JPH0831403B2 - シリコン結晶体の接合方法 - Google Patents
シリコン結晶体の接合方法Info
- Publication number
- JPH0831403B2 JPH0831403B2 JP58229167A JP22916783A JPH0831403B2 JP H0831403 B2 JPH0831403 B2 JP H0831403B2 JP 58229167 A JP58229167 A JP 58229167A JP 22916783 A JP22916783 A JP 22916783A JP H0831403 B2 JPH0831403 B2 JP H0831403B2
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- JP
- Japan
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- silicon
- silicon crystal
- bonding
- pressure
- foreign matter
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/50—Devices controlled by mechanical forces, e.g. pressure
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は２つのシリコン結晶体を接着剤等を用いるこ
となしに強固に接合することのできる新規で実用性の高
いシリコン結晶体の接合方法に関する。
となしに強固に接合することのできる新規で実用性の高
いシリコン結晶体の接合方法に関する。
半導体圧力変換器は第１図に示すように、中央部に肉
薄ダイヤフラムを形成したシリコン単結晶板１の上記肉
薄ダイヤフラム部に拡散抵抗層からなる起歪抵抗ゲージ
２を形成し、その肉厚周辺部をガラス基板３上に接着剤
４を介して接着固定した構造を有し、上記ガラス基板３
の中央部に設けられた孔部５から導入される圧力Ｐによ
つて変形する前記ダイヤフラムの起歪抵抗ゲージ２の抵
抗値変化から上記圧力Ｐを検出するものとなつている。
しかして、この圧力変換器では、前記起歪抵抗ゲージ２
は前記導入圧力Ｐに対してのみ高感度に感応することが
必要である。しかるに、前記シリコン単結晶板１とガラ
ス基板３の熱膨脹率の異なりから、前記接着固定部に熱
膨脹差が生じ、これによつて発生する応力が前記肉薄ダ
イヤフラムに加わると云う不具合がある。そこで従来よ
りダイヤフラムを形成したシリコン単結晶板１と同じシ
リコン結晶を基板３として用いることにより、上記熱膨
脹率差の問題を回避することが考えられている。
薄ダイヤフラムを形成したシリコン単結晶板１の上記肉
薄ダイヤフラム部に拡散抵抗層からなる起歪抵抗ゲージ
２を形成し、その肉厚周辺部をガラス基板３上に接着剤
４を介して接着固定した構造を有し、上記ガラス基板３
の中央部に設けられた孔部５から導入される圧力Ｐによ
つて変形する前記ダイヤフラムの起歪抵抗ゲージ２の抵
抗値変化から上記圧力Ｐを検出するものとなつている。
しかして、この圧力変換器では、前記起歪抵抗ゲージ２
は前記導入圧力Ｐに対してのみ高感度に感応することが
必要である。しかるに、前記シリコン単結晶板１とガラ
ス基板３の熱膨脹率の異なりから、前記接着固定部に熱
膨脹差が生じ、これによつて発生する応力が前記肉薄ダ
イヤフラムに加わると云う不具合がある。そこで従来よ
りダイヤフラムを形成したシリコン単結晶板１と同じシ
リコン結晶を基板３として用いることにより、上記熱膨
脹率差の問題を回避することが考えられている。
然し乍ら、このようなシリコン結晶基板３を用いると
いえども、シリコン単結晶板１との接着固定に金・シリ
コンの共晶や低融点ハングガラス等の接着剤４が用いら
れるので、その接着固定部における残留応力の問題を本
質的に解決することができなかつた。
いえども、シリコン単結晶板１との接着固定に金・シリ
コンの共晶や低融点ハングガラス等の接着剤４が用いら
れるので、その接着固定部における残留応力の問題を本
質的に解決することができなかつた。
一方、接着剤４を用いることなしに前記シリコン単結
晶板１を基板３に接合する方法として、シリコンと熱膨
脹率が略々等しいホウケイ酸ガラスを基板３として用
い、その接合部をガラス転移温度以上に加熱したり、電
界を加え乍ら加熱して上記両者を接合することが考えら
れている。然し、半導体圧力変換器は静水圧の下で使用
されることが多く、この場合には圧縮率の異なりによつ
て歪や応力が生じると云う新たな問題が生じた。
晶板１を基板３に接合する方法として、シリコンと熱膨
脹率が略々等しいホウケイ酸ガラスを基板３として用
い、その接合部をガラス転移温度以上に加熱したり、電
界を加え乍ら加熱して上記両者を接合することが考えら
れている。然し、半導体圧力変換器は静水圧の下で使用
されることが多く、この場合には圧縮率の異なりによつ
て歪や応力が生じると云う新たな問題が生じた。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、接着剤を用いることなしに２
つのシリコン結晶体を相互に強固に接合することがで
き、例えば半導体圧力変換機の製造に効果的に応用する
ことのできる実用性の高いシリコン結晶体の接合方法を
提供することにある。
その目的とするところは、接着剤を用いることなしに２
つのシリコン結晶体を相互に強固に接合することがで
き、例えば半導体圧力変換機の製造に効果的に応用する
ことのできる実用性の高いシリコン結晶体の接合方法を
提供することにある。
本発明は２つのシリコン結晶体の接合面を例えば表面
粗さ500A以下にそれぞれ鏡面研磨し、研磨面を例えばフ
ッ酸などを用いて撥水性にしたのち、これらをゴミ浮遊
量20個／m3以下のクリーンルーム中で空気中に晒すこと
により表面を親水性にして酸化膜を形成し、さらに同じ
くクリーンルーム中で上記接合面間に実質的に異物が介
在しない条件下で相互に密着させて接合した後、200℃
以上の温度で加熱処理することによって強固な接合を得
ようとしたものである。
粗さ500A以下にそれぞれ鏡面研磨し、研磨面を例えばフ
ッ酸などを用いて撥水性にしたのち、これらをゴミ浮遊
量20個／m3以下のクリーンルーム中で空気中に晒すこと
により表面を親水性にして酸化膜を形成し、さらに同じ
くクリーンルーム中で上記接合面間に実質的に異物が介
在しない条件下で相互に密着させて接合した後、200℃
以上の温度で加熱処理することによって強固な接合を得
ようとしたものである。
従来、ガラス板の平滑な面を極めて清浄に保ち、この
ような２枚のガラス板を直接密着させると、その間の摩
擦係数が増大して接合状態が得られることが知られてい
る。そして、これに逆らつて上記ガラス板の面同士を滑
べらすと、その接合面のむしり取りによるクラツクが発
生することが知られている。これに対して従来、シリコ
ン結晶体同士の上記ガラスの如き接合法が知られていな
いことは、シリコン結晶体の接合すべき面の平滑性とそ
の清浄性を厳密に保つことが難かしかつたことが最大の
原因であつたと云える。
ような２枚のガラス板を直接密着させると、その間の摩
擦係数が増大して接合状態が得られることが知られてい
る。そして、これに逆らつて上記ガラス板の面同士を滑
べらすと、その接合面のむしり取りによるクラツクが発
生することが知られている。これに対して従来、シリコ
ン結晶体同士の上記ガラスの如き接合法が知られていな
いことは、シリコン結晶体の接合すべき面の平滑性とそ
の清浄性を厳密に保つことが難かしかつたことが最大の
原因であつたと云える。
この点本発明は次のような処理を施すことによつて、
ガラス同士の接合のようにシリコン結晶体同士の接合も
可能なことを見出した。即ち、２つのシリコン結晶体の
接合すべき面を表面粗さ500Å以下に鏡面研磨して平滑
化し、しかるのちこれをトリクレン等によつて脱脂し
た。その後、フツ酸，硝酸，酢酸の混液に浸して表面変
質屑を除き、表面を撥水性にした。これを手早く洗浄，
乾燥し、撥水性を保たせたままのシリコンを、ゴミ浮遊
量20個／m3以下のクリーンな雰囲気下で１時間放置した
後、同じくクリーンな条件下で密着させ、200℃以上の
温度で熱処理した所、良好な接着体が得られた。そこで
空気中で保持する時間や温度などを変え、良好な接着体
が得られる条件を調べた結果、空気中保持によりシリコ
ン表面が撥水性から親水性に変り、そして親水性になつ
た時点で接着性が良好になる事がわかつた。
ガラス同士の接合のようにシリコン結晶体同士の接合も
可能なことを見出した。即ち、２つのシリコン結晶体の
接合すべき面を表面粗さ500Å以下に鏡面研磨して平滑
化し、しかるのちこれをトリクレン等によつて脱脂し
た。その後、フツ酸，硝酸，酢酸の混液に浸して表面変
質屑を除き、表面を撥水性にした。これを手早く洗浄，
乾燥し、撥水性を保たせたままのシリコンを、ゴミ浮遊
量20個／m3以下のクリーンな雰囲気下で１時間放置した
後、同じくクリーンな条件下で密着させ、200℃以上の
温度で熱処理した所、良好な接着体が得られた。そこで
空気中で保持する時間や温度などを変え、良好な接着体
が得られる条件を調べた結果、空気中保持によりシリコ
ン表面が撥水性から親水性に変り、そして親水性になつ
た時点で接着性が良好になる事がわかつた。
ところで、シリコン結晶体の表面が親水性を呈するこ
とは、その表面に極く薄い酸化層が生成されていると考
えられ、この酸化層の存在が接合力の増加に貢献してい
るものと推定される。また、酸化層を除去して撥水性化
したシリコン結晶体であつても、空気中に僅かな時間放
置することによつて自然酸化膜が形成されることは良く
知られている。従つて前述したように一度撥水性とした
シリコン結晶体であつても、その空気中放置後には再び
この酸化膜のために親水性を取りもどし、接着できるよ
うになるのであろう。もちろんこの親水性化の過程でゴ
ミなどの異物が表面に付着すればまつたく接着できなく
なる。従がつて雰囲気の清浄性が極めて重要である。
とは、その表面に極く薄い酸化層が生成されていると考
えられ、この酸化層の存在が接合力の増加に貢献してい
るものと推定される。また、酸化層を除去して撥水性化
したシリコン結晶体であつても、空気中に僅かな時間放
置することによつて自然酸化膜が形成されることは良く
知られている。従つて前述したように一度撥水性とした
シリコン結晶体であつても、その空気中放置後には再び
この酸化膜のために親水性を取りもどし、接着できるよ
うになるのであろう。もちろんこの親水性化の過程でゴ
ミなどの異物が表面に付着すればまつたく接着できなく
なる。従がつて雰囲気の清浄性が極めて重要である。
しかして、このような酸化層がその接合に大きく関連
していることは、次の熱処理の効果を調べることによつ
てより明らかとなる。第２図は、10mmφ厚さ3mmの第一
のシリコン板と、中央に5mmφの穴の開いた10×10mm厚
さ3mmの第２のシリコン結晶板とを前述した方法により
接合して、種々の温度で加熱処理した複数のサンプルを
作り、これを油圧系に接続して前記孔から内圧を与え、
その接合体の引きはがし強度（破壊応力）を調べたもの
である。第２図において200℃以上で熱処理した試料は
高い引きはがし強度を有する事がわかる。
していることは、次の熱処理の効果を調べることによつ
てより明らかとなる。第２図は、10mmφ厚さ3mmの第一
のシリコン板と、中央に5mmφの穴の開いた10×10mm厚
さ3mmの第２のシリコン結晶板とを前述した方法により
接合して、種々の温度で加熱処理した複数のサンプルを
作り、これを油圧系に接続して前記孔から内圧を与え、
その接合体の引きはがし強度（破壊応力）を調べたもの
である。第２図において200℃以上で熱処理した試料は
高い引きはがし強度を有する事がわかる。
一方、200℃程度の加熱温度では、シリコン原子につ
いてはもとより、最も拡散し易い一価イオンでも、シリ
コン結晶中における拡散速度は通常無視できる程度に小
さいことは公知である。またこの200℃付近の温度で
は、酸化膜の表面に吸着された水分子が殆んど離脱し、
化学吸着により形成されたシラノール（Si−OH）の脱水
縮合が起こり始めることも知られている。これらのこと
を考え合せれば、前記シリコン結晶体相互の結合は、金
属同士の接合として知られている相互拡散によるもので
はなく、シリコン結晶体の表面酸化膜の水和層間の相互
作用や、シラノール基の脱水重合によつてSi−Ｏ−Siな
る強固な接合構造を為しているものと考えられる。
いてはもとより、最も拡散し易い一価イオンでも、シリ
コン結晶中における拡散速度は通常無視できる程度に小
さいことは公知である。またこの200℃付近の温度で
は、酸化膜の表面に吸着された水分子が殆んど離脱し、
化学吸着により形成されたシラノール（Si−OH）の脱水
縮合が起こり始めることも知られている。これらのこと
を考え合せれば、前記シリコン結晶体相互の結合は、金
属同士の接合として知られている相互拡散によるもので
はなく、シリコン結晶体の表面酸化膜の水和層間の相互
作用や、シラノール基の脱水重合によつてSi−Ｏ−Siな
る強固な接合構造を為しているものと考えられる。
そしてこのような事実は、シリコン結晶体の表面を親
水性化処理し、その密着接合後に200℃以上の加熱処理
を施せば、高い接着強度が得られることを意味してい
る。
水性化処理し、その密着接合後に200℃以上の加熱処理
を施せば、高い接着強度が得られることを意味してい
る。
尚このようにして得られたシリコン接合体は、良好な
機械的特性を持つだけでなく、電気的接合性もきわめて
良好な事がわかつた。SiO2などの膜が接着に関与してい
るとすればこの現象は予想外であるが、恐らく膜が十分
薄いため、電気的な障害にならないためと考えられる。
機械的特性を持つだけでなく、電気的接合性もきわめて
良好な事がわかつた。SiO2などの膜が接着に関与してい
るとすればこの現象は予想外であるが、恐らく膜が十分
薄いため、電気的な障害にならないためと考えられる。
かくして本発明によれば、鏡面研磨し、親水性となる
ようにクリーンな空気中にさらした２つのシリコン結晶
体をクリーンルーム中で密着させ、200℃以上の温度で
処理するだけで、シリコン結晶体の破壊を招くことなし
にその引離しを困難とする程度に上記シリコン結晶体を
強固に接合することが可能となる。これ故接着剤は全く
不要となる。従つて、本方法を半導体圧力変換器の製造
に適用すれば、ダイヤフラムを形成したシリコン単結晶
板と、これと物理的性質を同じくするシリコン基板とを
接着剤を用いることなしに直接接合することが可能とな
り、膨脹率差、圧縮率差に関する問題は勿論のこと、接
着剤を介した接合部における残留応力の問題も効果的に
解消することが可能となる。故に、導入圧力Ｐに対して
のみ効果的に感応する半導体圧力変換器を実現すること
が可能となる等の実用上絶大なる効果が奏せられる。
ようにクリーンな空気中にさらした２つのシリコン結晶
体をクリーンルーム中で密着させ、200℃以上の温度で
処理するだけで、シリコン結晶体の破壊を招くことなし
にその引離しを困難とする程度に上記シリコン結晶体を
強固に接合することが可能となる。これ故接着剤は全く
不要となる。従つて、本方法を半導体圧力変換器の製造
に適用すれば、ダイヤフラムを形成したシリコン単結晶
板と、これと物理的性質を同じくするシリコン基板とを
接着剤を用いることなしに直接接合することが可能とな
り、膨脹率差、圧縮率差に関する問題は勿論のこと、接
着剤を介した接合部における残留応力の問題も効果的に
解消することが可能となる。故に、導入圧力Ｐに対して
のみ効果的に感応する半導体圧力変換器を実現すること
が可能となる等の実用上絶大なる効果が奏せられる。
さらに本法をたとえばシリコンウエハー同士の接着に
応用すれば、たとえばｎ型シリコンにｐ型シリコンを張
り合せる事で従来必須であつた拡散工程を経る事なくpn
接合の素子を作る事ができ、また高不純物濃度の基板と
低不純物濃度の基板を張り合せれば、従来メサ型トラン
ジスタなどで必須であつた深く高濃度のコレクタ形成用
拡散工程が省略でき、工程短縮，汚染の確率の減少，拡
散に伴う欠陥の導入やウエハーの変形の防止などその利
点は数多い。
応用すれば、たとえばｎ型シリコンにｐ型シリコンを張
り合せる事で従来必須であつた拡散工程を経る事なくpn
接合の素子を作る事ができ、また高不純物濃度の基板と
低不純物濃度の基板を張り合せれば、従来メサ型トラン
ジスタなどで必須であつた深く高濃度のコレクタ形成用
拡散工程が省略でき、工程短縮，汚染の確率の減少，拡
散に伴う欠陥の導入やウエハーの変形の防止などその利
点は数多い。
両面研磨されたｎ型の〔111〕シリコン基板を用意
し、これにｐ型拡散抵抗層を形成した。しかるのちこの
基板にアルミニウムを蒸着し、これをフオトリソグラフ
イ技術を用いてパターニングして前記ｐ型拡散抵抗層を
起歪抵抗ゲージとするブリツジ回路を形成し、その表面
をPSG保護膜にて保護した。その後、ダイヤフラム面を
エツチング形成し、直径8mm、厚さ150μｍの肉薄ダイヤ
フラムを有する10mm角、厚さ400μｍの感圧ペレツトを
製作した。尚、この感圧ペレツトの感度は、最大圧力4k
g/cm2に設定した。
し、これにｐ型拡散抵抗層を形成した。しかるのちこの
基板にアルミニウムを蒸着し、これをフオトリソグラフ
イ技術を用いてパターニングして前記ｐ型拡散抵抗層を
起歪抵抗ゲージとするブリツジ回路を形成し、その表面
をPSG保護膜にて保護した。その後、ダイヤフラム面を
エツチング形成し、直径8mm、厚さ150μｍの肉薄ダイヤ
フラムを有する10mm角、厚さ400μｍの感圧ペレツトを
製作した。尚、この感圧ペレツトの感度は、最大圧力4k
g/cm2に設定した。
一方、基台として、上記感圧ペレツトと同じ材質のシ
リコンを直径16mm、厚さ3mmに切出し、その中央部に直
径4mmの圧力導入孔を設けた。その後、この基台の一面
を鏡面研磨にし、前記感圧ペレツトと共に洗浄後濃フツ
酸中に30秒浸し、表面を撥水性にした後乾燥し、実質的
にゴミのないクリンベンチ中で１時間保持した。これら
のシリコン表面が再び親水性となつた事を確認した後、
接合面間にゴミが介入しないように注意して接触・密着
させた。これらの一連の処理は勿論クリーンルームで行
われる。この後この接合体を炉、或いはオープンに入
れ、200℃で１時間加熱処理した。
リコンを直径16mm、厚さ3mmに切出し、その中央部に直
径4mmの圧力導入孔を設けた。その後、この基台の一面
を鏡面研磨にし、前記感圧ペレツトと共に洗浄後濃フツ
酸中に30秒浸し、表面を撥水性にした後乾燥し、実質的
にゴミのないクリンベンチ中で１時間保持した。これら
のシリコン表面が再び親水性となつた事を確認した後、
接合面間にゴミが介入しないように注意して接触・密着
させた。これらの一連の処理は勿論クリーンルームで行
われる。この後この接合体を炉、或いはオープンに入
れ、200℃で１時間加熱処理した。
このようにして得られた半導体圧力変換器について、
先ずアルミニウム電極配線を調べたところ、その変質等
の異常は認められなかつた。次に圧力零の条件下で残留
抵抗の温度変化，真空漏れの有無，素子破壊圧力等を調
べたところ、いずれもその目的とする仕様を満足してい
ることが確認された。即ち、残留抵抗の温度変化は−30
℃〜＋100℃の範囲で２％以内であり、真空度10-9Torr
以下でもそのリークがなく、破壊圧力は10kg/cm2以上で
あつた。しかるのち常圧から140kg/cm2の静水圧まで圧
力Ｐを変化させて、前記起歪抵抗ゲージを含むブリツジ
回路の平衡点変動について調べたが、事実上変化しなか
つた。このことは、前記感圧ペレツトと基台との接合部
が、ダイヤフラムに対して悪影響を与えていないことを
裏付けている。
先ずアルミニウム電極配線を調べたところ、その変質等
の異常は認められなかつた。次に圧力零の条件下で残留
抵抗の温度変化，真空漏れの有無，素子破壊圧力等を調
べたところ、いずれもその目的とする仕様を満足してい
ることが確認された。即ち、残留抵抗の温度変化は−30
℃〜＋100℃の範囲で２％以内であり、真空度10-9Torr
以下でもそのリークがなく、破壊圧力は10kg/cm2以上で
あつた。しかるのち常圧から140kg/cm2の静水圧まで圧
力Ｐを変化させて、前記起歪抵抗ゲージを含むブリツジ
回路の平衡点変動について調べたが、事実上変化しなか
つた。このことは、前記感圧ペレツトと基台との接合部
が、ダイヤフラムに対して悪影響を与えていないことを
裏付けている。
このような効果の比較として、ホウケイ酸ガラスを基
台とする同じ仕様の半導体圧力変換器を製作した。この
場合、感圧ペレツトと基台との接合は、上述したシリコ
ンを基台としたものと同様に強固であることが確認され
たが、静圧テストにおいてブリツジ回路の平衡点が10％
以上も変動した。つまり、接合部がダイヤフラムに悪影
響を及ぼしており、本発明の如き効果は得られなかつ
た。
台とする同じ仕様の半導体圧力変換器を製作した。この
場合、感圧ペレツトと基台との接合は、上述したシリコ
ンを基台としたものと同様に強固であることが確認され
たが、静圧テストにおいてブリツジ回路の平衡点が10％
以上も変動した。つまり、接合部がダイヤフラムに悪影
響を及ぼしており、本発明の如き効果は得られなかつ
た。
本発明の他の実施例として、１Ωcmのｎ型シリコン
（100）と10Ωcmのｎ型シリコン（111）のウエハー（20
mmφ）を用意し、接着すべき面を鏡面研磨し、水洗後沸
酸−硝酸−酢酸＝1:3:2のエツチング液で表面をエツチ
ングし清浄化すると共に撥水性とした。手早く水洗，乾
燥した後、クリーンベンチ中で30分放置し、表面が親水
性となつた事を確認後、両面をクリーンルーム中で接合
し、得られた接合体を窒素中で500℃まで加熱した。得
られた接着体の導通を調べた所良好なオーミツク特性を
示し、障壁のない事が確認された。
（100）と10Ωcmのｎ型シリコン（111）のウエハー（20
mmφ）を用意し、接着すべき面を鏡面研磨し、水洗後沸
酸−硝酸−酢酸＝1:3:2のエツチング液で表面をエツチ
ングし清浄化すると共に撥水性とした。手早く水洗，乾
燥した後、クリーンベンチ中で30分放置し、表面が親水
性となつた事を確認後、両面をクリーンルーム中で接合
し、得られた接合体を窒素中で500℃まで加熱した。得
られた接着体の導通を調べた所良好なオーミツク特性を
示し、障壁のない事が確認された。
尚、本発明は上述した実施例にのみ限定されるもので
はない。その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
はない。その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
第１図は半導体圧力変換器の構成を示す図、第２図は本
発明方法によるシリコン結晶接合体の熱処理温度に対す
る破壊応力の関係を示す図である。 １……シリコン単結晶板、２……起歪抵抗ゲージ、３…
…基板、４……接着剤、５……孔。
発明方法によるシリコン結晶接合体の熱処理温度に対す
る破壊応力の関係を示す図である。 １……シリコン単結晶板、２……起歪抵抗ゲージ、３…
…基板、４……接着剤、５……孔。
Claims (2)
- 【請求項１】２つのシリコン結晶体の接合面をそれぞれ
鏡面研磨してから、この研磨面を撥水性にして、さらに
各研磨面を実質的に異物が介入しない空気中に晒すこと
により親水性にして酸化膜を形成し、その後これらの接
合面間に実質的に異物が介在しない条件下で上記接合面
を直接密着させて接合した後、この接合されたシリコン
結晶体を200℃以上の温度で熱処理することを特徴とす
るシリコン結晶体の接合方法。 - 【請求項２】実質的に異物が介在しない条件は、ゴミ浮
遊量が20個／m3以下のクリーンルームにより実現される
ものである特許請求の範囲第１項記載のシリコン結晶体
の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58229167A JPH0831403B2 (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | シリコン結晶体の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58229167A JPH0831403B2 (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | シリコン結晶体の接合方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6316099A Division JP2602003B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | シリコン結晶体の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121776A JPS60121776A (ja) | 1985-06-29 |
| JPH0831403B2 true JPH0831403B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=16887833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58229167A Expired - Lifetime JPH0831403B2 (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | シリコン結晶体の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831403B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0691147B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1994-11-14 | 信越半導体株式会社 | 接合ウエーハ検査方法 |
| US5451547A (en) * | 1991-08-26 | 1995-09-19 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor substrate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4840372A (ja) * | 1971-09-17 | 1973-06-13 |
-
1983
- 1983-12-06 JP JP58229167A patent/JPH0831403B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60121776A (ja) | 1985-06-29 |
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