JPH08306816A - 電極パッド - Google Patents
電極パッドInfo
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- JPH08306816A JPH08306816A JP10539295A JP10539295A JPH08306816A JP H08306816 A JPH08306816 A JP H08306816A JP 10539295 A JP10539295 A JP 10539295A JP 10539295 A JP10539295 A JP 10539295A JP H08306816 A JPH08306816 A JP H08306816A
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- JP
- Japan
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- electroless
- plating
- film
- electrode pad
- adhesive strength
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 セラミックス基板１１上に形成される電極パ
ッド１５において、セラミックス基板１１上にＡｕ、Ａ
ｇ／Ｐｄ、Ｃｕのいずれかよりなる厚膜パターン１２が
形成され、厚膜パターン１２上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ
膜１３が形成され、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１４
が形成されている電極パッド１５。 【効果】 半田濡れ性及び高温放置後の密着性にすぐ
れ、ＬＳＩをフリップチップ方式にて接続した際に極め
て高い信頼性を得ることができる。
ッド１５において、セラミックス基板１１上にＡｕ、Ａ
ｇ／Ｐｄ、Ｃｕのいずれかよりなる厚膜パターン１２が
形成され、厚膜パターン１２上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ
膜１３が形成され、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１４
が形成されている電極パッド１５。 【効果】 半田濡れ性及び高温放置後の密着性にすぐ
れ、ＬＳＩをフリップチップ方式にて接続した際に極め
て高い信頼性を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電極パッドに関し、より
詳細にはフリップチップ方式にてシリコンチップ等をセ
ラミックス基板上に接続するための電極パッドに関す
る。
詳細にはフリップチップ方式にてシリコンチップ等をセ
ラミックス基板上に接続するための電極パッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器はますます高性能化、小
型化、高密度化が進んできており、これらに実装される
半導体装置の多ピン化、マルチチップ化も急速に進めら
れつつある。これに伴い、ＬＳＩのボンディング法とし
ては、ワイヤボンディング法、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式よりも、フリッ
プチップ方式が多く採用されるようになってきている。
フリップチップ方式とはＬＳＩの一主面に形成されたパ
ッド上にさらに半田バンプを形成し、基板側電極パッド
と接続する方法であり、（１）接続長さが短縮でき電気
特性が良好である。（２）狭ピッチにしなくてもパッド
を多く形成することができる。（３）ＬＳＩ面積／パッ
ケージ面積の比を大きくすることができる。（４）実装
厚を薄くすることができる。（５）接合強度を強くする
ことができる。（６）実装工程を簡略化することができ
る等の長所を有している。
型化、高密度化が進んできており、これらに実装される
半導体装置の多ピン化、マルチチップ化も急速に進めら
れつつある。これに伴い、ＬＳＩのボンディング法とし
ては、ワイヤボンディング法、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式よりも、フリッ
プチップ方式が多く採用されるようになってきている。
フリップチップ方式とはＬＳＩの一主面に形成されたパ
ッド上にさらに半田バンプを形成し、基板側電極パッド
と接続する方法であり、（１）接続長さが短縮でき電気
特性が良好である。（２）狭ピッチにしなくてもパッド
を多く形成することができる。（３）ＬＳＩ面積／パッ
ケージ面積の比を大きくすることができる。（４）実装
厚を薄くすることができる。（５）接合強度を強くする
ことができる。（６）実装工程を簡略化することができ
る等の長所を有している。
【０００３】上記フリップチップ方式による接続工程
は、半田バンプがセラミックス基板上の電極パッド上に
来るように前記半田バンプが形成されたＬＳＩを位置合
わせし、フラックスによる仮付け後、リフロー処理によ
り半田を溶融させる工程よりなる。
は、半田バンプがセラミックス基板上の電極パッド上に
来るように前記半田バンプが形成されたＬＳＩを位置合
わせし、フラックスによる仮付け後、リフロー処理によ
り半田を溶融させる工程よりなる。
【０００４】前記フリップチップ方式における半田バン
プ接続用の電極パッドをセラミックス基板上に形成する
方法としては、導体ペーストを電極パッド形成部にスク
リーン印刷法にて塗布し、焼成して形成した厚膜パター
ンに、Ｎｉ等のメッキを行う方法が一般的であり、他に
は、スパッタリング法により形成する方法もあるが、設
備コスト、生産コストが極めて高くなるため、実際には
あまり採用されていない。
プ接続用の電極パッドをセラミックス基板上に形成する
方法としては、導体ペーストを電極パッド形成部にスク
リーン印刷法にて塗布し、焼成して形成した厚膜パター
ンに、Ｎｉ等のメッキを行う方法が一般的であり、他に
は、スパッタリング法により形成する方法もあるが、設
備コスト、生産コストが極めて高くなるため、実際には
あまり採用されていない。
【０００５】前記Ｎｉ等のメッキは電極パッドの半田濡
れ性の確保及び半田と前記厚膜との反応を抑制するため
のバリア層の形成を目的として行われる。また、前記電
極パッドは直径１００μｍ前後の微細パターンであり、
かつ、多数であるため、前記メッキ方法としては無電解
メッキ法が多く利用されている。
れ性の確保及び半田と前記厚膜との反応を抑制するため
のバリア層の形成を目的として行われる。また、前記電
極パッドは直径１００μｍ前後の微細パターンであり、
かつ、多数であるため、前記メッキ方法としては無電解
メッキ法が多く利用されている。
【０００６】無電解Ｎｉメッキ法としては、無電解Ｎｉ
−Ｐメッキ法及び無電解Ｎｉ−Ｂメッキ法の２種類があ
る。前記無電解Ｎｉ−Ｐメッキ法は還元剤として次亜リ
ン酸塩を用いてメッキ液中のＮｉイオンを晶出させるも
のであり、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ法は還元剤としてホウ
素化水素ナトリウム、ジエチルボラザン、ジメチルアミ
ンボラザン等のホウ水素化物を用いてメッキ液中のＮｉ
イオンを晶出させるものである。
−Ｐメッキ法及び無電解Ｎｉ−Ｂメッキ法の２種類があ
る。前記無電解Ｎｉ−Ｐメッキ法は還元剤として次亜リ
ン酸塩を用いてメッキ液中のＮｉイオンを晶出させるも
のであり、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ法は還元剤としてホウ
素化水素ナトリウム、ジエチルボラザン、ジメチルアミ
ンボラザン等のホウ水素化物を用いてメッキ液中のＮｉ
イオンを晶出させるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらＡｕ、Ａ
ｇ／Ｐｄ、Ｃｕ等からなる厚膜パターン上に前記無電解
Ｎｉ−Ｐメッキ膜を形成した場合は、無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ膜のＰ含有量が８％以上と高い上、膜内にはすでに
Ｎｉ3 Ｐが析出しているため、半田濡れ性があまり良好
でなく、フリップチップ接続の際に接続不良が発生し易
いという課題があった。また、高温放置により前記Ｎｉ
3 Ｐの析出が進行し、半田との接着性が低下し易いとい
う課題もあった。
ｇ／Ｐｄ、Ｃｕ等からなる厚膜パターン上に前記無電解
Ｎｉ−Ｐメッキ膜を形成した場合は、無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ膜のＰ含有量が８％以上と高い上、膜内にはすでに
Ｎｉ3 Ｐが析出しているため、半田濡れ性があまり良好
でなく、フリップチップ接続の際に接続不良が発生し易
いという課題があった。また、高温放置により前記Ｎｉ
3 Ｐの析出が進行し、半田との接着性が低下し易いとい
う課題もあった。
【０００８】他方、Ａｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ等からなる
厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜を形成した場
合は、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜のＢ含有量が５％以下と
低いために半田濡れ性は良好であるが、高温放置によ
り、セラミックス基板と前記厚膜パターンとの接着性が
低下するという課題があった。これは、無電解Ｎｉ−Ｂ
メッキ膜におけるＮｉ純度が高く、下層の厚膜導体金属
と前記無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜とが反応しやすいため、
高温放置により、前記厚膜導体金属が前記無電解Ｎｉ−
Ｂメッキ膜内に拡散していくためである。
厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜を形成した場
合は、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜のＢ含有量が５％以下と
低いために半田濡れ性は良好であるが、高温放置によ
り、セラミックス基板と前記厚膜パターンとの接着性が
低下するという課題があった。これは、無電解Ｎｉ−Ｂ
メッキ膜におけるＮｉ純度が高く、下層の厚膜導体金属
と前記無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜とが反応しやすいため、
高温放置により、前記厚膜導体金属が前記無電解Ｎｉ−
Ｂメッキ膜内に拡散していくためである。
【０００９】なお、前記厚膜パターンとしてＷ、Ｍｏ、
Ｗ−Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗ−Ｍｏ−Ｍｎを用い、無電解
Ｎｉ−Ｂメッキ膜を形成した場合は、上記したような高
温放置による接着性低下は起こらないが、上記した厚膜
パターン材料は抵抗率が高く、焼成温度も高くなるため
実際にはあまり採用されていない。
Ｗ−Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗ−Ｍｏ−Ｍｎを用い、無電解
Ｎｉ−Ｂメッキ膜を形成した場合は、上記したような高
温放置による接着性低下は起こらないが、上記した厚膜
パターン材料は抵抗率が高く、焼成温度も高くなるため
実際にはあまり採用されていない。
【００１０】本発明は上記課題に鑑み発明されたもので
あって、半田濡れ性及び高温放置後の密着性にすぐれ、
ＬＳＩをフリップチップ方式にて接続した際に極めて高
い信頼性を得ることができる電極パッドを提供すること
を目的としている。
あって、半田濡れ性及び高温放置後の密着性にすぐれ、
ＬＳＩをフリップチップ方式にて接続した際に極めて高
い信頼性を得ることができる電極パッドを提供すること
を目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る電極パッドは、セラミックス基板上に形
成される電極パッドにおいて、セラミックス基板上にＡ
ｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕのいずれかよりなる厚膜パターン
が形成され、該厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ
膜が形成され、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成さ
れていることを特徴としている（１）。
に本発明に係る電極パッドは、セラミックス基板上に形
成される電極パッドにおいて、セラミックス基板上にＡ
ｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕのいずれかよりなる厚膜パターン
が形成され、該厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ
膜が形成され、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成さ
れていることを特徴としている（１）。
【００１２】また本発明に係る電極パッドは、請求項１
記載の電極パッドの表面に無電解Ａｕメッキ膜が形成さ
れていることを特徴としている（２）。
記載の電極パッドの表面に無電解Ａｕメッキ膜が形成さ
れていることを特徴としている（２）。
【００１３】前記セラミックス基板上に前記電極パッド
を形成するには、Ａｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕのいずれかを
導体主成分とする導体ペーストをセラミックス基板上に
所定の電極パターン状に塗布し、焼成後、順次無電解Ｎ
ｉ−Ｐメッキおよび無電解Ｎｉ−Ｂメッキを施す。
を形成するには、Ａｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕのいずれかを
導体主成分とする導体ペーストをセラミックス基板上に
所定の電極パターン状に塗布し、焼成後、順次無電解Ｎ
ｉ−Ｐメッキおよび無電解Ｎｉ−Ｂメッキを施す。
【００１４】前記導体ペーストの原料は導体粉末、ガラ
ス等の粉末、樹脂、溶剤からなり、前記導体粉末として
は、Ａｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕの粉末が使用可能である
が、Ａｕ粉末は高価であり、Ａｇ／Ｐｄ粉末で厚膜を形
成した場合は湿潤雰囲気下でのＡｇエレクトロマイグレ
ーションの虞れがあるためＣｕ粉末がより好ましい。ま
た、厚膜パターンとセラミックス基板との接着性を高め
るために前記導体ペースト中にガラス等の粉末を添加し
てもよい。
ス等の粉末、樹脂、溶剤からなり、前記導体粉末として
は、Ａｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕの粉末が使用可能である
が、Ａｕ粉末は高価であり、Ａｇ／Ｐｄ粉末で厚膜を形
成した場合は湿潤雰囲気下でのＡｇエレクトロマイグレ
ーションの虞れがあるためＣｕ粉末がより好ましい。ま
た、厚膜パターンとセラミックス基板との接着性を高め
るために前記導体ペースト中にガラス等の粉末を添加し
てもよい。
【００１５】前記樹脂は、前記導体ペーストに塗布性を
持たせるための適度の粘性を与え、前記導体ペーストの
塗布・乾燥後に前記導体粉末等をセラミックス基板に固
定する作用を有する。また前記溶剤は前記樹脂を溶かし
液体化する作用を有する。
持たせるための適度の粘性を与え、前記導体ペーストの
塗布・乾燥後に前記導体粉末等をセラミックス基板に固
定する作用を有する。また前記溶剤は前記樹脂を溶かし
液体化する作用を有する。
【００１６】また前記導体ペーストの作製は、３本ロー
ル等の公知の方法で前記導体ペースト原料を混練して行
う。
ル等の公知の方法で前記導体ペースト原料を混練して行
う。
【００１７】前記導体ペーストのセラミックス基板への
塗布は、スクリーン印刷法等の公知の塗布法により行
う。また電極パッド形成用のペーストを塗布すると同時
に、配線形成用等のペーストを塗布してもよい。
塗布は、スクリーン印刷法等の公知の塗布法により行
う。また電極パッド形成用のペーストを塗布すると同時
に、配線形成用等のペーストを塗布してもよい。
【００１８】前記導体ペーストをセラミックス基板に塗
布後は、塗布された導体ペーストを乾燥後、所定の焼成
条件にて焼成する。焼成処理により前記導体粉末は焼結
して導体厚膜パターンが形成され、ガラス粉末は軟化し
て導体厚膜パターンがセラミックス基板に結着される。
布後は、塗布された導体ペーストを乾燥後、所定の焼成
条件にて焼成する。焼成処理により前記導体粉末は焼結
して導体厚膜パターンが形成され、ガラス粉末は軟化し
て導体厚膜パターンがセラミックス基板に結着される。
【００１９】次に、前記工程にて形成された導体厚膜パ
ターンに無電解Ｎｉ−Ｐメッキを施す。無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ膜の形成は公知のプロセスにて形成する。例え
ば、メッキ前処理工程として、導体厚膜パターンの表面
を感受化及び活性化後、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液中に浸
漬する。無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜の膜厚は特に制限され
ないが、均一な膜形成のためには１μｍ以上が好まし
い。
ターンに無電解Ｎｉ−Ｐメッキを施す。無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ膜の形成は公知のプロセスにて形成する。例え
ば、メッキ前処理工程として、導体厚膜パターンの表面
を感受化及び活性化後、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液中に浸
漬する。無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜の膜厚は特に制限され
ないが、均一な膜形成のためには１μｍ以上が好まし
い。
【００２０】次に、無電解Ｎｉ−Ｂメッキを施す。無電
解Ｎｉ−Ｂメッキ膜の形成は、前記無電解Ｎｉ−Ｐメッ
キと同様に、公知のプロセスにて形成する。無電解Ｎｉ
−Ｂメッキ膜の膜厚は特に制限されないが、均一な膜形
成のためには１μｍ以上が好ましい。
解Ｎｉ−Ｂメッキ膜の形成は、前記無電解Ｎｉ−Ｐメッ
キと同様に、公知のプロセスにて形成する。無電解Ｎｉ
−Ｂメッキ膜の膜厚は特に制限されないが、均一な膜形
成のためには１μｍ以上が好ましい。
【００２１】また、本発明に係る電極パッド（２）にお
いては、以上の工程を経て形成した電極パッドに無電解
Ａｕメッキ膜を形成する。無電解Ａｕメッキ膜形成の目
的は、前記電極パッドの表層に形成されている無電解Ｎ
ｉ−Ｂメッキ膜の酸化防止である。無電解Ａｕメッキ膜
の膜厚は０．１μｍ程度でよく、また、メッキ法も公知
のプロセスで行う。
いては、以上の工程を経て形成した電極パッドに無電解
Ａｕメッキ膜を形成する。無電解Ａｕメッキ膜形成の目
的は、前記電極パッドの表層に形成されている無電解Ｎ
ｉ−Ｂメッキ膜の酸化防止である。無電解Ａｕメッキ膜
の膜厚は０．１μｍ程度でよく、また、メッキ法も公知
のプロセスで行う。
【００２２】
【作用】本発明に係る電極パッド（１）によれば、セラ
ミックス基板上にＡｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕのいずれかよ
りなる厚膜パターンが形成され、該厚膜パターン上に無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成され、さらに無電解Ｎｉ−
Ｂメッキ膜が形成されているので、電極パッドの表層に
はＮｉの純度が高い前記無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が存在
することになり、該無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜は半田に対
する濡れ性が良好であるため電極パッドの半田濡れ性も
良好となる。
ミックス基板上にＡｕ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕのいずれかよ
りなる厚膜パターンが形成され、該厚膜パターン上に無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成され、さらに無電解Ｎｉ−
Ｂメッキ膜が形成されているので、電極パッドの表層に
はＮｉの純度が高い前記無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が存在
することになり、該無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜は半田に対
する濡れ性が良好であるため電極パッドの半田濡れ性も
良好となる。
【００２３】また前記厚膜パターンと前記無電解Ｎｉ−
Ｂメッキ膜との間には前記無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が介
在しているため、厚膜導体金属が無電解Ｎｉ−Ｂメッキ
膜内に拡散してゆくことがなく、しかも無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ層中に含有されているＰ及びＮｉ3 Ｐが厚膜導体
金属とＮｉとの反応を抑制するので、厚膜パターンとセ
ラミックス基板との結合界面は変化しない。このため高
温放置による電極パッドとセラミックス基板との接着性
低下は起こらない。
Ｂメッキ膜との間には前記無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が介
在しているため、厚膜導体金属が無電解Ｎｉ−Ｂメッキ
膜内に拡散してゆくことがなく、しかも無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ層中に含有されているＰ及びＮｉ3 Ｐが厚膜導体
金属とＮｉとの反応を抑制するので、厚膜パターンとセ
ラミックス基板との結合界面は変化しない。このため高
温放置による電極パッドとセラミックス基板との接着性
低下は起こらない。
【００２４】また、本発明に係る電極パッド（２）は請
求項１記載の電極パッドの表面に無電解Ａｕメッキ膜が
形成されているので、上記（１）と同様の作用が得られ
ると共に、メッキ膜の酸化防止が促進され耐久性が向上
する。
求項１記載の電極パッドの表面に無電解Ａｕメッキ膜が
形成されているので、上記（１）と同様の作用が得られ
ると共に、メッキ膜の酸化防止が促進され耐久性が向上
する。
【００２５】
【実施例及び比較例】以下、本発明の実施例に係る電極
パッドの実施例を図面に基づいて説明する。
パッドの実施例を図面に基づいて説明する。
【００２６】［実施例１〜６］図１は実施例１〜６に係
る電極パッドを示した模式的断面図である。図中１１は
厚み２ｍｍ、１辺の長さ５０ｍｍの正方形状を有するア
ルミナセラミックス基板を示しており、アルミナセラミ
ックス基板１１上にはＣｕ粉末８５ｗｔ％、ガラス（Ｐ
ｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）粉末３ｗｔ％、エチルセル
ロース樹脂１ｗｔ％、テルピネオール溶剤１１ｗｔ％を
含有するＣｕ導体ペーストを印刷、焼成することで、膜
厚約１０μｍ、２ｍｍ×２ｍｍ□のＣｕ厚膜パターン１
２が形成されている。Ｃｕ厚膜パターン１２上には膜厚
１．５μｍの無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜１３が形成され、
さらにその上には膜厚約１．５μｍの無電解Ｎｉ−Ｂメ
ッキ膜１４が形成されて電極パッド１５が構成されてい
る。
る電極パッドを示した模式的断面図である。図中１１は
厚み２ｍｍ、１辺の長さ５０ｍｍの正方形状を有するア
ルミナセラミックス基板を示しており、アルミナセラミ
ックス基板１１上にはＣｕ粉末８５ｗｔ％、ガラス（Ｐ
ｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）粉末３ｗｔ％、エチルセル
ロース樹脂１ｗｔ％、テルピネオール溶剤１１ｗｔ％を
含有するＣｕ導体ペーストを印刷、焼成することで、膜
厚約１０μｍ、２ｍｍ×２ｍｍ□のＣｕ厚膜パターン１
２が形成されている。Ｃｕ厚膜パターン１２上には膜厚
１．５μｍの無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜１３が形成され、
さらにその上には膜厚約１．５μｍの無電解Ｎｉ−Ｂメ
ッキ膜１４が形成されて電極パッド１５が構成されてい
る。
【００２７】上記した構成の電極パッド１５を形成する
には、まずアルミナセラミックス基板１１上にＣｕ導体
ペーストをスクリーン印刷法にて塗布し、約１００℃で
１０分間程度乾燥させた後、窒素雰囲気下ピーク温度約
９００℃・ピーク保持時間約１０分間にて焼成してＣｕ
厚膜パターン１２を形成する。
には、まずアルミナセラミックス基板１１上にＣｕ導体
ペーストをスクリーン印刷法にて塗布し、約１００℃で
１０分間程度乾燥させた後、窒素雰囲気下ピーク温度約
９００℃・ピーク保持時間約１０分間にて焼成してＣｕ
厚膜パターン１２を形成する。
【００２８】次に、メッキ前処理工程として、感受化液
（成分 ＳｎＣｌ2 ：１０ｇ／リットル、ＨＣｌ：４０
ｍｌ／リットル、浴温５０℃）、次いで活性化液（成分
ＰｄＣｌ2 ：０．３ｇ／リットル、ＨＣｌ１０ｍｌ／
リットル、浴温５０°Ｃ）に順次浸漬して、メッキの析
出核となるＰｄ触媒種をＣｕ厚膜パターン１２の表面に
吸着させる。
（成分 ＳｎＣｌ2 ：１０ｇ／リットル、ＨＣｌ：４０
ｍｌ／リットル、浴温５０℃）、次いで活性化液（成分
ＰｄＣｌ2 ：０．３ｇ／リットル、ＨＣｌ１０ｍｌ／
リットル、浴温５０°Ｃ）に順次浸漬して、メッキの析
出核となるＰｄ触媒種をＣｕ厚膜パターン１２の表面に
吸着させる。
【００２９】次に、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ処理工程とし
て下記の無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液ａ又はｂに浸漬して無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜１３を形成し、その後無電解Ｎｉ
−Ｂメッキ処理工程として無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液ｃ又
はｄ又はｅに浸漬して無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１４を形
成する。
て下記の無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液ａ又はｂに浸漬して無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜１３を形成し、その後無電解Ｎｉ
−Ｂメッキ処理工程として無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液ｃ又
はｄ又はｅに浸漬して無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜１４を形
成する。
【００３０】なお、各溶液から取り出したサンプルは充
分に水洗して次の溶液に浸漬した。
分に水洗して次の溶液に浸漬した。
【００３１】上記無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液ａ又はｂ、無
電解Ｎｉ−Ｂメッキ液ｃ又はｄ又はｅの各成分及びその
他条件は下記の通りである。
電解Ｎｉ−Ｂメッキ液ｃ又はｄ又はｅの各成分及びその
他条件は下記の通りである。
【００３２】 これら各組成のうち、実際上工業的に行うにあたって
は、性能、コスト、安全性の面で無電解Ｎｉ−Ｐメッキ
液ａ、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液ｃが好ましい。
は、性能、コスト、安全性の面で無電解Ｎｉ−Ｐメッキ
液ａ、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液ｃが好ましい。
【００３３】上記したように無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液及
び無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液の組成を変化させた場合の実
施例に係る電極パッドの接着強度及び半田濡れ性をテス
トした結果を下記の表１に示す。また、比較例として、
アルミナセラミックス基板上に銅厚膜パターンを形成
後、活性化処理を施し、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜のみあ
るいは無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜のみを膜厚３μｍとなる
ように形成した電極パッドについても同様にテストし、
結果を示した。
び無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液の組成を変化させた場合の実
施例に係る電極パッドの接着強度及び半田濡れ性をテス
トした結果を下記の表１に示す。また、比較例として、
アルミナセラミックス基板上に銅厚膜パターンを形成
後、活性化処理を施し、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜のみあ
るいは無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜のみを膜厚３μｍとなる
ように形成した電極パッドについても同様にテストし、
結果を示した。
【００３４】電極パターンの接着強度に関しては、アル
ミナセラミックス基板１１を半田槽（Ｐｂ−Ｓｎ共晶半
田、温度２３０±５℃）に半田ディップ（５±０．５秒
後）することで２ｍｍ□パッド上に半田を濡らし、その
上に、直径１ｍｍφのスズメッキ銅線をＬ字状に半田付
けし、引張試験機にて該銅線を垂直上方に１０ｍｍ／分
の速度で引っ張る９０。ピールテストにて測定した。高
温放置後の接着強度の測定は、２ｍｍ□パッド上に半田
を濡らした状態にて、１５０℃に加熱したオーブンに１
０００時間保持した後、前記９０。ピールテストにて測
定した。
ミナセラミックス基板１１を半田槽（Ｐｂ−Ｓｎ共晶半
田、温度２３０±５℃）に半田ディップ（５±０．５秒
後）することで２ｍｍ□パッド上に半田を濡らし、その
上に、直径１ｍｍφのスズメッキ銅線をＬ字状に半田付
けし、引張試験機にて該銅線を垂直上方に１０ｍｍ／分
の速度で引っ張る９０。ピールテストにて測定した。高
温放置後の接着強度の測定は、２ｍｍ□パッド上に半田
を濡らした状態にて、１５０℃に加熱したオーブンに１
０００時間保持した後、前記９０。ピールテストにて測
定した。
【００３５】また、半田濡れ性は前記半田ディップ後の
半田の被着率を測定することで求めた。
半田の被着率を測定することで求めた。
【００３６】評価基準としては、高温放置後の接着強度
が４．０ｋｇｆ／２ｍｍ□以上で、かつ半田濡れ性が１
００％であるものを良とし、それ以外のものを不良とし
て評価を行った。
が４．０ｋｇｆ／２ｍｍ□以上で、かつ半田濡れ性が１
００％であるものを良とし、それ以外のものを不良とし
て評価を行った。
【００３７】
【表１】
【００３８】表１から明らかなように、実施例１〜６に
係る厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成さ
れ、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成されている電
極パッドにおいては、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜及び無電
解Ｎｉ−Ｂメッキ膜の組成を変化させたいずれの場合に
もメッキ直後の接着強度が４．５ｋｇｆ／２ｍｍ□とな
り、十分な接着強度を有しており、高温放置後の接着強
度も４．３〜４．５ｋｇｆ／２ｍｍ□と、十分な接着強
度を有いていた。また、半田濡れ性はいずれも１００％
となり、評価としてはいずれも良であった。
係る厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成さ
れ、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成されている電
極パッドにおいては、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜及び無電
解Ｎｉ−Ｂメッキ膜の組成を変化させたいずれの場合に
もメッキ直後の接着強度が４．５ｋｇｆ／２ｍｍ□とな
り、十分な接着強度を有しており、高温放置後の接着強
度も４．３〜４．５ｋｇｆ／２ｍｍ□と、十分な接着強
度を有いていた。また、半田濡れ性はいずれも１００％
となり、評価としてはいずれも良であった。
【００３９】一方、比較例１〜２に係る無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ膜のみが膜厚３μｍとなるように形成された電極
パッドにおいては、メッキ直後の接着強度は４．５ｋｇ
ｆ／２ｍｍ□となり、十分な接着強度を有していたが、
高温放置後の接着強度は１．５〜２．１ｋｇｆ／２ｍｍ
□となり、強度不充分となり、しかも半田濡れ性は５０
％と不充分であった。よって評価としては不良であっ
た。また比較例３〜５に係る無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜の
みが膜厚３μｍとなるように形成された電極パッドにお
いては、メッキ直後の接着強度は４．１〜４．４ｋｇｆ
／２ｍｍ□となり、実施例程ではないが十分な接着強度
を有していた。また、半田濡れ性は１００％と充分であ
った。しかしながら高温放置後の接着強度は１．２〜
１．４ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、強度不充分となり、よ
って評価としては不良であった。
メッキ膜のみが膜厚３μｍとなるように形成された電極
パッドにおいては、メッキ直後の接着強度は４．５ｋｇ
ｆ／２ｍｍ□となり、十分な接着強度を有していたが、
高温放置後の接着強度は１．５〜２．１ｋｇｆ／２ｍｍ
□となり、強度不充分となり、しかも半田濡れ性は５０
％と不充分であった。よって評価としては不良であっ
た。また比較例３〜５に係る無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜の
みが膜厚３μｍとなるように形成された電極パッドにお
いては、メッキ直後の接着強度は４．１〜４．４ｋｇｆ
／２ｍｍ□となり、実施例程ではないが十分な接着強度
を有していた。また、半田濡れ性は１００％と充分であ
った。しかしながら高温放置後の接着強度は１．２〜
１．４ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、強度不充分となり、よ
って評価としては不良であった。
【００４０】次に前記した実施例、比較例の電極パッド
上にＫＡｕ（ＣＮ）2 を含有する無電解Ａｕメッキ液
（奥野製薬工業（株）製ｐＨ５．８浴温９０℃）にて、
無電解Ａｕメッキ膜を膜厚０．１μｍ形成したところ、
接着強度はメッキ直後、高温放置後ともに変化は認めら
れなかった。無電解Ａｕメッキ膜により電極パッドの酸
化耐性は高められる。
上にＫＡｕ（ＣＮ）2 を含有する無電解Ａｕメッキ液
（奥野製薬工業（株）製ｐＨ５．８浴温９０℃）にて、
無電解Ａｕメッキ膜を膜厚０．１μｍ形成したところ、
接着強度はメッキ直後、高温放置後ともに変化は認めら
れなかった。無電解Ａｕメッキ膜により電極パッドの酸
化耐性は高められる。
【００４１】［実施例７〜１２］実施例７〜１２に係る
電極パッドとしては、まずアルミナセラミックス基板１
１上にＡｇ−Ｐｄ混合粉末（Ａｇ：８０ｗｔ％、Ｐｄ：
２０ｗｔ％）８５ｗｔ％、ガラス（ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 ）粉末３ｗｔ％、エチルセルロース樹脂１ｗｔ
％、テルピネオール溶剤１１ｗｔ％を含有するＡｇ−Ｐ
ｄ導体ペーストをスクリーン印刷法にて塗布し、１００
℃で１０分間乾燥後、大気中ピーク温度約９００℃・ピ
ーク保持時間１０分間にて焼成してＡｇ−Ｐｄ厚膜を形
成する。焼成後のＡｇ−Ｐｄ厚膜の膜厚を１０μｍと
し、形状を２ｍｍ×２ｍｍ□とした。
電極パッドとしては、まずアルミナセラミックス基板１
１上にＡｇ−Ｐｄ混合粉末（Ａｇ：８０ｗｔ％、Ｐｄ：
２０ｗｔ％）８５ｗｔ％、ガラス（ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 ）粉末３ｗｔ％、エチルセルロース樹脂１ｗｔ
％、テルピネオール溶剤１１ｗｔ％を含有するＡｇ−Ｐ
ｄ導体ペーストをスクリーン印刷法にて塗布し、１００
℃で１０分間乾燥後、大気中ピーク温度約９００℃・ピ
ーク保持時間１０分間にて焼成してＡｇ−Ｐｄ厚膜を形
成する。焼成後のＡｇ−Ｐｄ厚膜の膜厚を１０μｍと
し、形状を２ｍｍ×２ｍｍ□とした。
【００４２】その後、前述の実施例１〜６と同様に表１
に示した各種メッキ液を用いて無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜
及び無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜を形成し、諸特性を同様に
評価した。
に示した各種メッキ液を用いて無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜
及び無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜を形成し、諸特性を同様に
評価した。
【００４３】表１から明らかなように、実施例７〜１２
に係る厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成
され、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成されている
電極パッドにおいては、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜及び無
電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜の組成を変化させたいずれの場合
にもメッキ直後の接着強度が４．１〜４．４ｋｇｆ／２
ｍｍ□となり、十分な接着強度を有しており、高温放置
後の接着強度も４．１〜４．２ｋｇｆ／２ｍｍ□と、十
分な接着強度を有いていた。また、半田濡れ性はいずれ
も１００％となり、評価としてはいずれも良であった。
に係る厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成
され、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成されている
電極パッドにおいては、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜及び無
電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜の組成を変化させたいずれの場合
にもメッキ直後の接着強度が４．１〜４．４ｋｇｆ／２
ｍｍ□となり、十分な接着強度を有しており、高温放置
後の接着強度も４．１〜４．２ｋｇｆ／２ｍｍ□と、十
分な接着強度を有いていた。また、半田濡れ性はいずれ
も１００％となり、評価としてはいずれも良であった。
【００４４】一方、比較例６〜７に係る無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ膜のみが膜厚３μｍとなるように形成された電極
パッドにおいては、メッキ直後の接着強度は４．３〜
４．４ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、十分な接着強度を有し
ていたが、高温放置後の接着強度は１．４〜２．０ｋｇ
ｆ／２ｍｍ□となり、強度不充分となり、しかも半田濡
れ性は５０％と不充分であった。よって評価としては不
良であった。また比較例８〜１０に係る無電解Ｎｉ−Ｂ
メッキ膜のみが膜厚３μｍとなるように形成された電極
パッドにおいては、メッキ直後の接着強度は４．０〜
４．３ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、実施例程ではないが十
分な接着強度を有していた。また、半田濡れ性は１００
％と充分であった。しかしながら高温放置後の接着強度
は１．０〜１．３ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、強度不充分
となり、よって評価としては不良であった。
メッキ膜のみが膜厚３μｍとなるように形成された電極
パッドにおいては、メッキ直後の接着強度は４．３〜
４．４ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、十分な接着強度を有し
ていたが、高温放置後の接着強度は１．４〜２．０ｋｇ
ｆ／２ｍｍ□となり、強度不充分となり、しかも半田濡
れ性は５０％と不充分であった。よって評価としては不
良であった。また比較例８〜１０に係る無電解Ｎｉ−Ｂ
メッキ膜のみが膜厚３μｍとなるように形成された電極
パッドにおいては、メッキ直後の接着強度は４．０〜
４．３ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、実施例程ではないが十
分な接着強度を有していた。また、半田濡れ性は１００
％と充分であった。しかしながら高温放置後の接着強度
は１．０〜１．３ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、強度不充分
となり、よって評価としては不良であった。
【００４５】次に前記した実施例、比較例の電極パッド
上にＫＡｕ（ＣＮ）2 を含有する無電解Ａｕメッキ液
（奥野製薬工業（株）製ｐＨ５．８浴温９０℃）にて、
無電解Ａｕメッキ膜を膜厚０．１μｍ形成したところ、
接着強度はメッキ直後、高温放置後ともに変化は認めら
れなかった。無電解Ａｕメッキ膜により電極パッドの酸
化耐性は高められる。
上にＫＡｕ（ＣＮ）2 を含有する無電解Ａｕメッキ液
（奥野製薬工業（株）製ｐＨ５．８浴温９０℃）にて、
無電解Ａｕメッキ膜を膜厚０．１μｍ形成したところ、
接着強度はメッキ直後、高温放置後ともに変化は認めら
れなかった。無電解Ａｕメッキ膜により電極パッドの酸
化耐性は高められる。
【００４６】［実施例１３〜１８］実施例１３〜１８に
係る電極パッドとしては、まずアルミナセラミックス基
板１１上にＡｕ混合粉末８５ｗｔ％、ガラス（ＰｂＯ−
Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）粉末３ｗｔ％、エチルセルロース
樹脂１ｗｔ％、テルピネオール溶剤１１ｗｔ％を含有す
るＡｇ−Ｐｄ導体ペーストをスクリーン印刷法にて塗布
し、１００℃で１０分間乾燥後、大気中ピーク温度約９
００℃・ピーク保持時間１０分間にて焼成し、Ａｕ厚膜
を形成する。焼成後のＡｕ厚膜の膜厚を１０μｍとし、
形状を２ｍｍ×２ｍｍ□とした。
係る電極パッドとしては、まずアルミナセラミックス基
板１１上にＡｕ混合粉末８５ｗｔ％、ガラス（ＰｂＯ−
Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）粉末３ｗｔ％、エチルセルロース
樹脂１ｗｔ％、テルピネオール溶剤１１ｗｔ％を含有す
るＡｇ−Ｐｄ導体ペーストをスクリーン印刷法にて塗布
し、１００℃で１０分間乾燥後、大気中ピーク温度約９
００℃・ピーク保持時間１０分間にて焼成し、Ａｕ厚膜
を形成する。焼成後のＡｕ厚膜の膜厚を１０μｍとし、
形状を２ｍｍ×２ｍｍ□とした。
【００４７】その後、前述の実施例１〜６と同様に表１
に示した各種メッキ液を用いて無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜
及び無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜を形成し、諸特性を同様に
評価した。
に示した各種メッキ液を用いて無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜
及び無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜を形成し、諸特性を同様に
評価した。
【００４８】表１から明らかなように、実施例１３〜１
８に係る厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形
成され、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成されてい
る電極パッドにおいては、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜及び
無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜の組成を変化させたいずれの場
合にもメッキ直後の接着強度が４．１〜４．４ｋｇｆ／
２ｍｍ□となり、十分な接着強度を有しており、高温放
置後の接着強度も４．１〜４．３ｋｇｆ／２ｍｍ□と、
十分な接着強度を有いていた。また、半田濡れ性はいず
れも１００％となり、評価としてはいずれも良であっ
た。
８に係る厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形
成され、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成されてい
る電極パッドにおいては、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜及び
無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜の組成を変化させたいずれの場
合にもメッキ直後の接着強度が４．１〜４．４ｋｇｆ／
２ｍｍ□となり、十分な接着強度を有しており、高温放
置後の接着強度も４．１〜４．３ｋｇｆ／２ｍｍ□と、
十分な接着強度を有いていた。また、半田濡れ性はいず
れも１００％となり、評価としてはいずれも良であっ
た。
【００４９】一方、比較例１１〜１２に係る無電解Ｎｉ
−Ｐメッキ膜のみが膜厚３μｍとなるように形成された
電極パッドにおいては、メッキ直後の接着強度は４．１
〜４．２ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、十分な接着強度を有
していたが、高温放置後の接着強度は１．２〜１．８ｋ
ｇｆ／２ｍｍ□となり、強度不充分となり、しかも半田
濡れ性は５０％と不充分であった。よって評価としては
不良であった。また比較例１３〜１５に係る無電解Ｎｉ
−Ｂメッキ膜のみが膜厚３μｍとなるように形成された
電極パッドにおいては、メッキ直後の接着強度は４．０
〜４．１ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、実施例程ではないが
十分な接着強度を有していた。また、半田濡れ性は１０
０％と充分であった。しかしながら高温放置後の接着強
度は０．９〜１．２ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、強度不充
分となり、よって評価としては不良であった。
−Ｐメッキ膜のみが膜厚３μｍとなるように形成された
電極パッドにおいては、メッキ直後の接着強度は４．１
〜４．２ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、十分な接着強度を有
していたが、高温放置後の接着強度は１．２〜１．８ｋ
ｇｆ／２ｍｍ□となり、強度不充分となり、しかも半田
濡れ性は５０％と不充分であった。よって評価としては
不良であった。また比較例１３〜１５に係る無電解Ｎｉ
−Ｂメッキ膜のみが膜厚３μｍとなるように形成された
電極パッドにおいては、メッキ直後の接着強度は４．０
〜４．１ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、実施例程ではないが
十分な接着強度を有していた。また、半田濡れ性は１０
０％と充分であった。しかしながら高温放置後の接着強
度は０．９〜１．２ｋｇｆ／２ｍｍ□となり、強度不充
分となり、よって評価としては不良であった。
【００５０】次に前記した実施例、比較例の電極パッド
上にＫＡｕ（ＣＮ）2 を含有する無電解Ａｕメッキ液
（奥野製薬工業（株）製ｐＨ５．８浴温９０℃）にて、
無電解Ａｕメッキ膜を膜厚０．１μｍ形成したところ、
接着強度はメッキ直後、高温放置後ともに変化は認めら
れなかった。無電解Ａｕメッキ膜により電極パッドの酸
化耐性は高められる。
上にＫＡｕ（ＣＮ）2 を含有する無電解Ａｕメッキ液
（奥野製薬工業（株）製ｐＨ５．８浴温９０℃）にて、
無電解Ａｕメッキ膜を膜厚０．１μｍ形成したところ、
接着強度はメッキ直後、高温放置後ともに変化は認めら
れなかった。無電解Ａｕメッキ膜により電極パッドの酸
化耐性は高められる。
【００５１】上記実施例においてはセラミックス基板と
して基板内に配線が形成されていないアルミナセラミッ
クス基板を使用したが何らこれに限定されるものでな
く、別の実施例にあっては基板内に配線が形成されてい
てもよく、また、ムライトセラミックス基板、ガラスセ
ラミックス基板、窒化アルミニウムセラミックス基板な
どであってもよい。
して基板内に配線が形成されていないアルミナセラミッ
クス基板を使用したが何らこれに限定されるものでな
く、別の実施例にあっては基板内に配線が形成されてい
てもよく、また、ムライトセラミックス基板、ガラスセ
ラミックス基板、窒化アルミニウムセラミックス基板な
どであってもよい。
【００５２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る電極パ
ッド（１）によれば、セラミックス基板上にＡｕ、Ａｇ
／Ｐｄ、Ｃｕのいずれかよりなる厚膜パターンが形成さ
れ、該厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成
され、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成されている
ので、半田濡れ性及び高温放置後の密着性にすぐれ、Ｌ
ＳＩをフリップチップ方式にて接続した際に極めて高い
信頼性を得ることができる。
ッド（１）によれば、セラミックス基板上にＡｕ、Ａｇ
／Ｐｄ、Ｃｕのいずれかよりなる厚膜パターンが形成さ
れ、該厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成
され、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成されている
ので、半田濡れ性及び高温放置後の密着性にすぐれ、Ｌ
ＳＩをフリップチップ方式にて接続した際に極めて高い
信頼性を得ることができる。
【００５３】また、本発明に係る電極パッド（２）にお
いては請求項１記載の電極パッドの表面に無電解Ａｕメ
ッキ膜が形成されているので、上記（１）と同様の効果
が得られると共に、メッキ膜の酸化防止が促進され耐久
性を向上することができる。
いては請求項１記載の電極パッドの表面に無電解Ａｕメ
ッキ膜が形成されているので、上記（１）と同様の効果
が得られると共に、メッキ膜の酸化防止が促進され耐久
性を向上することができる。
【図１】本発明の実施例に係る電極パッドを示した模式
的断面図である。
的断面図である。
１１ （アルミナ）セラミックス基板 １２ （Ｃｕ）厚膜パターン １３ 無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜 １４ 無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜 １５ 電極パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 9169−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｒ
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックス基板上に形成される電極パ
ッドにおいて、セラミックス基板上にＡｕ、Ａｇ／Ｐ
ｄ、Ｃｕのいずれかよりなる厚膜パターンが形成され、
該厚膜パターン上に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ膜が形成さ
れ、さらに無電解Ｎｉ−Ｂメッキ膜が形成されているこ
とを特徴とする電極パッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の電極パッドの表面に無電
解Ａｕメッキ膜が形成されていることを特徴とする電極
パッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10539295A JPH08306816A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 電極パッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10539295A JPH08306816A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 電極パッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306816A true JPH08306816A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14406377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10539295A Pending JPH08306816A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 電極パッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306816A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5893725A (en) * | 1996-06-24 | 1999-04-13 | Intel Corporation | C4 substrate contact pad which has a layer of NI-B plating |
| US6184061B1 (en) | 1998-04-24 | 2001-02-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrode of semiconductor device, method of manufacturing thereof, and the semicondutor device |
| US6225569B1 (en) * | 1996-11-15 | 2001-05-01 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring substrate and method of manufacturing the same |
| JP2001342593A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Tsuneki Mekki Kogyo Kk | 接点部材及びその製造方法 |
| JP2004281426A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-10-07 | Kyocera Corp | ガラスセラミック配線基板 |
| EP1357771A4 (en) * | 2001-10-02 | 2008-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | ELECTRONIC ELEMENTS |
| CN103367304A (zh) * | 2013-07-19 | 2013-10-23 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 封装基板、覆晶式封装及其制造方法 |
| CN108172521A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-15 | 合肥矽迈微电子科技有限公司 | 一种塑封元器件及其缝隙无空洞填充的工艺方法 |
| WO2022054657A1 (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-17 | 株式会社村田製作所 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP10539295A patent/JPH08306816A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5893725A (en) * | 1996-06-24 | 1999-04-13 | Intel Corporation | C4 substrate contact pad which has a layer of NI-B plating |
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| CN108172521A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-15 | 合肥矽迈微电子科技有限公司 | 一种塑封元器件及其缝隙无空洞填充的工艺方法 |
| WO2022054657A1 (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-17 | 株式会社村田製作所 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
| CN116235281A (zh) * | 2020-09-08 | 2023-06-06 | 株式会社村田制作所 | 布线基板和布线基板的制造方法 |
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