JPH0783036B2 - キヤリアテープ - Google Patents
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- JPH0783036B2 JPH0783036B2 JP62314458A JP31445887A JPH0783036B2 JP H0783036 B2 JPH0783036 B2 JP H0783036B2 JP 62314458 A JP62314458 A JP 62314458A JP 31445887 A JP31445887 A JP 31445887A JP H0783036 B2 JPH0783036 B2 JP H0783036B2
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程で多数の半導体素子を
実装する場合に使用するキャリアテープに関する。
実装する場合に使用するキャリアテープに関する。
近年、集積回路素子の電極接合技術として従来より最も
広く使用されているワイヤボンディング方法に代わっ
て、テープキャリアを用いたいわゆるTAB（Tape Autema
ted Bonding）方法が採用されている。
広く使用されているワイヤボンディング方法に代わっ
て、テープキャリアを用いたいわゆるTAB（Tape Autema
ted Bonding）方法が採用されている。
従来、この種のTAB方法に用いるキャリアテープは第４
図（ａ）および（ｂ）に示すように構成されている。こ
れを同図に基づいて説明すると、同図において、符号１
で示すものはテープキャリア基材となるフィルム状の帯
状部材で、全体が可撓性を有する例えばポリイミド樹脂
等のプラスチックからなる絶縁材料によって形成されて
いる。この帯状部材１の両側縁には本体1aの長手方向に
所定間隔を隔ててパーフォレーション孔２が設けられて
おり、幅方向中央部には金型（第４図に図示せず）内で
樹脂封止される半導体素子３の一部が臨むセンタデバイ
ス孔４が設けられている。また、このセンタデバイス孔
４の周囲には各々が互いに架橋部５を介して連接する複
数のアウタリード孔６が設けられており、このアウタリ
ード孔６と前記センタデバイス孔４との間には例えば銅
等の導電性金属材料からなるリード７を保持するリード
サポート部８が設けられている。なお、前記リード７
は、前記センタデバイス孔４に先端が臨むインナーリー
ド部7a,このインナーリード部7aに連設され前記アウタ
リード孔６の一部を覆うアウターリード部7bおよびこの
アウターリード部7bに連設されかつ前記本体1aに接合さ
れたテストパッド部7cによって構成されている。８は前
記半導体素子３の表面に設けられたバンプである。
図（ａ）および（ｂ）に示すように構成されている。こ
れを同図に基づいて説明すると、同図において、符号１
で示すものはテープキャリア基材となるフィルム状の帯
状部材で、全体が可撓性を有する例えばポリイミド樹脂
等のプラスチックからなる絶縁材料によって形成されて
いる。この帯状部材１の両側縁には本体1aの長手方向に
所定間隔を隔ててパーフォレーション孔２が設けられて
おり、幅方向中央部には金型（第４図に図示せず）内で
樹脂封止される半導体素子３の一部が臨むセンタデバイ
ス孔４が設けられている。また、このセンタデバイス孔
４の周囲には各々が互いに架橋部５を介して連接する複
数のアウタリード孔６が設けられており、このアウタリ
ード孔６と前記センタデバイス孔４との間には例えば銅
等の導電性金属材料からなるリード７を保持するリード
サポート部８が設けられている。なお、前記リード７
は、前記センタデバイス孔４に先端が臨むインナーリー
ド部7a,このインナーリード部7aに連設され前記アウタ
リード孔６の一部を覆うアウターリード部7bおよびこの
アウターリード部7bに連設されかつ前記本体1aに接合さ
れたテストパッド部7cによって構成されている。８は前
記半導体素子３の表面に設けられたバンプである。
因に、この種のキャリアテープにおける架橋部５は、イ
ンナーリード部7aの位置精度を高めるためのリードサポ
ート部９を本体1aに保持するものとして機能する。
ンナーリード部7aの位置精度を高めるためのリードサポ
ート部９を本体1aに保持するものとして機能する。
このように構成されたキャリアテープに半導体素子３等
を実装してテープキャリアを製造するには、第５図
（ａ）および（ｂ）に示すように帯状部材１のセンタデ
バイス孔４内にバンプ８がインナーリード部7aの所定位
置に対向するように半導体素子３を位置決めした後、こ
の半導体素子３のバンプ８とインナーリード部7aを熱圧
着法で接続することにより行う。
を実装してテープキャリアを製造するには、第５図
（ａ）および（ｂ）に示すように帯状部材１のセンタデ
バイス孔４内にバンプ８がインナーリード部7aの所定位
置に対向するように半導体素子３を位置決めした後、こ
の半導体素子３のバンプ８とインナーリード部7aを熱圧
着法で接続することにより行う。
この後、第６図（ａ）および（ｂ）に示すように上下２
つの金型10,11によって挾持し、低圧トランスファ成形
方法によって例えばエポキシ樹脂等のプラスチックをキ
ャビティ12内で注入硬化させることにより樹脂封止形の
ICを製造することができる。
つの金型10,11によって挾持し、低圧トランスファ成形
方法によって例えばエポキシ樹脂等のプラスチックをキ
ャビティ12内で注入硬化させることにより樹脂封止形の
ICを製造することができる。
ところで、この種テープキャリアの樹脂封止には、第７
図（ａ）および（ｂ）に示すようにノズル13から流出す
る液状の樹脂14によって半導体素子３を封止するポッテ
ィング成形方法によるもの，あるいは第８図（ａ）〜
（ｄ）に示すようにテープキャリアのアウターリード部
7bをリードフレーム15に接続した後に金型10,11によっ
て挾持し、ゲート16から樹脂14を導入して半導体素子３
を封止する低圧トランスファ成形方法によるものが採用
されている。
図（ａ）および（ｂ）に示すようにノズル13から流出す
る液状の樹脂14によって半導体素子３を封止するポッテ
ィング成形方法によるもの，あるいは第８図（ａ）〜
（ｄ）に示すようにテープキャリアのアウターリード部
7bをリードフレーム15に接続した後に金型10,11によっ
て挾持し、ゲート16から樹脂14を導入して半導体素子３
を封止する低圧トランスファ成形方法によるものが採用
されている。
ところが、前者にあっては、金型を使用するものではな
いから封止後のパッケージ形状を高精度に設定すること
ができず、また液状の樹脂を用いるものであるから低圧
トランスファ成形方法による場合と比較して耐湿性およ
び量産性が低下するという問題があった。
いから封止後のパッケージ形状を高精度に設定すること
ができず、また液状の樹脂を用いるものであるから低圧
トランスファ成形方法による場合と比較して耐湿性およ
び量産性が低下するという問題があった。
一方、後者にあっては、リードフレーム15を用いるもの
であるため、それだけ封止後の高さ方向寸法が大きくな
り、近年の軽薄短小化に応じることができないという不
都合があった。
であるため、それだけ封止後の高さ方向寸法が大きくな
り、近年の軽薄短小化に応じることができないという不
都合があった。
そこで、第９図（ａ）〜（ｃ）に示すようにテープキャ
リアを直接金型10,11によって挾持し半導体素子３を樹
脂封止するものも採用されている。ここで、同図中矢印
は樹脂注入方向を示す。
リアを直接金型10,11によって挾持し半導体素子３を樹
脂封止するものも採用されている。ここで、同図中矢印
は樹脂注入方向を示す。
しかるに、この種の方法に使用するキャリアテープで
は、同図（ａ），（ｂ）および（ｃ）に示すように半導
体素子３の樹脂封止状態において金型10のゲート16がア
ウタリード孔６に位置する構造であるため、すなわちゲ
ート16の樹脂流通路壁一部が下方の金型11に形成される
構造であるため、樹脂封止時に樹脂14がゲート16から流
出してアウタリード孔６内に樹脂ばり14aが発生してい
た。この結果、樹脂封止後に樹脂ばりを取り除く工程を
必要とし、半導体装置の製造を煩雑にするという問題が
あった。また、アウタリード孔６内の樹脂ばり14aによ
ってアウターリード部7b（リード７の厚さは通常35μｍ
程度）が破損し易くなり、半導体装置の品質上の信頼性
が低下するという問題もあった。
は、同図（ａ），（ｂ）および（ｃ）に示すように半導
体素子３の樹脂封止状態において金型10のゲート16がア
ウタリード孔６に位置する構造であるため、すなわちゲ
ート16の樹脂流通路壁一部が下方の金型11に形成される
構造であるため、樹脂封止時に樹脂14がゲート16から流
出してアウタリード孔６内に樹脂ばり14aが発生してい
た。この結果、樹脂封止後に樹脂ばりを取り除く工程を
必要とし、半導体装置の製造を煩雑にするという問題が
あった。また、アウタリード孔６内の樹脂ばり14aによ
ってアウターリード部7b（リード７の厚さは通常35μｍ
程度）が破損し易くなり、半導体装置の品質上の信頼性
が低下するという問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、リード
孔内の樹脂ばりを取り除く工程を不要にし、もって半導
体装置の製造を簡単に行うことができると共に、半導体
装置の品質上の信頼性低下を防止することができるキャ
リアテープを提供するものである。
孔内の樹脂ばりを取り除く工程を不要にし、もって半導
体装置の製造を簡単に行うことができると共に、半導体
装置の品質上の信頼性低下を防止することができるキャ
リアテープを提供するものである。
本発明に係るキャリアテープは、半導体素子の一部が臨
むセンタデバイス孔および各々が互いに架橋部を介して
連接する複数のリード孔を有するとともに、半導体素子
に接続されるリードを有する帯状部材からなり、このリ
ードを有する側の架橋部表面を樹脂流通路壁としこの樹
脂流通路壁の架橋部の幅を他の架橋部の幅より大きくし
たものである。
むセンタデバイス孔および各々が互いに架橋部を介して
連接する複数のリード孔を有するとともに、半導体素子
に接続されるリードを有する帯状部材からなり、このリ
ードを有する側の架橋部表面を樹脂流通路壁としこの樹
脂流通路壁の架橋部の幅を他の架橋部の幅より大きくし
たものである。
本発明においては、リードを有する側の架橋部表面を樹
脂流通路壁としたので、樹脂封止時に樹脂流通路壁によ
ってゲートを閉塞して樹脂のリード孔への流入を阻止し
てリード孔における樹脂ばりの発生を防止し、樹脂ばり
を取り除く工程を不要にすることができ、また、樹脂ば
りを取り除く作業が不要になるので、ばり除去時のリー
ドの破損を防止することができ半導体装置の品質上の信
頼性低下を防止することができ、さらに、樹脂流通路壁
の架橋部の幅を他の架橋部の幅より大きくしたので、樹
脂流通路壁における樹脂の硬化による閉塞を防止できる
とともに、リードを有する側の架橋部表面を樹脂流通路
壁としたので、封止樹脂外面から半導体素子の上下面ま
での距離を同じにするときには、半導体素子の表面に接
続されたリードによって上側キャビティが狭くなるため
に悪化する樹脂の流れを、リードを有する側の架橋部表
面を樹脂流通路壁とすることによって良好にすることが
できる。
脂流通路壁としたので、樹脂封止時に樹脂流通路壁によ
ってゲートを閉塞して樹脂のリード孔への流入を阻止し
てリード孔における樹脂ばりの発生を防止し、樹脂ばり
を取り除く工程を不要にすることができ、また、樹脂ば
りを取り除く作業が不要になるので、ばり除去時のリー
ドの破損を防止することができ半導体装置の品質上の信
頼性低下を防止することができ、さらに、樹脂流通路壁
の架橋部の幅を他の架橋部の幅より大きくしたので、樹
脂流通路壁における樹脂の硬化による閉塞を防止できる
とともに、リードを有する側の架橋部表面を樹脂流通路
壁としたので、封止樹脂外面から半導体素子の上下面ま
での距離を同じにするときには、半導体素子の表面に接
続されたリードによって上側キャビティが狭くなるため
に悪化する樹脂の流れを、リードを有する側の架橋部表
面を樹脂流通路壁とすることによって良好にすることが
できる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。第１図は本発明に係るキャリアテープを用い
たテープキャリアを示す平面図で、同図以下において第
４図〜第９図と同一の部材については同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。同図において、符号21〜24
で示すものはリードサポート部９を保持する架橋部で、
前記本体1aに一体に設けられている。このうち架橋部21
は、樹脂流通路壁として構成されており、前記帯状部材
１の表面上であって前記半導体素子３の樹脂封止状態に
おいて前記金型10のゲート底面16a（第２図に図示）に
対向する部位に形成されている。そして、この架橋部21
の幅寸法は他の架橋部22〜24の幅寸法より大きい寸法に
設定されている。
説明する。第１図は本発明に係るキャリアテープを用い
たテープキャリアを示す平面図で、同図以下において第
４図〜第９図と同一の部材については同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。同図において、符号21〜24
で示すものはリードサポート部９を保持する架橋部で、
前記本体1aに一体に設けられている。このうち架橋部21
は、樹脂流通路壁として構成されており、前記帯状部材
１の表面上であって前記半導体素子３の樹脂封止状態に
おいて前記金型10のゲート底面16a（第２図に図示）に
対向する部位に形成されている。そして、この架橋部21
の幅寸法は他の架橋部22〜24の幅寸法より大きい寸法に
設定されている。
次に、このように構成されたキャリアテープに半導体素
子３を実装して樹脂封止する方法について説明する。
子３を実装して樹脂封止する方法について説明する。
先ず、第２図（ａ）に示すように帯状部材１のセンタデ
バイス孔４内にバンプ８がインナーリード部7aの所定の
位置に対向するように半導体素子３を臨ませ、この半導
体素子３のバンプ８とインナーリード部7aを熱圧着法で
接続することによりテープキャリアを製造する。次い
で、これを同図（ｂ）に示すように金型11に載置して両
金型10,11によって型締めする。このとき、樹脂流通路
壁としての架橋部21によってゲート16のパーティングラ
イン側は閉塞されている。しかる後、同図（ｃ）に示す
ように低圧トランスファ成形方法によって両金型10,11
内に矢印で示すように例えばエポキシ樹脂等のプラスチ
ックを注入して硬化させる。
バイス孔４内にバンプ８がインナーリード部7aの所定の
位置に対向するように半導体素子３を臨ませ、この半導
体素子３のバンプ８とインナーリード部7aを熱圧着法で
接続することによりテープキャリアを製造する。次い
で、これを同図（ｂ）に示すように金型11に載置して両
金型10,11によって型締めする。このとき、樹脂流通路
壁としての架橋部21によってゲート16のパーティングラ
イン側は閉塞されている。しかる後、同図（ｃ）に示す
ように低圧トランスファ成形方法によって両金型10,11
内に矢印で示すように例えばエポキシ樹脂等のプラスチ
ックを注入して硬化させる。
このようにして、テープキャリアの半導体素子３を樹脂
封止することができる。
封止することができる。
したがって、本発明においては、樹脂封止時に樹脂14の
アウタリード孔６内への流入を阻止することができるか
ら、アウタリード孔６内での樹脂ばり14aの発生を防止
することができ、樹脂封止後に樹脂ばり14aを取り除く
工程を不要にすることができると共に、アウターリード
部7bの破損発生を防止することができる。
アウタリード孔６内への流入を阻止することができるか
ら、アウタリード孔６内での樹脂ばり14aの発生を防止
することができ、樹脂封止後に樹脂ばり14aを取り除く
工程を不要にすることができると共に、アウターリード
部7bの破損発生を防止することができる。
なお、本実施例においては、樹脂流通路壁としてリード
サポート部９を保持する架橋部21を用いるものを示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、第３図に
示すようにアウタリード孔６の一部を覆う橋絡部31を本
体1aに設け、この橋絡部31を樹脂流通路壁として用いて
も実施例と同様の効果を奏する。
サポート部９を保持する架橋部21を用いるものを示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、第３図に
示すようにアウタリード孔６の一部を覆う橋絡部31を本
体1aに設け、この橋絡部31を樹脂流通路壁として用いて
も実施例と同様の効果を奏する。
また、本実施例においては、架橋部21を本体1aと同一の
材料によって形成する例を示したが、本発明は他の材料
によって形成しても何等差し支えない。
材料によって形成する例を示したが、本発明は他の材料
によって形成しても何等差し支えない。
さらに、本発明における樹脂流通路壁の形状および幅寸
法は前述した実施例に限定されるものではないことは勿
論である。
法は前述した実施例に限定されるものではないことは勿
論である。
以上説明したように本発明によれば、半導体素子の一部
が臨むセンタデバイス孔およびこのセンタデバイス孔の
周囲に設けられ各々が互いに架橋部を介して連接する複
数のリード孔を有するとともに、半導体素子に接続され
るリードを有する帯状部材からなり、このリードを有す
る側の架橋部表面を樹脂流通路壁としたので、樹脂封止
時に樹脂流通路壁によってゲートを閉塞して樹脂のリー
ド孔への流入を阻止してリード孔における樹脂ばりの発
生を防止し、樹脂ばりを取り除く工程を不要にすること
ができ、また、樹脂ばりを取り除く作業が不要になるの
で、ばり除去時のリードの破損を防止することができ半
導体装置の品質上の信頼性低下を防止することができ、
さらに、樹脂流通路壁における樹脂の硬化による閉塞を
防止できるとともに、封止樹脂外面から半導体素子の上
下面までの距離を同じにするときには、半導体素子の表
面に接続されたリードによって上側キャビティが狭くな
るために悪化する樹脂の流れを、リードを有する側の架
橋部表面を樹脂流通路壁とすることによって良好にする
ことができる。また、金型のゲートを、リード表面の錫
めっき金属の移動によるリード間リークを押さえるため
のソルダレジストがあらかじめ塗布されたキャリアテー
プの表面のリード側に設けたので、封止樹脂との密着性
が悪いソルダレジストにより、特別にキャリアテープ表
面に封止樹脂との密着性が悪い材質の膜によるコーティ
ングをする必要がなく、キャリアテープ自体を安価に製
造することが可能となる。さらに、半導体素子の表面に
接続されたリードにより上側キャビティが狭くなるため
悪化する樹脂の流れをゲートをリード側に設けたことに
より良好とすることもできる。
が臨むセンタデバイス孔およびこのセンタデバイス孔の
周囲に設けられ各々が互いに架橋部を介して連接する複
数のリード孔を有するとともに、半導体素子に接続され
るリードを有する帯状部材からなり、このリードを有す
る側の架橋部表面を樹脂流通路壁としたので、樹脂封止
時に樹脂流通路壁によってゲートを閉塞して樹脂のリー
ド孔への流入を阻止してリード孔における樹脂ばりの発
生を防止し、樹脂ばりを取り除く工程を不要にすること
ができ、また、樹脂ばりを取り除く作業が不要になるの
で、ばり除去時のリードの破損を防止することができ半
導体装置の品質上の信頼性低下を防止することができ、
さらに、樹脂流通路壁における樹脂の硬化による閉塞を
防止できるとともに、封止樹脂外面から半導体素子の上
下面までの距離を同じにするときには、半導体素子の表
面に接続されたリードによって上側キャビティが狭くな
るために悪化する樹脂の流れを、リードを有する側の架
橋部表面を樹脂流通路壁とすることによって良好にする
ことができる。また、金型のゲートを、リード表面の錫
めっき金属の移動によるリード間リークを押さえるため
のソルダレジストがあらかじめ塗布されたキャリアテー
プの表面のリード側に設けたので、封止樹脂との密着性
が悪いソルダレジストにより、特別にキャリアテープ表
面に封止樹脂との密着性が悪い材質の膜によるコーティ
ングをする必要がなく、キャリアテープ自体を安価に製
造することが可能となる。さらに、半導体素子の表面に
接続されたリードにより上側キャビティが狭くなるため
悪化する樹脂の流れをゲートをリード側に設けたことに
より良好とすることもできる。
第１図は本発明に係るキャリアテープを使用するテープ
テャリアを示す平面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は同じく
本発明のキャリアテープを使用する樹脂封止方法を説明
するための平面図とそのｂ−ｂ′線,c−ｃ′線断面図、
第３図は他の実施例を示す平面図、第４図は従来のキャ
リアテープを使用するテープキャリアを示す平面図と断
面図、第５図（ａ）および（ｂ）はテープキャリアの製
造方法を説明するための斜視図、第６図（ａ）および
（ｂ）はテープキャリアの半導体素子の樹脂封止につい
て説明する平面図と断面図、第７図（ａ）および（ｂ）
はポッティング法について説明する断面図、第８図
（ａ）〜（ｄ）は他の樹脂封止方法を説明するための断
面図、第９図（ａ）〜（ｃ）は低圧トランスファ成形方
法を説明するための平面図とそのｂ−ｂ′線,c−ｃ′線
断面図である。 １……帯状部材、３……半導体素子、４……センタデバ
イス孔、６……アウタリード孔、７……リード、7a……
インナーリード部、7b……アウターリード部、7c……テ
ストパッド部、10,11……金型、16……ゲート、16a……
ゲート底面、21〜24……架橋部。
テャリアを示す平面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は同じく
本発明のキャリアテープを使用する樹脂封止方法を説明
するための平面図とそのｂ−ｂ′線,c−ｃ′線断面図、
第３図は他の実施例を示す平面図、第４図は従来のキャ
リアテープを使用するテープキャリアを示す平面図と断
面図、第５図（ａ）および（ｂ）はテープキャリアの製
造方法を説明するための斜視図、第６図（ａ）および
（ｂ）はテープキャリアの半導体素子の樹脂封止につい
て説明する平面図と断面図、第７図（ａ）および（ｂ）
はポッティング法について説明する断面図、第８図
（ａ）〜（ｄ）は他の樹脂封止方法を説明するための断
面図、第９図（ａ）〜（ｃ）は低圧トランスファ成形方
法を説明するための平面図とそのｂ−ｂ′線,c−ｃ′線
断面図である。 １……帯状部材、３……半導体素子、４……センタデバ
イス孔、６……アウタリード孔、７……リード、7a……
インナーリード部、7b……アウターリード部、7c……テ
ストパッド部、10,11……金型、16……ゲート、16a……
ゲート底面、21〜24……架橋部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 博司 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社北伊丹製作所内 (72)発明者 寺岡 康宏 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社北伊丹製作所内 (56)参考文献 特開 昭53−117967（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】低圧トランスファ成型方法によって金型内
で樹脂封止される半導体素子の一部が臨むセンタデバイ
ス孔およびこのセンタデバイス孔の周囲に設けられ各々
が互いに架橋部を介して連接する複数のリード孔を有す
るとともに、半導体素子に接続されるリードを有する帯
状部材からなり、このリードを有する側の架橋部表面を
樹脂流通路壁としこの樹脂流通路壁の架橋部の幅を他の
架橋部の幅より大きくしたことを特徴とするキャリアテ
ープ。 - 【請求項２】樹脂流通路壁側の架橋部の形状は他の架橋
部の形状より異なる形状に形成されたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のキャリアテープ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62314458A JPH0783036B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | キヤリアテープ |
| US07/281,401 US5064706A (en) | 1987-12-11 | 1988-12-08 | Carrier tape including molten resin flow path element for resin packaged semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62314458A JPH0783036B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | キヤリアテープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01155635A JPH01155635A (ja) | 1989-06-19 |
| JPH0783036B2 true JPH0783036B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=18053585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62314458A Expired - Fee Related JPH0783036B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | キヤリアテープ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5064706A (ja) |
| JP (1) | JPH0783036B2 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0370150A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH0680706B2 (ja) * | 1989-08-22 | 1994-10-12 | 三菱電機株式会社 | キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US6759732B1 (en) | 1990-04-24 | 2004-07-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device with circuit cell array and arrangement on a semiconductor chip |
| JP3293135B2 (ja) | 1990-04-24 | 2002-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | 回路セル・アレイを備えた半導体装置 |
| KR100199261B1 (ko) * | 1990-04-27 | 1999-06-15 | 가나이 쓰도무 | 반도체장치 및 그 제조방법 그리고 그것에 사용되는 성형장치 |
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| CA1123920A (en) * | 1978-08-24 | 1982-05-18 | Kevin R. Daly | Laser soldering apparatus |
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| EP0213575B1 (en) * | 1985-08-23 | 1992-10-21 | Nec Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device employing a film carrier tape |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62314458A patent/JPH0783036B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-12-08 US US07/281,401 patent/US5064706A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5064706A (en) | 1991-11-12 |
| JPH01155635A (ja) | 1989-06-19 |
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