JPH08304479A - 電流スイッチ - Google Patents
電流スイッチInfo
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- JPH08304479A JPH08304479A JP7109257A JP10925795A JPH08304479A JP H08304479 A JPH08304479 A JP H08304479A JP 7109257 A JP7109257 A JP 7109257A JP 10925795 A JP10925795 A JP 10925795A JP H08304479 A JPH08304479 A JP H08304479A
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- current
- magnetic sensor
- output
- magnetic
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- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 過電流防護のために使用され、発熱せず、温
度特性が良く、小型である電流スイッチを提供すること
を目的とする。 【構成】 電流線に検出電流が流れることにより発生す
る磁界により抵抗値が変化することを利用して磁界の強
さを検出する磁気抵抗素子よりなる磁気センサと、前記
磁気センサからの出力をスイッチ信号に変換して出力す
る電子回路と、前記磁気センサにバイアス磁界を印加す
る磁界発生手段とからなり、基板の片面に前記磁気セン
サを実装し、その磁気センサに前記磁界発生手段による
磁界を作用させるように前記基板上に前記磁界発生手段
を実装し、電流線に予め設定された大きさ以上の電流が
流れると、この電流による磁界で磁気抵抗素子の抵抗値
が変化し、その出力を電子回路にてスイッチ信号として
変換して出力することができる。
度特性が良く、小型である電流スイッチを提供すること
を目的とする。 【構成】 電流線に検出電流が流れることにより発生す
る磁界により抵抗値が変化することを利用して磁界の強
さを検出する磁気抵抗素子よりなる磁気センサと、前記
磁気センサからの出力をスイッチ信号に変換して出力す
る電子回路と、前記磁気センサにバイアス磁界を印加す
る磁界発生手段とからなり、基板の片面に前記磁気セン
サを実装し、その磁気センサに前記磁界発生手段による
磁界を作用させるように前記基板上に前記磁界発生手段
を実装し、電流線に予め設定された大きさ以上の電流が
流れると、この電流による磁界で磁気抵抗素子の抵抗値
が変化し、その出力を電子回路にてスイッチ信号として
変換して出力することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗素子を利用した
電流スイッチに関するものである。
電流スイッチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、サーボモータやインバータモータ
といったモータの高度な制御化が増えてきている。そう
した中で負荷の増大や電源の異常時にモータを保護する
ための制御回路に、モータ電流が定格以上になると電子
的に制御を止めてモータを保護する過電流検出回路（電
流スイッチ）が設けられている。この過電流検出回路に
は、一般的に低抵抗体のシャント抵抗とフォトカプラが
組み合わされて使われており、異常電流時にシャント抵
抗に発生した電圧効果によりフォトカプラをオン、オフ
させて異常を検知していた。
といったモータの高度な制御化が増えてきている。そう
した中で負荷の増大や電源の異常時にモータを保護する
ための制御回路に、モータ電流が定格以上になると電子
的に制御を止めてモータを保護する過電流検出回路（電
流スイッチ）が設けられている。この過電流検出回路に
は、一般的に低抵抗体のシャント抵抗とフォトカプラが
組み合わされて使われており、異常電流時にシャント抵
抗に発生した電圧効果によりフォトカプラをオン、オフ
させて異常を検知していた。
【０００３】以下に、従来の電流スイッチについて図を
参照しながら説明する。図８は従来の電流スイッチの回
路図である。図８において、３８は電力型抵抗器、３９
は抵抗器、４０はコンデンサ、４１はフォトカプラ、４
２は検出電流の流れる電流線である。
参照しながら説明する。図８は従来の電流スイッチの回
路図である。図８において、３８は電力型抵抗器、３９
は抵抗器、４０はコンデンサ、４１はフォトカプラ、４
２は検出電流の流れる電流線である。
【０００４】以上のように構成された電流スイッチにつ
いて、以下にその動作を説明する。まず、電流線４２に
電流が流れると、その電流のほとんどは抵抗値の大きな
抵抗器３９には微少量しか流れず、抵抗値の小さい電力
型抵抗器３８を流れる。そこで、フォトカプラ４１の両
端に電位差が生じる。次に、予め設定された電流値以上
になると、フォトカプラ４１の両端の電位差が大きくな
り、フォトカプラ４１がオフからオンになることにより
出力が変化し、スイッチとしての機能を果たす。また、
コンデンサ４０はノイズによってフォトカプラ４１が誤
動作するのを防止するためのノイズ除去用である。
いて、以下にその動作を説明する。まず、電流線４２に
電流が流れると、その電流のほとんどは抵抗値の大きな
抵抗器３９には微少量しか流れず、抵抗値の小さい電力
型抵抗器３８を流れる。そこで、フォトカプラ４１の両
端に電位差が生じる。次に、予め設定された電流値以上
になると、フォトカプラ４１の両端の電位差が大きくな
り、フォトカプラ４１がオフからオンになることにより
出力が変化し、スイッチとしての機能を果たす。また、
コンデンサ４０はノイズによってフォトカプラ４１が誤
動作するのを防止するためのノイズ除去用である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、フォトカプラ４１は温度に対する安定性
が悪く、異常判定レベルがかなりのばらつきを有するだ
けでなく、電流を検出するシャント抵抗も低抵抗とはい
え熱損失を発生し、特に最近の制御回路の小型化といっ
たニーズの中においては、放熱のために小型化を妨げる
原因となっていた。
来の構成では、フォトカプラ４１は温度に対する安定性
が悪く、異常判定レベルがかなりのばらつきを有するだ
けでなく、電流を検出するシャント抵抗も低抵抗とはい
え熱損失を発生し、特に最近の制御回路の小型化といっ
たニーズの中においては、放熱のために小型化を妨げる
原因となっていた。
【０００６】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、大電流が流れても発熱せず、温度特性が良く、小型
である電流スイッチを提供することを目的とする。
で、大電流が流れても発熱せず、温度特性が良く、小型
である電流スイッチを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記従来の課題を解決す
るため、本発明の電流スイッチは、電流線に検出電流が
流れることにより発生する磁界により抵抗値が変化する
ことを利用して磁界の強さを検出する磁気抵抗素子より
なる磁気センサと、前記磁気センサからの出力と予め設
定した設定電圧を比較し出力する電子回路と、前記磁気
センサにバイアス磁界を印加する磁界発生手段とを備
え、前記電流線を実装した基板の他面に前記磁気センサ
を実装し、その磁気センサに前記磁界発生手段による磁
界がバイアス磁界として作用するように前記基板に前記
磁界発生手段を実装して構成したことを特徴とするもの
である。
るため、本発明の電流スイッチは、電流線に検出電流が
流れることにより発生する磁界により抵抗値が変化する
ことを利用して磁界の強さを検出する磁気抵抗素子より
なる磁気センサと、前記磁気センサからの出力と予め設
定した設定電圧を比較し出力する電子回路と、前記磁気
センサにバイアス磁界を印加する磁界発生手段とを備
え、前記電流線を実装した基板の他面に前記磁気センサ
を実装し、その磁気センサに前記磁界発生手段による磁
界がバイアス磁界として作用するように前記基板に前記
磁界発生手段を実装して構成したことを特徴とするもの
である。
【０００８】
【作用】この構成によって、基板に実装された電流線に
予め設定された大きさ以上の電流が流れると、その電流
による磁界の大きさで前記磁気センサの抵抗値が変化
し、その出力をスイッチ信号に変換して出力することが
できる。
予め設定された大きさ以上の電流が流れると、その電流
による磁界の大きさで前記磁気センサの抵抗値が変化
し、その出力をスイッチ信号に変換して出力することが
できる。
【０００９】
（実施例１）以下に本発明の実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明の電流スイッチの一
実施例を示す。図１において、１は検出電流が流れる電
流線で、好ましくは検出電流の大きさにより線径を変え
る。電流線１としては、例えば銅により構成され、特に
抵抗値が小さく非磁性で安価である点から好ましい。２
は基板である。３は磁気センサであり、磁気抵抗素子よ
り構成される。４は磁気発生手段の１つである永久磁石
である。前記電流線１は基板２の片面に実装されてお
り、前記磁気センサ３は前記基板２のもう一方の面に配
置され、前記電流線１に対向している。前記永久磁石４
は前記磁気センサ３の上に配置し、前記磁気センサ３に
対し前記電流線１による磁界とその磁界が直交するよう
に配置する。ここで、前記磁気センサ３、永久磁石４及
び電流線１は図示していないが磁性薄板よりなるシール
ドにより外部より磁気的に遮断されている。
照しながら説明する。図１は本発明の電流スイッチの一
実施例を示す。図１において、１は検出電流が流れる電
流線で、好ましくは検出電流の大きさにより線径を変え
る。電流線１としては、例えば銅により構成され、特に
抵抗値が小さく非磁性で安価である点から好ましい。２
は基板である。３は磁気センサであり、磁気抵抗素子よ
り構成される。４は磁気発生手段の１つである永久磁石
である。前記電流線１は基板２の片面に実装されてお
り、前記磁気センサ３は前記基板２のもう一方の面に配
置され、前記電流線１に対向している。前記永久磁石４
は前記磁気センサ３の上に配置し、前記磁気センサ３に
対し前記電流線１による磁界とその磁界が直交するよう
に配置する。ここで、前記磁気センサ３、永久磁石４及
び電流線１は図示していないが磁性薄板よりなるシール
ドにより外部より磁気的に遮断されている。
【００１０】前記磁気センサ３は、図２に示すようにセ
ンサ基板５上に４個の磁気抵抗素子３１，３２，３３，
３４が前記永久磁石４による磁界１０ａおよび前記電流
線１による磁界１０ｂのいずれにも感応するように配置
されており、各々の磁気抵抗素子３１ないし３４が閉ル
ープとなるように接続されている。ここで、前記磁気抵
抗素子３１，３２の接続点は出力端子６に、前記磁気抵
抗素子３１，３４の接続点は入力端子７に、前記磁気抵
抗素子３２，３３の接続点はアース端子８に、そして、
前記磁気抵抗素子３３，３４の接続点は出力端子９に接
続されており、本実施例において前記出力端子９は使用
されないために磁気センサとしては磁気抵抗素子３１，
３２が用いられる。
ンサ基板５上に４個の磁気抵抗素子３１，３２，３３，
３４が前記永久磁石４による磁界１０ａおよび前記電流
線１による磁界１０ｂのいずれにも感応するように配置
されており、各々の磁気抵抗素子３１ないし３４が閉ル
ープとなるように接続されている。ここで、前記磁気抵
抗素子３１，３２の接続点は出力端子６に、前記磁気抵
抗素子３１，３４の接続点は入力端子７に、前記磁気抵
抗素子３２，３３の接続点はアース端子８に、そして、
前記磁気抵抗素子３３，３４の接続点は出力端子９に接
続されており、本実施例において前記出力端子９は使用
されないために磁気センサとしては磁気抵抗素子３１，
３２が用いられる。
【００１１】図３は本実施例の電流スイッチの回路図を
示す。図３において、１１は磁気検知部であり、前記磁
気センサ３に並列に抵抗２８，２９および可変抵抗器３
０が接続され、ブリッジ回路を構成している。１２は変
換部であり、コンパレータ２２の反転入力端子に前記磁
気抵抗素子３１，３２の接続点（出力端子６）が接続さ
れ、コンパレータ２２の非反転入力端子に前記抵抗２９
と可変抵抗器３０の接続点が抵抗２７を介して接続され
ている。このコンパレータ２２の出力端子と非反転入力
端子間には抵抗２６が接続され、出力端子と電源入力間
には抵抗２４が接続されている。１３はスイッチ回路部
であり、エミッタが接地されたトランジスタ２１のベー
スに前記コンパレータ２２の出力端子が抵抗２５を介し
て接続され、トランジスタ２１のコレクタに出力抵抗２
３が接続され、そのコレクタより出力を取り出すように
構成されている。
示す。図３において、１１は磁気検知部であり、前記磁
気センサ３に並列に抵抗２８，２９および可変抵抗器３
０が接続され、ブリッジ回路を構成している。１２は変
換部であり、コンパレータ２２の反転入力端子に前記磁
気抵抗素子３１，３２の接続点（出力端子６）が接続さ
れ、コンパレータ２２の非反転入力端子に前記抵抗２９
と可変抵抗器３０の接続点が抵抗２７を介して接続され
ている。このコンパレータ２２の出力端子と非反転入力
端子間には抵抗２６が接続され、出力端子と電源入力間
には抵抗２４が接続されている。１３はスイッチ回路部
であり、エミッタが接地されたトランジスタ２１のベー
スに前記コンパレータ２２の出力端子が抵抗２５を介し
て接続され、トランジスタ２１のコレクタに出力抵抗２
３が接続され、そのコレクタより出力を取り出すように
構成されている。
【００１２】以上のように構成された電流スイッチにつ
いて、その動作を説明する。まず、前記磁気センサ３に
は永久磁石４による磁界１０ａがバイアス磁界として印
加される。次に、前記電流線１に検出電流が流れると、
その周囲に右ネジの法則に従う磁界１０ｂが発生し、磁
気センサ３には電流線１による磁界１０ｂと、磁界１０
ｂと直交する永久磁石４による磁界１０ａが印加され
る。前記磁気センサ３の磁気抵抗素子３１，３２のパタ
ーンは一つ一つが磁界１０ｂと直交しているので、前記
電流線１による磁界１０ｂの大きさにより前記磁気セン
サ３の出力は変化する。
いて、その動作を説明する。まず、前記磁気センサ３に
は永久磁石４による磁界１０ａがバイアス磁界として印
加される。次に、前記電流線１に検出電流が流れると、
その周囲に右ネジの法則に従う磁界１０ｂが発生し、磁
気センサ３には電流線１による磁界１０ｂと、磁界１０
ｂと直交する永久磁石４による磁界１０ａが印加され
る。前記磁気センサ３の磁気抵抗素子３１，３２のパタ
ーンは一つ一つが磁界１０ｂと直交しているので、前記
電流線１による磁界１０ｂの大きさにより前記磁気セン
サ３の出力は変化する。
【００１３】次に、前記磁気センサ３の出力が設定値よ
り小さくなると、磁気センサ３からの出力が変換部１２
で変換され、スイッチとしてＨＩ、ＬＯを出力すること
ができる。図４に電流と磁気センサにかかる磁界の大き
さ、磁気センサの出力、比較器の出力、スイッチ回路部
の出力の関係を示す。
り小さくなると、磁気センサ３からの出力が変換部１２
で変換され、スイッチとしてＨＩ、ＬＯを出力すること
ができる。図４に電流と磁気センサにかかる磁界の大き
さ、磁気センサの出力、比較器の出力、スイッチ回路部
の出力の関係を示す。
【００１４】本実施例において、前記磁気検知部１１の
可変抵抗器３０により検出電流の値が設定されている。
可変抵抗器３０により検出電流の値が設定されている。
【００１５】まず、検出電流が流れていないか、設定値
より小さいときは前記コンパレータ２２の＋端子の電圧
は−端子より大きいので、前記コンパレータ２２の出力
は＋となり、トランジスタ２１はＯＮ状態となり、出力
としてはＬＯが出力される。
より小さいときは前記コンパレータ２２の＋端子の電圧
は−端子より大きいので、前記コンパレータ２２の出力
は＋となり、トランジスタ２１はＯＮ状態となり、出力
としてはＬＯが出力される。
【００１６】次に、検出電流が設定値より大きくなる
と、前記磁気センサ３の出力の電圧が前記コンパレータ
２２の＋端子の電圧より大きくなり、前記コンパレータ
２２の出力は０となり、トランジスタ２１はＯＦＦ状態
となり、出力としてＨＩが出力される。
と、前記磁気センサ３の出力の電圧が前記コンパレータ
２２の＋端子の電圧より大きくなり、前記コンパレータ
２２の出力は０となり、トランジスタ２１はＯＦＦ状態
となり、出力としてＨＩが出力される。
【００１７】以上のように検出電流による発生磁界を磁
気センサを構成する磁気抵抗素子３１，３２を用いて、
磁界の大きさを電気量に変換し、さらに、抵抗２８，２
９，３０とのブリッジ回路によりそれぞれの磁気検出部
の出力をコンパレータ２２で比較することにより、非接
触で電流が設定値を越えたかどうかを検出することがで
きる。
気センサを構成する磁気抵抗素子３１，３２を用いて、
磁界の大きさを電気量に変換し、さらに、抵抗２８，２
９，３０とのブリッジ回路によりそれぞれの磁気検出部
の出力をコンパレータ２２で比較することにより、非接
触で電流が設定値を越えたかどうかを検出することがで
きる。
【００１８】なお、本実施例では磁気センサ３の出力を
コンパレータ２２の−端子に入力したが、＋端子と−端
子の入力を逆にする、また、磁気センサ３の大きさの変
化を逆にする、また、それらの結果により出力のＨＩ、
ＬＯの変化の仕方が逆になっても磁界により磁気センサ
の抵抗値の変化は変わらないので、磁気抵抗素子３１，
３２による出力と抵抗２８，２９，３０との組み合わせ
は変えても良いことは言うまでもない。
コンパレータ２２の−端子に入力したが、＋端子と−端
子の入力を逆にする、また、磁気センサ３の大きさの変
化を逆にする、また、それらの結果により出力のＨＩ、
ＬＯの変化の仕方が逆になっても磁界により磁気センサ
の抵抗値の変化は変わらないので、磁気抵抗素子３１，
３２による出力と抵抗２８，２９，３０との組み合わせ
は変えても良いことは言うまでもない。
【００１９】（実施例２）以下に、本発明の第２の実施
例について、図面を参照しながら説明する。
例について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】図５は本発明の第２の実施例を示す。実施
例１と異なるところはヨーク１５を永久磁石４に近接し
て配置することで、好ましくは永久磁石４に接している
ことが望ましい。
例１と異なるところはヨーク１５を永久磁石４に近接し
て配置することで、好ましくは永久磁石４に接している
ことが望ましい。
【００２１】本実施例において、磁気センサ３には永久
磁石４による磁界１０ａがバイアス磁界として印加さ
れ、その磁束の大部分はヨーク１５を通り、また外乱磁
界も大部分がヨーク１５を通過する。このように前記永
久磁石４に近接もしくは接するようにヨーク１５を配置
することにより外乱磁界の影響を小さくすることがで
き、出力への影響を小さくすることができる。
磁石４による磁界１０ａがバイアス磁界として印加さ
れ、その磁束の大部分はヨーク１５を通り、また外乱磁
界も大部分がヨーク１５を通過する。このように前記永
久磁石４に近接もしくは接するようにヨーク１５を配置
することにより外乱磁界の影響を小さくすることがで
き、出力への影響を小さくすることができる。
【００２２】（実施例３）以下に、本発明の第３の実施
例について、図面を参照しながら説明する。
例について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】図６，図７は本発明の第３の実施例を示
す。本実施例において、１６は電流線であり、直交して
交わる部分を有している。そして、前記電流線１６の交
わる部分に磁気センサ３が対向している。
す。本実施例において、１６は電流線であり、直交して
交わる部分を有している。そして、前記電流線１６の交
わる部分に磁気センサ３が対向している。
【００２４】以上のように構成された電流スイッチで
は、まず、前記磁気センサ３に電流線１６に電流が流れ
ると右ネジの法則に従いそれぞれ直交する磁界３６，３
７が発生し、磁気センサ３に印加される。磁界３６，３
７はそれぞれ直交しているため片方がバイアス磁界、も
う一方が検出磁界になる。前記磁気センサ３は図２に示
す磁気抵抗素子３１，３２のパターンの一つ一つが直交
しているので、電流線１６による磁界の大きさにより磁
気センサ３の出力は変化する。
は、まず、前記磁気センサ３に電流線１６に電流が流れ
ると右ネジの法則に従いそれぞれ直交する磁界３６，３
７が発生し、磁気センサ３に印加される。磁界３６，３
７はそれぞれ直交しているため片方がバイアス磁界、も
う一方が検出磁界になる。前記磁気センサ３は図２に示
す磁気抵抗素子３１，３２のパターンの一つ一つが直交
しているので、電流線１６による磁界の大きさにより磁
気センサ３の出力は変化する。
【００２５】次に、前記磁気センサ３の出力が設定値よ
り小さくなると、磁気検出部１１からの出力が変換部１
２で変換され、スイッチとしてＨＩ、ＬＯを出力するこ
とができる。
り小さくなると、磁気検出部１１からの出力が変換部１
２で変換され、スイッチとしてＨＩ、ＬＯを出力するこ
とができる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明は、電流線に検出電
流が流れることにより発生する磁界により抵抗値が変化
することを利用して磁界の強さを検出する磁気抵抗素子
よりなる磁気センサと、前記磁気センサからの出力を変
換出力する電子回路と、前記磁気センサにバイアス磁界
を印加する磁界発生手段とを備え、前記電流線を実装し
た基板の他面に前記磁気センサを実装し、その磁気セン
サに前記磁界発生手段による磁界を作用させないように
構成したことにより、検出電流と電流スイッチは非接
触、かつ温度特性の悪いフォトカプラを用いず、少ない
部品点数で小型化することができ、また、発熱せず、温
度特性の良く電流スイッチを実現できるものである。
流が流れることにより発生する磁界により抵抗値が変化
することを利用して磁界の強さを検出する磁気抵抗素子
よりなる磁気センサと、前記磁気センサからの出力を変
換出力する電子回路と、前記磁気センサにバイアス磁界
を印加する磁界発生手段とを備え、前記電流線を実装し
た基板の他面に前記磁気センサを実装し、その磁気セン
サに前記磁界発生手段による磁界を作用させないように
構成したことにより、検出電流と電流スイッチは非接
触、かつ温度特性の悪いフォトカプラを用いず、少ない
部品点数で小型化することができ、また、発熱せず、温
度特性の良く電流スイッチを実現できるものである。
【図１】本発明の第１の実施例における電流スイッチの
構成図
構成図
【図２】同電流スイッチに使用する磁気センサの平面図
【図３】同電流スイッチの電気結線図
【図４】同電流スイッチの各部の特性図
【図５】本発明の第２の実施例における電流スイッチの
構成図
構成図
【図６】本発明の第３の実施例における電流スイッチの
正面図
正面図
【図７】同電流スイッチの背面図
【図８】従来の電流スイッチの回路図
１ 電流線 ２ 基板 ３ 磁気センサ ４ 永久磁石 ５ センサ基板 ６ 出力端子 ７ 入力端子 ８ アース端子 １１ 磁気検知部 １２ 変換部 １３ スイッチ回路部 １５ ヨーク １６ 電流線
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に実装された電流線と、前記電流
線に検出電流が流れることにより発生する磁界により抵
抗値が変化することを利用して磁界の強さを検出する磁
気抵抗素子よりなる磁気センサと、前記磁気センサから
の出力をスイッチ信号として出力するように処理する電
子回路と、前記磁気センサにバイアス磁界を印加するよ
うに前記基板に実装された磁界発生手段とを備えたこと
を特徴とする電流スイッチ。 - 【請求項２】 前記磁気センサと前記磁気発生手段と前
記電流線を外部より磁気的に遮断するための磁性薄板か
らなるシールドを備えた請求項１記載の電流スイッチ。 - 【請求項３】 前記電子回路は磁気センサからの出力と
予め設定した基準電圧を比較し出力する比較器と、前記
比較器の出力により駆動されるスイッチ回路部からなる
請求項１記載の電流スイッチ。 - 【請求項４】 前記磁気発生手段は前記電流線に直交す
る関係に配置された電流線であることを特徴とする請求
項１記載の電流スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7109257A JPH08304479A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 電流スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7109257A JPH08304479A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 電流スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304479A true JPH08304479A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14505598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7109257A Pending JPH08304479A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 電流スイッチ |
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| JP (1) | JPH08304479A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007155399A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Tokai Rika Co Ltd | 電流センサ、及び、それを有する電流値算出システム |
| WO2013186854A1 (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-19 | 富士通株式会社 | 電流センサ |
| WO2014045559A1 (ja) * | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
| CN104280600A (zh) * | 2013-07-11 | 2015-01-14 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 检测器和电压变换器 |
| JP2015179042A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
-
1995
- 1995-05-08 JP JP7109257A patent/JPH08304479A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007155399A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Tokai Rika Co Ltd | 電流センサ、及び、それを有する電流値算出システム |
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| US10132843B2 (en) | 2013-07-11 | 2018-11-20 | Infineon Technologies Austria Ag | Detector and a voltage converter |
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