JPH08298234A - 真空処理装置及びその運転方法 - Google Patents
真空処理装置及びその運転方法Info
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- JPH08298234A JPH08298234A JP12588995A JP12588995A JPH08298234A JP H08298234 A JPH08298234 A JP H08298234A JP 12588995 A JP12588995 A JP 12588995A JP 12588995 A JP12588995 A JP 12588995A JP H08298234 A JPH08298234 A JP H08298234A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空処理を行うための処理室に真空排気のた
めの排気路を接続し、この排気路中に生成物を捕集する
トラップを設けた真空処理装置について装置のダウンタ
イムを少なくすること。 【構成】 処理室２に排気管３１及びターボ分子ポンプ
４１を接続し、その下流側の排気路の一部を並列化して
両流路５０、６０に夫々トラップ６、７を設けると共に
トラップ６、７の両側にバルブ５１（６１）、５２（６
２）を設け、トラップ６、７には洗浄液の供給管７
（８）、排液管７２、乾燥ガスの供給管７３（８３）及
び排気管７４（８４）を接続する。そして一方のトラッ
プ６（７）を使用しているときは他方のトラップ７
（６）の両側のバルブを閉じて例えば洗浄水を供給して
生成物を洗浄し、次いで乾燥ガスで内部を乾燥する。
めの排気路を接続し、この排気路中に生成物を捕集する
トラップを設けた真空処理装置について装置のダウンタ
イムを少なくすること。 【構成】 処理室２に排気管３１及びターボ分子ポンプ
４１を接続し、その下流側の排気路の一部を並列化して
両流路５０、６０に夫々トラップ６、７を設けると共に
トラップ６、７の両側にバルブ５１（６１）、５２（６
２）を設け、トラップ６、７には洗浄液の供給管７
（８）、排液管７２、乾燥ガスの供給管７３（８３）及
び排気管７４（８４）を接続する。そして一方のトラッ
プ６（７）を使用しているときは他方のトラップ７
（６）の両側のバルブを閉じて例えば洗浄水を供給して
生成物を洗浄し、次いで乾燥ガスで内部を乾燥する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置及びその
運転方法に関する。
運転方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、真空雰囲気中で処理ガスを用いて半導体ウエハ（以
下「ウエハ」という）に対して種々の処理、例えばＣＶ
Ｄ、エッチングあるいはアッシングなどの処理が行われ
る。このような真空処理を行う場合、処理ガス中の成分
同士の反応、あるいは処理ガスの成分とウエハ表面の成
分との反応に基づく反応生成物が処理室の排気口から排
気路を通じて排出されていくが、排気路中にこれらが付
着すると排気管、バルブ及び真空ポンプを洗浄しなけれ
ばならない。このような排気系の洗浄は、排気管やバル
ブや真空ポンプの取り外し、真空ポンプの洗浄といった
面倒な作業を伴うし、また反応生成物が腐食性を有して
いる場合には、排気管等の腐食を引き起こすため、反応
生成物の排気系への付着を極力抑えることが必要であ
る。
は、真空雰囲気中で処理ガスを用いて半導体ウエハ（以
下「ウエハ」という）に対して種々の処理、例えばＣＶ
Ｄ、エッチングあるいはアッシングなどの処理が行われ
る。このような真空処理を行う場合、処理ガス中の成分
同士の反応、あるいは処理ガスの成分とウエハ表面の成
分との反応に基づく反応生成物が処理室の排気口から排
気路を通じて排出されていくが、排気路中にこれらが付
着すると排気管、バルブ及び真空ポンプを洗浄しなけれ
ばならない。このような排気系の洗浄は、排気管やバル
ブや真空ポンプの取り外し、真空ポンプの洗浄といった
面倒な作業を伴うし、また反応生成物が腐食性を有して
いる場合には、排気管等の腐食を引き起こすため、反応
生成物の排気系への付着を極力抑えることが必要であ
る。
【０００３】そこで従来では反応生成物の排気系への付
着を防止するため図４に示すように真空処理装置を構成
していた。図４において１は気密な処理室であり、この
処理室１内にはヒータを内蔵した、ウエハＷの載置台１
１及び処理ガスの導入部１２が設けられている。また処
理室１には、ターボ分子ポンプ１３及びドライポンプ１
４が設けられた排気管１５が接続されており、先ずドラ
イポンプ１４で分岐路１６を介して所定の真空度まで真
空引きした後ターボ分子ポンプ１３で更に高い真空度ま
で真空引きできるように排気系が構成されている。
着を防止するため図４に示すように真空処理装置を構成
していた。図４において１は気密な処理室であり、この
処理室１内にはヒータを内蔵した、ウエハＷの載置台１
１及び処理ガスの導入部１２が設けられている。また処
理室１には、ターボ分子ポンプ１３及びドライポンプ１
４が設けられた排気管１５が接続されており、先ずドラ
イポンプ１４で分岐路１６を介して所定の真空度まで真
空引きした後ターボ分子ポンプ１３で更に高い真空度ま
で真空引きできるように排気系が構成されている。
【０００４】そしてターボ分子ポンプ１３の上流側には
トラップ１７を介設すると共に処理室１の排気口からト
ラップ１７までの排気路の外周囲に加熱手段例えばテー
プヒータを巻装しこれにより排気路を加熱して排気路へ
の反応生成物の付着を防止し、トラップ１７において反
応生成物の昇華点以下の温度に冷却することにより強制
的に反応生成物を析出させ、その下流側における排気系
への反応生成物の付着を防止している。なお図中Ｖａ、
Ｖｂ、Ｖｃはバルブである。
トラップ１７を介設すると共に処理室１の排気口からト
ラップ１７までの排気路の外周囲に加熱手段例えばテー
プヒータを巻装しこれにより排気路を加熱して排気路へ
の反応生成物の付着を防止し、トラップ１７において反
応生成物の昇華点以下の温度に冷却することにより強制
的に反応生成物を析出させ、その下流側における排気系
への反応生成物の付着を防止している。なお図中Ｖａ、
Ｖｂ、Ｖｃはバルブである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで前記トラップ
１７は定期的に洗浄する必要があるが、その洗浄時には
ウエハＷに対して処理ができないので装置のダウンタイ
ムが発生していた。トラップ１７を洗浄する場合、先ず
トラップ１７を排気管１５から取り外し、内部を洗浄液
で洗浄した後乾燥させ、排気管１５に装着するようにし
ていたため、前記ダウンタイムが長く、そのためスルー
プットの低下の要因の一つになっていたし、またトラッ
プ１７の洗浄のための作業が頻わしいという問題もあっ
た。
１７は定期的に洗浄する必要があるが、その洗浄時には
ウエハＷに対して処理ができないので装置のダウンタイ
ムが発生していた。トラップ１７を洗浄する場合、先ず
トラップ１７を排気管１５から取り外し、内部を洗浄液
で洗浄した後乾燥させ、排気管１５に装着するようにし
ていたため、前記ダウンタイムが長く、そのためスルー
プットの低下の要因の一つになっていたし、またトラッ
プ１７の洗浄のための作業が頻わしいという問題もあっ
た。
【０００６】更に処理室１とターボ分子ポンプ１３との
間の排気管１５の管径は、ターボ分子ポンプ１３の排気
能力を損わないように大きなコンダクタンスを得るため
に例えば４〜８インチ程度とされており、従ってこの部
分に介設されるトラップ１７も大型のものが必要であっ
た。そしてまたトラップ１７がターボ分子ポンプ１３の
上流側に配置されていると洗浄後にトラップ１７に残っ
ている水分が処理室１内に流入して処理室１内を腐食さ
せあるいはウエハＷの処理に悪影響を及ぼすおそれがあ
った。
間の排気管１５の管径は、ターボ分子ポンプ１３の排気
能力を損わないように大きなコンダクタンスを得るため
に例えば４〜８インチ程度とされており、従ってこの部
分に介設されるトラップ１７も大型のものが必要であっ
た。そしてまたトラップ１７がターボ分子ポンプ１３の
上流側に配置されていると洗浄後にトラップ１７に残っ
ている水分が処理室１内に流入して処理室１内を腐食さ
せあるいはウエハＷの処理に悪影響を及ぼすおそれがあ
った。
【０００７】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は、トラップの洗浄と被処理体に
対する処理とを並行して行うことができ、これによりス
ループットを向上させることのできる真空処理装置及び
その運転方法を提供することにある。
ものであり、その目的は、トラップの洗浄と被処理体に
対する処理とを並行して行うことができ、これによりス
ループットを向上させることのできる真空処理装置及び
その運転方法を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、トラップを小型化す
ることのできる真空処理装置及びその運転方法を提供す
ることにある。
ることのできる真空処理装置及びその運転方法を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、処理
ガスを導入して真空雰囲気下で被処理体に対して真空処
理を行うための気密な処理室と、この処理室に接続され
た排気路とを有する真空処理装置において、前記排気路
中に設けられ、互いに並列に接続された第１の流路及び
第２の流路と、前記第１の流路及び第２の流路に夫々設
けられ、前記処理室から排気された生成物を捕集する第
１の捕集部及び第２の捕集部と、前記第１の流路及び第
２の流路において第１の捕集部及び第２の捕集部の各上
流と下流側とに設けられたバルブと、を備えたことを特
徴とする。
ガスを導入して真空雰囲気下で被処理体に対して真空処
理を行うための気密な処理室と、この処理室に接続され
た排気路とを有する真空処理装置において、前記排気路
中に設けられ、互いに並列に接続された第１の流路及び
第２の流路と、前記第１の流路及び第２の流路に夫々設
けられ、前記処理室から排気された生成物を捕集する第
１の捕集部及び第２の捕集部と、前記第１の流路及び第
２の流路において第１の捕集部及び第２の捕集部の各上
流と下流側とに設けられたバルブと、を備えたことを特
徴とする。
【００１０】請求項２の発明は、処理ガスを導入して真
空雰囲気下で被処理体に対して真空処理を行うための気
密な処理室と、この処理室に接続された排気路と、この
排気路中に下流側から順に設けられた第１の真空排気手
段、及び第１の真空排気手段よりも真空排気能力の大き
い第２の真空排気手段と、を有する真空処理装置におい
て、前記第１の真空排気手段及び第２の真空排気手段の
間の排気路中に設けられ、互いに並列に接続された第１
の流路及び第２の流路と、前記第１の流路及び第２の流
路に夫々設けられ、前記処理室から排気された生成物を
捕集する第１の捕集部及び第２の捕集部と、前記第１の
流路及び第２の流路において第１の捕集部及び第２の捕
集部の各上流と下流側とに設けられたバルブと、前記第
１の捕集部及び第２の捕集部の上流側の排気路と第２の
真空排気手段との各内面を、前記生成物が析出する温度
以上の温度に加熱するための加熱手段と、を備えたこと
を特徴とする。
空雰囲気下で被処理体に対して真空処理を行うための気
密な処理室と、この処理室に接続された排気路と、この
排気路中に下流側から順に設けられた第１の真空排気手
段、及び第１の真空排気手段よりも真空排気能力の大き
い第２の真空排気手段と、を有する真空処理装置におい
て、前記第１の真空排気手段及び第２の真空排気手段の
間の排気路中に設けられ、互いに並列に接続された第１
の流路及び第２の流路と、前記第１の流路及び第２の流
路に夫々設けられ、前記処理室から排気された生成物を
捕集する第１の捕集部及び第２の捕集部と、前記第１の
流路及び第２の流路において第１の捕集部及び第２の捕
集部の各上流と下流側とに設けられたバルブと、前記第
１の捕集部及び第２の捕集部の上流側の排気路と第２の
真空排気手段との各内面を、前記生成物が析出する温度
以上の温度に加熱するための加熱手段と、を備えたこと
を特徴とする。
【００１１】請求項３の発明は、請求項１または２記載
の真空処理装置において、第１の捕集部及び第２の捕集
部は、生成物を析出させるための冷却手段と、捕集した
生成物を洗浄液で洗浄するために捕集室に接続された洗
浄液の供給路及び排液路と、前記捕集室内を乾燥ガスで
乾燥させるために捕集室に接続された乾燥ガスの供給路
及び排気路と、を備えていることを特徴とする。
の真空処理装置において、第１の捕集部及び第２の捕集
部は、生成物を析出させるための冷却手段と、捕集した
生成物を洗浄液で洗浄するために捕集室に接続された洗
浄液の供給路及び排液路と、前記捕集室内を乾燥ガスで
乾燥させるために捕集室に接続された乾燥ガスの供給路
及び排気路と、を備えていることを特徴とする。
【００１２】請求項４の発明は、処理ガスを導入して真
空雰囲気下で被処理体に対して真空処理を行うための気
密な処理室と、この処理室に接続された排気路と、この
排気路中に下流側から順に設けられた第１の真空排気手
段、及び第１の真空排気手段よりも真空排気能力の大き
い第２の真空排気手段と、を有する真空処理装置におい
て、前記第１の真空排気手段及び第２の真空排気手段の
間の排気路中に設けられ、前記処理室から排気された生
成物を捕集する捕集部と、前記捕集部よりも上流側の排
気路及び第２の真空排気手段の各内面を、前記生成物が
析出する温度以上の温度に加熱するための加熱手段と、
を備えていることを特徴とする。
空雰囲気下で被処理体に対して真空処理を行うための気
密な処理室と、この処理室に接続された排気路と、この
排気路中に下流側から順に設けられた第１の真空排気手
段、及び第１の真空排気手段よりも真空排気能力の大き
い第２の真空排気手段と、を有する真空処理装置におい
て、前記第１の真空排気手段及び第２の真空排気手段の
間の排気路中に設けられ、前記処理室から排気された生
成物を捕集する捕集部と、前記捕集部よりも上流側の排
気路及び第２の真空排気手段の各内面を、前記生成物が
析出する温度以上の温度に加熱するための加熱手段と、
を備えていることを特徴とする。
【００１３】請求項５の発明は、処理ガスを導入して真
空雰囲気下で被処理体に対して真空処理を行うための気
密な処理室と、この処理室に接続された排気路とを有す
る真空処理装置において、前記排気路の一部を並列化し
て一方及び他方の流路に夫々第１の捕集部及び第２の捕
集部を設け、前記第１の捕集部の両側のバルブを閉じる
工程と、次いでこの第１の捕集部内に洗浄液を供給し
て、析出された生成物を除去する工程と、その後前記第
１の捕集部内に乾燥ガスを供給して捕集部内を乾燥させ
る工程と、前記第１の捕集部の両側のバルブが閉じられ
ている間に第２の捕集部を通じて処理室内を真空排気す
る工程と、を含むことを特徴とする。
空雰囲気下で被処理体に対して真空処理を行うための気
密な処理室と、この処理室に接続された排気路とを有す
る真空処理装置において、前記排気路の一部を並列化し
て一方及び他方の流路に夫々第１の捕集部及び第２の捕
集部を設け、前記第１の捕集部の両側のバルブを閉じる
工程と、次いでこの第１の捕集部内に洗浄液を供給し
て、析出された生成物を除去する工程と、その後前記第
１の捕集部内に乾燥ガスを供給して捕集部内を乾燥させ
る工程と、前記第１の捕集部の両側のバルブが閉じられ
ている間に第２の捕集部を通じて処理室内を真空排気す
る工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
【作用】第１の捕集部の両側のバルブを開いておくこと
により処理室から排気されたガスが第１の捕集部内を流
れ、ガス中の反応生成物が第１の捕集部にて析出し除去
される。この間第２の捕集部の両側のバルブを閉じてお
き、第１の捕集部を洗浄するときには第１の捕集部の両
側のバルブを閉じ、第２の捕集部の両側のバルブを開い
て第２の捕集部により反応生成物の析出を行い、その間
に第１の捕集部の洗浄を行う。この場合洗浄液供給管及
び乾燥ガスの供給管を捕集部に設けておけば、自動洗浄
を行うことができ便利である。また捕集部を第２の真空
排気手段の下流側に設ければ、この部分のコンダクタン
スは上流側に比べて小さくてよいから捕集部を小型化で
き、そしてこの真空排気手段を加熱することにより、真
空排気手段へ反応生成物が付着するおそれもない。
により処理室から排気されたガスが第１の捕集部内を流
れ、ガス中の反応生成物が第１の捕集部にて析出し除去
される。この間第２の捕集部の両側のバルブを閉じてお
き、第１の捕集部を洗浄するときには第１の捕集部の両
側のバルブを閉じ、第２の捕集部の両側のバルブを開い
て第２の捕集部により反応生成物の析出を行い、その間
に第１の捕集部の洗浄を行う。この場合洗浄液供給管及
び乾燥ガスの供給管を捕集部に設けておけば、自動洗浄
を行うことができ便利である。また捕集部を第２の真空
排気手段の下流側に設ければ、この部分のコンダクタン
スは上流側に比べて小さくてよいから捕集部を小型化で
き、そしてこの真空排気手段を加熱することにより、真
空排気手段へ反応生成物が付着するおそれもない。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の実施例に係るガス処理装置を
示し、この実施例のガス処理装置は枚葉式の熱ＣＶＤ装
置として構成されている。
示し、この実施例のガス処理装置は枚葉式の熱ＣＶＤ装
置として構成されている。
【００１６】図１中２はＣＶＤを行うための気密シール
構造を有する処理室であり、この処理室２内の底部に
は、被処理体である半導体ウエハＷを保持すると共に所
定温度に加熱するためのヒータ２０を備えたウエハ載置
台２１が設けられている。前記処理室２の上部には、処
理ガスを処理室２内に供給するための処理ガス供給部２
２がウエハ保持台２１に対向して配設されており、前記
処理ガス供給部２２は、例えば処理ガスであるＴｉＣｌ
4 ガスを供給するための第１のガス供給管２３及び例え
ば処理ガスであるＮＨ3 ガスを供給するための第２のガ
ス供給管２４の先端部をガス噴射板２５に夫々接続して
構成されている。前記第１のガス供給管２３、２４は図
示しないＴｉＣｌ4 の液体ソース及びＮＨ3 の気体供給
源に接続されている。また処理室２の側壁には搬出入口
を開閉するためのゲートバルブＧ１、Ｇ２が設けられて
いる。
構造を有する処理室であり、この処理室２内の底部に
は、被処理体である半導体ウエハＷを保持すると共に所
定温度に加熱するためのヒータ２０を備えたウエハ載置
台２１が設けられている。前記処理室２の上部には、処
理ガスを処理室２内に供給するための処理ガス供給部２
２がウエハ保持台２１に対向して配設されており、前記
処理ガス供給部２２は、例えば処理ガスであるＴｉＣｌ
4 ガスを供給するための第１のガス供給管２３及び例え
ば処理ガスであるＮＨ3 ガスを供給するための第２のガ
ス供給管２４の先端部をガス噴射板２５に夫々接続して
構成されている。前記第１のガス供給管２３、２４は図
示しないＴｉＣｌ4 の液体ソース及びＮＨ3 の気体供給
源に接続されている。また処理室２の側壁には搬出入口
を開閉するためのゲートバルブＧ１、Ｇ２が設けられて
いる。
【００１７】前記処理室２の底部には、例えば管径４〜
８インチの排気路をなす排気管３１の一端が接続されて
おり、この排気管３１の他端側にはバルブ３２を介して
ターボ分子ポンプ４１が接続されている。ターボ分子ポ
ンプ４１の下流側には例えば管径１〜２インチの排気路
をなす排気管３３の一端が接続されており、この排気管
３３の他端側には、第１の流路である排気管５０及び第
２の流路である排気管６０の並列流路を介してドライポ
ンプ４２が接続されている。また前記排気管３１からは
分岐路３４が分岐され、この分岐路３４はバルブ３５を
介して、前記並列流路の下流側に接続されている。この
例では、ドライポンプ４２及びターボ分子ポンプ４１
は、夫々第１の真空排気手段及び第２の真空排気手段を
なしている。
８インチの排気路をなす排気管３１の一端が接続されて
おり、この排気管３１の他端側にはバルブ３２を介して
ターボ分子ポンプ４１が接続されている。ターボ分子ポ
ンプ４１の下流側には例えば管径１〜２インチの排気路
をなす排気管３３の一端が接続されており、この排気管
３３の他端側には、第１の流路である排気管５０及び第
２の流路である排気管６０の並列流路を介してドライポ
ンプ４２が接続されている。また前記排気管３１からは
分岐路３４が分岐され、この分岐路３４はバルブ３５を
介して、前記並列流路の下流側に接続されている。この
例では、ドライポンプ４２及びターボ分子ポンプ４１
は、夫々第１の真空排気手段及び第２の真空排気手段を
なしている。
【００１８】前記第１の流路５０には、上流側から順に
バルブ５１、第１の捕集部をなすトラップ５及びバルブ
５２が介設されると共に、第２の流路６０には、上流側
から順にバルブ６１、第２の捕集部をなすトラップ６及
びバルブ６２が介設されている。第１のトラップ５は、
図３に示すように捕集室５ａ内に例えば流路と直交する
ように複数の板状のフィン５ｂが複数列に並ぶよう配設
され、各フィン５ｂは板面が、捕集室５ａの入口及び出
口を結ぶラインに対して斜めを向くように構成されてい
る。
バルブ５１、第１の捕集部をなすトラップ５及びバルブ
５２が介設されると共に、第２の流路６０には、上流側
から順にバルブ６１、第２の捕集部をなすトラップ６及
びバルブ６２が介設されている。第１のトラップ５は、
図３に示すように捕集室５ａ内に例えば流路と直交する
ように複数の板状のフィン５ｂが複数列に並ぶよう配設
され、各フィン５ｂは板面が、捕集室５ａの入口及び出
口を結ぶラインに対して斜めを向くように構成されてい
る。
【００１９】前記捕集室５ａの近傍の上流側の流路５０
内には捕集室５ａ内を洗浄するための洗浄液例えば水を
供給するための洗浄液の供給部をなす供給管７が突入し
て設けられており、この洗浄液の供給管７の先端部に
は、上流側のバルブ５１の弁体及び前記フィン５ｂに向
けて水を噴射するように複数の噴射孔７１が穿設されて
いる。ここで前記捕集室５ａと上流側のバルブ５１との
間の流路５０は例えば鉛直方向に伸び、また捕集室５ａ
近傍の下流側の流路５０ｂは鉛直方向に伸び更に途中で
水平に屈曲しており、この屈曲した部分の底面に洗浄液
の排液部をなす排液管７２が設けられている。
内には捕集室５ａ内を洗浄するための洗浄液例えば水を
供給するための洗浄液の供給部をなす供給管７が突入し
て設けられており、この洗浄液の供給管７の先端部に
は、上流側のバルブ５１の弁体及び前記フィン５ｂに向
けて水を噴射するように複数の噴射孔７１が穿設されて
いる。ここで前記捕集室５ａと上流側のバルブ５１との
間の流路５０は例えば鉛直方向に伸び、また捕集室５ａ
近傍の下流側の流路５０ｂは鉛直方向に伸び更に途中で
水平に屈曲しており、この屈曲した部分の底面に洗浄液
の排液部をなす排液管７２が設けられている。
【００２０】また前記捕集室５ａの上流側及び下流側に
は夫々乾燥用ガス例えばＮ2 ガスの供給部をなす供給管
７３及びＮ2 ガスの排気部をなす排気管７４が設けられ
ている。更に前記捕集室５ａ内には、冷媒例えば冷却水
を通流させる冷媒通流管７５が設けられており、この冷
媒通流管７５の入口側及び出口側（図３では重なってい
る）は配管７６を介して冷却器７７に接続されている。
なお第２のトラップ６に関しても同様の構成である。
は夫々乾燥用ガス例えばＮ2 ガスの供給部をなす供給管
７３及びＮ2 ガスの排気部をなす排気管７４が設けられ
ている。更に前記捕集室５ａ内には、冷媒例えば冷却水
を通流させる冷媒通流管７５が設けられており、この冷
媒通流管７５の入口側及び出口側（図３では重なってい
る）は配管７６を介して冷却器７７に接続されている。
なお第２のトラップ６に関しても同様の構成である。
【００２１】図１ではトラップ５、６に関する洗浄の供
給管などの配管系は模式的に記載してある。図２からわ
かるように洗浄液の供給管７（８）にはバルブ５３（６
３）が介設され、洗浄の排液管７２（８２）にはバルブ
５４（６４）が介設されている。またＮ2 ガスの供給管
７３（８３）にはバルブ５５（６５）が介設され、Ｎ2
ガスの排気管７４（８４）にはバルブ５６（６６）が介
設されている。更に冷媒通流管の入口側の配管７６（８
６）にはバルブ５７（６７）が介設されている。そして
前記処理室１から第１のトラップ５及び第２のトラップ
６に至るまでの排気管３１、５０、６０、バルブ３２、
５１、６１及びターボ分子ポンプ４１には、これらの内
壁面を所定温度に加熱するための加熱手段３６例えばテ
ープヒータが貼装されている。また第１のトラップ５及
び第２のトラップ６と、これらトラップ５、６及びバル
ブ５２、６２間の排気管５０、６０とには、これらの内
部を加熱するための加熱手段３７、３８（図２では省
略）例えばテープヒータが貼装されている。
給管などの配管系は模式的に記載してある。図２からわ
かるように洗浄液の供給管７（８）にはバルブ５３（６
３）が介設され、洗浄の排液管７２（８２）にはバルブ
５４（６４）が介設されている。またＮ2 ガスの供給管
７３（８３）にはバルブ５５（６５）が介設され、Ｎ2
ガスの排気管７４（８４）にはバルブ５６（６６）が介
設されている。更に冷媒通流管の入口側の配管７６（８
６）にはバルブ５７（６７）が介設されている。そして
前記処理室１から第１のトラップ５及び第２のトラップ
６に至るまでの排気管３１、５０、６０、バルブ３２、
５１、６１及びターボ分子ポンプ４１には、これらの内
壁面を所定温度に加熱するための加熱手段３６例えばテ
ープヒータが貼装されている。また第１のトラップ５及
び第２のトラップ６と、これらトラップ５、６及びバル
ブ５２、６２間の排気管５０、６０とには、これらの内
部を加熱するための加熱手段３７、３８（図２では省
略）例えばテープヒータが貼装されている。
【００２２】次に上述実施例の作用について述べる。先
ず分岐路３４を通じてドライポンプ４２により処理室２
内を例えば１〜５×１０-2Ｔｏｒｒまで真空排気し、次
いでバルブ３５を閉じバルブ３２を開いてターボ分子ポ
ンプ４１により処理室２内を例えば１０-6〜１０-7Ｔｏ
ｒｒまで真空排気する。その後ゲートバルブＧ１を開
き、図示しないロードロック室から被処理体例えばウエ
ハＷを処理室２内に搬入し、載置台２１上に載置する。
ウエハＷが所定温度例えば５００〜７５０℃まで加熱さ
れた後処理ガス供給部２２のガス供給管２３、２４から
例えば夫々ＴｉＣｌ4 ガス及びＮＨ3 ガスを処理室２内
に供給すると共に、ターボ分子ポンプ４１の真空排気に
より所定の真空度に維持しながらウエハＷの表面にＴｉ
Ｎ（チタンナイトライド）膜を成膜する。
ず分岐路３４を通じてドライポンプ４２により処理室２
内を例えば１〜５×１０-2Ｔｏｒｒまで真空排気し、次
いでバルブ３５を閉じバルブ３２を開いてターボ分子ポ
ンプ４１により処理室２内を例えば１０-6〜１０-7Ｔｏ
ｒｒまで真空排気する。その後ゲートバルブＧ１を開
き、図示しないロードロック室から被処理体例えばウエ
ハＷを処理室２内に搬入し、載置台２１上に載置する。
ウエハＷが所定温度例えば５００〜７５０℃まで加熱さ
れた後処理ガス供給部２２のガス供給管２３、２４から
例えば夫々ＴｉＣｌ4 ガス及びＮＨ3 ガスを処理室２内
に供給すると共に、ターボ分子ポンプ４１の真空排気に
より所定の真空度に維持しながらウエハＷの表面にＴｉ
Ｎ（チタンナイトライド）膜を成膜する。
【００２３】ここで第１の流路５０のバルブ５１、５２
を開いているとすると、処理室２内の気体は排気管３１
からターボ分子ポンプ４１を通って第１の流路５０側に
流れ、排気管３３を介してドライポンプ４２により外部
に排気される。処理室２内ではＴｉＮの他にＮＨ4 Ｃｌ
（塩化アンモニウム）が反応副生成物として生成され、
排気管３１内に排気されるが、第１のトラップ５よりも
上流側、つまり排気管３１、バルブ３２、ターボ分子ポ
ンプ４１、第１の流路５０及びバルブ５１の内面をヒー
タ３６によりＮＨ4 Ｃｌの昇華温度以上の温度例えば１
５０〜１８０℃に加熱しておくことにより、この間では
ＮＨ4 Ｃｌは気体の状態になり、第１のトラップ５内に
入る。第１のトラップ５では冷媒例えば冷却水の通流に
より捕集室５ａ内が冷却されているため、ＮＨ4 Ｃｌは
フィン５ｂや捕集室５ａの内壁面に析出し、こうしてＮ
Ｈ4 Ｃｌはこのトラップ５にて捕集される。
を開いているとすると、処理室２内の気体は排気管３１
からターボ分子ポンプ４１を通って第１の流路５０側に
流れ、排気管３３を介してドライポンプ４２により外部
に排気される。処理室２内ではＴｉＮの他にＮＨ4 Ｃｌ
（塩化アンモニウム）が反応副生成物として生成され、
排気管３１内に排気されるが、第１のトラップ５よりも
上流側、つまり排気管３１、バルブ３２、ターボ分子ポ
ンプ４１、第１の流路５０及びバルブ５１の内面をヒー
タ３６によりＮＨ4 Ｃｌの昇華温度以上の温度例えば１
５０〜１８０℃に加熱しておくことにより、この間では
ＮＨ4 Ｃｌは気体の状態になり、第１のトラップ５内に
入る。第１のトラップ５では冷媒例えば冷却水の通流に
より捕集室５ａ内が冷却されているため、ＮＨ4 Ｃｌは
フィン５ｂや捕集室５ａの内壁面に析出し、こうしてＮ
Ｈ4 Ｃｌはこのトラップ５にて捕集される。
【００２４】次に第１のトラップ５を洗浄する作業につ
いて図３を参照しながら説明する。先ず第１の流路のバ
ルブ５１、５２、及び第１のトラップ５の冷媒供給のた
めのバルブ５７を閉じ、第２の流路のバルブ６１、６２
及び第２のトラップ５の冷媒供給のためのバルブ６７を
開く。これにより処理室２内から排気された気体は第２
の流路６０側を流れ、第２のトラップ６によりＮＨ4 Ｃ
ｌの捕集が行われる。
いて図３を参照しながら説明する。先ず第１の流路のバ
ルブ５１、５２、及び第１のトラップ５の冷媒供給のた
めのバルブ５７を閉じ、第２の流路のバルブ６１、６２
及び第２のトラップ５の冷媒供給のためのバルブ６７を
開く。これにより処理室２内から排気された気体は第２
の流路６０側を流れ、第２のトラップ６によりＮＨ4 Ｃ
ｌの捕集が行われる。
【００２５】そして数秒後に洗浄液供給管７のバルブ５
３を開いて洗浄水を第１のトラップ５内及びその両側の
バルブ５１、５２間の排気管５０（第１の流路）内に供
給して満たす。その後バルブ５３を閉じてＮＨ4 Ｃｌが
水に溶解するのに十分な時間例えば１分程度放置し、洗
浄排液管７２のバルブ５４及びＮ2 ガスの供給管７３の
バルブ５５を開いて、Ｎ2 ガスをバルブ５１、５２間の
トラップ５を含む流路に圧送することにより内部の洗浄
水を排液する。
３を開いて洗浄水を第１のトラップ５内及びその両側の
バルブ５１、５２間の排気管５０（第１の流路）内に供
給して満たす。その後バルブ５３を閉じてＮＨ4 Ｃｌが
水に溶解するのに十分な時間例えば１分程度放置し、洗
浄排液管７２のバルブ５４及びＮ2 ガスの供給管７３の
バルブ５５を開いて、Ｎ2 ガスをバルブ５１、５２間の
トラップ５を含む流路に圧送することにより内部の洗浄
水を排液する。
【００２６】この実施例では洗浄水をバルブ５１の弁体
５１ａ及びトラップ５のフィン５１ｂに向けて噴射して
いるので、これらを効果的に洗浄することができる。な
おバルブ５４を閉じて洗浄水をバルブ５１、５２間に満
たして放置しておく代りに、バルブ５３を開いておい
て、通流させるようにしてもよい。続いてバルブ５４、
５５を閉じＮ2 ガスの排気管７４のバルブ５６を開いて
図示しない例えば水封ポンプなどのグレードの低い真空
ポンプによりトラップ５を含む流路内を真空排気して減
圧し、例えば数秒後にバルブ５６を閉じ、再びバルブ５
３を開いて同様の洗浄を行う。
５１ａ及びトラップ５のフィン５１ｂに向けて噴射して
いるので、これらを効果的に洗浄することができる。な
おバルブ５４を閉じて洗浄水をバルブ５１、５２間に満
たして放置しておく代りに、バルブ５３を開いておい
て、通流させるようにしてもよい。続いてバルブ５４、
５５を閉じＮ2 ガスの排気管７４のバルブ５６を開いて
図示しない例えば水封ポンプなどのグレードの低い真空
ポンプによりトラップ５を含む流路内を真空排気して減
圧し、例えば数秒後にバルブ５６を閉じ、再びバルブ５
３を開いて同様の洗浄を行う。
【００２７】そして３回目の洗浄時においては、バルブ
５４、５５を開いて内部の洗浄水をＮ2 ガスにより排出
させた後バルブ５４を閉じバルブ５６を開き、流路内に
Ｎ2ガスを通気させながら加熱手段３７、３８により内
部を例えば１２０℃に加熱して乾燥させる。この場合Ｎ
2 以外の不活性ガスあるいは乾燥空気などの乾燥ガスを
用いてもよい。
５４、５５を開いて内部の洗浄水をＮ2 ガスにより排出
させた後バルブ５４を閉じバルブ５６を開き、流路内に
Ｎ2ガスを通気させながら加熱手段３７、３８により内
部を例えば１２０℃に加熱して乾燥させる。この場合Ｎ
2 以外の不活性ガスあるいは乾燥空気などの乾燥ガスを
用いてもよい。
【００２８】しかる後第２のトラップ６０の下流側のバ
ルブ６２を閉じ、例えば１秒後に第１のトラップ５０下
流側のバルブ５２を開き、ドライポンプ４２によりバル
ブ５１の下流側を真空排気して乾燥させ、数秒後にバル
ブ６２を開き、こうして第１のトラップ５内の洗浄を終
了する。なおバルブ６２を一瞬閉じるのは、バルブ５２
を開いたときにターボ分子ポンプ４１に加わる衝撃を抑
えるためである。第２のトラップ６を洗浄する場合も同
様にして実施される。また処理室２内においてＴｉＮ膜
はウエハＷ以外の例えば処理ガスの噴射板２５や載置台
２１にも付着するが、例えば定期的に処理室２内にＣｌ
Ｆ3 ガスを供給することにより洗浄される。
ルブ６２を閉じ、例えば１秒後に第１のトラップ５０下
流側のバルブ５２を開き、ドライポンプ４２によりバル
ブ５１の下流側を真空排気して乾燥させ、数秒後にバル
ブ６２を開き、こうして第１のトラップ５内の洗浄を終
了する。なおバルブ６２を一瞬閉じるのは、バルブ５２
を開いたときにターボ分子ポンプ４１に加わる衝撃を抑
えるためである。第２のトラップ６を洗浄する場合も同
様にして実施される。また処理室２内においてＴｉＮ膜
はウエハＷ以外の例えば処理ガスの噴射板２５や載置台
２１にも付着するが、例えば定期的に処理室２内にＣｌ
Ｆ3 ガスを供給することにより洗浄される。
【００２９】上述実施例によれば、トラップ５、６を並
列に設け、一方のトラップを洗浄するときには他方のト
ラップを用いるようにしているため、装置のダウンタイ
ムの発生を防止でき、スループットが向上する。しかも
バルブを制御して、トラップの排気系からの切り離し、
洗浄、乾燥、及び排気系への接続等を自動化できるよう
にしたため、作業者によるトラップの装着、取り外し、
洗浄作業が不要になり、非常に便利である。
列に設け、一方のトラップを洗浄するときには他方のト
ラップを用いるようにしているため、装置のダウンタイ
ムの発生を防止でき、スループットが向上する。しかも
バルブを制御して、トラップの排気系からの切り離し、
洗浄、乾燥、及び排気系への接続等を自動化できるよう
にしたため、作業者によるトラップの装着、取り外し、
洗浄作業が不要になり、非常に便利である。
【００３０】またターボ分子ポンプ４１の下流側にトラ
ップ５、６を設けているため、トラップの小型化を図る
ことができると共に、トラップ５、６内の水分が処理室
２内に逆流して処理に対する悪影響や処理室２内の腐食
を引き起こすおそれがない。即ちターボ分子ポンプ４１
の上流側では大きなコンダクタンスが必要であるため例
えば管径が４〜８インチの排気管を用いなければなら
ず、このためトラップもそれに見合う大きさのものを用
いなければならないが、ターボ分子ポンプ４１の下流側
では上流側に比べてコンダクタンスが小さくてよく、例
えば排気管の管径も１〜２インチ程度と小径のものを用
いているので、トラップも小型なものを使用できる。そ
してターボ分子ポンプ４１については加熱手段３６で加
熱しているためターボ分子ポンプ４１内への生成物例え
ばＮＨ4 Ｃｌの付着を防止できる。この場合排気管３
１、３３の加熱手段とターボ分子ポンプ４１の加熱手段
とは分離されていてもよい。
ップ５、６を設けているため、トラップの小型化を図る
ことができると共に、トラップ５、６内の水分が処理室
２内に逆流して処理に対する悪影響や処理室２内の腐食
を引き起こすおそれがない。即ちターボ分子ポンプ４１
の上流側では大きなコンダクタンスが必要であるため例
えば管径が４〜８インチの排気管を用いなければなら
ず、このためトラップもそれに見合う大きさのものを用
いなければならないが、ターボ分子ポンプ４１の下流側
では上流側に比べてコンダクタンスが小さくてよく、例
えば排気管の管径も１〜２インチ程度と小径のものを用
いているので、トラップも小型なものを使用できる。そ
してターボ分子ポンプ４１については加熱手段３６で加
熱しているためターボ分子ポンプ４１内への生成物例え
ばＮＨ4 Ｃｌの付着を防止できる。この場合排気管３
１、３３の加熱手段とターボ分子ポンプ４１の加熱手段
とは分離されていてもよい。
【００３１】以上においてターボ分子ポンプ４１の下流
側に、トラップを設けるにあたっては、トラップは必ず
しも並列化されてることに限らず、例えば１個のみ用い
る構成でもよい。またトラップを並列化する場合には、
ターボ分子ポンプ４１の上流側に設けてもよいし、３個
以上のトラップを並列化してもよい。更に本発明は、Ｔ
ｉＮ膜以外の成膜処理を行う場合の他、プラズマＣＶＤ
やエッチング、アッシングなどの真空処理装置について
も適用することができる。
側に、トラップを設けるにあたっては、トラップは必ず
しも並列化されてることに限らず、例えば１個のみ用い
る構成でもよい。またトラップを並列化する場合には、
ターボ分子ポンプ４１の上流側に設けてもよいし、３個
以上のトラップを並列化してもよい。更に本発明は、Ｔ
ｉＮ膜以外の成膜処理を行う場合の他、プラズマＣＶＤ
やエッチング、アッシングなどの真空処理装置について
も適用することができる。
【００３２】
【発明の効果】請求項１、２、３の発明によれば、第１
のトラップ及び第２のトラップを並列化して、一方を使
用している間に他方を洗浄できるようにしているので、
装置のダウンタイムの発生を防止できる。請求項３及び
５の発明によればトラップを排気系から取り外すことな
く、洗浄作業の自動化を図ることができる。また請求項
２及び４の発明によれば、トラップの小型化を図ること
ができる。
のトラップ及び第２のトラップを並列化して、一方を使
用している間に他方を洗浄できるようにしているので、
装置のダウンタイムの発生を防止できる。請求項３及び
５の発明によればトラップを排気系から取り外すことな
く、洗浄作業の自動化を図ることができる。また請求項
２及び４の発明によれば、トラップの小型化を図ること
ができる。
【図１】本発明の実施例を示す構成図である。
【図２】本発明の実施例に用いられるトラップの構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るトラップの洗浄工程を示
す工程図である。
す工程図である。
【図４】従来の真空処理装置の排気系を示す説明図であ
る。
る。
２ 処理室 ２１ 載置台 ２２ 処理ガス供給部 ３１、３３ 排気管 ３６、３７、３８ 加熱手段 ４１ ターボ分子ポンプ ４２ ドライポンプ ５ 第１のトラップ ６ 第２のトラップ ７、８ 洗浄液の供給管 ７２、８２ 洗浄液の排液管 ７３、８３ Ｎ2 ガスの供給管 ７４、８４ Ｎ2 ガスの排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 和一 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 山口 建治 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ テル・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 鈴木 寿哉 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 坂井 拓哉 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 処理ガスを導入して真空雰囲気下で被処
理体に対して真空処理を行うための気密な処理室と、こ
の処理室に接続された排気路とを有する真空処理装置に
おいて、 前記排気路中に設けられ、互いに並列に接続された第１
の流路及び第２の流路と、 前記第１の流路及び第２の流路に夫々設けられ、前記処
理室から排気された生成物を捕集する第１の捕集部及び
第２の捕集部と、 前記第１の流路及び第２の流路において第１の捕集部及
び第２の捕集部の各上流と下流側とに設けられたバルブ
と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 処理ガスを導入して真空雰囲気下で被処
理体に対して真空処理を行うための気密な処理室と、こ
の処理室に接続された排気路と、この排気路中に下流側
から順に設けられた第１の真空排気手段、及び第１の真
空排気手段よりも真空排気能力の大きい第２の真空排気
手段と、を有する真空処理装置において、 前記第１の真空排気手段及び第２の真空排気手段の間の
排気路中に設けられ、互いに並列に接続された第１の流
路及び第２の流路と、 前記第１の流路及び第２の流路に夫々設けられ、前記処
理室から排気された生成物を捕集する第１の捕集部及び
第２の捕集部と、 前記第１の流路及び第２の流路において第１の捕集部及
び第２の捕集部の各上流と下流側とに設けられたバルブ
と、 前記第１の捕集部及び第２の捕集部の上流側の排気路と
第２の真空排気手段との各内面を、前記生成物が析出す
る温度以上の温度に加熱するための加熱手段と、を備え
たことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項３】 第１の捕集部及び第２の捕集部は、生成
物を析出させるための冷却手段と、捕集した生成物を洗
浄液で洗浄するために捕集室に接続された洗浄液の供給
路及び排液路と、前記捕集室内を乾燥ガスで乾燥させる
ために捕集室に接続された乾燥ガスの供給路及び排気路
と、を備えていることを特徴とする請求項１または２記
載の真空処理装置。 - 【請求項４】 処理ガスを導入して真空雰囲気下で被処
理体に対して真空処理を行うための気密な処理室と、こ
の処理室に接続された排気路と、この排気路中に下流側
から順に設けられた第１の真空排気手段、及び第１の真
空排気手段よりも真空排気能力の大きい第２の真空排気
手段と、を有する真空処理装置において、 前記第１の真空排気手段及び第２の真空排気手段の間の
排気路中に設けられ、前記処理室から排気された生成物
を捕集する捕集部と、 前記捕集部よりも上流側の排気路及び第２の真空排気手
段の各内面を、前記生成物が析出する温度以上の温度に
加熱するための加熱手段と、を備えていることを特徴と
する真空処理装置。 - 【請求項５】 処理ガスを導入して真空雰囲気下で被処
理体に対して真空処理を行うための気密な処理室と、こ
の処理室に接続された排気路とを有する真空処理装置に
おいて、 前記排気路の一部を並列化して一方及び他方の流路に夫
々第１の捕集部及び第２の捕集部を設け、 前記第１の捕集部の両側のバルブを閉じる工程と、 次いでこの第１の捕集部内に洗浄液を供給して、析出さ
れた生成物を除去する工程と、 その後前記第１の捕集部内に乾燥ガスを供給して捕集部
内を乾燥させる工程と、 前記第１の捕集部の両側のバルブが閉じられている間に
第２の捕集部を通じて処理室内を真空排気する工程と、
を含むことを特徴とする真空処理装置の運転方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12588995A JPH08298234A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 真空処理装置及びその運転方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12588995A JPH08298234A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 真空処理装置及びその運転方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08298234A true JPH08298234A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=14921433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12588995A Withdrawn JPH08298234A (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 真空処理装置及びその運転方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08298234A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017053607A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
| CN110585938A (zh) * | 2018-06-13 | 2019-12-20 | 武汉神宝宠物用品有限公司 | 一种使用真空负压原理混合清洁液、水和空气的装置 |
| KR102113249B1 (ko) * | 2019-12-12 | 2020-05-20 | (주) 엠엠티케이 | 사이클론을 이용한 부산물 포집장치 |
| CN113260742A (zh) * | 2019-04-15 | 2021-08-13 | 纽富来科技股份有限公司 | SiC外延生长装置 |
| CN115083871A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-09-20 | 江苏邑文微电子科技有限公司 | 蚀刻设备和蚀刻方法 |
-
1995
- 1995-04-25 JP JP12588995A patent/JPH08298234A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017053607A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
| CN110585938A (zh) * | 2018-06-13 | 2019-12-20 | 武汉神宝宠物用品有限公司 | 一种使用真空负压原理混合清洁液、水和空气的装置 |
| CN110585938B (zh) * | 2018-06-13 | 2024-02-09 | 深圳市阿可美电器有限公司 | 一种使用真空负压原理混合清洁液、水和空气的装置 |
| CN113260742A (zh) * | 2019-04-15 | 2021-08-13 | 纽富来科技股份有限公司 | SiC外延生长装置 |
| KR102113249B1 (ko) * | 2019-12-12 | 2020-05-20 | (주) 엠엠티케이 | 사이클론을 이용한 부산물 포집장치 |
| CN115083871A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-09-20 | 江苏邑文微电子科技有限公司 | 蚀刻设备和蚀刻方法 |
| CN115083871B (zh) * | 2022-07-26 | 2022-12-02 | 江苏邑文微电子科技有限公司 | 蚀刻设备和蚀刻方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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