JPH08307192A - 表面弾性波デバイス - Google Patents
表面弾性波デバイスInfo
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- JPH08307192A JPH08307192A JP7128858A JP12885895A JPH08307192A JP H08307192 A JPH08307192 A JP H08307192A JP 7128858 A JP7128858 A JP 7128858A JP 12885895 A JP12885895 A JP 12885895A JP H08307192 A JPH08307192 A JP H08307192A
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- barrier layer
- wave device
- bumps
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/058—Holders or supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders or supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 長時間に亙って高温に晒されても、接合強度
が時間と共に低下しない長寿命の表面弾性波デバイスを
得るにある。 【構成】 表面に少なくともアルミニウムを含む材料か
らなるくし歯状電極３，４を積層しかつ同くし歯状電極
３，４の電極パッド３ａ，４ａにＡｕバンプ２を配置し
たデバイスチップ１を、フェイスダウンボンディングに
よりパッケージベースＸの内部に固定する表面弾性波デ
バイスにおいて、前記電極パッド３ａ，４ａの表面をＮ
ｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等からなるバリア層６で被覆し、同バリ
ア層６の表面にＡｕバンプ２を溶着した表面弾性波デバ
イス。
が時間と共に低下しない長寿命の表面弾性波デバイスを
得るにある。 【構成】 表面に少なくともアルミニウムを含む材料か
らなるくし歯状電極３，４を積層しかつ同くし歯状電極
３，４の電極パッド３ａ，４ａにＡｕバンプ２を配置し
たデバイスチップ１を、フェイスダウンボンディングに
よりパッケージベースＸの内部に固定する表面弾性波デ
バイスにおいて、前記電極パッド３ａ，４ａの表面をＮ
ｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等からなるバリア層６で被覆し、同バリ
ア層６の表面にＡｕバンプ２を溶着した表面弾性波デバ
イス。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波フィルタ等と
して用いる表面弾性波デバイスに関し、特に、フェイス
ダウンボンディングによりパッケージベース等に接続さ
れるデバイスチップをもった表面弾性波デバイスに関す
る。
して用いる表面弾性波デバイスに関し、特に、フェイス
ダウンボンディングによりパッケージベース等に接続さ
れるデバイスチップをもった表面弾性波デバイスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、従来の表面弾性波デバイ
スにおいては、外部雰囲気から機能部を隔離することが
要求されることがあるため、例えば図４に示すように、
表面に表面波伝搬路αを形成したデバイスチップ１Ａの
Ａｕバンプ２Ａを、接続パッドｘ2に接続した状態でセ
ラミック等からなるパッケージベースＸの内部に収容
し、同パッケージベースＸの解放部をシール材Ｙを用い
てパッケージリッドＺで封止することにより完成され
る。即ち、パッケージベースＸのパッケージリードｘ1
の内端部である接続パッドｘ2の表面には、デバイスチ
ップ１Ａの実装用Ａｕバンプ２Ａが熱圧着され、これら
のパッケージリードｘ１を介してデバイスチップ１Ａの
表面波伝搬路αがプリント配線基板等の回路基板（図示
せず）に接続される。
スにおいては、外部雰囲気から機能部を隔離することが
要求されることがあるため、例えば図４に示すように、
表面に表面波伝搬路αを形成したデバイスチップ１Ａの
Ａｕバンプ２Ａを、接続パッドｘ2に接続した状態でセ
ラミック等からなるパッケージベースＸの内部に収容
し、同パッケージベースＸの解放部をシール材Ｙを用い
てパッケージリッドＺで封止することにより完成され
る。即ち、パッケージベースＸのパッケージリードｘ1
の内端部である接続パッドｘ2の表面には、デバイスチ
ップ１Ａの実装用Ａｕバンプ２Ａが熱圧着され、これら
のパッケージリードｘ１を介してデバイスチップ１Ａの
表面波伝搬路αがプリント配線基板等の回路基板（図示
せず）に接続される。
【０００３】ところで、図５は例えばセラミックで構成
されるデバイスチップ１Ａを示し、同デバイスチップ１
Ａの表面には、対にされたくし歯状電極３Ａ，４Ａで表
面波伝搬路αが形成されるけれども、通常の場合、これ
らのくし歯状電極３Ａ，４Ａはアルミニウム（Ａｌ）蒸
着膜で構成され、これらのくし歯状電極３Ａ，４Ａの端
部の電極パッド３ａ，４ａにそれぞれＡｕバンプ２Ａが
直接に溶着され、これらのＡｕバンプ２Ａを介してデバ
イスチップ１Ａの外部接続が行われる。Ａｕバンプの形
成方法は、ワイヤーボンダーを用いた、いわゆるスタッ
ドバンプが挙げられる。
されるデバイスチップ１Ａを示し、同デバイスチップ１
Ａの表面には、対にされたくし歯状電極３Ａ，４Ａで表
面波伝搬路αが形成されるけれども、通常の場合、これ
らのくし歯状電極３Ａ，４Ａはアルミニウム（Ａｌ）蒸
着膜で構成され、これらのくし歯状電極３Ａ，４Ａの端
部の電極パッド３ａ，４ａにそれぞれＡｕバンプ２Ａが
直接に溶着され、これらのＡｕバンプ２Ａを介してデバ
イスチップ１Ａの外部接続が行われる。Ａｕバンプの形
成方法は、ワイヤーボンダーを用いた、いわゆるスタッ
ドバンプが挙げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の表面弾性波デバイスの構造によると、図
６で示すように、アルミニウムで構成される電極パッド
３ａ，４ａに異種金属であるＡｕバンプ２Ａが直接に溶
着されるため、これらの境界部に金属間化合物５が生成
される。つまり、Ａｕ5Ａｌ2及びＡｕ4Ａｌ等からなる
金属間化合物５においては、これらの間に熱膨張率の差
があり、しかもこれらの化合物の間のＡｌとＡｕとの間
に拡散係数の差があるため、いわゆるカーケンダル効果
によるボイド（ｖｏｉｄ）が発生する。この為長時間に
亙って高温に晒されると接合強度が時間と共に低下し、
クラックが生じて断線状態になる問題がある。
たような従来の表面弾性波デバイスの構造によると、図
６で示すように、アルミニウムで構成される電極パッド
３ａ，４ａに異種金属であるＡｕバンプ２Ａが直接に溶
着されるため、これらの境界部に金属間化合物５が生成
される。つまり、Ａｕ5Ａｌ2及びＡｕ4Ａｌ等からなる
金属間化合物５においては、これらの間に熱膨張率の差
があり、しかもこれらの化合物の間のＡｌとＡｕとの間
に拡散係数の差があるため、いわゆるカーケンダル効果
によるボイド（ｖｏｉｄ）が発生する。この為長時間に
亙って高温に晒されると接合強度が時間と共に低下し、
クラックが生じて断線状態になる問題がある。
【０００５】本発明の目的は、以上に述べたような従来
の表面弾性波デバイスの問題に鑑み、長時間に亙って高
温に晒されても、接合強度が時間と共に低下しない長寿
命の表面弾性波デバイスを得るにある。
の表面弾性波デバイスの問題に鑑み、長時間に亙って高
温に晒されても、接合強度が時間と共に低下しない長寿
命の表面弾性波デバイスを得るにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、表面に少なくともアルミニウムを含む材
料からなるくし歯状電極を形成しかつ同くし歯状電極の
電極パッドにＡｕバンプを配置したデバイスチップを、
フェイスダウンボンディングによりパッケージベースの
内部に固定する表面弾性波デバイスにおいて、前記電極
パッドの表面をＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等からなる接合上有害
な層を形成しないバリア層で被覆し、同バリア層の表面
にＡｕバンプを溶着した表面弾性波デバイスを提案する
ものである。また、本発明によるデバイスチップは、他
の形式による表面弾性波デバイス、即ちキャン封止素子
またはフェイスダウンボンディングによりデバイスチッ
プを直接に回路基板に実装する形式のものにも適用でき
る。
め、本発明は、表面に少なくともアルミニウムを含む材
料からなるくし歯状電極を形成しかつ同くし歯状電極の
電極パッドにＡｕバンプを配置したデバイスチップを、
フェイスダウンボンディングによりパッケージベースの
内部に固定する表面弾性波デバイスにおいて、前記電極
パッドの表面をＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等からなる接合上有害
な層を形成しないバリア層で被覆し、同バリア層の表面
にＡｕバンプを溶着した表面弾性波デバイスを提案する
ものである。また、本発明によるデバイスチップは、他
の形式による表面弾性波デバイス、即ちキャン封止素子
またはフェイスダウンボンディングによりデバイスチッ
プを直接に回路基板に実装する形式のものにも適用でき
る。
【０００７】
【実施例】以下、図１から図３について本発明の実施例
の詳細を説明する。図１において、表面に表面波伝搬路
αを形成した本発明によるデバイスチップ１は、後述す
るＡｕバンプ２を接続パッドｘ2に接続した状態でセラ
ミック等からなるパッケージベースＸの内部に収容さ
れ、同パッケージベースＸの解放部をシール材Ｙを用い
てパッケージリッドＺで封止することにより完成される
点では従来と同様である。即ち、パッケージベースＸの
パッケージリードｘ1の内端部である接続パッドｘ2の表
面には、デバイスチップ１の実装用Ａｕバンプ２が熱圧
着され、これらのパッケージリードｘ1を介してデバイ
スチップ１の表面波伝搬路αがプリント配線基板等の回
路基板（図示せず）に接続されることになる。
の詳細を説明する。図１において、表面に表面波伝搬路
αを形成した本発明によるデバイスチップ１は、後述す
るＡｕバンプ２を接続パッドｘ2に接続した状態でセラ
ミック等からなるパッケージベースＸの内部に収容さ
れ、同パッケージベースＸの解放部をシール材Ｙを用い
てパッケージリッドＺで封止することにより完成される
点では従来と同様である。即ち、パッケージベースＸの
パッケージリードｘ1の内端部である接続パッドｘ2の表
面には、デバイスチップ１の実装用Ａｕバンプ２が熱圧
着され、これらのパッケージリードｘ1を介してデバイ
スチップ１の表面波伝搬路αがプリント配線基板等の回
路基板（図示せず）に接続されることになる。
【０００８】また、本発明によるデバイスチップ１を示
す図２は前述した図５相当斜視図であり、同デバイスチ
ップ１の表面には、対にされたアルミニウム（Ａｌ）蒸
着膜であるくし歯状電極３，４で表面波伝搬路αが形成
される点でも従来と同様である。図示実施例の特徴は、
これらのくし歯状電極３，４の端部の電極パッド３ａ，
４ａがＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等からなるバリア層６で被覆さ
れ、これらのバリア層６の表面にＡｕバンプ２が溶着さ
れた点にある。
す図２は前述した図５相当斜視図であり、同デバイスチ
ップ１の表面には、対にされたアルミニウム（Ａｌ）蒸
着膜であるくし歯状電極３，４で表面波伝搬路αが形成
される点でも従来と同様である。図示実施例の特徴は、
これらのくし歯状電極３，４の端部の電極パッド３ａ，
４ａがＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等からなるバリア層６で被覆さ
れ、これらのバリア層６の表面にＡｕバンプ２が溶着さ
れた点にある。
【０００９】Ａｕとの間で脆弱な金属間化合物を作るこ
とのない同バリア層６は、例えばメタルマスクを用いた
真空蒸着法で、簡単に電極パッド３ａ，４ａを覆った状
態に形成可能であるが、電極パッド３ａ，４ａ以外の表
面にフォトレジスト被膜を形成した後、所定金属層の全
面蒸着を行って必要箇所以外の蒸着膜及び前記フォトレ
ジスト被膜の除去を行うリトオフ法でも効率よく製作で
きる。
とのない同バリア層６は、例えばメタルマスクを用いた
真空蒸着法で、簡単に電極パッド３ａ，４ａを覆った状
態に形成可能であるが、電極パッド３ａ，４ａ以外の表
面にフォトレジスト被膜を形成した後、所定金属層の全
面蒸着を行って必要箇所以外の蒸着膜及び前記フォトレ
ジスト被膜の除去を行うリトオフ法でも効率よく製作で
きる。
【００１０】これらの蒸着工程においては、電極パッド
３ａ，４ａの表面にＣｒやＴｉ等の補助層を予め蒸着さ
せてこの補助層の表面にバリア層６を蒸着させれば、電
極パッド３ａ，４ａとバリア層６との間の密着性を改善
できる。また、バリア層６としてＮｉを用いる場合、バ
リア層６の表面に薄いＡｕ層を補助的に蒸着させておく
ことにより、Ｎｉ酸化被膜の生成を防止できる。勿論、
本発明においては、用いるバリア層６は、必ずしも単層
である必要はなく、周知技術の範囲で複数層のバリア層
６により、様々な特性のバリア層６を得ることができ
る。
３ａ，４ａの表面にＣｒやＴｉ等の補助層を予め蒸着さ
せてこの補助層の表面にバリア層６を蒸着させれば、電
極パッド３ａ，４ａとバリア層６との間の密着性を改善
できる。また、バリア層６としてＮｉを用いる場合、バ
リア層６の表面に薄いＡｕ層を補助的に蒸着させておく
ことにより、Ｎｉ酸化被膜の生成を防止できる。勿論、
本発明においては、用いるバリア層６は、必ずしも単層
である必要はなく、周知技術の範囲で複数層のバリア層
６により、様々な特性のバリア層６を得ることができ
る。
【００１１】図示実施例による表面弾性波デバイスは、
以上のような構造であるから、電極パッド３ａ，４ａと
Ａｕバンプの間に両者に対して安定したバリア層６が介
在されるので、Ａｕバンプと電極パッド３ａ，４ａとの
間に脆弱な金属間化合物が形成されることがないため、
パッケージング及び実装工程上の恒温処理が可能にな
り、かつ寿命の長い表面弾性波デバイスを得ることがで
きる。
以上のような構造であるから、電極パッド３ａ，４ａと
Ａｕバンプの間に両者に対して安定したバリア層６が介
在されるので、Ａｕバンプと電極パッド３ａ，４ａとの
間に脆弱な金属間化合物が形成されることがないため、
パッケージング及び実装工程上の恒温処理が可能にな
り、かつ寿命の長い表面弾性波デバイスを得ることがで
きる。
【００１２】なお、図２で説明したデバイスチップ１
は、パッケージベースＸを用いた形式のデバイスばかり
でなく、他の形式による表面弾性波デバイス、即ちキャ
ン封止素子またはフェイスダウンボンディングによりデ
バイスチップ１を直接に回路基板に実装する形式のもの
にも適用できるのは、改めて指摘するまでもない。
は、パッケージベースＸを用いた形式のデバイスばかり
でなく、他の形式による表面弾性波デバイス、即ちキャ
ン封止素子またはフェイスダウンボンディングによりデ
バイスチップ１を直接に回路基板に実装する形式のもの
にも適用できるのは、改めて指摘するまでもない。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、くし歯状電極の電極パッドの表面にバリア層
を被覆させるだけで、異種金属間化合物による寿命低下
を防止でき、断線事故を未然に阻止した信頼性の高い表
面弾性波デバイスを提供できる。
によれば、くし歯状電極の電極パッドの表面にバリア層
を被覆させるだけで、異種金属間化合物による寿命低下
を防止でき、断線事故を未然に阻止した信頼性の高い表
面弾性波デバイスを提供できる。
【図１】本発明による表面弾性波デバイスの断面図であ
る。
る。
【図２】同表面弾性波デバイスに用いるデバイスチップ
の反転斜視図である。
の反転斜視図である。
【図３】同デバイスチップの図２の３−３線に沿う拡大
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の表面弾性波デバイスの断面図である。
【図５】同表面弾性波デバイスに用いるデバイスチップ
の反転斜視図である。
の反転斜視図である。
【図６】同デバイスチップの図５の６−６線に沿う拡大
断面図である。
断面図である。
α 表面波伝搬路 Ｘ パッケージベース １ デバイスチップ ２ Ａｕバンプ ３，４ くし歯状電極 ３ａ，４ａ 電極パッド ５ 金属間化合物層 ６ バリア層
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に少なくともアルミニウムを含む材
料からなるくし歯状電極を形成しかつ同くし歯状電極の
電極パッドにＡｕバンプを配置したデバイスチップを、
フェイスダウンボンディングによりパッケージベースの
内部に固定する表面弾性波デバイスにおいて、前記電極
パッドの表面をＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等からなる接合上有害
な層を形成しないバリア層で被覆し、同バリア層の表面
にＡｕバンプを溶着したことを特徴とする表面弾性波デ
バイス。 - 【請求項２】 表面に少なくともアルミニウムを含む材
料からなるくし歯状電極を形成しかつ同くし歯状電極の
電極パッドにＡｕバンプを配置したデバイスチップにお
いて、前記電極パッドの表面をＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等から
なる接合上有害な層を形成しないバリア層で被覆し、同
バリア層の表面にＡｕバンプを溶着したデバイスチッ
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128858A JPH08307192A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 表面弾性波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128858A JPH08307192A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 表面弾性波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307192A true JPH08307192A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14995116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7128858A Pending JPH08307192A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 表面弾性波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08307192A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552475B2 (en) | 2000-07-19 | 2003-04-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JP2005051498A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Tdk Corp | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
| WO2006100900A1 (ja) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | アンダーバンプメタル膜とその形成方法、ならびに弾性表面波デバイス |
| JP2015146523A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および弾性波装置 |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP7128858A patent/JPH08307192A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552475B2 (en) | 2000-07-19 | 2003-04-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| DE10134748B4 (de) * | 2000-07-19 | 2008-01-03 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Oberflächenwellenbauelement |
| JP2005051498A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Tdk Corp | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
| WO2006100900A1 (ja) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | アンダーバンプメタル膜とその形成方法、ならびに弾性表面波デバイス |
| JP2006269458A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アンダーバンプメタル膜およびこれを用いた弾性表面波デバイスおよびその形成方法 |
| US7764007B2 (en) | 2005-03-22 | 2010-07-27 | Panasonic Corporation | Under bump metal film comprising a stress relaxation layer and a diffusion-resistant layer |
| JP2015146523A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および弾性波装置 |
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