒素原
子またはリン原子を意味し、Ｂはハロゲン原子を意味す
る） で表わされる四級アンモニウム塩または四級ホスホニウ
ム塩を相間移動触媒として使用し、反応せしめてルテニ
ウム−ホスフイン錯体を得る。
Ru2Cl4(R3-BINAP)2(NEt3)と塩(VIII)との反応は、水と
塩化メチレンの混合溶媒中に両者と相間移動触媒(IX)を
加えて撹拌して行わしめる。塩(VIII)及び相間移動触媒
(IX)の量は、ルテニウムに対してそれぞれ２〜１０倍モ
ル（好ましくは５倍モル）、１／100〜１／１０倍モル
である。反応は５〜３０℃の温度で６〜１８時間、通常
は１２時間の撹拌で充分である。相間移動触媒(IX)とし
ては、文献〔例えば、W.P.Weber、G.W.Gokel共著、田伏
岩夫、西谷孝子共訳「相間移動触媒」（株）化学同人
（１９７８−９−５）第１版〕に記載されているものが
用いられる。反応終了後、反応物を静置し、分液操作を
行い、水層を除き、塩化メチレン溶液を水洗した後、減
圧下、塩化メチレンを留去し目的物を得る。
式(V)の錯体のうち、ｕが１、ｖが２、ｗが１に相当す
る錯体を製造する場合は、RuHCl(R3-BINAP)2を原料とし
て、これと塩(VIII)とを相間移動触媒(IX)の存在下に塩
化メチレン等と水の混合溶媒中で反応せしめればよい。
塩(VIII)と相間移動触媒(IX)の量は、ルテニウムに対し
てそれぞれ２〜１０倍モル（好ましくは５倍モル）、１
／100〜１／１０倍モルである。反応は、５〜３０℃の
温度で６〜１８時間、通常は１２時間の撹拌で充分であ
る。
式(VI)のルテニウム−光学活性ホスフイン錯体は、Ru2C
l4(R3-BINAP)2(NEt3)を原料とし、これとカルボン酸塩
をメタノール、エタノール、ｔ−ブタノール等のアルコ
ール溶媒中で、約２０〜１１０℃の温度で３〜１５時間
反応させた後、溶媒を留去して、エーテル、エタノール
等の溶媒で目的の錯体を抽出した後、乾固すれば粗製の
錯体が得られる。更に酢酸エチル等で再結晶して精製品
を得ることができる。アシルオキシ基は、用いるカルボ
ン酸の種類を変えることにより所望のものを得ることが
出来る。上記の錯体を原料とし、酢酸ソーダを用いた場
合は、Ru(R3-BINAP)(OCOCH3)2を得る。また、トリフロ
ロ酢酸基を有する錯体を製造する場合は、上記の如くし
て得たジアセテート錯体にトリフロロ酢酸を塩化メチレ
ンを溶媒として約２５℃で約１２時間反応せしめて得る
ことが出来る。
式(VII)のルテニウム−光学活性ホスフイン錯体は、Ru2
Cl4(R3-BINAP)2(NEt3)あるいはRu(R3-BINAP)(OCOCH3)2
を原料として製造することができる。すなわち、Ru2Cl4
(R3-BINAP)2(NEt3)と、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、
四塩化チタン、四塩化スズのうちより選ばれたルイス酸
の１種とを、塩化メチレンのごとき溶媒中で、１０〜２
５℃の温度で２〜２０時間反応せしめた後、溶媒を留去
し、乾固すれば目的のルテニウム−ホスフイン錯体が得
られる。また、Ru(R3-BINAP)(OCOCH3)2と、上記のルイ
ス酸の１種を、塩化メチレンのごとき溶媒中で、１０〜
２５℃の温度で２〜２０時間反応せしめた後、溶媒を留
去し、乾固することによつても目的のルテニウム−ホス
フイン錯体が得られる。
以上の製造法において、光学活性なＲ３−BINAPを使用
することにより、これに対応する光学活性な性質を有す
るルテニウム−ホスフイン錯体を得ることが出来る。
以上のルテニウム−光学活性ホスフイン錯体の例として
次のものが挙げられる。
Ru2Cl4(BINAP)2(NEt3) 〔BINAPは、２，２′−ビス（ジフエニルホスフイノ）
−１，１′−ビナフチルをいう〕 Ru2Cl4(T-BINAP)2(NEt3) 〔T-BINAPは、２，２′−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフ
イノ）−１，１′−ビナフチルをいう〕 Ru2Cl4(t-Bu-BINAP)2(NEt3) 〔t-Bu-BINAPは、２，２′−ビス（ジ−ｐ−ターシヤリ
ーブチルフエニルホスフイノ）−１，１′−ビナフチル
をいう〕 RuHCl(BINAP)2 RuHCl(T-BINAP)2 RuHCl(t-Bu-BINAP)2 〔Ru(BINAP)〕(ClO4)2 〔Ru(T-BINAP)〕(ClO4)2 〔Ru(t-Bu-BINAP)〕(ClO4)2 〔Ru(BINAP)〕(BF4)2 〔Ru(T-BINAP)〕(BF4)2 〔Ru(t-Bu-BINAP)〕(BF4)2 〔Ru(BINAP)〕(PF6)2 〔Ru(T-BINAP)〕(PF6)2 〔RuH(BINAP)2〕ClO4 〔RuH(T-BINAP)2〕ClO4 〔RuH(BINAP)2〕BF4 〔RuH(T-BINAP)2〕BF4 〔RuH(BINAP)2〕PF6 〔RuH(T-BINAP)2〕PF6 Ru(BINAP)(OCOCH3)2 Ru(BINAP)(OCOCF3)2 Ru(T-BINAP)(OCOCH3)2 Ru(BINAP)(OCO-t-Bu)2 （t-Buは、ターシヤリーブチルをいう） Ru(T-BINAP)(OCOCF3)2 Ru(t-Bu-BINAP)(OCOCH3)2 〔Ru(BINAP)ZnCl4〕2(NEt3) 〔Ru(BINAP)AlCl5〕2(NEt3) 〔Ru(BINAP)SnCl6〕2(NEt3) 〔Ru(BINAP)TiCl6〕2(NEt3) 〔Ru(T-BINAP)ZnCl4〕2(NEt3) 〔Ru(T-BINAP)AlCl5〕2(NEt3) 〔Ru(T-BINAP)SnCl6〕2(NEt3) 〔Ru(T-BINAP)TiCl6〕2(NEt3) 〔Ru(BINAP)ZnCl2〕(OCOCH3)2 〔Ru(BINAP)AlCl3〕(OCOCH3)2 〔Ru(BINAP)SnCl4〕(OCOCH3)2 〔Ru(BINAP)TiCl4〕(OCOCH3)2 〔Ru(T-BINAP)ZnCl2〕(OCOCH3)2 〔Ru(T-BINAP)AlCl3〕(OCOCH3)2 〔Ru(T-BINAP)SnCl4〕(OCOCH3)2 〔Ru(T-BINAP)TiCl4〕(OCOCH3)2 本発明を実施するには、先ず、窒素気流中、オートクレ
ーブに、２−Ｎ−アシルアミノ−アセト酢酸エステル類
を等量〜１０倍量のメタノール、エタノール、イソプロ
パノール等の溶媒に溶解したものを入れ、続いて基質に
対して５０分の１〜１０００分の１モルのルテニウム−
光学活性ホスフイン錯体を加える。これを水素圧力１０
〜１００kg/cm2、温度２５〜５０℃で、１５〜４８時間
反応させることによりＮ−アシル−スレオニン類を得る
ことができる。このアシル体を、常法により塩酸水中で
加水分解し、精製して目的物のスレオニンを得る。
〔実施例〕
次に参考例及び実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明
する。
参考例１ Ru2Cl((+)-BINAP)2(NEt3)（ジ〔２，２′−ビス（ジフ
エニルホスフイノ）−１，１′−ビナフチル〕テトラク
ロロ−ジルテニウムトリエチルアミン）の合成： 〔RuCl2(COD)〕ｎ１ｇ（3.56ミリモル）、(+)-BINAP2.6
6ｇ（4.27ミリモル）及びトリエチルアミン1.5ｇを１０
０mlのトルエン中に窒素雰囲気下に加える。１０時間加
熱還流させた後、溶媒を減圧下留去した。結晶を塩化メ
チレンを加えて溶解した後、セライト上でろ過し、ろ液
を濃縮乾固したところ3.7ｇの濃褐色の固体を得た。
元素分析値：C94H79Cl4NP4Ru2として 1H-NMR(CDCl3)δppm： 1.30−1.50(t,6H,NCH2CH3) 3.05−3.30(q,4H,NCH2CH3) 6.40−8.60(m,32H,Ar-H) 参考例２ 〔Ru((-)-T-BINAP)〕(ClO4)2（〔２，２′−ビス（ジ−
ｐ−トリルホスフイノ）−１，１′−ビナフチル〕ルテ
ニウム過塩素酸塩）の合成： Ru2Cl4((-)-T-BINAP)2(NEt3)0.54ｇ（0.30ミリモル）
を、２５０mlのシユレンク管に入れ、充分窒素置換を行
つてから、塩化メチレン６０mlを加え、続いて過塩素酸
ソーダ0.73ｇ（6.0ミリモル）を６０mlの水に溶解した
ものと、トリエチルベンジルアンモニウムブロマイド１
６mg（0.06ミリモル）を３mlの水に溶かしたものを加え
た後、室温にて１２時間撹拌して反応させた。反応終了
後、静置し、分液操作を行い水層を取り除き、塩化メチ
レンを減圧下にて留去し、減圧下で乾燥を行い、濃褐色
の固体〔Ru((-)-T-BINAP)〕(ClO4)20.59ｇを得た。収率
99.6％ 元素分析値：C48H40Cl2O8P2Ruとして 31P-NMR(CDCl3)δppm： 12.920（ｄ，Ｊ＝41.1Hz） 61.402（ｄ，Ｊ＝41.1Hz 参考例３ Ru((-)-BINAP)(OCOCH3)2（〔２，２′−ビス（ジフエニ
ルホスフイノ）−１，１′−ビナフチル〕ルテニウム−
ジアセテート）の合成： Ru2Cl4((-)-BINAP)2(NET3)錯体1.43ｇ（0.85ミリモル）
と酢酸ソーダ3.06ｇ（３７ミリモル）を、２５０mlのシ
ユレンク管に入れ、充分窒素置換を行つてから、ｔ−ブ
タノール１００mlを加え、１２時間加熱還流して反応さ
せた。反応終了後、２０mmHgの減圧下で、ｔ−ブタノー
ルを留去して乾固した後、エチルエーテル１０mlで２回
抽出した。エチルエーテルを留去して乾固し、得られた
固体を更にエタノール１０mlで２回抽出した。抽出液を
濃縮して乾固し、粗製のRu((-)-BINAP)(OCOCH3)21.50ｇ
を得た。このものを更に酢酸エチルエステルから再結晶
を行い、黄褐色の固体0.79ｇを得た。収率５２％。
融点：１８０〜１８１℃（分解） 元素分析値：C48H38O4P2Ruとして 31P-NMR(CDCl3)δppm： 65.00(s)1 H-NMR(CDCl3)δppm： 参考例４ 〔Ru((-)-T-BINAP)SnCl6〕2(NEt3)（ビス〔ルテニウム
（２，２′−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフイノ）−１，
１′−ビナフチル）ヘキサクロロチン〕トリエチルアミ
ン）の合成： Ru2Cl4((-)-T-BINAP)2(NEt3)0.52ｇ（0.3ミリモル）を
８０mlのシユレンク管に入れ、充分窒素置換を行つてか
ら、塩化メチレン２０mlと、SnCl40.16ｇ（0.6ミリモ
ル）を加え、室温にて１５時間かき混ぜた。反応終了
後、減圧下で塩化メチレンを留去して、乾固したとこ
ろ、濃褐色の〔Ru((-)-T-BINAP)SnCl6〕2(NEt3)0.68ｇ
を得た。収率１００％。
元素分析値：C102H95Cl12NP4Sn2Ru2 31P-NMR(CDCl3)δppm： 14.14（ｄ，Ｊ＝41.7Hz） 62.57（ｄ，Ｊ＝41.7Hz） なお、以上の各参考例において、31P核磁気共鳴スペク
トル（以下、31PNMRと略す）は、ブルツカー社製AM400
型装置（１６１MHz）を用いて測定し、化学シフトは８
５％リン酸を外部標準として測定した。
実施例１ あらかじめ窒素置換を行つた５００mlのステンレスオー
トクレーブに、２−Ｎ−ベンズアミド−アセト酢酸エチ
ルエステル２９ｇ（0.12モル）と参考例１に準じて合成
したルテニウム−光学活性ホスフイン錯体Ru2Cl4((-)-T
-BINAP)2(NEt3)５８２mg（0.33ミリモル）を二塩化メチ
レン１００mlに溶かしたものを加え、室温下、水素圧４
０kg/cm2で、８０時間撹拌持続して反応させた。水添反
応物の溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフイー（溶離液は、ヘキサンとイソプロパノールの
７：３の混合液を使用）により触媒を除き、23.0ｇのＮ
−ベンゾイル−Ｄ−スレオニンエチルエステルを得た。
これをエチルエーテルとｎ−ヘキサンの２：１の混合液
から結晶化して15.0ｇの精製品を得た。更にベンゼンと
エチルエーテルの２：１の混合液より再結晶して12.0ｇ
の精製品を得た。収率41.4％。m.p.８５−86.5℃。▲
〔α〕25 D▼−29.5°（クロロホルム ｃ＝3.225）。
次に、Ｎ−ベンゾイル−Ｄ−スレオニンエチルエステル
3.6ｇをとり、１０％塩酸中、３時間還流して均一溶液
を得た。氷冷下１時間放置して安息香酸の結晶を去し
た後、液を濃縮乾固した。次いで水１０mlを加えて溶
解し、２８％アンモニア水でpH7.0に調整し、水とエタ
ノールの１：２の混合液より再結晶精製して1.2ｇのＤ
−スレオニンを得た。収率７１％。▲〔α〕25 D▼＋27.
6°（H2O ｃ＝1.23）。光学純度97.2ee％。1 H-NMR（重水）δppm： 4.18（1H） 3.55（1H，Ｊ＝4.86Hz） 1.25（3H，Ｊ＝6.78HZ） 実施例２ あらかじめ窒素置換を行つた５００mlのステンレスオー
トクレーブに、２−Ｎ−アセトアミド−アセト酢酸エチ
ルエステル20.7ｇ（0.11モル）と参考例１に準じて合成
したルテニウム−光学活性ホスフイン錯体Ru2Cl4((-)-T
-BINAP)2(NEt3)４４４mg（0.25ミリモル）を二塩化メチ
レン２００mlに溶かしたものを加え、５０℃、水素圧１
００kg/cm2で、２４時間撹拌持続して反応させた。水添
反応物の溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイー（溶離液は、ヘキサンとイソプロパノール
の７：３の混合液を使用）に付して触媒を除き、19.5ｇ
のＮ−アセチル−Ｄ−スレオニンエチルエステルを得
た。収率９３％。
次にＮ−アセチル−Ｄ−スレオニンエチルエステル4.4
ｇをとり、１０％塩酸中３時間還流して均一溶液を得
た。濃縮乾固し、水１０mlを加え２８％アンモニア水で
pH７に調整し、水とエタノールの１：２の混合液より再
結晶精製して2.2ｇのＤ−スレオニンを得た。収率７９
％。
▲〔α〕25 D▼＋28.0°（H2O ｃ＝1.85）。光学純度9
8.6ee％。1H-NMRスペクトル（重水）は実施例１と同じ
結果を得た。
実施例３ ２−Ｎ−アセトアミド−アセト酢酸メチルエステル17.3
ｇ（0.1モル）と、参考例１で得たRu2Cl4((+)-BINAP)
2(NEt3)４２２mg（0.25ミリモル）をメタノール５０ml
にとかし、窒素気流下でオートクレーブに仕込んだ。３
５℃、水素圧４０kg/cm2で２４時間水素化し、メタノー
ルを留去した後、１０％塩酸７２mlを加えて３時間加熱
還流して均一溶液を得た。溶液を濃縮乾固して水５０ml
を加え、２８％アンモニア水でpH７に調整し、析出した
結晶を集めて乾燥し、Ｌ−スレオニン8.1ｇ（0.07モ
ル）を得た。収率６８％。
▲〔α〕25 D▼−27.8°（H2O ｃ＝2.0）。光学純度97.
9ee％。
実施例４ ２−Ｎ−アセトアミド−アセト酢酸エチルエステル18.7
ｇ（0.1モル）と、参考例２に準じて合成した〔Ru((+)-
BINAP)〕(ClO4)2４６１mg（0.5ミリモル）をエタノール
５０mlにとかし、窒素気流下でオートクレーブに仕込ん
だ。２５℃、水素圧７０kg/cm2で４０時間水素化し、反
応液からエタノールを留去した後、１０％塩酸７０mlを
加えて４時間加熱還流した。溶液を濃縮乾固してから水
４７mlを加え、更に２８％アンモニア水でpH７に調整
し、析出した結晶を集めて乾燥し、Ｌ−スレオニン8.56
ｇを得た。収率７２％。
▲〔α〕25 D▼−２７°（H2O ｃ＝1.5）。光学純度９
５ee％。
実施例５ ２−Ｎ−ベンジルオキシカルボニルアミド−アセト酢酸
エチルエステル２８ｇ（0.1モル）と、参考例４に準じ
て合成した〔Ru((-)-BINAP)SnCl6〕2(NEt3)１１０５mg
（0.5ミリモル）をエタノール８０mlにとかし、窒素気
流下でオートクレーブに仕込んだ。３０℃、水素圧５０
kg/cm2で３０時間水素化し、反応液からエタノールを留
去した後、１０％塩酸７０mlを加えて３時間加熱還流し
た。溶液を濃縮乾固してから水５０mlを加え、更に２８
％アンモニア水でpH７とした。析出した結晶を集めて乾
燥し、Ｄ−スレオニン8.33ｇを得た。収率７０％。▲
〔α〕25 D▼＋25.6°（H2O ｃ＝2.1）。光学純度９０e
e％。
実施例６ ２−Ｎ−アセトアミド−アセト酢酸エチルエステル18.7
ｇ（0.1モル）と、参考例３に準じて合成したRu((-)-T-
BINAP)(OCOCH3)289.7mg（0.1ミリモル）をエタノール５
４mlにとかし、窒素気流下でオートクレーブに仕込ん
だ。３０℃、水素圧７０kg/cm2で、３５時間水素化し、
反応液からエタノールを留去した後、１０％塩酸７０ml
を加えて３時間加熱還流した。溶液を濃縮乾固してから
水５０mlを加え、更に２８％アンモニア水でpH７に調整
し、析出した結晶を集めて乾燥し、Ｄ−スレオニン8.9
ｇを得た。収率７２％。
▲〔α〕25 D▼＋２７°（H2O ｃ＝1.7）。光学純度８
８ee％。
実施例７〜１４ 基質、触媒、反応条件を変えたほかは、実施例１〜６に
準じて操作を行つた結果を次の第１表に示す。
〔発明の効果〕 本発明は、安価なルテニウム−光学活性ホスフイン錯体
を触媒として用いて、２−Ｎ−アシルアミノ−アセト酢
酸エステル類を不斉水素化し、次いでこれを加水分解す
ることにより、不可欠アミノ酸として重要な、且つ、医
薬品の中間体として用いられる光学活性スレオニンを製
造する方法である。そして、本発明方法によればルテニ
ウム−光学活性ホスフイン錯体の絶対配置を選択するこ
とにより天然型スレオニン、非天然型スレオニンをつく
り分けることができるので、極めて工業的に優れたもの
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】次の一般式（Ｉ） （式中、Ｒ１は低級アルキル基、低級アルキル基若しく
    は低級アルコキシ基で置換してもよいフェニル基または
    低級アルキル基若しくは低級アルコキシ基で置換しても
    よいベンジル基を、Ｒ２は水素原子、低級アルキル基、
    低級アルコキシ基、低級アルキル基若しくは低級アルコ
    キシ基で置換してもよいフェニル基、または低級アルキ
    ル基若しくは低級アルコキシ基で置換してもよいベンジ
    ルオキシ基を示す） で表わされる２−Ｎ−アシルアミノ−アセト酢酸エステ
    ル類を、次の一般式（III）、（Ｖ）、（VI）または（V
    II） で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
    媒として不斉水素化を行い、次の一般式（II） （式中、Ｒ１及びＲ２は上記と同じ意義を有する）で表
    わされる光学活性スレオニン誘導体を得、ついでこれを
    加水分解することを特徴とする光学活性スレオニンの製
    造法。
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