JPH08318232A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
- Publication number
- JPH08318232A JPH08318232A JP12477795A JP12477795A JPH08318232A JP H08318232 A JPH08318232 A JP H08318232A JP 12477795 A JP12477795 A JP 12477795A JP 12477795 A JP12477795 A JP 12477795A JP H08318232 A JPH08318232 A JP H08318232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- cleaning
- immersed
- solvent
- aqueous solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000005406 washing Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- -1 naphthene hydrocarbon Chemical class 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000003895 groundwater pollution Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007601 warm air drying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 加工後の光学部品等の部材の洗浄ラインを短
縮する。 【構成】 加工後の被洗浄物を非水系溶剤に浸漬して超
音波により洗浄した後、親水性溶剤または揮発性の高い
非水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄する。あるいは
加工後の被洗浄物を被水系溶剤に浸漬して超音波により
洗浄した後、親水性溶剤に浸漬して超音波により洗浄
し、更に揮発性の高い非水系溶剤に浸漬して超音波によ
り洗浄する。
縮する。 【構成】 加工後の被洗浄物を非水系溶剤に浸漬して超
音波により洗浄した後、親水性溶剤または揮発性の高い
非水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄する。あるいは
加工後の被洗浄物を被水系溶剤に浸漬して超音波により
洗浄した後、親水性溶剤に浸漬して超音波により洗浄
し、更に揮発性の高い非水系溶剤に浸漬して超音波によ
り洗浄する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は機構部材等の金属部品、
レンズ、プリズム等の光学部品、電子部品を実装する実
装基板やリードフレーム等の電気部品を精密に洗浄する
洗浄方法に関する。
レンズ、プリズム等の光学部品、電子部品を実装する実
装基板やリードフレーム等の電気部品を精密に洗浄する
洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】上述のような各種部品の精密洗浄の従来
方法としては、特開平５−６８９５１号公報に開示され
ている。この方法は、パークロルエチレン等の塩素系
溶剤による脱脂工程、界面活性剤による水系への置換
工程、市水及び界面活性剤による仕上げ洗浄工程、
市水によるリンス工程、温純水への浸漬及び引き上げ
工程、温風吹きつけによる乾燥工程を有し、全部で６
工程によって洗浄している。
方法としては、特開平５−６８９５１号公報に開示され
ている。この方法は、パークロルエチレン等の塩素系
溶剤による脱脂工程、界面活性剤による水系への置換
工程、市水及び界面活性剤による仕上げ洗浄工程、
市水によるリンス工程、温純水への浸漬及び引き上げ
工程、温風吹きつけによる乾燥工程を有し、全部で６
工程によって洗浄している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来方法で
は、全部で６工程を必要としており、長い洗浄工程とな
っている。また塩素系溶剤を用いているため、地下水汚
染等の環境、人体に及ぼす影響が大きいという問題があ
ると共に、近い将来、塩素系溶剤使用の規制の可能性が
ある。さらには、リンス工程及び引き上げ工程では水を
用いているところから、乾燥後に被洗浄物の表面にシミ
が発生する問題を有している。
は、全部で６工程を必要としており、長い洗浄工程とな
っている。また塩素系溶剤を用いているため、地下水汚
染等の環境、人体に及ぼす影響が大きいという問題があ
ると共に、近い将来、塩素系溶剤使用の規制の可能性が
ある。さらには、リンス工程及び引き上げ工程では水を
用いているところから、乾燥後に被洗浄物の表面にシミ
が発生する問題を有している。
【０００４】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、洗浄工程を短縮でき、しかも環境、人体
に悪影響なく、さらには被洗浄物表面にシミ等の発生の
ない洗浄方法を提供することを目的とする。
たものであり、洗浄工程を短縮でき、しかも環境、人体
に悪影響なく、さらには被洗浄物表面にシミ等の発生の
ない洗浄方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】本発明の洗浄
方法は、加工後の被洗浄物を非水系溶剤に浸漬して超音
波により洗浄した後、親水性溶剤または揮発性の高い非
水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄するものである。
方法は、加工後の被洗浄物を非水系溶剤に浸漬して超音
波により洗浄した後、親水性溶剤または揮発性の高い非
水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄するものである。
【０００６】この方法における作用を光学部品を例とし
て説明する。レンズ等の光学部品は加工によりピッチ、
保護膜等が表面に付着しており、この光学部品を適当に
加温した非水系溶剤に浸漬し、超音波を作用させると、
ピッチは超音波の物理力と溶剤の溶解力とにより剥離或
いは溶解する。次に、この光学部品を親水性溶剤あるい
は揮発性の高い非水系溶剤に浸漬して超音波を作用させ
る。この工程では、前工程での非水系溶剤が超音波の物
理力と液の相溶性により、親水性溶剤あるいは揮発性の
高い非水系溶剤へ置換される。このとき、たとえ、非水
系溶剤を用いる第１の工程でピッチが若干残留していて
も、この第２の工程の親水性溶剤或いは非水系溶剤への
浸漬により完全に除去される。また、この場合、親水性
溶剤と揮発性の高い非水系溶剤は常温での蒸気圧が比較
的高いものを選択することにより、乾燥を速やかに行う
ことができる。
て説明する。レンズ等の光学部品は加工によりピッチ、
保護膜等が表面に付着しており、この光学部品を適当に
加温した非水系溶剤に浸漬し、超音波を作用させると、
ピッチは超音波の物理力と溶剤の溶解力とにより剥離或
いは溶解する。次に、この光学部品を親水性溶剤あるい
は揮発性の高い非水系溶剤に浸漬して超音波を作用させ
る。この工程では、前工程での非水系溶剤が超音波の物
理力と液の相溶性により、親水性溶剤あるいは揮発性の
高い非水系溶剤へ置換される。このとき、たとえ、非水
系溶剤を用いる第１の工程でピッチが若干残留していて
も、この第２の工程の親水性溶剤或いは非水系溶剤への
浸漬により完全に除去される。また、この場合、親水性
溶剤と揮発性の高い非水系溶剤は常温での蒸気圧が比較
的高いものを選択することにより、乾燥を速やかに行う
ことができる。
【０００７】本発明の別の洗浄方法は、加工後の被洗浄
物を被水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄した後、親
水性溶剤に浸漬して超音波により洗浄し、更に揮発性の
高い非水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄するもので
ある。
物を被水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄した後、親
水性溶剤に浸漬して超音波により洗浄し、更に揮発性の
高い非水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄するもので
ある。
【０００８】この方法は非水系溶剤内での超音波洗浄の
後、親水性溶剤に浸漬することにより、イオン的極性の
汚れを除去する。その後、水を全く含まない非水系溶剤
で仕上げる為、非洗浄物の表面はレベルの高い仕上がり
状態となる。
後、親水性溶剤に浸漬することにより、イオン的極性の
汚れを除去する。その後、水を全く含まない非水系溶剤
で仕上げる為、非洗浄物の表面はレベルの高い仕上がり
状態となる。
【０００９】本発明では、このような非水系溶剤、親水
性溶剤及び揮発性の高い非水系溶剤を収納する洗浄槽を
複数とすることができ、これにより、二次付着のない良
好な工程を設定できる。この洗浄槽の数は投入される被
洗浄物の数と要求される洗浄品質により調整されるが、
概して洗浄ラインで５〜１０槽、洗浄タクトが無視でき
る場合は２〜５槽の数で十分であり、これにより工程数
が少なくなり、ラインの短縮化を行うことができる。
性溶剤及び揮発性の高い非水系溶剤を収納する洗浄槽を
複数とすることができ、これにより、二次付着のない良
好な工程を設定できる。この洗浄槽の数は投入される被
洗浄物の数と要求される洗浄品質により調整されるが、
概して洗浄ラインで５〜１０槽、洗浄タクトが無視でき
る場合は２〜５槽の数で十分であり、これにより工程数
が少なくなり、ラインの短縮化を行うことができる。
【００１０】本発明において、非水系溶剤として、商品
名「ＥＥ−４１１０」、「ＥＥ−４２１０」（オリンパ
ス光学工業（株）製）、イソパラフィン系炭化水素、ナ
フテン系炭化水素等の内、１種または複数を選択するこ
とができる。親水性溶剤としては、イソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）、エタノール等のアルコールの内の１種
または複数を選択することができる。揮発性の高い非水
系溶剤としては、商品名「ＥＥ−３１１０」（オリンパ
ス光学工業（株）製）、イソパラフィン系炭化水素、ナ
フテン系炭化水素等の内の１種または複数を選択するこ
とができる。この場合、この揮発性の高い非水系溶剤と
しては、沸点が３０〜２００℃の範囲のものが好適であ
る。このような低い沸点の溶剤は常温での蒸気圧が比較
的高く、乾燥し易いためである。
名「ＥＥ−４１１０」、「ＥＥ−４２１０」（オリンパ
ス光学工業（株）製）、イソパラフィン系炭化水素、ナ
フテン系炭化水素等の内、１種または複数を選択するこ
とができる。親水性溶剤としては、イソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）、エタノール等のアルコールの内の１種
または複数を選択することができる。揮発性の高い非水
系溶剤としては、商品名「ＥＥ−３１１０」（オリンパ
ス光学工業（株）製）、イソパラフィン系炭化水素、ナ
フテン系炭化水素等の内の１種または複数を選択するこ
とができる。この場合、この揮発性の高い非水系溶剤と
しては、沸点が３０〜２００℃の範囲のものが好適であ
る。このような低い沸点の溶剤は常温での蒸気圧が比較
的高く、乾燥し易いためである。
【００１１】
（実施例１）図１は本発明の実施例１を示す。第１槽１
〜第４槽４は第１工程に用いられ、これらの槽１〜４に
は非水系溶剤である商品名「ＥＥ−４１１０」の洗浄液
が充填されている。この洗浄剤「ＥＥ−４１１０」はオ
リンパス光学工業（株）製の炭化水素系のピッチ、ワッ
クス専用洗浄液である。
〜第４槽４は第１工程に用いられ、これらの槽１〜４に
は非水系溶剤である商品名「ＥＥ−４１１０」の洗浄液
が充填されている。この洗浄剤「ＥＥ−４１１０」はオ
リンパス光学工業（株）製の炭化水素系のピッチ、ワッ
クス専用洗浄液である。
【００１２】第５槽５〜第７槽７は第２工程に用いら
れ、ＩＰＡが充填されており、第１工程に用いられた
「ＥＥ−４１１０」をＩＰＡに置換する。第８層８は第
３工程に用いられ、エアーブローによって液切りを行
う。第９槽９は第４工程に用いられ、温風乾燥を行う。
れ、ＩＰＡが充填されており、第１工程に用いられた
「ＥＥ−４１１０」をＩＰＡに置換する。第８層８は第
３工程に用いられ、エアーブローによって液切りを行
う。第９槽９は第４工程に用いられ、温風乾燥を行う。
【００１３】このような構成に対して、洗浄サンプルと
して、研磨後のピッチ付きのレンズを１列、２０個入れ
の三点支持の洗浄かごに３列並べて配置した。すなわ
ち、本実施例ではレンズが１カゴに６０個配置したもの
をサンプルとして、洗浄した。第１槽１〜第７槽の底部
には２８ＫＨｚ／６００Ｗの出力の超音波振動子が取り
付けられている。
して、研磨後のピッチ付きのレンズを１列、２０個入れ
の三点支持の洗浄かごに３列並べて配置した。すなわ
ち、本実施例ではレンズが１カゴに６０個配置したもの
をサンプルとして、洗浄した。第１槽１〜第７槽の底部
には２８ＫＨｚ／６００Ｗの出力の超音波振動子が取り
付けられている。
【００１４】洗浄条件は第１〜４槽の液温が６０℃、第
５〜７槽の液温が２５〜３０℃、第８槽のエアー温度が
常温、第９槽の温風が８０℃に設定した。第１槽１と第
４槽４とは、蒸留再生機２１によって連結されており、
第１槽の汚液は蒸留再生機２１で再生されて、第４槽に
供給される。第４槽４からオーバーフローした溶剤は第
３槽３に流入し、以降、順次前槽に流入して第１槽まで
導かれる。第５槽５〜７槽７は各槽単独でフィルタリン
グされ、循環する構造となっている。各槽の循環流量は
５リットル／ｍｉｎとした。洗浄タクトは９０ｓｅｃと
し、搬送時間を除いた正味の洗浄時間は６０ｓｅｃであ
った。
５〜７槽の液温が２５〜３０℃、第８槽のエアー温度が
常温、第９槽の温風が８０℃に設定した。第１槽１と第
４槽４とは、蒸留再生機２１によって連結されており、
第１槽の汚液は蒸留再生機２１で再生されて、第４槽に
供給される。第４槽４からオーバーフローした溶剤は第
３槽３に流入し、以降、順次前槽に流入して第１槽まで
導かれる。第５槽５〜７槽７は各槽単独でフィルタリン
グされ、循環する構造となっている。各槽の循環流量は
５リットル／ｍｉｎとした。洗浄タクトは９０ｓｅｃと
し、搬送時間を除いた正味の洗浄時間は６０ｓｅｃであ
った。
【００１５】表１はこの実施例によって洗浄した結果を
示す。同表における評価は反射防止膜をコーティングし
た後、蛍光灯下での目視によるシミ発生数で判断した。
結果は、従来のピッチ洗浄ライン（比較例１）とほぼ同
等の良好な結果となったが、本実施例は比較例１（図４
参照）に比べて、洗浄槽数を３槽減少させることができ
た。
示す。同表における評価は反射防止膜をコーティングし
た後、蛍光灯下での目視によるシミ発生数で判断した。
結果は、従来のピッチ洗浄ライン（比較例１）とほぼ同
等の良好な結果となったが、本実施例は比較例１（図４
参照）に比べて、洗浄槽数を３槽減少させることができ
た。
【００１６】
【表１】
【００１７】（実施例２）図２は本発明の実施例２の構
成を示し、実施例１と同様な要素は同一の符号により対
応させてある。本実施例では第１槽１〜第４槽４は第１
工程であり、「ＥＥ−４１１０」を用いたピッチ除去を
行う。第５槽５〜第７槽７は第２工程であり、ＩＰＡを
用いてＥＥ−４１１０の置換を行う。第８槽８及び第９
槽９は第３工程であり、「ＥＥ−３１１０」を用いてＩ
ＰＡの置換を行う。第１０槽１０は第４工程であり、温
風による乾燥を行う。「ＥＥ−３１１０」はオリンパス
光学工業（株）製のフロンに替わるシリコーン系乾燥専
用液である。洗浄サンプルとしては、実験例１と全く同
様のサンプルを用い、洗浄タクトタイム等の条件は実施
例１と全く同条件で洗浄を実施した。但し、第８槽８及
び第９槽９における「ＥＥ−３１１０」の液温は常温
（２５℃）とし、第９槽９の引き上げ速度を１．５〜３
ｍｍ／ｓｅｃの低速で行った。
成を示し、実施例１と同様な要素は同一の符号により対
応させてある。本実施例では第１槽１〜第４槽４は第１
工程であり、「ＥＥ−４１１０」を用いたピッチ除去を
行う。第５槽５〜第７槽７は第２工程であり、ＩＰＡを
用いてＥＥ−４１１０の置換を行う。第８槽８及び第９
槽９は第３工程であり、「ＥＥ−３１１０」を用いてＩ
ＰＡの置換を行う。第１０槽１０は第４工程であり、温
風による乾燥を行う。「ＥＥ−３１１０」はオリンパス
光学工業（株）製のフロンに替わるシリコーン系乾燥専
用液である。洗浄サンプルとしては、実験例１と全く同
様のサンプルを用い、洗浄タクトタイム等の条件は実施
例１と全く同条件で洗浄を実施した。但し、第８槽８及
び第９槽９における「ＥＥ−３１１０」の液温は常温
（２５℃）とし、第９槽９の引き上げ速度を１．５〜３
ｍｍ／ｓｅｃの低速で行った。
【００１８】表２は本実施例の洗浄の結果を示す。評価
は洗浄後の蛍光灯下の呼気試験によるシミの発生数で判
断した。表２における槽の増減は実施例１との比較の槽
数であり、実施例１よりも１槽増しただけとなっている
が、図４に示す比較例１に比べて、槽数が２槽少なくな
っている。
は洗浄後の蛍光灯下の呼気試験によるシミの発生数で判
断した。表２における槽の増減は実施例１との比較の槽
数であり、実施例１よりも１槽増しただけとなっている
が、図４に示す比較例１に比べて、槽数が２槽少なくな
っている。
【００１９】
【表２】
【００２０】（実施例３）図３は本発明の実施例３の構
成を示す。第１槽１及び第２槽２は第１工程であり、
「ＥＥ−４１１０」によりピッチを除去する。第３槽３
及び第４槽４は第２工程であり、「ＥＥ−３１１０」に
より「ＥＥ−４１１０」を置換する。第５槽５は「ＥＥ
−３１１０」の液切りを行う第３工程、第６槽６は温風
によって乾燥を行う第４工程である。
成を示す。第１槽１及び第２槽２は第１工程であり、
「ＥＥ−４１１０」によりピッチを除去する。第３槽３
及び第４槽４は第２工程であり、「ＥＥ−３１１０」に
より「ＥＥ−４１１０」を置換する。第５槽５は「ＥＥ
−３１１０」の液切りを行う第３工程、第６槽６は温風
によって乾燥を行う第４工程である。
【００２１】洗浄サンプルとしては、レンズピッチが残
っているリセス皿を用い、洗浄時間を各槽３分とした。
なおリセス皿は直径が５０ｍｍ程度の微小レンズ用のも
のである。第１槽１〜第４槽４の底部には超音波振動子
２０が取り付けられている。また第１槽１と第２槽２は
蒸留再生機２１によって連結され、第１槽１の汚液が蒸
留再生されて、第２槽２に再供給される。第３槽３及び
第４槽４内の「ＥＥ−３１１０」液は図示を省略した予
備槽と循環する構造となっており、フィルタリングが行
われる。フィルタリング流量及び再生流量とも、３リッ
トル／ｍｉｎ程度に調整した。第１槽１及び第２槽２の
液温は４０°Ｃ、第３槽３及び第４槽４の液温は２５°
Ｃ、第５槽５のエアー温度は常温、第６槽６の温風温度
は６０°Ｃとした。
っているリセス皿を用い、洗浄時間を各槽３分とした。
なおリセス皿は直径が５０ｍｍ程度の微小レンズ用のも
のである。第１槽１〜第４槽４の底部には超音波振動子
２０が取り付けられている。また第１槽１と第２槽２は
蒸留再生機２１によって連結され、第１槽１の汚液が蒸
留再生されて、第２槽２に再供給される。第３槽３及び
第４槽４内の「ＥＥ−３１１０」液は図示を省略した予
備槽と循環する構造となっており、フィルタリングが行
われる。フィルタリング流量及び再生流量とも、３リッ
トル／ｍｉｎ程度に調整した。第１槽１及び第２槽２の
液温は４０°Ｃ、第３槽３及び第４槽４の液温は２５°
Ｃ、第５槽５のエアー温度は常温、第６槽６の温風温度
は６０°Ｃとした。
【００２２】表３は本実施例の洗浄結果を示す。評価は
蛍光灯下での目視により、皿面くぼみのピッチが完全に
除去されているかで行った。本実施例の結果は図５に示
す比較例２と同等に良好なレベルとなっている。
蛍光灯下での目視により、皿面くぼみのピッチが完全に
除去されているかで行った。本実施例の結果は図５に示
す比較例２と同等に良好なレベルとなっている。
【００２３】
【表３】
【００２４】（比較例１）図４は比較例１の構成を示
す。第１槽１〜第４槽４はパークロルエチレンを用いた
ピッチ除去を行う第１工程、第５槽５〜第７槽７は界面
活性剤を用いたパークロルエチレンの乳化を行う第２工
程、第８槽８及び第９槽９は市水を用いた界面活性剤の
置換を行う第３工程、第１０槽１０〜第１１槽１１は温
純水を用いた市水の置換を行う第３工程、第１２槽１２
は温風によって乾燥を行う第４工程である。この比較例
における洗浄サンプル、洗浄条件は実施例１及び２と同
様であり、その結果を表１に示す。
す。第１槽１〜第４槽４はパークロルエチレンを用いた
ピッチ除去を行う第１工程、第５槽５〜第７槽７は界面
活性剤を用いたパークロルエチレンの乳化を行う第２工
程、第８槽８及び第９槽９は市水を用いた界面活性剤の
置換を行う第３工程、第１０槽１０〜第１１槽１１は温
純水を用いた市水の置換を行う第３工程、第１２槽１２
は温風によって乾燥を行う第４工程である。この比較例
における洗浄サンプル、洗浄条件は実施例１及び２と同
様であり、その結果を表１に示す。
【００２５】（比較例２）図５は実施例３に対応する比
較例２の構成を示す。第１槽１〜第３槽３はトリクレン
を用いたピッチ除去工程であり、超音波振動子２０によ
り超音波洗浄を行う。第４槽４は乾燥工程であり、トリ
クレンベーパーを用いている。洗浄サンプル及び洗浄条
件を実施例３と同様に行ったところ、洗浄品質に問題は
なかった。
較例２の構成を示す。第１槽１〜第３槽３はトリクレン
を用いたピッチ除去工程であり、超音波振動子２０によ
り超音波洗浄を行う。第４槽４は乾燥工程であり、トリ
クレンベーパーを用いている。洗浄サンプル及び洗浄条
件を実施例３と同様に行ったところ、洗浄品質に問題は
なかった。
【００２６】
【発明の効果】本発明は加工後の被洗浄物を非水系溶剤
に浸漬して超音波により洗浄した後、親水性溶剤または
揮発性の高い非水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄す
るものであり、また、加工後の被洗浄物を被水系溶剤に
浸漬して超音波により洗浄した後、親水性溶剤に浸漬し
て超音波により洗浄し、更に揮発性の高い非水系溶剤に
浸漬して超音波により洗浄するものであり、これらによ
り、良好な洗浄仕上がりとすることができると共に、洗
浄ラインを短縮することができる。
に浸漬して超音波により洗浄した後、親水性溶剤または
揮発性の高い非水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄す
るものであり、また、加工後の被洗浄物を被水系溶剤に
浸漬して超音波により洗浄した後、親水性溶剤に浸漬し
て超音波により洗浄し、更に揮発性の高い非水系溶剤に
浸漬して超音波により洗浄するものであり、これらによ
り、良好な洗浄仕上がりとすることができると共に、洗
浄ラインを短縮することができる。
【図１】実施例１の構成を示す側面図。
【図２】実施例２の構成を示す側面図。
【図３】実施例３の構成を示す側面図。
【図４】比較例１の構成を示す側面図。
【図５】比較例２の構成を示す側面図。
Claims (2)
- 【請求項１】 加工後の被洗浄物を非水系溶剤に浸漬し
て超音波により洗浄した後、親水性溶剤または揮発性の
高い非水系溶剤に浸漬して超音波により洗浄することを
特徴とする洗浄方法。 - 【請求項２】 加工後の被洗浄物を被水系溶剤に浸漬し
て超音波により洗浄した後、親水性溶剤に浸漬して超音
波により洗浄し、更に揮発性の高い非水系溶剤に浸漬し
て超音波により洗浄することを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12477795A JPH08318232A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12477795A JPH08318232A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08318232A true JPH08318232A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14893863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12477795A Withdrawn JPH08318232A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08318232A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603248B1 (en) | 1998-03-24 | 2003-08-05 | Corning Incorporated | External electrode driven discharge lamp |
| KR101446121B1 (ko) * | 2013-02-13 | 2014-10-30 | 동원이엠 주식회사 | 속성 건조수단을 구비한 세정장치 |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP12477795A patent/JPH08318232A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603248B1 (en) | 1998-03-24 | 2003-08-05 | Corning Incorporated | External electrode driven discharge lamp |
| US6981903B2 (en) | 1998-03-24 | 2006-01-03 | Corning Incorporated | External electrode driven discharge lamp |
| KR101446121B1 (ko) * | 2013-02-13 | 2014-10-30 | 동원이엠 주식회사 | 속성 건조수단을 구비한 세정장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2763270B2 (ja) | 洗浄方法、洗浄装置、洗浄組成物および蒸気乾燥組成物 | |
| US5334258A (en) | Washing method | |
| JP2002273358A (ja) | 光学素子の洗浄方法 | |
| JPH08318232A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP3916717B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2002256295A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP4767002B2 (ja) | プレ洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP3476901B2 (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP3518892B2 (ja) | 精密洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP3398241B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2756381B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH07265816A (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP2951862B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH06122898A (ja) | 洗浄組成物および洗浄方法 | |
| JP2002177908A (ja) | 光学部品の洗浄方法 | |
| JPH08168603A (ja) | 精密光学素子の洗浄方法 | |
| JPH10195080A (ja) | 共沸組成物、これを用いた水切り蒸気乾燥剤、水切り蒸気乾燥方法および水切り蒸気乾燥装置 | |
| JPH06178967A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH07328563A (ja) | 洗浄乾燥方法 | |
| JP3541590B2 (ja) | 純水を用いた洗浄方法 | |
| JPH0429787A (ja) | 部品の洗浄方法 | |
| JP3835768B2 (ja) | 精密光学素子の洗浄方法 | |
| JP3315273B2 (ja) | 電子部品搭載用基板の洗浄方法 | |
| JP2000347145A (ja) | コンタクトレンズ用溶液 | |
| RU2229153C2 (ru) | Способ реставрации дагерротипов |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |