JPH0831245A - 超電導永久電流スイッチ用超電導導体 - Google Patents
超電導永久電流スイッチ用超電導導体Info
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- JPH0831245A JPH0831245A JP6169850A JP16985094A JPH0831245A JP H0831245 A JPH0831245 A JP H0831245A JP 6169850 A JP6169850 A JP 6169850A JP 16985094 A JP16985094 A JP 16985094A JP H0831245 A JPH0831245 A JP H0831245A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、オン状態、即ち超電導状態では高
い臨界電流特性を発揮し、大電流容量化を実現できると
ともに、オフ状態、即ち常電導状態では高抵抗を発揮し
て永久電流スイッチとしての性能向上に寄与する永久電
流スイッチ用超電導導体を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、中心部に配置された常電導体から
なる中央導体と、その周囲に撚線化して配置された複数
本の超電導素線とが具備されてなる超電導永久電流スイ
ッチ用超電導導体であって、前記中央導体の外周に絶縁
層が被覆されて中央導体とその周囲の超電導素線とが絶
縁されなるものである。 【効果】 オフ状態の比抵抗が高くなるので永久電流ス
イッチの信頼性が向上する。
い臨界電流特性を発揮し、大電流容量化を実現できると
ともに、オフ状態、即ち常電導状態では高抵抗を発揮し
て永久電流スイッチとしての性能向上に寄与する永久電
流スイッチ用超電導導体を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、中心部に配置された常電導体から
なる中央導体と、その周囲に撚線化して配置された複数
本の超電導素線とが具備されてなる超電導永久電流スイ
ッチ用超電導導体であって、前記中央導体の外周に絶縁
層が被覆されて中央導体とその周囲の超電導素線とが絶
縁されなるものである。 【効果】 オフ状態の比抵抗が高くなるので永久電流ス
イッチの信頼性が向上する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は超電導マグネットシステ
ムに備えられる永久電流スイッチ用超電導導体に関す
る。
ムに備えられる永久電流スイッチ用超電導導体に関す
る。
【0002】
【従来の技術】超電導永久電流スイッチは、超電導マグ
ネットと組み合わせて永久電流回路を実現させるために
不可欠な要素であり、超電導磁気エネルギー貯蔵システ
ム、核融合システム、磁気浮上鉄道、理化学実験用超電
導マグネット等への利用がなされている。ところで、超
電導エネルギー貯蔵システムなどにおいて、超電導マグ
ネットを永久電流状態で運転する装置においては、超電
導コイルと永久電流スイッチを並列接続して構成し、こ
の並列回路を所望の電源にパワーリードを介して接続す
る構成が一般的になっている。
ネットと組み合わせて永久電流回路を実現させるために
不可欠な要素であり、超電導磁気エネルギー貯蔵システ
ム、核融合システム、磁気浮上鉄道、理化学実験用超電
導マグネット等への利用がなされている。ところで、超
電導エネルギー貯蔵システムなどにおいて、超電導マグ
ネットを永久電流状態で運転する装置においては、超電
導コイルと永久電流スイッチを並列接続して構成し、こ
の並列回路を所望の電源にパワーリードを介して接続す
る構成が一般的になっている。
【0003】図8〜図10に、このような構成の超電導
エネルギー貯蔵装置の一例を示す。これらの図において
符号1は超電導コイルを示し、この超電導コイル1と永
久電流スイッチ2を並列接続し、この回路にパワーリー
ド3と開閉スイッチ4とを介して交直変換装置5を接続
し、交直変換装置5に図示略の交流電源系統を接続して
いる。前記超電導コイル1と永久電流スイッチ2は、い
ずれも低温において超電導状態に転位する超電導導体か
ら形成され、液体ヘリウムなどの冷媒で冷却されるよう
になっている。なお、図8〜図10において超電導コイ
ル1と永久電流スイッチ2を液体ヘリウムで冷却する装
置とその回路については省略している。
エネルギー貯蔵装置の一例を示す。これらの図において
符号1は超電導コイルを示し、この超電導コイル1と永
久電流スイッチ2を並列接続し、この回路にパワーリー
ド3と開閉スイッチ4とを介して交直変換装置5を接続
し、交直変換装置5に図示略の交流電源系統を接続して
いる。前記超電導コイル1と永久電流スイッチ2は、い
ずれも低温において超電導状態に転位する超電導導体か
ら形成され、液体ヘリウムなどの冷媒で冷却されるよう
になっている。なお、図8〜図10において超電導コイ
ル1と永久電流スイッチ2を液体ヘリウムで冷却する装
置とその回路については省略している。
【0004】図8〜図10に示す超電導エネルギー貯蔵
装置を用いて電力の貯蔵を行なうには、図8に示すよう
に永久電流スイッチ2を開放して直流電流を超電導コイ
ル1に流し、磁気エネルギーとして電力を貯蔵する。次
に、図9に示すように永久電流スイッチ2を閉じて超電
導コイル1の両端を短絡するとともに開閉スイッチ4を
開放すると、超電導コイル1は低温状態に冷却されてい
て電気抵抗がゼロであるがために、電流は減衰すること
なく超電導コイル1を流れ続け、そのときに超電導コイ
ル1に蓄えられたエネルギーが無損失で保存されること
になる。次にこの貯蔵されたエネルギーを取り出すに
は、図10に示すように永久電流スイッチ2を開放する
とともに開閉スイッチ4を閉じることで、超電導コイル
1に蓄えられていたエネルギーを電力として取り出すこ
とができる。
装置を用いて電力の貯蔵を行なうには、図8に示すよう
に永久電流スイッチ2を開放して直流電流を超電導コイ
ル1に流し、磁気エネルギーとして電力を貯蔵する。次
に、図9に示すように永久電流スイッチ2を閉じて超電
導コイル1の両端を短絡するとともに開閉スイッチ4を
開放すると、超電導コイル1は低温状態に冷却されてい
て電気抵抗がゼロであるがために、電流は減衰すること
なく超電導コイル1を流れ続け、そのときに超電導コイ
ル1に蓄えられたエネルギーが無損失で保存されること
になる。次にこの貯蔵されたエネルギーを取り出すに
は、図10に示すように永久電流スイッチ2を開放する
とともに開閉スイッチ4を閉じることで、超電導コイル
1に蓄えられていたエネルギーを電力として取り出すこ
とができる。
【0005】この種の永久電流スイッチにおいて大電流
容量化を達成するために、超電導素線を複数本撚り合
せ、撚線導体化することにより永久電流スイッチの臨界
電流値を増大させ、運転電流を増大することがなされて
いる。ところがこの場合、スイッチング時において撚線
導体の各超電導素線に流れる電流に偏りが生じ易く、特
に撚線導体の中心部に位置する超電導素線にあっては、
その周囲に位置する超電導素線と逆向きの電流が流れ易
い傾向がある。そこで従来では、この現象を避けるため
に、図11に示すように撚線導体の中心部の導体が常電
導線6となるように、かつ、その周囲の導体が超電導線
7となるような撚線構造としたものが採用されている。
容量化を達成するために、超電導素線を複数本撚り合
せ、撚線導体化することにより永久電流スイッチの臨界
電流値を増大させ、運転電流を増大することがなされて
いる。ところがこの場合、スイッチング時において撚線
導体の各超電導素線に流れる電流に偏りが生じ易く、特
に撚線導体の中心部に位置する超電導素線にあっては、
その周囲に位置する超電導素線と逆向きの電流が流れ易
い傾向がある。そこで従来では、この現象を避けるため
に、図11に示すように撚線導体の中心部の導体が常電
導線6となるように、かつ、その周囲の導体が超電導線
7となるような撚線構造としたものが採用されている。
【0006】図11に示すような構造を採用すること
で、永久電流スイッチはオン状態の超電導状態において
は電気抵抗が必然的にゼロであるが、オフ状態の常電導
状態においては中心部の常電導線6の存在によりスイッ
チとしての電気抵抗が高いものとなり、このことがオフ
時の永久電流スイッチに流れる電流を極力低くするため
に重要な構造になっている。従って従来のこの種の永久
電流スイッチ用超電導撚線は、超電導線材と高比抵抗金
属線を複合加工した構造を採用することが一般的であっ
た。
で、永久電流スイッチはオン状態の超電導状態において
は電気抵抗が必然的にゼロであるが、オフ状態の常電導
状態においては中心部の常電導線6の存在によりスイッ
チとしての電気抵抗が高いものとなり、このことがオフ
時の永久電流スイッチに流れる電流を極力低くするため
に重要な構造になっている。従って従来のこの種の永久
電流スイッチ用超電導撚線は、超電導線材と高比抵抗金
属線を複合加工した構造を採用することが一般的であっ
た。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従って永久電流スイッ
チ用の超電導撚線を製造する場合において、高比抵抗金
属と超電導材料を複合した超電導素線を用いて撚線加工
を行う際に、常電導線6として、非超電導材料製のCu
-Ni合金線やステンレス合金線を配置し、その周囲に
超電導線を配置することがなされている。この場合、非
超電導材料であるこれらの合金線からなる常電導線6を
中心部に配置した撚線構造にすると、導体全体の見かけ
の比抵抗は低下することになり、結果としてオフ時の常
電導状態下での高抵抗化を達成するための阻害になって
いる。
チ用の超電導撚線を製造する場合において、高比抵抗金
属と超電導材料を複合した超電導素線を用いて撚線加工
を行う際に、常電導線6として、非超電導材料製のCu
-Ni合金線やステンレス合金線を配置し、その周囲に
超電導線を配置することがなされている。この場合、非
超電導材料であるこれらの合金線からなる常電導線6を
中心部に配置した撚線構造にすると、導体全体の見かけ
の比抵抗は低下することになり、結果としてオフ時の常
電導状態下での高抵抗化を達成するための阻害になって
いる。
【0008】本発明は前記事情に鑑みてなされたもので
あり、オン状態、即ち超電導状態では高い臨界電流特性
を発揮し、大電流容量化を実現できるとともに、オフ状
態、即ち常電導状態では高抵抗を発揮して永久電流スイ
ッチとしての性能向上に寄与する永久電流スイッチ用超
電導導体を提供することを目的とする。
あり、オン状態、即ち超電導状態では高い臨界電流特性
を発揮し、大電流容量化を実現できるとともに、オフ状
態、即ち常電導状態では高抵抗を発揮して永久電流スイ
ッチとしての性能向上に寄与する永久電流スイッチ用超
電導導体を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は前
記課題を解決するために、中心部に配置された常電導体
からなる中央導体と、その周囲に撚線化して配置された
複数本の超電導素線とが具備されてなる超電導永久電流
スイッチ用超電導導体であって、前記中央導体の外周に
絶縁層が被覆されて中央導体とその周囲の超電導素線と
が絶縁されなるものである。
記課題を解決するために、中心部に配置された常電導体
からなる中央導体と、その周囲に撚線化して配置された
複数本の超電導素線とが具備されてなる超電導永久電流
スイッチ用超電導導体であって、前記中央導体の外周に
絶縁層が被覆されて中央導体とその周囲の超電導素線と
が絶縁されなるものである。
【0010】請求項2記載の発明は前記課題を解決する
ために、超電導マグネットの端子あるいはパワーリード
の端子に中央導体を除いた超電導素線のみが電気的に接
続されてなるものである。
ために、超電導マグネットの端子あるいはパワーリード
の端子に中央導体を除いた超電導素線のみが電気的に接
続されてなるものである。
【0011】請求項3記載の発明は前記課題を解決する
ために、請求項1または2記載の超電導素線が、Cu-
Ni合金基地あるいはCu-Zn合金基地と、いずれか
の合金基地の内部に多数分散配列されたNbフィラメン
トから構成されてなるものである。
ために、請求項1または2記載の超電導素線が、Cu-
Ni合金基地あるいはCu-Zn合金基地と、いずれか
の合金基地の内部に多数分散配列されたNbフィラメン
トから構成されてなるものである。
【0012】
【作用】常電導体からなる中央導体がその周囲の超電導
素線と絶縁されているので、永久電流スイッチのオフ状
態、即ち常電導状態において中央導体が超電導導体全体
の見かけの比抵抗を低下させることがない。また、中央
導体を除いて超電導素線のみが超電導マグネットあるい
はパワーリードに接続されることで、オフ状態の比抵抗
低下防止の効果が確実に得られる。更に、永久電流スイ
ッチのオン状態においては超電導素線の電気抵抗がゼロ
になるが、撚線化された複数本の超電導素線が永久電流
スイッチの臨界電流向上化に寄与し、大電流容量化がな
される。また、超電導素線として、CuまたはCu合金
にZnまたはNiを拡散させて生成された合金基地また
はCu-Ni合金基地と、この合金基地の内部に多数分
散配列されたNbフィラメントから構成されてなるもの
とするならば、超電導素線自体の基地の高電気抵抗化が
なされ、永久電流スイッチ用としてより好適なものとな
る。
素線と絶縁されているので、永久電流スイッチのオフ状
態、即ち常電導状態において中央導体が超電導導体全体
の見かけの比抵抗を低下させることがない。また、中央
導体を除いて超電導素線のみが超電導マグネットあるい
はパワーリードに接続されることで、オフ状態の比抵抗
低下防止の効果が確実に得られる。更に、永久電流スイ
ッチのオン状態においては超電導素線の電気抵抗がゼロ
になるが、撚線化された複数本の超電導素線が永久電流
スイッチの臨界電流向上化に寄与し、大電流容量化がな
される。また、超電導素線として、CuまたはCu合金
にZnまたはNiを拡散させて生成された合金基地また
はCu-Ni合金基地と、この合金基地の内部に多数分
散配列されたNbフィラメントから構成されてなるもの
とするならば、超電導素線自体の基地の高電気抵抗化が
なされ、永久電流スイッチ用としてより好適なものとな
る。
【0013】以下に本発明について更に詳細に説明す
る。図1は本発明に係る永久電流スイッチ用超電導導体
の一例を示すもので、この例の超電導導体Aは、中央部
に配置された断面丸形の中央導体10とこの中央導体1
0の周囲を囲んで撚線化して設けられた6本の超電導素
線11とから構成されている。前記中央導体10は、常
電導材料製の芯線10aを絶縁層10bで覆って構成さ
れている。前記芯線10aは、Cu-Ni合金、Cu-Z
n合金などのような高電気抵抗の金属材料からなり、前
記絶縁層10bは、ホルマール絶縁層、マイカ絶縁層、
セラミックテープ巻回絶縁層などの絶縁材料からなって
いる。なお、この絶縁層10bの厚さは超電導導体Aに
通電する際の電流や電圧の大きさに応じて適宜設定して
良いが、超電導導体Aに数10V程度の電圧を印可する
場合は数μm以上の厚さとすることが好ましい。前記超
電導素線11は、Cu-Nb複合超電導線、あるいは、
Nb3Sn、V3Gaなどを代表とする金属間化合物系超
電導線、あるいはNbTiを代表とする合金系超電導線
などから構成されている。また、CuにZnやNiなど
を添加して高電気抵抗化した金属母材の内部に超電導フ
ィラメントを多数分散配列させた構造のものを用いても
良い。
る。図1は本発明に係る永久電流スイッチ用超電導導体
の一例を示すもので、この例の超電導導体Aは、中央部
に配置された断面丸形の中央導体10とこの中央導体1
0の周囲を囲んで撚線化して設けられた6本の超電導素
線11とから構成されている。前記中央導体10は、常
電導材料製の芯線10aを絶縁層10bで覆って構成さ
れている。前記芯線10aは、Cu-Ni合金、Cu-Z
n合金などのような高電気抵抗の金属材料からなり、前
記絶縁層10bは、ホルマール絶縁層、マイカ絶縁層、
セラミックテープ巻回絶縁層などの絶縁材料からなって
いる。なお、この絶縁層10bの厚さは超電導導体Aに
通電する際の電流や電圧の大きさに応じて適宜設定して
良いが、超電導導体Aに数10V程度の電圧を印可する
場合は数μm以上の厚さとすることが好ましい。前記超
電導素線11は、Cu-Nb複合超電導線、あるいは、
Nb3Sn、V3Gaなどを代表とする金属間化合物系超
電導線、あるいはNbTiを代表とする合金系超電導線
などから構成されている。また、CuにZnやNiなど
を添加して高電気抵抗化した金属母材の内部に超電導フ
ィラメントを多数分散配列させた構造のものを用いても
良い。
【0014】次に前記超電導導体Aが組み込まれる超電
導永久電流スイッチとこの超電導永久電流スイッチが組
み込まれる超電導エネルギー貯蔵装置の一例について図
2を基に説明する。この例の装置において、21は超電
導コイル、22は超電導コイル21に並列接続された永
久電流スイッチ、23は超電導コイル21と永久電流ス
イッチ22に接続されたパワーリード、24はパワーリ
ード23に組み込まれた開閉スイッチ、25はパワーリ
ード23に接続された交直変換器をそれぞれ示してい
る。この例の永久電流スイッチ22は、前記超電導導体
Aをコイル状に加工して形成されている。更に、超電導
導体Aにおいて、各超電導素線11はパワーリード23
と超電導コイル21に半田付けなどの手段により接合さ
れているが、中央導体10はこれらには接続されずに解
放されている。
導永久電流スイッチとこの超電導永久電流スイッチが組
み込まれる超電導エネルギー貯蔵装置の一例について図
2を基に説明する。この例の装置において、21は超電
導コイル、22は超電導コイル21に並列接続された永
久電流スイッチ、23は超電導コイル21と永久電流ス
イッチ22に接続されたパワーリード、24はパワーリ
ード23に組み込まれた開閉スイッチ、25はパワーリ
ード23に接続された交直変換器をそれぞれ示してい
る。この例の永久電流スイッチ22は、前記超電導導体
Aをコイル状に加工して形成されている。更に、超電導
導体Aにおいて、各超電導素線11はパワーリード23
と超電導コイル21に半田付けなどの手段により接合さ
れているが、中央導体10はこれらには接続されずに解
放されている。
【0015】また、図2において26は制御用超電導コ
イル、27はこの制御用超電導コイル26に接続された
定電流源である。更に、図2において28は冷却容器に
よる極低温領域を示し、この領域を液体ヘリウムにより
極低温に冷却することで超電導コイル21と永久電流ス
イッチ22と制御用超電導コイル26をそれぞれ超電導
状態にすることができるようになっている。前記制御用
超電導コイル26は1テスラ程度の磁場を発生させるこ
とができるものである。
イル、27はこの制御用超電導コイル26に接続された
定電流源である。更に、図2において28は冷却容器に
よる極低温領域を示し、この領域を液体ヘリウムにより
極低温に冷却することで超電導コイル21と永久電流ス
イッチ22と制御用超電導コイル26をそれぞれ超電導
状態にすることができるようになっている。前記制御用
超電導コイル26は1テスラ程度の磁場を発生させるこ
とができるものである。
【0016】前記構成の装置にあっては、図8〜図10
を基に説明した従来の超電導エネルギー貯蔵装置と同様
に、電力の充電と貯蔵と放出ができるものである。ま
ず、充電を行なうには、開閉スイッチ24を閉じて回路
を接続するとともに、定電流源27を作動させて制御用
超電導コイル26に通電し、制御用超電導コイル26に
より永久電流スイッチ22の超電導導体Aに磁場をかけ
る。この場合、超電導導体Aの臨界磁界よりも高い磁場
をかける。これにより、超電導導体Aは極低温において
も常電導状態になるので永久電流スイッチ22は切られ
た状態になり、超電導コイル21に直流電流が流れ、磁
気エネルギーとして電力を貯蔵することができるように
なる。
を基に説明した従来の超電導エネルギー貯蔵装置と同様
に、電力の充電と貯蔵と放出ができるものである。ま
ず、充電を行なうには、開閉スイッチ24を閉じて回路
を接続するとともに、定電流源27を作動させて制御用
超電導コイル26に通電し、制御用超電導コイル26に
より永久電流スイッチ22の超電導導体Aに磁場をかけ
る。この場合、超電導導体Aの臨界磁界よりも高い磁場
をかける。これにより、超電導導体Aは極低温において
も常電導状態になるので永久電流スイッチ22は切られ
た状態になり、超電導コイル21に直流電流が流れ、磁
気エネルギーとして電力を貯蔵することができるように
なる。
【0017】次に、永久電流スイッチ22に対する磁場
を解除すると、永久電流スイッチ22の超電導導体Aは
超電導状態になるので、超電導コイル21の両端を短絡
することになる。更に、開閉スイッチ24を開いて、制
御用超電導コイル26に対する通電を停止する。これに
より、超電導コイル21は極低温状態に冷却されていて
電気抵抗がゼロであるがために、電流は減衰することな
く超電導コイル21を流れ続け、そのときの超電導コイ
ル21に蓄えられたエネルギーが無損失で保存されるこ
とになる。
を解除すると、永久電流スイッチ22の超電導導体Aは
超電導状態になるので、超電導コイル21の両端を短絡
することになる。更に、開閉スイッチ24を開いて、制
御用超電導コイル26に対する通電を停止する。これに
より、超電導コイル21は極低温状態に冷却されていて
電気抵抗がゼロであるがために、電流は減衰することな
く超電導コイル21を流れ続け、そのときの超電導コイ
ル21に蓄えられたエネルギーが無損失で保存されるこ
とになる。
【0018】次にこの貯蔵された電力を取り出すには、
開閉スイッチ24を閉じて回路を接続するとともに、制
御用超電導コイル26に通電して永久電流スイッチ22
の超電導導体Aを常電導状態に転位させる。これによ
り、超電導コイル21に蓄えられていた磁気エネルギー
を交流電力として取り出すことができる。このようにし
て永久電流スイッチ22のオン・オフ制御を行うことが
できる。なお、このような磁場の負荷と解除により永久
電流スイッチ22のオン・オフ制御を行なうならば、応
答が速いので、高速応答に容易に対応することができ
る。
開閉スイッチ24を閉じて回路を接続するとともに、制
御用超電導コイル26に通電して永久電流スイッチ22
の超電導導体Aを常電導状態に転位させる。これによ
り、超電導コイル21に蓄えられていた磁気エネルギー
を交流電力として取り出すことができる。このようにし
て永久電流スイッチ22のオン・オフ制御を行うことが
できる。なお、このような磁場の負荷と解除により永久
電流スイッチ22のオン・オフ制御を行なうならば、応
答が速いので、高速応答に容易に対応することができ
る。
【0019】前記の操作においてスイッチング時に超電
導状態の超電導導体Aに電流が流れる場合、中心部には
常電導体製の中央導体10があるが、この中央導体10
と周囲の超電導素線11とが絶縁されていて、中央導体
10がパワーリード23や超電導コイル21に接続され
ていないために、中央導体10には電流が流れない。ま
た、電流が流れる超電導素線11は撚線化されて大容量
化されているので、結果として超電導導体Aには大電流
を流すことができて、しかも各超電導素線11の電流の
流れに偏りを生じない。また、永久電流スイッチ22の
オフ状態について言えば、超電導素線11が中央導体1
0と絶縁され、超電導素線11の電気抵抗が中央導体1
0の存在により低下することがないので高比抵抗を達成
できる。
導状態の超電導導体Aに電流が流れる場合、中心部には
常電導体製の中央導体10があるが、この中央導体10
と周囲の超電導素線11とが絶縁されていて、中央導体
10がパワーリード23や超電導コイル21に接続され
ていないために、中央導体10には電流が流れない。ま
た、電流が流れる超電導素線11は撚線化されて大容量
化されているので、結果として超電導導体Aには大電流
を流すことができて、しかも各超電導素線11の電流の
流れに偏りを生じない。また、永久電流スイッチ22の
オフ状態について言えば、超電導素線11が中央導体1
0と絶縁され、超電導素線11の電気抵抗が中央導体1
0の存在により低下することがないので高比抵抗を達成
できる。
【0020】図3は超電導永久電流スイッチ用超電導導
体の第2の例を示すもので、この例の超電導導体Bにお
いては、中心部に中央導体10が配置され、その周囲に
中央導体10と同一構造の予備導体12が3本と超電導
素線11が3本、それぞれ撚線化して配置されて構成さ
れている。図4は超電導永久電流スイッチ用超電導導体
の第3の例を示すもので、この例の超電導導体Cにおい
ては、中心部に芯線13aと絶縁層13bからなる大径
の中央導体13が配置され、この中央導体13の周囲に
中央導体13よりも細径の超電導素線11が複数本撚線
化して配置されて構成されている。図5は超電導永久電
流スイッチ用超電導導体の第4の例を示すもので、この
例の超電導導体Dにおいては、中心部に断面4角形の中
央導体14が配置され、この中央導体14の周囲に超電
導素線11が複数本撚線化して配置されている。この例
の中央導体14は中心部の角形断面構造の芯線14aと
その外周部の絶縁層14bからなる構成にされている。
図3〜図5に示すいずれの構成の超電導導体にあっても
先に記載した構造の超電導導体Aと同等の効果を得るこ
とができる。
体の第2の例を示すもので、この例の超電導導体Bにお
いては、中心部に中央導体10が配置され、その周囲に
中央導体10と同一構造の予備導体12が3本と超電導
素線11が3本、それぞれ撚線化して配置されて構成さ
れている。図4は超電導永久電流スイッチ用超電導導体
の第3の例を示すもので、この例の超電導導体Cにおい
ては、中心部に芯線13aと絶縁層13bからなる大径
の中央導体13が配置され、この中央導体13の周囲に
中央導体13よりも細径の超電導素線11が複数本撚線
化して配置されて構成されている。図5は超電導永久電
流スイッチ用超電導導体の第4の例を示すもので、この
例の超電導導体Dにおいては、中心部に断面4角形の中
央導体14が配置され、この中央導体14の周囲に超電
導素線11が複数本撚線化して配置されている。この例
の中央導体14は中心部の角形断面構造の芯線14aと
その外周部の絶縁層14bからなる構成にされている。
図3〜図5に示すいずれの構成の超電導導体にあっても
先に記載した構造の超電導導体Aと同等の効果を得るこ
とができる。
【0021】次に前記超電導素線11の製造方法の一例
について説明する。図6は超電導素線11を製造する方
法の一例について説明するためのもので、この例の方法
で超電導素線11を製造するには、まず、図6(a)に
示す断面構造のCu-Nb合金15を製造する。このC
u-Nb合金15は、所定成分のCuおよびNbを溶解
鋳造して得られるもので、CuあるいはCu合金からな
る金属基地15aの内部にNbの樹脂状晶15bが分散
した組織を有し、しかも縮径加工などの塑性加工性が高
いものである。前記Nbの樹脂状晶15bは、直径数μ
m〜数10μm程度の大きさのものであり、Cuに対し
てNbが固溶しないことから、鋳造した場合に、Nbが
樹脂状晶としてCuまたはCu合金からなる金属基地1
5aの内部に析出して生成するものである。
について説明する。図6は超電導素線11を製造する方
法の一例について説明するためのもので、この例の方法
で超電導素線11を製造するには、まず、図6(a)に
示す断面構造のCu-Nb合金15を製造する。このC
u-Nb合金15は、所定成分のCuおよびNbを溶解
鋳造して得られるもので、CuあるいはCu合金からな
る金属基地15aの内部にNbの樹脂状晶15bが分散
した組織を有し、しかも縮径加工などの塑性加工性が高
いものである。前記Nbの樹脂状晶15bは、直径数μ
m〜数10μm程度の大きさのものであり、Cuに対し
てNbが固溶しないことから、鋳造した場合に、Nbが
樹脂状晶としてCuまたはCu合金からなる金属基地1
5aの内部に析出して生成するものである。
【0022】次に、前記Cu-Nb合金15に圧延加
工、鍛造加工、あるいは、ダイスによる線引き加工など
の塑性加工を施して縮径し、図6(b)に示すCu-N
b線材16を得る。このCu-Nb線材16は、Cuあ
るいはCu合金からなる金属基地16aの内部に前記塑
性加工により樹脂状晶15bを加工して形成された繊維
状のNbのフィラメント16bが多数分散配列された構
造のものである。なお、前記塑性加工の段階において、
Cu-Nb合金15の外周部を損傷させないこと、ある
いは、ダイスとの焼き付きなどを無くするなどの目的か
ら、Cu-Nb合金15の外周にCuなどからなる加工
性の良好な管体を被せてから塑性加工しても良い。ま
た、前記塑性加工は、目的の永久電流スイッチ用線材に
要求される線径と同等のレベルまで必要回数繰り返すも
のとし、塑性加工中に中間焼鈍などの熱処理を適宜施し
ても良い。この場合、Cu-Nb線材16は加工性に優
れているので、加工中の断線事故などの問題は生じにく
い。
工、鍛造加工、あるいは、ダイスによる線引き加工など
の塑性加工を施して縮径し、図6(b)に示すCu-N
b線材16を得る。このCu-Nb線材16は、Cuあ
るいはCu合金からなる金属基地16aの内部に前記塑
性加工により樹脂状晶15bを加工して形成された繊維
状のNbのフィラメント16bが多数分散配列された構
造のものである。なお、前記塑性加工の段階において、
Cu-Nb合金15の外周部を損傷させないこと、ある
いは、ダイスとの焼き付きなどを無くするなどの目的か
ら、Cu-Nb合金15の外周にCuなどからなる加工
性の良好な管体を被せてから塑性加工しても良い。ま
た、前記塑性加工は、目的の永久電流スイッチ用線材に
要求される線径と同等のレベルまで必要回数繰り返すも
のとし、塑性加工中に中間焼鈍などの熱処理を適宜施し
ても良い。この場合、Cu-Nb線材16は加工性に優
れているので、加工中の断線事故などの問題は生じにく
い。
【0023】Cu-Nb線材16を得たならば、このC
u-Nb線材16にZn、Cu-Zn合金、あるいは、C
u-Ni合金からなるメッキ層を形成するか、これらの
材料からなる管体を被せることにより、図6(c)に示
す被覆層17を形成して被覆複合線18を得る。なお、
被覆層17としてZn被覆層を用いた場合、金属基地の
Cuに対するZnの固溶限が38.2at%であること
から、被覆層17のCu-Nb線材16に対する量とし
て前記固溶限を越える反応が起こらないような量(厚
さ)にしておくことが好ましい。なおまた、Cu-Nb
線材16の外周に被覆層17を形成する手段としては、
管体を被せて縮径する方法が大量生産向きで好ましいと
ともに、この方法では管体の厚さを変更することで被覆
層17の厚さを自由に調節できる利点もあるので好適で
ある。
u-Nb線材16にZn、Cu-Zn合金、あるいは、C
u-Ni合金からなるメッキ層を形成するか、これらの
材料からなる管体を被せることにより、図6(c)に示
す被覆層17を形成して被覆複合線18を得る。なお、
被覆層17としてZn被覆層を用いた場合、金属基地の
Cuに対するZnの固溶限が38.2at%であること
から、被覆層17のCu-Nb線材16に対する量とし
て前記固溶限を越える反応が起こらないような量(厚
さ)にしておくことが好ましい。なおまた、Cu-Nb
線材16の外周に被覆層17を形成する手段としては、
管体を被せて縮径する方法が大量生産向きで好ましいと
ともに、この方法では管体の厚さを変更することで被覆
層17の厚さを自由に調節できる利点もあるので好適で
ある。
【0024】次に、前記被覆複合線18を図1に示すよ
うに中央導体10の周囲に撚線加工により巻き付けて撚
線導体化し、必要に応じてコイル加工を施し、必要な場
合は次いで全体を加熱炉などにおいて700〜800℃
で数時間〜数10時間加熱する。この加熱処理を施した
場合は被覆層17を構成する金属元素がCu-Nb線材
16側に拡散し、これによりCu-Nb線材16の金属
基地16aにZnまたはNiが拡散して金属基地16a
が高電気抵抗化され、被覆複合線18が図6(d)に示
す超電導素線19とされて図1に示す超電導導体Aと同
等の構造を有する超電導導体が得られる。また、この例
では熱拡散によりNiまたはZnを拡散させて基地を合
金化し超電導素線19としたが、予め合金化されたもの
を用いて超電導素線を形成しても良い。即ち、Cu-N
b合金ロッドをCu-Ni管またはCu-Zn管内に収納
して縮径し、これを複数本束ねて全体を更に縮径して超
電導素線を製造することもできる。この場合は熱処理を
施さなくとも良い。この例の超電導素線11は、高電気
抵抗化された金属基地の内部に、Nbの極細のフィラメ
ントが多数分散配列された構造を有している。従ってN
bフィラメントが極低温に冷却された場合に超電導体と
なり、これが永久電流スイッチ用線材としての超電導体
となる。前記Nbフィラメント自体は、不連続繊維の集
合体であるが、フィラメントどうしの間隔が極めて小さ
いので超電導状態では近接効果が作用して超電導電流が
流れることになる。
うに中央導体10の周囲に撚線加工により巻き付けて撚
線導体化し、必要に応じてコイル加工を施し、必要な場
合は次いで全体を加熱炉などにおいて700〜800℃
で数時間〜数10時間加熱する。この加熱処理を施した
場合は被覆層17を構成する金属元素がCu-Nb線材
16側に拡散し、これによりCu-Nb線材16の金属
基地16aにZnまたはNiが拡散して金属基地16a
が高電気抵抗化され、被覆複合線18が図6(d)に示
す超電導素線19とされて図1に示す超電導導体Aと同
等の構造を有する超電導導体が得られる。また、この例
では熱拡散によりNiまたはZnを拡散させて基地を合
金化し超電導素線19としたが、予め合金化されたもの
を用いて超電導素線を形成しても良い。即ち、Cu-N
b合金ロッドをCu-Ni管またはCu-Zn管内に収納
して縮径し、これを複数本束ねて全体を更に縮径して超
電導素線を製造することもできる。この場合は熱処理を
施さなくとも良い。この例の超電導素線11は、高電気
抵抗化された金属基地の内部に、Nbの極細のフィラメ
ントが多数分散配列された構造を有している。従ってN
bフィラメントが極低温に冷却された場合に超電導体と
なり、これが永久電流スイッチ用線材としての超電導体
となる。前記Nbフィラメント自体は、不連続繊維の集
合体であるが、フィラメントどうしの間隔が極めて小さ
いので超電導状態では近接効果が作用して超電導電流が
流れることになる。
【0025】更に、この例の超電導素線11は、その金
属基地をCuなどの良導電体に比べて高電気抵抗化して
いるので、スイッチイング動作を行う超電導エネルギー
貯蔵用装置の永久電流スイッチ用として好適になってい
る。また、Cu-Nb合金15からスタートして製造し
ているので、超電導体として臨界電流密度が高く、ま
た、臨界磁界の比較的低いものが容易に得られる。よっ
て、磁界制御方式の永久電流スイッチ用として好適であ
る。更に前記の方法によれば、必要な線径までCu-N
b線材16の状態で縮径してから被覆層17を形成し、
それから熱処理して元素拡散させるので、Cu-Nb線
材16の良好な加工性を維持しながら加工ができる。な
お、前記のNiやZnを拡散させて高電気抵抗化した後
の金属基地は、Cu-Nb線材16に比べて硬化し、塑
性加工性が低下することになる。よって、必要な線径ま
でこれらの元素の拡散を行なわずに最終段階で拡散させ
ることによりCu-Nb線材16の有する高い加工性を
維持することができ、加工途中に断線させることなく所
望の線径のものを得ることができる。
属基地をCuなどの良導電体に比べて高電気抵抗化して
いるので、スイッチイング動作を行う超電導エネルギー
貯蔵用装置の永久電流スイッチ用として好適になってい
る。また、Cu-Nb合金15からスタートして製造し
ているので、超電導体として臨界電流密度が高く、ま
た、臨界磁界の比較的低いものが容易に得られる。よっ
て、磁界制御方式の永久電流スイッチ用として好適であ
る。更に前記の方法によれば、必要な線径までCu-N
b線材16の状態で縮径してから被覆層17を形成し、
それから熱処理して元素拡散させるので、Cu-Nb線
材16の良好な加工性を維持しながら加工ができる。な
お、前記のNiやZnを拡散させて高電気抵抗化した後
の金属基地は、Cu-Nb線材16に比べて硬化し、塑
性加工性が低下することになる。よって、必要な線径ま
でこれらの元素の拡散を行なわずに最終段階で拡散させ
ることによりCu-Nb線材16の有する高い加工性を
維持することができ、加工途中に断線させることなく所
望の線径のものを得ることができる。
【0026】なお、前記Cu-Nb線材16の金属基地
16aに元素を拡散させてこれを高電気抵抗化する場
合、Ni被覆を形成することも考えられるが、Ni被覆
を施してこれを拡散させると、Nb濃度40重量%程度
で現われるNbNi金属間化合物、Nb濃度65重量%
程度で現われるNbNi3金属間化合物が析出し、これ
らが超電導特性と加工性に悪影響を及ぼすために、好ま
しくない。この点においてNi濃度の低いCu-Ni合
金を用いれば前記問題が生じるおそれは少なく、更に、
金属間化合物生成による悪影響のおそれの少ないZnや
Cu-Zn合金を用いれば問題は生じない。
16aに元素を拡散させてこれを高電気抵抗化する場
合、Ni被覆を形成することも考えられるが、Ni被覆
を施してこれを拡散させると、Nb濃度40重量%程度
で現われるNbNi金属間化合物、Nb濃度65重量%
程度で現われるNbNi3金属間化合物が析出し、これ
らが超電導特性と加工性に悪影響を及ぼすために、好ま
しくない。この点においてNi濃度の低いCu-Ni合
金を用いれば前記問題が生じるおそれは少なく、更に、
金属間化合物生成による悪影響のおそれの少ないZnや
Cu-Zn合金を用いれば問題は生じない。
【0027】図7は、本発明の他の例について説明する
ためのもので、この例では、図6(a)に示したCu-
Nb合金15と同等のCu-Nb合金30を用いる。こ
のCu-Nb合金30は、CuまたはCu合金からなる
金属基地30aの内部にNbの樹脂状晶30bが多数分
散されてなるものである。次に前記Cu-Nb合金30
に圧延加工、鍛造加工、あるいは、ダイスによる線引き
加工などの塑性加工を施して縮径し、図7(b)に示す
Cu-Nb線材33を得る。このCu-Nb線材33は、
図6(b)に示すCu-Nb線材16と同等のものであ
る。
ためのもので、この例では、図6(a)に示したCu-
Nb合金15と同等のCu-Nb合金30を用いる。こ
のCu-Nb合金30は、CuまたはCu合金からなる
金属基地30aの内部にNbの樹脂状晶30bが多数分
散されてなるものである。次に前記Cu-Nb合金30
に圧延加工、鍛造加工、あるいは、ダイスによる線引き
加工などの塑性加工を施して縮径し、図7(b)に示す
Cu-Nb線材33を得る。このCu-Nb線材33は、
図6(b)に示すCu-Nb線材16と同等のものであ
る。
【0028】次いで前記Cu-Nb線材33を図7
(c)に示すように多数本集合して加工性の良好なCu
あるいはCu合金などの管体34の内部に収納し、全体
を前記と同様の塑性加工により縮径して複合線35を
得、縮径後にこの複合線35の周囲に図6(d)に示す
被覆層36を形成して被覆複合線37を得る。ここで用
いる被覆層36は図6(c)に示す被覆層17と同等の
ものを用いる。また、Cu-Nb線材33を集合してか
ら管体に収納し、更に縮径する作業を1回ではなく、複
数回繰り返し行なっても良い。
(c)に示すように多数本集合して加工性の良好なCu
あるいはCu合金などの管体34の内部に収納し、全体
を前記と同様の塑性加工により縮径して複合線35を
得、縮径後にこの複合線35の周囲に図6(d)に示す
被覆層36を形成して被覆複合線37を得る。ここで用
いる被覆層36は図6(c)に示す被覆層17と同等の
ものを用いる。また、Cu-Nb線材33を集合してか
ら管体に収納し、更に縮径する作業を1回ではなく、複
数回繰り返し行なっても良い。
【0029】次に、前記被覆複合線37を図1に示すよ
うな中央導体の周囲に撚線化して配置し、必要に応じて
コイル加工を施し、必要な場合は次いで加熱炉などにお
いて700〜800℃で数時間〜数10時間加熱する。
この加熱処理により被覆層36を構成する金属元素がC
u-Nb線33側に拡散し、これによりCu-Nb線材3
3の金属基地にZnまたはNiが拡散して金属基地が高
電気抵抗化され、図7(e)に示す永久電流スイッチ用
超電導導素線39が得られて図1と同等の構造の超電導
導体が得られる。この構成の超電導素線39は、Cu-
Nb線材33を縮径したものを多数含む多心構造になっ
ているので、臨界電流密度が高く、臨界磁界が適当に低
く、スイッチング時の磁場、および、電流変動に伴う交
流損失が小さく、安定性に優れる特徴がある。このよう
に構成した永久電流スイッチ用超電導導体39にあって
も先に説明した例の超電導導体19と同様に図2に示す
超電導エネルギー貯蔵装置の永久電流スイッチ用超電導
導体として使用することができる。
うな中央導体の周囲に撚線化して配置し、必要に応じて
コイル加工を施し、必要な場合は次いで加熱炉などにお
いて700〜800℃で数時間〜数10時間加熱する。
この加熱処理により被覆層36を構成する金属元素がC
u-Nb線33側に拡散し、これによりCu-Nb線材3
3の金属基地にZnまたはNiが拡散して金属基地が高
電気抵抗化され、図7(e)に示す永久電流スイッチ用
超電導導素線39が得られて図1と同等の構造の超電導
導体が得られる。この構成の超電導素線39は、Cu-
Nb線材33を縮径したものを多数含む多心構造になっ
ているので、臨界電流密度が高く、臨界磁界が適当に低
く、スイッチング時の磁場、および、電流変動に伴う交
流損失が小さく、安定性に優れる特徴がある。このよう
に構成した永久電流スイッチ用超電導導体39にあって
も先に説明した例の超電導導体19と同様に図2に示す
超電導エネルギー貯蔵装置の永久電流スイッチ用超電導
導体として使用することができる。
【0030】
【実施例】Cu-50wt%Nbの組成を有するCu-N
b合金を用い、このCu-Nb合金をCu-30%Ni合
金管に複合し、線引き加工を施して直径0.3mmのC
u-Nb合金からなるCu-Nb線材を得た。次に、表面
に厚さ20μmのホルマール絶縁層を形成した直径0.
3mmのCu-30Wt%Ni線の中央導体周囲に前記被
覆複合線を6本配して撚線化したものを10m用意し、
これを巻胴に無誘導構造に巻き付けた。
b合金を用い、このCu-Nb合金をCu-30%Ni合
金管に複合し、線引き加工を施して直径0.3mmのC
u-Nb合金からなるCu-Nb線材を得た。次に、表面
に厚さ20μmのホルマール絶縁層を形成した直径0.
3mmのCu-30Wt%Ni線の中央導体周囲に前記被
覆複合線を6本配して撚線化したものを10m用意し、
これを巻胴に無誘導構造に巻き付けた。
【0031】この例の超電導導体において、超電導素線
部分の比抵抗(オフ状態の時)が液体ヘリウムによる冷
却時に4.2Kの温度で10μΩ・cmであり、Cu-3
0wt%Ni線の中央導体の比抵抗は無視できる。この超
電導導体の10mの導体としてのオフ抵抗は2.367
Ωであった。一方、中央導体に絶縁層を被覆していない
ものを用い、その周囲に前記と同等の超電導素線を6本
撚線化し、それを巻胴に10m巻き付けた試料の抵抗値
は2.263Ωであった。この比較例試料においてはC
u-30wt%Ni合金線の比抵抗は4.2Kにおいて36
μΩ/cmでありこの合金線の比抵抗が超電導素線の比
抵抗と関係して見かけ上の導体全体の低抵抗化を阻害す
る。以上の比較から、本発明に係る試料の抵抗値が従来
のものに比べて4.6%増大していることが明らかにな
った。
部分の比抵抗(オフ状態の時)が液体ヘリウムによる冷
却時に4.2Kの温度で10μΩ・cmであり、Cu-3
0wt%Ni線の中央導体の比抵抗は無視できる。この超
電導導体の10mの導体としてのオフ抵抗は2.367
Ωであった。一方、中央導体に絶縁層を被覆していない
ものを用い、その周囲に前記と同等の超電導素線を6本
撚線化し、それを巻胴に10m巻き付けた試料の抵抗値
は2.263Ωであった。この比較例試料においてはC
u-30wt%Ni合金線の比抵抗は4.2Kにおいて36
μΩ/cmでありこの合金線の比抵抗が超電導素線の比
抵抗と関係して見かけ上の導体全体の低抵抗化を阻害す
る。以上の比較から、本発明に係る試料の抵抗値が従来
のものに比べて4.6%増大していることが明らかにな
った。
【0032】次に、図3に示す構造の超電導導体を10
m試作し、前記の例のものと同等の合金線および超電導
素線を適用した結果、絶縁層を有していない中央導体を
用いた超電導導体の抵抗値は1.42Ω、絶縁層を有す
る中央導体を用いた超電導導体の抵抗値は2.37Ωと
なり、抵抗値を約1.7倍にすることができた。
m試作し、前記の例のものと同等の合金線および超電導
素線を適用した結果、絶縁層を有していない中央導体を
用いた超電導導体の抵抗値は1.42Ω、絶縁層を有す
る中央導体を用いた超電導導体の抵抗値は2.37Ωと
なり、抵抗値を約1.7倍にすることができた。
【0033】次に、図4に示す構造の超電導導体10m
を試作した。ホルマール絶縁層を形成した中央導体の直
径を0.86mm、超電導素線の直径を0.3mmとし
て、中央導体の周囲に12本の超電導素線を撚線化して
配置したものの抵抗値を測定した。また、中央導体に絶
縁層を形成していない試料も作成し、その抵抗値を測定
した。 絶縁層を形成した中央導体を用いた試料の抵抗
値は0.59Ω、絶縁層を形成していない試料の抵抗値
は0.54Ωとなった。以上の比較から、本発明に係る
試料の抵抗値が従来のものの約1.1倍に増大している
ことが明らかになった。
を試作した。ホルマール絶縁層を形成した中央導体の直
径を0.86mm、超電導素線の直径を0.3mmとし
て、中央導体の周囲に12本の超電導素線を撚線化して
配置したものの抵抗値を測定した。また、中央導体に絶
縁層を形成していない試料も作成し、その抵抗値を測定
した。 絶縁層を形成した中央導体を用いた試料の抵抗
値は0.59Ω、絶縁層を形成していない試料の抵抗値
は0.54Ωとなった。以上の比較から、本発明に係る
試料の抵抗値が従来のものの約1.1倍に増大している
ことが明らかになった。
【0034】次に、図5に示す構造の超電導導体10m
を試作した。ホルマール絶縁層を形成した中央導体とし
て高さ(厚さ)を0.3mm、幅を1.5mmとしたテー
プ状のものを用い、超電導素線の直径を0.3mmとし
て、中央導体の周囲に14本の超電導素線を撚線化して
配置したものの抵抗値を測定した。また、中央導体に絶
縁層を形成していない試料も作成し、その抵抗値を測定
した。絶縁層を形成した中央導体を用いた試料の抵抗値
は0.507Ω、絶縁層を形成していない試料の抵抗値
は0.477Ωとなった。以上の比較から、本発明に係
る試料の抵抗値が従来のものの約1.1倍に増大してい
ることが明らかになった。
を試作した。ホルマール絶縁層を形成した中央導体とし
て高さ(厚さ)を0.3mm、幅を1.5mmとしたテー
プ状のものを用い、超電導素線の直径を0.3mmとし
て、中央導体の周囲に14本の超電導素線を撚線化して
配置したものの抵抗値を測定した。また、中央導体に絶
縁層を形成していない試料も作成し、その抵抗値を測定
した。絶縁層を形成した中央導体を用いた試料の抵抗値
は0.507Ω、絶縁層を形成していない試料の抵抗値
は0.477Ωとなった。以上の比較から、本発明に係
る試料の抵抗値が従来のものの約1.1倍に増大してい
ることが明らかになった。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、常
電導体からなる中央導体がその周囲の超電導素線と絶縁
されているので、この構造を採用した永久電流スイッチ
において、オフ状態、即ち常電導状態において、中央導
体が超電導導体全体の見かけの比抵抗を低下させること
がない。よってオフ状態の比抵抗が高くなるので永久電
流スイッチの信頼性が向上する。また、中央導体を除い
て超電導素線のみが超電導マグネットあるいはパワーリ
ードに接続されることで、この構造の超電導導体を設け
た永久電流スイッチのオフ状態の比抵抗低下防止の効果
が確実に得られる。更に、永久電流スイッチのオン状態
においては超電導素線の電気抵抗がゼロになるが、撚線
化された複数本の超電導素線が永久電流スイッチの臨界
電流向上化に寄与し、大電流容量化がなされる。一方、
超電導素線として、CuまたはCu合金にZnまたはN
iを拡散させて生成された合金基地と、この合金基地の
内部に多数分散配列されたNbフィラメントから構成さ
れてなるものとするならば、超電導素線自体の基地の高
電気抵抗化がなされ、前記中央導体による比抵抗低下抑
制効果と相まって永久電流スイッチ用としてより好適な
ものとなる。
電導体からなる中央導体がその周囲の超電導素線と絶縁
されているので、この構造を採用した永久電流スイッチ
において、オフ状態、即ち常電導状態において、中央導
体が超電導導体全体の見かけの比抵抗を低下させること
がない。よってオフ状態の比抵抗が高くなるので永久電
流スイッチの信頼性が向上する。また、中央導体を除い
て超電導素線のみが超電導マグネットあるいはパワーリ
ードに接続されることで、この構造の超電導導体を設け
た永久電流スイッチのオフ状態の比抵抗低下防止の効果
が確実に得られる。更に、永久電流スイッチのオン状態
においては超電導素線の電気抵抗がゼロになるが、撚線
化された複数本の超電導素線が永久電流スイッチの臨界
電流向上化に寄与し、大電流容量化がなされる。一方、
超電導素線として、CuまたはCu合金にZnまたはN
iを拡散させて生成された合金基地と、この合金基地の
内部に多数分散配列されたNbフィラメントから構成さ
れてなるものとするならば、超電導素線自体の基地の高
電気抵抗化がなされ、前記中央導体による比抵抗低下抑
制効果と相まって永久電流スイッチ用としてより好適な
ものとなる。
【図1】本発明に係る超電導導体の第1の例を示す断面
図である。
図である。
【図2】本発明の超電導導体が組み込まれる超電導エネ
ルギー貯蔵システムの一例を示す構成図である。
ルギー貯蔵システムの一例を示す構成図である。
【図3】本発明に係る超電導導体の第2の例を示す断面
図である。
図である。
【図4】本発明に係る超電導導体の第3の例を示す断面
図である。
図である。
【図5】本発明に係る超電導導体の第4の例を示す断面
図である。
図である。
【図6】図6(a)は本発明方法の第1の例で用いるC
u-Nb合金の断面図、図6(b)は図6(a)のCu-
Nb合金を線引き加工して得たインサイチュ線材を示す
断面図、図6(c)は図6(b)のCu-Nb線材にZ
n層を被覆した被覆複合線を示す断面図、図6(d)は
図6(c)の被覆複合線に熱処理を施して得た永久電流
スイッチ用線材の断面図である。
u-Nb合金の断面図、図6(b)は図6(a)のCu-
Nb合金を線引き加工して得たインサイチュ線材を示す
断面図、図6(c)は図6(b)のCu-Nb線材にZ
n層を被覆した被覆複合線を示す断面図、図6(d)は
図6(c)の被覆複合線に熱処理を施して得た永久電流
スイッチ用線材の断面図である。
【図7】図7(a)は本発明方法の第2の例で用いるC
u-Nb合金の断面図、図7(b)は図7(a)のCu-
Nb合金を線引き加工したCu-Nb線材を示す断面
図、図7(c)は図7(b)のCu-Nb線材を多数本
集合した状態を示す断面図、図7(d)は図7(c)に
示す集合体を線引き加工してからその表面に被覆層を形
成した状態を示す断面図、図7(e)は図7(d)に示
す被覆線材を熱処理して得た永久電流スイッチ用線材の
第2の例を示す断面図である。
u-Nb合金の断面図、図7(b)は図7(a)のCu-
Nb合金を線引き加工したCu-Nb線材を示す断面
図、図7(c)は図7(b)のCu-Nb線材を多数本
集合した状態を示す断面図、図7(d)は図7(c)に
示す集合体を線引き加工してからその表面に被覆層を形
成した状態を示す断面図、図7(e)は図7(d)に示
す被覆線材を熱処理して得た永久電流スイッチ用線材の
第2の例を示す断面図である。
【図8】図8は従来の永久電流スイッチを備えた超電導
エネルギー貯蔵装置の一例に充電している状態を示す構
成図である。
エネルギー貯蔵装置の一例に充電している状態を示す構
成図である。
【図9】図9は従来の永久電流スイッチを備えた超電導
エネルギー貯蔵装置の一例に電力を保存している状態を
示す構成図である。
エネルギー貯蔵装置の一例に電力を保存している状態を
示す構成図である。
【図10】図10は従来の永久電流スイッチを備えた超
電導エネルギー貯蔵装置の一例から電力を取り出してい
る状態を示す構成図である。
電導エネルギー貯蔵装置の一例から電力を取り出してい
る状態を示す構成図である。
【図11】従来の永久電流スイッチ用の超電導導体の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
A、B、C、D・・・超電導導体、 10、13、14・・・
中央導体、11・・・超電導素線、 10a、
13a、14a・・・芯線、9・・・永久電流スイッチ、
21・・・超電導コイル。
中央導体、11・・・超電導素線、 10a、
13a、14a・・・芯線、9・・・永久電流スイッチ、
21・・・超電導コイル。
フロントページの続き (72)発明者 斉藤 隆 東京都江東区木場一丁目5番1号 株式会 社フジクラ内 (72)発明者 河野 宰 東京都江東区木場一丁目5番1号 株式会 社フジクラ内 (72)発明者 本間 仁 宮城県仙台市青葉区中山七丁目2番1号 東北電力株式会社電力技術研究所内 (72)発明者 田附 ▲匡▼ 宮城県仙台市青葉区中山七丁目2番1号 東北電力株式会社電力技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 中心部に配置された常電導体からなる中
央導体と、その周囲に撚線化して配置された複数本の超
電導素線とが具備されてなる超電導永久電流スイッチ用
超電導導体であって、前記中央導体の外周に絶縁層が被
覆されて中央導体とその周囲の超電導素線とが絶縁され
なることを特徴とする超電導永久電流スイッチ用超電導
導体。 - 【請求項2】 超電導永久電流スイッチが接続される超
電導マグネットの端子あるいはパワーリードの端子に中
央導体を除いた超電導素線のみが電気的に接続されてな
ることを特徴とする請求項1記載の超電導永久電流スイ
ッチ用超電導導体。 - 【請求項3】 超電導素線が、Cu-Ni合金基地また
はCu-Zn合金基地と、前記の合金基地の内部に多数
分散配列されたNbフィラメントから構成されてなるこ
とを特徴とする請求項1または2記載の超電導永久電流
スイッチ用超電導導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6169850A JPH0831245A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 超電導永久電流スイッチ用超電導導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6169850A JPH0831245A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 超電導永久電流スイッチ用超電導導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831245A true JPH0831245A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15894098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6169850A Pending JPH0831245A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 超電導永久電流スイッチ用超電導導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831245A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119864210A (zh) * | 2025-03-25 | 2025-04-22 | 西安聚能超导线材科技有限公司 | 一种高性能超导开关线及制备方法 |
-
1994
- 1994-07-21 JP JP6169850A patent/JPH0831245A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119864210A (zh) * | 2025-03-25 | 2025-04-22 | 西安聚能超导线材科技有限公司 | 一种高性能超导开关线及制备方法 |
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