JPH08306850A - 樹脂ダム方式のリードフレーム - Google Patents

樹脂ダム方式のリードフレーム

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JPH08306850A
JPH08306850A JP10507595A JP10507595A JPH08306850A JP H08306850 A JPH08306850 A JP H08306850A JP 10507595 A JP10507595 A JP 10507595A JP 10507595 A JP10507595 A JP 10507595A JP H08306850 A JPH08306850 A JP H08306850A
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resin
lead
resin dam
dam
lead frame
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JP10507595A
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Masayoshi Tsugane
昌義 津金
Hiromichi Suzuki
博通 鈴木
Atsushi Nakamura
篤 中村
Yoshihiko Yamaguchi
嘉彦 山口
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Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂ダム方式のリードフレームにおいて、樹
脂封止型半導体装置の組立プロセス中の樹脂封止工程に
おける封止樹脂の洩れを防止する。 【構成】 一方のリード2と他方のリード2との間の樹
脂ダム形成領域に、前記一方のリード2の側面に支持さ
れる突起3、前記他方のリード2の側面に支持される突
起3の夫々を配置した樹脂ダム方式のリードフレーム1
において、前記2つの突起3の夫々の幅W1を、前記樹
脂ダム形成領域に塗布される樹脂(4A)の塗布幅W2に
比べて広く構成する。また、2つの突起3の間の隙間長
Lをこれらの突起3の幅W1に比べて狭く構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂ダム方式のリード
フレームに関し、特に、一方のリードと他方のリードと
の間の樹脂ダム形成領域に、前記一方のリードの側面に
支持される突起、前記他方のリードの側面に支持される
突起の夫々を配置した樹脂ダム方式のリードフレームに
適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置の組立プロセスに
用いられるリードフレームは、一方のリードと他方のリ
ードとの間にこれらのリードと一体化されたダムバー
(タイバー)を配置している。一方のリード、他方のリ
ードの夫々はダムバーを介して互いに連結される。ダム
バーは、樹脂封止型半導体装置の組立プロセス中の樹脂
封止工程において一方のリードと他方のリードの間から
流れ出る封止樹脂を堰き止める目的として配置され、樹
脂封止工程後の切断工程においてリードから切断され除
去される。
【0003】前記リードフレームのリードは樹脂封止型
半導体装置の多ピン化に伴ってファィンピッチ化の傾向
にあり、一方のリードと他方のリードとの間に配置され
ているダムバーの切断が非常に困難になっている。そこ
で、ダムバーの切断工程を廃止する目的として、一方の
リードと他方のリードとを樹脂ダムで連結した樹脂ダム
方式のリードフレームが開発されている。樹脂ダムは、
一方のリードと他方のリードとの間の樹脂ダム形成領域
に塗布された絶縁性の樹脂で形成される。
【0004】更に、前記樹脂ダム方式のリードフレーム
において、一方のリードと他方のリードとの間の樹脂ダ
ム形成領域に塗布された樹脂の膜切れ(分離)を防止する
目的として、例えば特開平2−310955号公報に記
載されているように、一方のリードと他方のリードとの
間の樹脂ダム形成領域に、前記一方のリードの側面に支
持される突起、前記他方のリードの側面に支持される突
起の夫々を配置した樹脂ダム方式のリードフレームが開
発されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の突
起を配置した樹脂ダム方式のリードフレームについて検
討した結果、以下の問題点を見出した。
【0006】前記樹脂ダム方式のリードフレームにおい
て、樹脂ダム形成領域に配置される2つの突起の夫々の
幅(リードが延在する延在方向と同一方向の幅)は、一方
のリードと他方のリードとの間に塗布される樹脂の塗布
幅に比べて小さく構成されているので、樹脂ダム形成領
域に塗布された樹脂は一方のリード、他方のリードの夫
々の側面に付着する。リードの側面に付着した樹脂は、
付着力(界面張力)により、リードの側面を伝わってその
延在方向に流れ出す。このため、塗布された時の樹脂の
塗布幅に比べて樹脂ダムの幅がかなり拡張し、これに相
当する分、樹脂ダムの膜厚がリードの板厚に比べて薄く
なり、組立プロセス中の樹脂封止工程において、一方の
リードと他方のリーとの間から封止樹脂が洩れ出すとい
う不具合が発生する。
【0007】また、塗布された時の樹脂の中央領域の幅
が狭くなり、この中央領域における樹脂ダムの機械的強
度が他の領域に比ベて低下する。このため、組立プロセ
ス中の樹脂封止工程において、封止樹脂の流入圧力で樹
脂ダムの中央領域に亀裂が生じ、一方のリードと他方の
リードとの間から封止樹脂が洩れ出すという不具合が発
生する。
【0008】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の
組立プロセス中の樹脂封止工程における封止樹脂の洩れ
を防止することが可能な樹脂ダム方式のリードフレーム
を提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0011】一方のリードと他方のリードとの間の樹脂
ダム形成領域に、前記一方のリードの側面に支持される
突起、前記他方のリードの側面に支持される突起の夫々
を配置した樹脂ダム方式のリードフレームにおいて、前
記2つの突起の夫々の幅を、前記樹脂ダム形成領域に塗
布される樹脂の塗布幅に比べて広く構成する。
【0012】
【作用】上述した手段によれば、一方のリードと他方の
リードとの間の樹脂ダム形成領域に塗布された樹脂が界
面張力により一方のリード、他方のリードの夫々の側面
を伝わってその延在方向に流れ出すのを抑制することが
できるので、樹脂ダム形成領域に塗布された樹脂からな
る樹脂ダムの膜厚の低下を防止することができると共
に、樹脂ダムの中央領域の機械的強度の低下を防止する
ことができる。この結果、樹脂封止型半導体装置の組立
プロセス中の樹脂封止工程において、樹脂ダムの膜厚の
低下に起因する封止樹脂の洩れを防止することができる
と共に、樹脂ダムの中央領域の機械的強度の低下に起因
する封止樹脂の洩れを防止することができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の構成について、樹脂ダム方式
のリードフレームに本発明を適用した実施例とともに説
明する。なお、実施例を説明するための全図において、
同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返し
の説明は省略する。
【0014】(実 施 例 1)本発明の実施例1である
樹脂ダム方式のリードフレームの概略構成を図1(平面
図)に示す。
【0015】図1に示すように、樹脂ダム方式のリード
フレーム1は、枠体6で周囲を規定された領域内に複数
本のリード2、タブ5、4本のタブ吊りリード5A等を
配置する。この樹脂ダム方式のリードフレーム1は樹脂
封止型半導体装置の組立プロセスに用いられる。
【0016】前記タブ5は、例えば平面形状が方形状に
形成され、その4つの角部の夫々に一体化された4本の
タブ吊りリード5Aの夫々を介して枠体6に支持され
る。このタブ5のペレット塔載面上には組立プロセス中
のダイボンディング工程において半導体ペレットが塔載
される。
【0017】前記複数本のリード2の夫々は、タブ5の
外周囲の各辺に沿って配列され、枠体6に支持される。
複数本のリード2の夫々は、組立プロセス中の樹脂封止
工程において樹脂封止体で封止されるインナー部2Aと
組立プロセス中の成形工程において所定の形状に成形さ
れるアウター部2Bとで構成される。この複数本のリー
ド2の夫々には、組立プロセス中のワイヤボンディング
工程においてボンディングワイヤが接続され、タブ5の
ペレット塔載面上に塔載された半導体ペレットの外部端
子(ボンディングパッド)と電気的に接続される。
【0018】前記リードフレーム1において、一方のリ
ード2と他方のリード2との間の樹脂ダム形成領域に
は、一方のリード2の側面に支持された突起3、他方の
リード2の側面に支持された突起3の夫々が配置され
る。この2つの突起3の夫々は樹脂ダム4で互いに連結
される。2つの突起3及び樹脂ダム4は、組立プロセス
中の樹脂封止工程において、一方のリード2と他方のリ
ード2との間から流れ出る封止樹脂を堰き止める。樹脂
ダム4は一方のリード2と他方のリード2との間の樹脂
ダム形成領域に塗布された絶縁性の樹脂(4A)で形成さ
れる。絶縁性の樹脂は例えば溶媒が添加された熱可塑性
の樹脂で形成される。
【0019】図2(図1の要部拡大平面図)に示すよう
に、前記突起3の幅(リード2が延在する延在方向と同
一方向の幅)W1は、一方のリード2と他方のリード2
との間の樹脂ダム形成領域に塗布される樹脂(4A)の塗
布幅W2に比べて広く構成される。例えば突起3の幅W
1は0.8〜1.0[mm]程度に設定され、樹脂(4
A)の塗布幅W2は0.5〜0.7[mm]程度に設定
される。また、一方のリード2に支持された突起3と他
方のリード2に支持された突起3との間の隙間長Lは、
これらの突起3の幅W2に比べて狭く構成される。例え
ば隙間長Lは0.1〜0.2[mm]程度に設定され
る。
【0020】次に、前記樹脂ダム方式のリードフレーム
1の製造方法について説明する。
【0021】まず、リードフレーム材を用意する。リー
ドフレーム材は、例えばFe−Ni合金(例えば、Ni
含有量42[%]若しくは50[%])、Cu、Cu合
金等で形成され、100〜150[μm]程度の板厚で
形成される。
【0022】次に、前記リードフレーム材に、フォトリ
ソグラフィ技術を併用したエッチング加工若しくはプレ
ス装置を使用した打ち抜き加工を施し、突起3を有する
リード2、タブ5、タブ吊りリード5Aの夫々を形成す
る。リード2は枠体6に支持され、タブ5はタブ吊りリ
ード5Aを介して枠体6に支持される。
【0023】次に、一方のリード2と他方のリード2と
の間の樹脂ダム形成領域に塗布幅W2に基づいて樹脂
(4A)を塗布する。樹脂(4A)は、例えば複数本のリー
ド2が配列されるリード配列方向に沿って連続的に塗布
される。この時、樹脂ダム形成領域に配置されている2
つの突起3の夫々の幅W1が樹脂(4A)の塗布幅W2に
比べて広く構成されているので、樹脂ダム形成領域に塗
布された樹脂(4A)は一方のリード2、他方のリード2
の夫々の側面に付着せず、樹脂(4A)が界面張力により
リード2の側面を伝わってその延在方向に流れ出すのを
抑制することができる。また、一方のリード2に支持さ
れる突起3と他方のリード2に支持される突起3との間
の隙間長Lがこれらの突起3の幅W1に比べて狭く構成
されているので、樹脂(4A)の塗布量を削減することが
できる。なお、塗布された樹脂(4A)には流動性が有
るので、塗布後の樹脂(4A)の幅は塗布幅W2に比べて
若干拡張する。この樹脂(4A)の幅は樹脂ダム4の幅を
規定する。
【0024】次に、樹脂ダム形成領域において、リード
2をその上下方向から金型でクランプする。
【0025】次に、熱処理を施して樹脂(4A)に含有す
る溶媒を気化させ、その後、冷却して樹脂(4A)を硬化
させる。この工程により、一方のリード2に支持された
突起3、他方のリード2に支持された突起3の夫々を互
いに連結する樹脂ダム4が形成されると共に、樹脂ダム
方式のリードフレーム1がほぼ完成する。
【0026】このように構成される樹脂ダム方式のリー
ドフレーム1は、例えばQFP(uad lat ackag
e)構造を採用する樹脂封止型半導体装置の組立プロセ
スに用いられる。QFP構造を採用する樹脂封止型半導
体装置の概略構成を図3(樹脂封止体の上部を除去した
状態の平面図)及び図4(要部斜視図)に示す。なお、同
図において、2はリード、2Aはリードのインナー部、
2Bはリードのアウター部、3は突起、4は樹脂ダム、
5はタブ、5Aはタブ吊りリード、7は半導体ペレッ
ト、8はボンディングワイヤ、9は樹脂封止体である。
【0027】このように、一方のリード2と他方のリー
ド2との間の樹脂ダム形成領域に、前記一方のリード2
の側面に支持される突起3、前記他方のリード2の側面
に支持される突起3の夫々を配置した樹脂ダム方式のリ
ードフレーム1において、前記2つの突起3の夫々の幅
W1を、前記樹脂ダム形成領域に塗布される樹脂(4
A)の塗布幅W2に比べて広く構成することにより、一
方のリード2と他方のリード2との間の樹脂ダム形成領
域に塗布された樹脂(4A)が界面張力により一方のリー
ド2、他方のリード2の夫々側面を伝わってその延在方
向に流れ出すのを抑制することができるので、樹脂ダム
形成領域に塗布された樹脂(4A)からなる樹脂ダム4の
膜厚の低下を防止することができると共に、樹脂ダム4
の中央領域の機械的強度の低下を防止することができ
る。この結果、樹脂封止型半導体装置の組立プロセス中
の樹脂封止工程において、樹脂ダム4の膜厚の低下に起
因する封止樹脂の洩れを防止することができると共に、
樹脂ダム4の中央領域の機械的強度の低下に起因する封
止樹脂の洩れを防止することができる。
【0028】また、一方のリード2に支持された突起3
と他方のリード2に支持された突起3との間の隙間長L
をこれらの突起3の幅W1に比べて狭く構成することに
より、樹脂4Aの塗布量を削減することができるので、
これに相当する分、樹脂ダム方式のリードフレーム1の
製造コストを低減することができる。
【0029】(実 施 例 2)本発明の実施例2である
樹脂ダム方式のリードフレームの概略構成を図5(要部
平面図)に示す。
【0030】図5に示すように、樹脂ダム方式のリード
フレーム1は、枠体6で規定された領域内に複数本のリ
ード2及びタブ5を配置する。この樹脂ダム方式のリー
ドフレーム1はQFP構造を採用する樹脂封止型半導体
装置の組立プロセスに用いられる。
【0031】前記複数本のリード2の夫々は、枠体6に
支持され、組立プロセス中の樹脂封止工程において樹脂
封止体で封止されるインナー部2Aと組立プロセス中の
成形工程においてガルウィング形状に成形されるアウタ
ー部2Bとで構成される。このリード2のアウター部2
Bは組立プロセス中の成形工程においてガルウィング形
状に成形されるので、アウター部2Bには第1折り曲げ
部2B1、第2折り曲げ部2B2の夫々が設定される。
【0032】前記リードフレーム1において、一方のリ
ード2と他方のリード2との間の樹脂ダム形成領域に
は、一方のリード2の側面に支持された突起3、他方の
リード2の側面に支持された突起3の夫々が配置され
る。この2つの突起3の夫々は樹脂ダム4で互いに連結
される。2つの突起3及び樹脂ダム4は、組立プロセス
中の樹脂封止工程において、一方のリード2と他方のリ
ード2との間から流れ出る封止樹脂を堰き止める。樹脂
ダム4は一方のリード2と他方のリード2との間の樹脂
ダム形成領域に塗布された絶縁性の樹脂(4A)で形成さ
れる。絶縁性の樹脂(4A)は例えば溶媒が添加された熱
可塑性の樹脂で形成される。
【0033】前記突起3の幅(リード2が延在する延在
方向と同一方向の幅)W1は、一方のリード2と他方の
リード2との間の樹脂ダム形成領域に塗布される樹脂
(4A)の塗布幅W2に比べて広く構成される。また、一
方のリード2に支持された突起3と他方のリード2に支
持された突起3との間の隙間長Lは、これらの突起3の
幅W2に比べて狭く構成される。
【0034】前記一方のリード2に支持される突起3、
他方のリード2に支持される突起3の夫々は、一方のリ
ード2、他方のリード2の夫々のインナー部2Aからそ
の夫々のアウター部2Bの第1折り曲げ部2B1と第2
折り曲げ部2B2との間の領域まで引き延ばされてい
る。なお、本実施例の樹脂ダム方式のリードフレーム1
を用いたQFP構造の樹脂封止型半導体装置を図6(要
部斜視図)に示す。
【0035】このように、一方のリード2に支持される
突起3、他方のリード2に支持される突起3の夫々を、
一方のリード2、他方のリード2の夫々のインナー部2
Aからその夫々のアウター部2Bの第1折り曲げ部2B
1と第2折り曲げ部2B2との間の領域まで引き延ばす
ことにより、リード2のアウター部2Bの機械的強度を
高めることができるので、QFP構造を採用する樹脂封
止型半導体装置の製造プロセス中の切断工程において枠
体6からリード2を切り離した後、他のものとの接触に
よるリード2のアウター部2Bの変形を防止することが
できると共に、リード2のアウター部2Bをガルウィン
グ形状に成形する成形工程において、リード2のアウタ
ー部2Bの成形不良を低減することができる。
【0036】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【0037】例えば、本発明は、QFP構造の樹脂封止
型半導体装置の製造プロセスに用いられる樹脂ダム方式
のリードフレームに限定されず、SOJ(mall ut-l
ine-type lead Package)構造、TSOP(hin ma
ll ut-line ackage)構造、DIP(ual n-line
ackage)構造等の樹脂封止型半導体装置の製造プロ
セスに用いられる樹脂ダム方式のリードフレーム全般に
適用できる。
【0038】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0039】樹脂封止型半導体装置の組立プロセス中の
樹脂封止工程における封止樹脂の洩れを防止することが
可能な樹脂ダム方式のリードフレームを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1である樹脂ダム方式のリード
フレームの平面図。
【図2】図1の要部拡大平面図。
【図3】前記樹脂ダム方式のリードフレームを用いたQ
FP構造の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体の上部を
除去した平面図。
【図4】前記QFP構造の樹脂封止型半導体装置の要部
斜視図。
【図5】本発明の実施例2である樹脂ダム方式のリード
フレームの要部平面図。
【図6】前記樹脂ダム方式のリードフレームを用いたQ
FP構造の樹脂封止型半導体装置の要部斜視図。
【符号の説明】
1…樹脂ダム方式のリードフレーム、2…リード、2A
…リードのインナー部、2B…リードのアウター部、3
…突起、4…樹脂ダム、5…タブ、5A…タブ吊りリー
ド、6…枠体、7…半導体ペレット、8…ボンディング
ワイヤ、9…樹脂封止体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 篤 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 山口 嘉彦 山形県米沢市大字花沢字八木橋東3の3274 日立米沢電子株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方のリードと他方のリードとの間の樹
    脂ダム形成領域に、前記一方のリードの側面に支持され
    る突起、前記他方のリードの側面に支持される突起の夫
    々を配置した樹脂ダム方式のリードフレームにおいて、
    前記2つの突起の夫々の幅を、前記樹脂ダム形成領域に
    塗布される樹脂の塗布幅に比べて広く構成したことを特
    徴とする樹脂ダム方式のリードフレーム。
  2. 【請求項2】 前記2つの突起の間の隙間長をこれらの
    突起の幅に比べて狭く構成したことを特徴とする請求項
    1に記載の樹脂ダム方式のリードフレーム。
  3. 【請求項3】 前記2つの突起の夫々を、前記樹脂ダム
    形成領域に塗布された樹脂からなる樹脂ダムで互いに連
    結したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の
    樹脂ダム方式のリードフレーム。
  4. 【請求項4】 前記2本のリードの夫々は、樹脂封止体
    で封止されるインナー部とガルウィング形状に成形され
    るアウター部とで構成され、前記2つの突起の夫々は、
    2本のリードの夫々のインナー部からその夫々のアウタ
    ー部の第1折り曲げ部と第2折り曲げ部との間の領域ま
    で引き延ばされていることを特徴とする請求項1乃至請
    求項3のうちいずれか1項に記載の樹脂ダム方式のリー
    ドフレーム。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102077343A (zh) * 2008-07-10 2011-05-25 矽马电子股份有限公司 引线架及其制造方法
CN102077343B (zh) 2008-07-10 2013-05-08 矽马电子股份有限公司 一种引线架及其制造方法以及一种半导体装置

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