JPH08306166A

JPH08306166A - 記録再生用カセット

Info

Publication number: JPH08306166A
Application number: JP11292495A
Authority: JP
Inventors: Takashi Oki; 隆大木
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-05-11
Filing date: 1995-05-11
Publication date: 1996-11-22

Abstract

(57)【要約】【目的】記録再生用カセットに装着されているＩＣメ
モリ基板のガタ付きをなくすと共に静電気を逃がす構造
にしてカセットの品質を高く維持する。【構成】記録再生用カセットに装着したＩＣメモリ基
板と、このＩＣメモリ基板の近傍位置であって、カセッ
トの記録可、不可を制御する誤消去防止プラグを備えた
記録再生用カセットであり、誤消去防止プラグ全体を導
電性部材にして、この導電性部材の一部をＩＣメモリ基
板に接触させるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カセットの記録情報を
記憶するＩＣメモリ基板の取付構造及び静電気を逃がす
構造に関するものであり、特にＩＣメモリ基板と誤消去
防止プラグとの接触構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来技術における記録再生用カセット１
は、図１０〜図１３に示すように、四角形状をした上下
シェル２、３の中に記録再生用テープ４、例えば磁気テ
ープを巻装させた両リール５Ａ、５Ｂを収納した構造と
なっている。その裏面側のコーナー近傍には、記録可の
状態又は記録不可の状態を、電子機器側で判断できる検
出穴６を設けた構造となっている。この検出穴６は、検
出穴６の上部側面に設けた誤消去操作部７Ａ、７Ｂに設
けられている誤消去防止プラグ８の左右方向への摺動操
作によって、検出穴６がカセット１の内部で開口又は閉
口される。記録再生装置は、この検出穴６に検出ピンを
挿入して穴の開閉状態からテープ４の記録可又は記録不
可（再生専用）の判別をするようになっている。

【０００３】誤消去操作部７Ａ、７Ｂは、図１２及び図
１３に示すように、上シェル２と下シェル３とのコーナ
ー近傍に設けられており、上シェル２の側面を切り欠い
た窓からなる開口部９を設け、この開口部９から誤消去
防止プラグ８の突起形状のノブ８ａを臨ませるようにし
て装着し、その誤消去防止プラグ８の奥側に誤消去防止
プラグ８と略平行にカラープレート１０を配設した構造
となっている。

【０００４】そして、図１２に示すように、誤消去防止
プラグ８のノブ８ａを右側にスライドさせると、誤消去
防止プラグ８自身のカラー、例えばカセットと同系色の
黒みがかった灰色が開口部９から臨んだ状態で視認で
き、記録できる状態であると識別できる。この状態の時
には、図示されていないが検出穴６を塞いだ状態になっ
ているために、電子機器は自動的に記録可の状態と判断
できる。

【０００５】一方、図１３に示すように、誤消去防止プ
ラグ８を左側にスライドさせるとノブ８ａの部分だけが
開口部９から臨んだ状態となり、残りの部分は、誤消去
防止プラグ８の背後に配設してある目立つ特定色、例え
ば赤色のカラープレート１０が視認でき、記録不可であ
ることが色の区別により容易に識別できる構造となって
いる。この状態の時には、図示されていないが、検出穴
６を開いた状態になっているため、電子機器は自動的に
記録不可の状態と判定する。

【０００６】カラープレート１０は、目立つ特定色、例
えば赤色からなり、図１４に示すように、上シェル２の
補強リブも兼ねたコーナー近傍に設けてある誤消去操作
部７Ａに仮止め固定される。

【０００７】誤消去操作部７Ａは、図１４に示すよう
に、上シェル２のコーナー側面に設けた開口部９と、そ
の内側奥に上シェル２の側面と平行に設けた支持壁１１
と、この支持壁１１と所定間隔の溝１２を形成する案内
壁１３ａ、１３ｂとを設けた構造となっている。溝１２
は、カラープレート１０の長手方向端部で仮止め固定で
きる深さに形成され、その長さはカラープレート１０の
長手方向の長さよりも若干短く形成されている。

【０００８】一方、下シェル３には、図１５に示すよう
に、上シェル２と対応したコーナーに誤消去操作部７Ｂ
を設けた構造となっている。この誤消去操作部７Ｂは、
長手方向の側面に平行に誤消去防止プラグ８をガイドす
るガイド壁１４と、ガイド壁１４から更に奥側に平行な
支持壁１５を設け、ガイド壁１４と支持壁１５との間で
あり下シェル３の短手方向の側面側に近接した位置に透
孔の検出穴６を設けた構造となっている。このような構
造からなる下シェル３の誤消去操作部７Ｂには、下シェ
ル３の側壁３ｂとガイド壁１４の間に接点を外側に臨ま
せた状態にしてＩＣメモリ基板１６を配設し、その上か
ら誤消去防止プラグ８をガイド壁１４とリブ支持壁１５
の間に載せるようにして配置する。

【０００９】誤消去防止プラグ８は、図１９及び図２
０に示すように、基部８ｂ側を楕円筒型形状に形成し、
その端部から起立させたガイド部８ｃと、ガイド部８ｃ
の反対側の端部にノブ８ａを配設した平板形状のカバー
部８ｄを設けた構造となっている。そして、ガイド部８
ｃとカバー部８ｄとの間には、上シェル２の案内壁１３
ｃ、１３ｄとカラープレート１０Ａと支持壁１１ａとを
挟み込む構造となっている。

【００１０】ＩＣメモリ基板１６は、図１６及び図１７
に示すように、略長方形状に形成した基板１７の拡幅に
形成した左側にＩＣチップ１８を装備したメモリ搭載部
１９を設け、右側の位置に電子機器の外部コネクタと接
続する端子部２０を備えた構造となっている。

【００１１】ＩＣチップ１８は、略中央の位置に記録再
生用テープの記録情報等を記録しておくチップであり、
保護層により覆われた構造となっている。このＩＣチッ
プ１８は端子部２０のそれぞれの接点端子２０ａ、２０
ｂ、２０ｃ、２０ｄと接続されている。

【００１２】端子部２０は、４つの接点端子２０ａ、２
０ｂ、２０ｃ、２０ｄを整列状態に配置し、それぞれの
接点端子２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄは外側から接
地用端子２０ａ、クロック用端子２０ｂ、データ用端子
２０ｃ、電源用端子２０ｄから構成されている。尚、Ｉ
Ｃチップ１８を搭載しないで、接点端子２０ａ、２０
ｂ、２０ｃ、２０ｄのみを備えたＩＣメモリ基板の構造
でもよいことは勿論である。

【００１３】図１５に戻って、このような構造をしたＩ
Ｃメモリ基板１６を配設し、その上から誤消去防止プラ
グ８を載置する。そうすると、図１８、図１９及び図２
０に示すように、上シェル２のガイド壁１４と支持壁１
５との間に誤消去防止プラグ８の下部側が収納され、上
シェル２の支持壁１１と案内壁１３ｂとで仮固定されて
いるカラープレート１０を誤消去防止プラグ８の上部側
で挟み込んだ状態となり、且つ下シェル３の側壁側に配
設したＩＣメモリ基板１６の背部側に対峙した誤消去防
止プラグ８が摺動自在に配置された構造となる。このよ
うに誤消去防止プラグ８の下部側は外側からガイドし、
上部側は内側からガイドするようにして、摺動可能に組
み立てることができる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記説
明した従来技術におけるカセットに装着されるＩＣメモ
リ基板は、取り外し可能なようにシェルの隙間に一定の
クリアランスを持ちながら挿入され、上下シェルにおい
て挟み込まれて固定された構造となっている。従って、
ガタ付きが若干あり、このために輸送中の振動等により
ＩＣメモリ基板とシェルとが擦れ易くなり静電気が発生
する場合がある。このため最悪の場合は、ＩＣメモリ基
板に搭載されているＩＣチップが静電破壊する問題があ
った。

【００１５】この問題を解決するために、シェル自体に
導電性の樹脂を使用したり、ＩＣメモリ基板自体に帯電
防止処理を施すことも行われているが、そのぶんコスト
がかかってしまうという問題点があった。

【００１６】又、ＩＣ回路自体の放電対策も行われてい
るが部品点数が増加するなどコスト的な問題と省スペー
スに対して不利になると云う問題点があった。

【００１７】従って、カセット内に装着されたＩＣメモ
リ基板の取付構造及び静電気を逃がす構造に解決しなけ
ればならない課題を有している。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る記録再生用カセットは、組み込んだＩ
Ｃメモリ基板の近傍に摺動自在な誤消去防止プラグと導
電性部材により、常時接触させる構造にすることであ
る。例えば、誤消去防止プラグ全体または一部を導電性
部材で形成し、その導電性部材の凸部をＩＣメモリ基板
に常時接触させる。または、導電性部材を誤消去防止プ
ラグにインサート成形して組み込み、この導電性部材の
延長線上をＩＣメモリ基板に常時接触させておく構造に
することである。

【００１９】

【作用】上記構成にした本発明の記録再生用カセット
は、内部に組み込んだＩＣメモリ基板が、例えガタ付き
がある状態で組み込まれていても、誤消去防止プラグと
常時接触する構造にして、且つ誤消去防止プラグの接触
する部位に導電性がある構造にすることにより、ＩＣメ
モリ基板のガタ付きを防止すると共に基板で発生する静
電気を誤消去防止プラグを介して逃がすことができるよ
うになる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明に係る記録再生用カセットのＩ
Ｃメモリ基板の近傍に装着してある誤消去防止プラグの
構造について、記録再生用カセット、例えば磁気テープ
カセットの構造を利用して以下詳細に説明する。尚、従
来技術と同様のものには理解を容易にするために同一番
号を付与して説明する。

【００２１】記録再生用カセット１は、図１に示すよう
に、四角形状をした上殻に相当する上シェル２と下殻に
相当する下シェル３とで構成され、その内部に記録媒体
用テープである磁気テープを巻装させた一対のテープリ
ール５Ａ、５Ｂを装着した構造となっている。

【００２２】又、記録再生用カセット１の前面側は、記
録再生用カセット１が電子機器、例えば、ディジタルビ
デオ機器等に装着された時に開閉してテープを機器の録
画再生機構に案内する開閉部２４を備え、背面の側面側
であって、補強リブを形成したコーナーの上下シェル
２、３側には誤消去防止プラグ８Ａを装着できる誤消去
操作部７Ａ、７Ｂを設けた構造となっている。

【００２３】又、この誤消去操作部７Ａ、７Ｂと略同じ
位置であって、上シェル２の補強リブ２ａと対向した下
シェル３のコーナーには、ＩＣメモリ基板１６を装着で
きるＩＣ基板取付部２３を設け、その奥側には透孔の検
出穴６を設けた構造となっている。

【００２４】誤消去防止プラグ８Ａは、図１及び図３に
示すように、基部８ｂ側を楕円筒型形状に形成し、その
端部から起立させたガイド部８ｃと、ガイド部８ｃの反
対側の端部にノブ８ａを配設した平板形状のカバー部８
ｄと、楕円筒型形状に形成した基部８ｂ側の基端部であ
って、ノブ８ａの下方の中央位置に半球形状の凸部８ｅ
とを設けた構造となっている。

【００２５】そして、ガイド部８ｃとカバー部８ｄとの
間には、上シェル２の案内壁１３ｃ、１３ｄとカラープ
レート１０Ａと支持壁１１ａとを挟み込む構造となって
いる。これら構造については、従来技術の図２０を用い
て説明したので、そちらを参考にしてもらいたい。又、
誤消去防止プラグ８ＡとＩＣメモリ基板１６との関係
は、後述する。

【００２６】ここでＩＣメモリ基板１６については、従
来技術で説明した図１６及び図１７と同様であるのでそ
の説明は省略する。

【００２７】下シェル３に設けてあるＩＣ基板取付部２
３は、図２に示すように、下シェル３の背面側の側面で
あってコーナーに設けた補強リブ３ａと側壁３ｂとの間
に、側壁３ｂの長手方向に沿って細長い２つの部屋から
なり、仕切り部３ｃを境にして端子収納部３ｄとＩＣ収
納部３ｅとから形成されている。

【００２８】端子収納部３ｄは、特に図２に示すよう
に、側壁３ｂに４個の整列状態に開口した接続窓部３ｆ
を設けた構造になっている。この接続窓部３ｆは、電子
機器、例えばディジタル・ビデオ・テープ・レコーダの
外部コネクタと接続する構造となっている。

【００２９】ＩＣ収納部３ｅは、ＩＣメモリ基板１６の
メモリ搭載部１９側を収納する構造となっている。

【００３０】このような構造からなる記録再生用カセッ
ト１の組立は、図２及び図３に示すように、下シェル３
のＩＣ基板取付部２３にＩＣメモリ基板１６の接点端子
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄを接続窓部３ｆから外
部に臨ませるようにして装着し、その上から誤消去防止
プラグ８Ａを載せるようにして装着し、その上に上シェ
ル２を被せる。

【００３１】そして、図４及び図５に示すように、下シ
ェル３のガイド壁１４と支持壁１５との間に誤消去防止
プラグ８Ａの下部側が収納され、上シェル２の支持壁１
１と案内壁１３ｂとで仮固定されているカラープレート
１０を誤消去防止プラグ８Ａの上部側で挟み込んだ状態
となり、且つ下シェル３の側壁側に配設したＩＣメモリ
基板１６の背部側に対峙して誤消去防止プラグ８Ａが摺
動自在に配置された構造となる。このように誤消去防止
プラグ８Ａの下部側は外側からガイドし、上部側は内側
からガイドするようにして、摺動可能に組み立てられて
いる。ここまでは従来技術と略同じである。

【００３２】本発明に係る実施例は、このようにして組
み立てられたＩＣメモリ基板１６の近傍に摺動自在に装
着された誤消去防止プラグ８Ａと常時接触をとる構造と
なっている。以下種々の実施例について説明する。尚、
従来技術における図１９と対比するとより理解し易い。

【００３３】本発明に係る第１実施例の誤消去防止プラ
グ８Ａは、図５に示すように、誤消去防止プラグ８Ａの
全体を導電性部材で形成し、ＩＣメモリ基板１６の背面
側であって、対峙した位置に同じ導電性部材で一体に形
成した半球形状の凸部８ｅを設けた構造となっている。
この凸部８ｅは、ＩＣメモリ基板１６の背面側に接触
し、且つ押さえる構造となっている。尚、凸部８ｅの形
状は、半球形状に限定されることなく、要はＩＣメモリ
基板１６の背面側であって、対峙した位置に接触できる
大きさであればよい。

【００３４】このような構造にすることによって、ＩＣ
メモリ基板１６を組み込み、その近傍に装着される誤消
去防止プラグ８Ａにより、ＩＣメモリ基板１６のガタ付
きを減少させ、外部コネクタとの接続の際にも動きを抑
制して外観を良くすることができると共に、電子機器の
検出ピン２１が検出穴６から挿入して誤消去防止プラグ
８Ａに当接した時に、ＩＣメモリ基板１６で発生してい
る静電気を逃がすことができる。又、ノブ８ａに触れて
も静電気を逃がすことができる構造となっている。

【００３５】次に、本発明に係る第２実施例の誤消去防
止プラグについて説明する。第２実施例の誤消去防止プ
ラグは、図６に示すように、誤消去防止プラグ８Ｂ全体
を導電性部材で形成し、ＩＣメモリ基板１６の背面側で
あって対峙した位置に別部材の導電性部材の凸部８ｆを
インサート成形または別途取り付けた構造となってい
る。この凸部８ｆは、ＩＣメモリ基板１６の背面側に接
触し、且つ押さえる構造となっている。凸部８ｆは、導
電性部材であればよく、例えば、金属線材料又は板状材
料で形成されている。

【００３６】このような構造にすることによって、ＩＣ
メモリ基板１６を組み込み、その近傍に装着される誤消
去防止プラグ８Ｂにより、ＩＣメモリ基板１６のガタ付
きを減少させ、外観を良くすることができる構造とな
り、上記第１実施例と同様の機能を奏することができ
る。

【００３７】次に、本発明に係る第３実施例の誤消去防
止プラグについて説明する。第３実施例の誤消去防止プ
ラグ８Ｃは、図７に示すように、誤消去防止プラグ８Ｃ
の一部を導電性部材で形成した構造となっている。この
一部の導電性部材は、操作する際に外部から手で接触す
る位置（ノブ８ａ）と、外部から挿入する検出ピン２１
と接触する位置と、ＩＣメモリ基板１６の背面側に接触
する位置とを含んだ構造となっている。この内、導電性
部材で形成し、ＩＣメモリ基板１６の背面側であって対
峙した位置に同部材の導電性部材の凸部８ｇを一体に形
成した構造となっている。この凸部８ｇは、ＩＣメモリ
基板１６の背面側に接触し、且つ押さえる構造となって
いる。この凸部８ｇの形状は第１実施例の凸部８ｅと同
様にその形状は半球形状に限定されないことは勿論のこ
とである。

【００３８】このような構造にすることによって、ＩＣ
メモリ基板１６を組み込み、その近傍に装着される誤消
去防止プラグ８Ｃにより、ＩＣメモリ基板１６のガタ付
きを減少させ、外観を良くすることができる構造とな
り、上記第１の実施例と同様の機能を奏することができ
る。

【００３９】次に、本発明に係る第４実施例の誤消去防
止プラグについて説明する。第４実施例の誤消去防止プ
ラグ８Ｄは、図８に示すように、誤消去防止プラグ８Ｄ
の一部を導電性部材で形成した構造となっている。この
一部の導電性部材は、操作する際に外部から手で接触す
る位置と、外部から挿入する検出ピン２１と接触する位
置と、ＩＣメモリ基板１６の背面側に接触する位置とを
含んだ構造となっている。この内、導電性部材で形成
し、ＩＣメモリ基板１６の背面側であって対峙した位置
に別部材の導電性部材の凸部８ｈをインサート成形また
は別途取り付けて導電性部材の延長線上に設けた構造と
なっている。この凸部８ｈは、ＩＣメモリ基板１６の背
面側に接触し、且つ押さえる構造となっている。

【００４０】このような構造にすることによって、ＩＣ
メモリ基板１６を組み込み、その近傍に装着される誤消
去防止プラグ８Ｄにより、ＩＣメモリ基板１６のガタ付
きを減少させ、外観を良くすることができる構造とな
り、上記第１実施例と同様の機能を奏することができ
る。

【００４１】次に本発明に係る第５実施例の誤消去防止
プラグについて説明する。第５実施例の誤消去防止プラ
グ８Ｅは、図９に示すように、誤消去防止プラグ８Ｅ内
部に別部材の導電性部材２２をインサート成形で設けた
構造となっている。この導電性部材２２は、操作する際
に外部から手で接触する位置２２ａと、外部から挿入す
る検出ピン２１と接触する位置２２ｂと、ＩＣメモリ基
板１６の背面側に接触する位置から突出した延長線上に
設けた凸部２２ｃとを接続した構造となっている。この
凸部２２ｃは、ＩＣメモリ基板１６の背面側であって、
対峙した位置に接触し、且つ押さえる構造となってい
る。

【００４２】このような構造にすることによって、ＩＣ
メモリ基板１６を組み込み、その近傍に装着される誤消
去防止プラグ８Ｅにより、ＩＣメモリ基板１６のガタ付
きを減少させ、外観を良くすることができる構造とな
り、上記第１実施例と同様の機能を奏することができ
る。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る記録
再生用カセットは、ＩＣメモリ基板を組み込んだ近傍に
装着した誤消去防止プラグと常時接触させるようにした
ことにより、基板に発生する静電気を逃がし静電破壊を
未然に防止し、カセットの信頼性を高めることができ
る。このことは、ＩＣメモリ基板のＩＣ回路に特別な静
電対策を行わなくてもよく、コストを抑えることができ
ると云う効果がある。

【００４４】又、誤消去防止プラグを常時ＩＣメモリ基
板に接触させるようにしたことにより、ＩＣメモリ基板
のガタ付きを少なくさせ、外部コネクタとの接続時にお
いても、基板自体の動きを抑制して外観を良くし、外部
コネクタとの安定した接触を可能にし、外部コネクタの
耐久性を向上させることができると云う効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る記録再生用カセットの全体斜視図
である。

【図２】同下シェル側の誤消去操作部及びＩＣ基板取付
部を示した要部拡大図である。

【図３】同記録再生用カセットの誤消去操作部及びＩＣ
基板取付部の部分破断斜視図である。

【図４】同ＩＣメモリ基板と誤消去操作リブを装着した
様子を示した説明図である。

【図５】本発明に係る第１実施例の誤消去防止プラグを
ＩＣメモリ基板を常時押圧して接触させた構造を示した
図４のＣ−Ｃ線断面説明図である。

【図６】同第２実施例の誤消去防止プラグをＩＣメモリ
基板を常時押圧して接触させた構造を示した図４のＣ−
Ｃ線断面説明図である。

【図７】同第３実施例の誤消去防止プラグをＩＣメモリ
基板を常時押圧して接触させた構造を示した図４のＣ−
Ｃ線断面説明図である。

【図８】同第４実施例の誤消去防止プラグをＩＣメモリ
基板を常時押圧して接触させた構造を示した図４のＣ−
Ｃ線断面説明図である。

【図９】同第５実施例の誤消去防止プラグをＩＣメモリ
基板を常時押圧して接触させた構造を示した図４のＣ−
Ｃ線断面説明図である。

【図１０】記録再生用カセットの略示的平面図である。

【図１１】記録再生用カセットの略示的背面図である。

【図１２】記録再生用カセットの誤消去防止プラグを装
着した側面側の記録可の状態を示す略示的説明図であ
る。

【図１３】記録再生用カセットの誤消去防止プラグを装
着した側面側の記録不可の状態を示す略示的説明図であ
る。

【図１４】上シェル側の誤消去操作部の要部を示した説
明図である。

【図１５】下シェル側の誤消去操作部の要部を示した説
明図である。

【図１６】ＩＣメモリ基板の側面図である。

【図１７】ＩＣメモリ基板の端子側の平面図である。

【図１８】従来技術における図１２のＢ−Ｂ線断面図で
ある。

【図１９】図１８のＡ−Ａ線断面図である。

【図２０】従来技術の誤消去操作部の構造を破断して示
した要部斜視図である。

【符号の説明】

１記録再生用カセット２上シェル２ａ補強リブ３下シェル３ａ補強リブ３ｂ側壁３ｃ仕切り部３ｄ端子収納部３ｅＩＣ収納部３ｆ接続窓部４記録再生用テープ５Ａ、５Ｂ両リール６検出穴７Ａ、７Ｂ誤消去操作部８誤消去防止プラグ８ａノブ８ｂ基部８ｃガイド部８ｄカバー部８ｅ、８ｆ、８ｇ、８ｈ凸部９開口部１０カラープレート１１支持壁１２溝１３ａ、１３ｂ案内壁１４ガイド壁１５支持壁１６ＩＣメモリ基板１７基板１８ＩＣチップ１９メモリ搭載部２０端子部２１検出ピン２２導電性部材２２ａ手で抵触する位置２２ｂ検出ピン２１と接触する位置２２ｃ凸部２３ＩＣ基板取付部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】略四角形状の上下シェルで形成されたカ
セットと、電子機器の外部コネクタと接触して接続する
接点端子を備えたＩＣメモリ基板と、摺動操作によりカ
セットの記録可、不可を行い、この操作に応じてカセッ
トの記録可、不可状態を検出する検出穴を開閉する誤消
去防止プラグとからなり、前記カセットの適宜位置に前
記ＩＣメモリ基板の接点端子を外側に臨ませて装着した
近傍位置に、前記誤消去防止プラグを摺動自在に装着し
た記録再生用カセットであって、前記誤消去防止プラグ
には、前記ＩＣメモリ基板を常時押圧して接触させて電
気的接続を得る接触手段を設けたことを特徴とする記録
再生用カセット。
【請求項２】前記接触手段は、前記誤消去防止プラグ
全体を導電性部材で形成し、且つ前記ＩＣメモリ基板と
対峙する位置に凸部を形成し、該凸部を前記ＩＣメモリ
基板に常時押圧して接触させたことを特徴とする請求項
１に記載の記録再生用カセット。
【請求項３】前記接触手段は、前記誤消去防止プラグ
の一部を導電性部材で形成し、該導電性部材の一部であ
って、前記ＩＣメモリ基板と対峙する位置に凸部を形成
し、該凸部を前記ＩＣメモリ基板に常時押圧して接触さ
せるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の記録
再生用カセット。
【請求項４】前記接触手段は、前記誤消去防止プラグ
に導電性部材をインサート成形により組み込み、該組み
込んだ導電性部材の延長線上を前記ＩＣメモリ基板に常
時押圧して接触させるようにしたことを特徴とする請求
項１に記載の記録再生用カセット。