JPH0831394B2 - 積層コンデンサ素子の製造方法 - Google Patents
積層コンデンサ素子の製造方法Info
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- JPH0831394B2 JPH0831394B2 JP61312290A JP31229086A JPH0831394B2 JP H0831394 B2 JPH0831394 B2 JP H0831394B2 JP 61312290 A JP61312290 A JP 61312290A JP 31229086 A JP31229086 A JP 31229086A JP H0831394 B2 JPH0831394 B2 JP H0831394B2
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- internal electrode
- dielectric
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は積層コンデンサ素子の製造方法に関し、特に
鉛ペロブスカイト酸化物に誘電体に用い銅または銅を主
成分とする合金を内部電極とする積層コンデンサ素子の
製造方法に関する。
鉛ペロブスカイト酸化物に誘電体に用い銅または銅を主
成分とする合金を内部電極とする積層コンデンサ素子の
製造方法に関する。
従来の技術 近年セラミックコンデンサは素子の小型化、大容量化
への要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及
しつつある。また回路の高周波化により従来電界コンデ
ンサが用いられていた領域に積層型にセラミックコンデ
ンサ素子を用いる必要が発生している。積層型セラミッ
クコンデンサは内部電極とセラミックを一体焼成する工
程によって通常製造される。従来より高誘電率系のセラ
ミックコンデンサ材料にはチタン酸バリウム系の材料が
用いられてきたが、焼成温度が1300℃程度と高いため、
内部電極材料としてはPt,Pdなどの高価な金属を用いる
必要があった。このため安価な卑金属を内部電極に用い
ようとする試みが成されている。
への要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及
しつつある。また回路の高周波化により従来電界コンデ
ンサが用いられていた領域に積層型にセラミックコンデ
ンサ素子を用いる必要が発生している。積層型セラミッ
クコンデンサは内部電極とセラミックを一体焼成する工
程によって通常製造される。従来より高誘電率系のセラ
ミックコンデンサ材料にはチタン酸バリウム系の材料が
用いられてきたが、焼成温度が1300℃程度と高いため、
内部電極材料としてはPt,Pdなどの高価な金属を用いる
必要があった。このため安価な卑金属を内部電極に用い
ようとする試みが成されている。
これに対し発明者らは鉛ペロブスカイト酸化物を誘電
体に用い銅または銅を主成分とする合金を内部電極に用
いた積層コンデンサ素子とその製造方法を提案してき
た。このうち内部電極の出発原料に銅酸化物を用いる積
層コンデンサ素子の製造方法は、バインダのバーンアウ
トが容易で安価な原料を用いることができる利点を有し
ている。この製造方法においては内部電極を焼成前に還
元する工程において雰囲気ガスとして0.1％〜１％H2を
含む窒素ガスもしくはアンモニア水をバブリングした窒
素ガスをもちいている。
体に用い銅または銅を主成分とする合金を内部電極に用
いた積層コンデンサ素子とその製造方法を提案してき
た。このうち内部電極の出発原料に銅酸化物を用いる積
層コンデンサ素子の製造方法は、バインダのバーンアウ
トが容易で安価な原料を用いることができる利点を有し
ている。この製造方法においては内部電極を焼成前に還
元する工程において雰囲気ガスとして0.1％〜１％H2を
含む窒素ガスもしくはアンモニア水をバブリングした窒
素ガスをもちいている。
発明が解決しようとする問題点 内部電極を焼成まえに還元する雰囲気ガスに0.1％〜
１％H2を含む窒素ガスを用いた場合、還元時に容器内に
配置した試料のうち周辺部に配置した試料に誘電体が還
元されすぎた試料が発生し、量産性に問題を有してい
た。またアンモニア水をバブリングした窒素ガスを用い
た場合アンモニア水温度により還元状態が異なり、また
アンモニア水濃度が徐々に低下するなどアンモニア水の
管理に困難があった。本願発明はこれらの問題点を解決
し、安定かつ容易に最適の内部電極還元状態が得られる
量産性富む積層コンデンサ素子の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
１％H2を含む窒素ガスを用いた場合、還元時に容器内に
配置した試料のうち周辺部に配置した試料に誘電体が還
元されすぎた試料が発生し、量産性に問題を有してい
た。またアンモニア水をバブリングした窒素ガスを用い
た場合アンモニア水温度により還元状態が異なり、また
アンモニア水濃度が徐々に低下するなどアンモニア水の
管理に困難があった。本願発明はこれらの問題点を解決
し、安定かつ容易に最適の内部電極還元状態が得られる
量産性富む積層コンデンサ素子の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
問題点を解決するための手段 内部電極の還元時の保持温度が450℃以上650℃以下で
あり、その時の雰囲気ガスが素子ガス、水蒸気ガス、お
よび酸素ガスを含む酸素ガスからなり、室温時還元炉内
に投入前に水素ガス、水蒸気ガス、酸素ガスの体積百分
率をそれぞれｘ％,y％,z％とした時、 2z＋0.01≦ｘ≦2z＋0.16 0.4≦ｙ≦3.00 ０＜ｚ≦2.00 の範囲内とする。
あり、その時の雰囲気ガスが素子ガス、水蒸気ガス、お
よび酸素ガスを含む酸素ガスからなり、室温時還元炉内
に投入前に水素ガス、水蒸気ガス、酸素ガスの体積百分
率をそれぞれｘ％,y％,z％とした時、 2z＋0.01≦ｘ≦2z＋0.16 0.4≦ｙ≦3.00 ０＜ｚ≦2.00 の範囲内とする。
作用 内部電極の還元処理は内部電極を完全に還元する必要
があるが、誘電体を還元してはいけない。還元力の強い
条件下で還元処理を行った場合、誘電体を還元してしま
う可能性がある。H2−N2系ガスでは室温時還元炉内投入
前の水素ガス濃度が酸素ガス濃度の２倍を越える付近で
急速に還元力が大きくなる。この水素ガス濃度が酸素ガ
ス濃度の２倍を越える領域では水蒸気濃度が高くなると
還元力は弱くなる。雰囲気ガスに水蒸気を含まないH2−
N2ガスを用いた場合、雰囲気ガスの供給が多く、自成雰
囲気である銅酸化物の還元で発生する水蒸気ガスが飛散
しやすい、容器周辺部に配置した試料では強い還元を受
けてしまう可能性がある。本願発明では雰囲気ガス中に
あらかじめ水蒸気ガスを混合しておくこと、および水素
ガス濃度を酸素ガス濃度の２倍より大きい限定された範
囲にすることにより、自成雰囲気である水蒸気ガスが飛
散しても、還元力があまり大きくならないため、誘電体
が還元しない。このため安定に電極部のみが還元した試
料を得ることができる。
があるが、誘電体を還元してはいけない。還元力の強い
条件下で還元処理を行った場合、誘電体を還元してしま
う可能性がある。H2−N2系ガスでは室温時還元炉内投入
前の水素ガス濃度が酸素ガス濃度の２倍を越える付近で
急速に還元力が大きくなる。この水素ガス濃度が酸素ガ
ス濃度の２倍を越える領域では水蒸気濃度が高くなると
還元力は弱くなる。雰囲気ガスに水蒸気を含まないH2−
N2ガスを用いた場合、雰囲気ガスの供給が多く、自成雰
囲気である銅酸化物の還元で発生する水蒸気ガスが飛散
しやすい、容器周辺部に配置した試料では強い還元を受
けてしまう可能性がある。本願発明では雰囲気ガス中に
あらかじめ水蒸気ガスを混合しておくこと、および水素
ガス濃度を酸素ガス濃度の２倍より大きい限定された範
囲にすることにより、自成雰囲気である水蒸気ガスが飛
散しても、還元力があまり大きくならないため、誘電体
が還元しない。このため安定に電極部のみが還元した試
料を得ることができる。
実施例 実施例１ 誘電体として次に示す組成式で表される材料を用い
た。
た。
（Ph1.00Ca0.025）（Mg1/3Nb2/3）0.70Ti0.25（Ni1/2Ｗ
1/2）0.05Ｏ3.025 誘電体粉末は通常のセラミック製造方法に従い製造し
た。仮焼条件は800℃２時間とした。粉砕した仮焼粉末
は仮焼粉末に対し5wt％のポリビニルブチラール樹脂、5
0wt％の溶剤と共にボールミルで混合しドクターブレー
ドを用い厚さ35μｍにシート化した。内部電極としては
平均粒径0.8μｍのCu2O（Cu2Oとして純度99％）を出発
原料に用いCu2Oに対し0.5wt％のエチルセルロース、25w
t％の溶剤とともに三本ロールで混練し電極ペーストと
しスクリーン印刷法を用い誘電体グリーンシート上に内
部電極パターンを印刷した。これを電極が左右交互に引
き出されるように積層し切断した。
1/2）0.05Ｏ3.025 誘電体粉末は通常のセラミック製造方法に従い製造し
た。仮焼条件は800℃２時間とした。粉砕した仮焼粉末
は仮焼粉末に対し5wt％のポリビニルブチラール樹脂、5
0wt％の溶剤と共にボールミルで混合しドクターブレー
ドを用い厚さ35μｍにシート化した。内部電極としては
平均粒径0.8μｍのCu2O（Cu2Oとして純度99％）を出発
原料に用いCu2Oに対し0.5wt％のエチルセルロース、25w
t％の溶剤とともに三本ロールで混練し電極ペーストと
しスクリーン印刷法を用い誘電体グリーンシート上に内
部電極パターンを印刷した。これを電極が左右交互に引
き出されるように積層し切断した。
電極が交互に引き出された端面に上述の電極ペースト
を塗布し外部電極とした。
を塗布し外部電極とした。
このようにして作成した積層体は磁器ボート（50mm×
120mm、深さ15mm）内に粗粒マグネシアを敷きその上に
約400個載せ空気中で550℃でバインダーをバーンアウト
した。
120mm、深さ15mm）内に粗粒マグネシアを敷きその上に
約400個載せ空気中で550℃でバインダーをバーンアウト
した。
内部電極の還元処理は第１図に示すように、バーンア
ウトした積層体試料14を載せた磁器ボート12を管状炉中
に内径70mmの炉心管11の内部に入れ、0.001％酸素ガス
を含む窒素ガスと1.0％水素ガスを含む窒素ガスを浮遊
流量計15をもちいて流量を測定後混合し、混合後純水16
を三回バブリングしこのガスを炉心管内に毎分１リット
ル流し所定温度で保持し、内部電極を還元した。水蒸気
濃度はバブリングする純水の温度を調節してコントロー
ルし、マグネシア−クロミア系の温度センサー17により
測定した。
ウトした積層体試料14を載せた磁器ボート12を管状炉中
に内径70mmの炉心管11の内部に入れ、0.001％酸素ガス
を含む窒素ガスと1.0％水素ガスを含む窒素ガスを浮遊
流量計15をもちいて流量を測定後混合し、混合後純水16
を三回バブリングしこのガスを炉心管内に毎分１リット
ル流し所定温度で保持し、内部電極を還元した。水蒸気
濃度はバブリングする純水の温度を調節してコントロー
ルし、マグネシア−クロミア系の温度センサー17により
測定した。
第２図に焼成時の積層体を入れるマグネシア磁器容器
の断面を、第３図に焼成炉炉心管の断面を示す。マグネ
シア磁器容器21の大きさはバーンアウト、内部電極還元
処理にもちいた磁器ボートと同じく（50mm×120mm、深
さ15mm）で容器内には上述の仮焼粉22を体積の1/3程度
敷きつめた上に粗粒マゲネシア23を約1mm敷き、そのう
えに上述のバーンアウト、還元処理した積層体25を全量
400個置いた。マグネシア磁器の蓋24をし、管状電気炉
の炉心管26内に挿入し、炉心管内をロータリーポンプで
脱気したのちN2−H2−H2O混合ガスで置換し、酸素分圧
が1x10-8となるようN2とH2ガスの混合比を調節しながら
混合ガスを流し、980℃まで400℃/hrで昇温し２時間保
持後400℃/hrで降温した。炉心管内のPo2は挿入した安
定化ジルコニア酸素センサー27の大気側と炉内部側に構
成した白金電極から引き出した電極間の電圧Ｅ（Ｖ）よ
り次式より求めた。
の断面を、第３図に焼成炉炉心管の断面を示す。マグネ
シア磁器容器21の大きさはバーンアウト、内部電極還元
処理にもちいた磁器ボートと同じく（50mm×120mm、深
さ15mm）で容器内には上述の仮焼粉22を体積の1/3程度
敷きつめた上に粗粒マゲネシア23を約1mm敷き、そのう
えに上述のバーンアウト、還元処理した積層体25を全量
400個置いた。マグネシア磁器の蓋24をし、管状電気炉
の炉心管26内に挿入し、炉心管内をロータリーポンプで
脱気したのちN2−H2−H2O混合ガスで置換し、酸素分圧
が1x10-8となるようN2とH2ガスの混合比を調節しながら
混合ガスを流し、980℃まで400℃/hrで昇温し２時間保
持後400℃/hrで降温した。炉心管内のPo2は挿入した安
定化ジルコニア酸素センサー27の大気側と炉内部側に構
成した白金電極から引き出した電極間の電圧Ｅ（Ｖ）よ
り次式より求めた。
Po2＝0.2・exp（4FE/RT） ここで、Ｆはファラデー定数96489クーロン、Ｒはガ
ス定数8.3144/deg・mol、Ｔは絶対温度である。
ス定数8.3144/deg・mol、Ｔは絶対温度である。
積層コンデンサ素子の外形は2.8x1.4x0.9mmで有効電
極面積は一層当たり1.3125mm2（1.75x0.75mm）、電極層
の厚みは2.0μｍ、誘電体層は一層当たり25.0μｍで有
効層は30層、上下に無効層を２層ずつ設けた。積層コン
デンサ素子は容量、tanδを1Vの交流電圧を印加し1KHz
の周波数で測定した。また抵抗値は50V/mmの電圧を印加
後１分値から求めた。電気的測定は全試料について行い
容量が140nF以下、tanδが5.0％以上、抵抗値が１×10
+9Ω以下のいずれかの条件を満たすものを不良としそれ
以外のものを良品とした。
極面積は一層当たり1.3125mm2（1.75x0.75mm）、電極層
の厚みは2.0μｍ、誘電体層は一層当たり25.0μｍで有
効層は30層、上下に無効層を２層ずつ設けた。積層コン
デンサ素子は容量、tanδを1Vの交流電圧を印加し1KHz
の周波数で測定した。また抵抗値は50V/mmの電圧を印加
後１分値から求めた。電気的測定は全試料について行い
容量が140nF以下、tanδが5.0％以上、抵抗値が１×10
+9Ω以下のいずれかの条件を満たすものを不良としそれ
以外のものを良品とした。
第１表に内部電極の還元処理時の水素ガス、水蒸気ガ
ス濃度と、温度、時間、および良品の容量、tanδ、抵
抗値の平均値、さらに不良数を示す。
ス濃度と、温度、時間、および良品の容量、tanδ、抵
抗値の平均値、さらに不良数を示す。
第１表より明らかなように、水素ガス濃度が0.011％
より小さいと還元処理に時間がかかり、内部電極の還元
が不十分となり、まだ酸化している電極が焼成時に誘電
体と反応するため電極面積の低下による、容量低下、お
よび抵抗値の低下が発生し、不良数も増加する。水素ガ
ス濃度が0.161％より大きくなると、誘電体の還元が発
生し、誘電体が焼結せず、容量が大幅に小さくなる。水
蒸気濃度が0.4％より小さくなると、還元処理時に容器
周辺に配置した試料に、誘電体が還元して焼結しない不
良が発生する。水蒸気濃度が３％より大きくなると、還
元が不十分になり、不良が多く発生した。また電極還元
時の保持温度が250℃より小さいと、電極が充分還元せ
ず酸化したまま残存し、焼成時に誘電体層に拡散するた
め、絶縁抵抗値が低下し、また電極層が完全な金属層と
ならないため、高周波における誘電損失が低下する。ま
た還元に長い保持時間を要する。650℃より大きいと、
誘電体が還元され焼成後の積層コンデンサ素子として機
能しない。
より小さいと還元処理に時間がかかり、内部電極の還元
が不十分となり、まだ酸化している電極が焼成時に誘電
体と反応するため電極面積の低下による、容量低下、お
よび抵抗値の低下が発生し、不良数も増加する。水素ガ
ス濃度が0.161％より大きくなると、誘電体の還元が発
生し、誘電体が焼結せず、容量が大幅に小さくなる。水
蒸気濃度が0.4％より小さくなると、還元処理時に容器
周辺に配置した試料に、誘電体が還元して焼結しない不
良が発生する。水蒸気濃度が３％より大きくなると、還
元が不十分になり、不良が多く発生した。また電極還元
時の保持温度が250℃より小さいと、電極が充分還元せ
ず酸化したまま残存し、焼成時に誘電体層に拡散するた
め、絶縁抵抗値が低下し、また電極層が完全な金属層と
ならないため、高周波における誘電損失が低下する。ま
た還元に長い保持時間を要する。650℃より大きいと、
誘電体が還元され焼成後の積層コンデンサ素子として機
能しない。
実施例２ 誘電体として次に示す組成式で表される材料を用い
た。
た。
（Pb1.00Sr0.025）（Ni1/3Nb2/3）0.50Ti0.400（Ni1/2
Ｗ1/2）0.10Ｏ3.025 誘電体材料のシート化については実施例１と同様の方
法を用いた。内部電極としては平均粒径1.2μｍのCuO
（CuOとして純度97％）を出発原料に用いCuOに対し0.5w
t％のエチルセルロース、25wt％の溶剤とともに三本ロ
ールで混練し電極ペーストとしスクリーン印刷法を用い
誘電体グリーンシート上に内部電極パターンを印刷し
た。これを電極が左右交互に引き出されるように積層し
切断した。
Ｗ1/2）0.10Ｏ3.025 誘電体材料のシート化については実施例１と同様の方
法を用いた。内部電極としては平均粒径1.2μｍのCuO
（CuOとして純度97％）を出発原料に用いCuOに対し0.5w
t％のエチルセルロース、25wt％の溶剤とともに三本ロ
ールで混練し電極ペーストとしスクリーン印刷法を用い
誘電体グリーンシート上に内部電極パターンを印刷し
た。これを電極が左右交互に引き出されるように積層し
切断した。
このようにして作成した積層体は、磁器ボート（50mm
×120mm、深さ15mm）内に粗粒マグネシアを敷きその上
に約400個載せ、空気中で600℃でバインダーをバーンア
ウトした。
×120mm、深さ15mm）内に粗粒マグネシアを敷きその上
に約400個載せ、空気中で600℃でバインダーをバーンア
ウトした。
内部電極の還元処理は第４図に示すように、バーンア
ウトした積層体試料44を載せた磁器ボート42を管状炉中
の内径70mmの炉心管41の内部に入れ、0.001％酸素ガス
を含む窒素ガスと1.0％水素ガスを含む窒素ガスと1.0％
酸素ガスを含む窒素ガスを浮遊流量計45をもちいて流量
を測定後混合し、混合後純水46を三回バブリングしこの
ガスを炉心管内に毎分１リットル流し所定温度で保持
し、内部電極を還元した。水蒸気濃度はバブリングする
純水の温度を調節してコントロールし、マグネシア−ク
ロミア系の湿度センサー47により測定した。
ウトした積層体試料44を載せた磁器ボート42を管状炉中
の内径70mmの炉心管41の内部に入れ、0.001％酸素ガス
を含む窒素ガスと1.0％水素ガスを含む窒素ガスと1.0％
酸素ガスを含む窒素ガスを浮遊流量計45をもちいて流量
を測定後混合し、混合後純水46を三回バブリングしこの
ガスを炉心管内に毎分１リットル流し所定温度で保持
し、内部電極を還元した。水蒸気濃度はバブリングする
純水の温度を調節してコントロールし、マグネシア−ク
ロミア系の湿度センサー47により測定した。
焼成は実施例１と同様の方法で行った。焼成した積層
体は金属銅とガラスフリットを含む外部電極ペーストを
内部電極が露出した端面に塗布し、窒素中600℃で焼き
付けた。
体は金属銅とガラスフリットを含む外部電極ペーストを
内部電極が露出した端面に塗布し、窒素中600℃で焼き
付けた。
積層コンデンサ素子の外形は2.8x1.4x0.9mmで有効電
極面積は一層当たり1.3125mm2（1.75x0.75mm）、電極層
の厚みは2.0μｍ、誘電体層は一層当たり25.0μｍで有
効層は30層、上下に無効層を２層ずつ設けた。積層コン
デンサ素子は容量、tanδを1Vの交流電圧を印加し1KHz
の周波数で測定した。また抵抗値は50V/mmの電圧を印加
後１分値から求めた。電気的測定は全試料について行い
容量が50nF以下、tanδが5.0％以上、抵抗値が１×10+9
Ω以下のいずれかの条件を満たすものを不良としそれ以
外のものを良品とした。
極面積は一層当たり1.3125mm2（1.75x0.75mm）、電極層
の厚みは2.0μｍ、誘電体層は一層当たり25.0μｍで有
効層は30層、上下に無効層を２層ずつ設けた。積層コン
デンサ素子は容量、tanδを1Vの交流電圧を印加し1KHz
の周波数で測定した。また抵抗値は50V/mmの電圧を印加
後１分値から求めた。電気的測定は全試料について行い
容量が50nF以下、tanδが5.0％以上、抵抗値が１×10+9
Ω以下のいずれかの条件を満たすものを不良としそれ以
外のものを良品とした。
第２表に内部電極の還元処理時の水素ガス、水蒸気ガ
ス濃度と、温度、時間、および良品の容量、tanδ、抵
抗値の平均値、さらに不良数を示す。
ス濃度と、温度、時間、および良品の容量、tanδ、抵
抗値の平均値、さらに不良数を示す。
第２表より明らかなように、水素ガス濃度が酸素ガス
濃度をｚ％とした時2z＋0.01％より小さいと還元処理に
時間がかかり、内部電極の還元が不十分となり、まだ酸
化している電極が焼成時に誘電体と反応するため電極面
積の低下による、容量低下、および抵抗値の低下が発生
し、不良数も増加する。水素ガス濃度が2z＋0.16％より
大きくなると、誘電体の還元が発生し、誘電体が焼結せ
ず、容量が大幅に小さくなる。酸素濃度が２％を越える
と爆発の危険性があるので、好ましくない。水蒸気濃度
が0.4％より小さくなると、還元処理時に容器周辺に配
置した試料に、誘電体が還元して焼結しない不良が発生
する。水蒸気濃度が３％より大きくなると、還元が不十
分になり、不良が多く発生した。
濃度をｚ％とした時2z＋0.01％より小さいと還元処理に
時間がかかり、内部電極の還元が不十分となり、まだ酸
化している電極が焼成時に誘電体と反応するため電極面
積の低下による、容量低下、および抵抗値の低下が発生
し、不良数も増加する。水素ガス濃度が2z＋0.16％より
大きくなると、誘電体の還元が発生し、誘電体が焼結せ
ず、容量が大幅に小さくなる。酸素濃度が２％を越える
と爆発の危険性があるので、好ましくない。水蒸気濃度
が0.4％より小さくなると、還元処理時に容器周辺に配
置した試料に、誘電体が還元して焼結しない不良が発生
する。水蒸気濃度が３％より大きくなると、還元が不十
分になり、不良が多く発生した。
以上の２つの実施例より明らかなように、鉛ペロブス
カイト系酸化物の誘電体を用い、銅を内部電極とする積
層コンデンサ素子の製造方法において、銅内部電極の出
発原料に銅酸化物を主成分とする原料を用い、内部電極
パターンを誘電体グリーンシートに印刷し積層したの
ち、空気中でバインダ成分のバーンアウトを行い、その
後内部電極を還元して金属化し、焼成する製造方法をと
る場合の内部電極の還元処理において、内部電極の還元
時の保持温度が450℃以上650℃以下であり、その時の雰
囲気ガスが水素ガス、水蒸気ガス、酸素ガスを含む窒素
ガスからなり、室温時還元炉内に投入前に水素ガス、水
蒸気ガス、酸素ガスの体積百物率をそれぞれｘ％,y％,z
％とした時、 2Z＋0.01≦ｘ≦2Z＋0.16 0.4≦ｙ≦3.00 ０＜ｚ≦2.00 の範囲内にあることにより、絶縁抵抗のおおきく、優れ
た特性の積層コンデンサ素子が安定的にえられ、量産時
の不良数も現象する。
カイト系酸化物の誘電体を用い、銅を内部電極とする積
層コンデンサ素子の製造方法において、銅内部電極の出
発原料に銅酸化物を主成分とする原料を用い、内部電極
パターンを誘電体グリーンシートに印刷し積層したの
ち、空気中でバインダ成分のバーンアウトを行い、その
後内部電極を還元して金属化し、焼成する製造方法をと
る場合の内部電極の還元処理において、内部電極の還元
時の保持温度が450℃以上650℃以下であり、その時の雰
囲気ガスが水素ガス、水蒸気ガス、酸素ガスを含む窒素
ガスからなり、室温時還元炉内に投入前に水素ガス、水
蒸気ガス、酸素ガスの体積百物率をそれぞれｘ％,y％,z
％とした時、 2Z＋0.01≦ｘ≦2Z＋0.16 0.4≦ｙ≦3.00 ０＜ｚ≦2.00 の範囲内にあることにより、絶縁抵抗のおおきく、優れ
た特性の積層コンデンサ素子が安定的にえられ、量産時
の不良数も現象する。
発明の効果 本発明の積層コンデンサ素子の製造方法は、鉛ペロブ
スカイトを誘電体に用い銅を内部電極とする積層コンデ
ンサ素子において、絶縁抵抗値が大きく、優れた特性の
積層コンデンサ素子が安定的にえられ、量産性にもとむ
工業的に有用な製造方法である。
スカイトを誘電体に用い銅を内部電極とする積層コンデ
ンサ素子において、絶縁抵抗値が大きく、優れた特性の
積層コンデンサ素子が安定的にえられ、量産性にもとむ
工業的に有用な製造方法である。
第１図、第４図は本発明の一実施例における内部電極の
還元装置を示す断面図、第２図は焼成時のマグネシア容
器の断面図、第３図は焼成炉炉心管断面図である。 11……炉心管、12……磁器ボート、13……粗粒マグネシ
ア、14……積層体試料、15……浮遊流量計、16……純
水。７……湿度センサー、41……炉心管、42……磁器ボ
ート、43……粗粒マグネシア、44……積層体試料、45…
…浮遊流量計、46……純水。47……湿度センサー
還元装置を示す断面図、第２図は焼成時のマグネシア容
器の断面図、第３図は焼成炉炉心管断面図である。 11……炉心管、12……磁器ボート、13……粗粒マグネシ
ア、14……積層体試料、15……浮遊流量計、16……純
水。７……湿度センサー、41……炉心管、42……磁器ボ
ート、43……粗粒マグネシア、44……積層体試料、45…
…浮遊流量計、46……純水。47……湿度センサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉光 秀紀 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 加藤 純一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 三原 敏弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】内部電極の出発原料に銅酸化物を主成分と
する原料を用い、焼成温度より低い温度で内部電極を還
元して金属化することを特徴とする、銅または銅を主成
分とする合金を内部電極として用い、鉛ペロブスカイト
系酸化物を誘電体として用いた積層コンデンサ素子の製
造方法において、前記内部電極の還元時の保持温度が45
0℃以上650℃以下であり、その時の雰囲気ガスが水素ガ
ス、水蒸気ガス、および酸素ガスを含む窒素ガスからな
り、室温時還元炉内に投入前の水素ガス、水蒸気ガス、
酸素ガスの体積百分率をそれぞれｘ％,y％,z％とした
時、 2z＋0.01≦ｘ≦2z＋0.16 0.4≦ｙ≦3.00 ０＜ｚ≦2.00 の範囲内にあることを特徴とする積層コンデンサ素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312290A JPH0831394B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 積層コンデンサ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312290A JPH0831394B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 積層コンデンサ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164416A JPS63164416A (ja) | 1988-07-07 |
| JPH0831394B2 true JPH0831394B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=18027468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61312290A Expired - Lifetime JPH0831394B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 積層コンデンサ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831394B2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312290A patent/JPH0831394B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63164416A (ja) | 1988-07-07 |
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