JPH0832004A - Method of plating lead frame for semiconductor device - Google Patents

Method of plating lead frame for semiconductor device

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JPH0832004A
JPH0832004A JP18389294A JP18389294A JPH0832004A JP H0832004 A JPH0832004 A JP H0832004A JP 18389294 A JP18389294 A JP 18389294A JP 18389294 A JP18389294 A JP 18389294A JP H0832004 A JPH0832004 A JP H0832004A
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JP
Japan
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lead frame
plating
silver plating
lead
island
Prior art date
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Pending
Application number
JP18389294A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiromitsu Sasanami
弘光 笹浪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Goto Seisakusho KK
Original Assignee
Goto Seisakusho KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 リードフレームにおけるリード、アイランド
の側面の余分な銀メッキを除去して、銀メッキのマイグ
レーションを防止し、リードの絶縁低下を回避する。 【構成】 アウターリード、インナーリード3及びアイ
ランド4とを有するリードフレーム1をプレス加工等に
より形成した後、一面をシールして他面側のインナーリ
ード3の端部及びアイランド4に銀メッキ5を施す。そ
の後、メッキ面に弾性シール部材8を押し当てると共
に、反対面にマスク7をかけて所要部位を露出させ、露
出部分に剥離液Sを噴射して、アイランド4及びインナ
ーリード3の側面4b,3bに付着した銀メッキ5を除
去する。アイランド4,リード3の反メッキ面に吸湿性
の高いポリイミドテープを貼着しても、銀メッキ5がテ
ープに接触するすることがないから、銀メッキのマイグ
レーションが生じない。
(57) [Abstract] [Objective] Excessive silver plating on the sides of the leads and islands in the lead frame is removed to prevent migration of the silver plating and to prevent deterioration of lead insulation. [Structure] After forming a lead frame 1 having outer leads, inner leads 3 and islands 4 by pressing, etc., one surface is sealed and silver plating 5 is applied to the ends of the inner leads 3 on the other surface and the islands 4. Give. After that, the elastic seal member 8 is pressed against the plated surface, the mask 7 is applied to the opposite surface to expose a required portion, and the stripping solution S is sprayed on the exposed portion, so that the side surfaces 4b and 3b of the island 4 and the inner lead 3 are exposed. The silver plating 5 adhered to is removed. Even if a polyimide tape having high hygroscopicity is adhered to the anti-plating surface of the island 4 and the lead 3, the silver plating 5 does not come into contact with the tape, so that silver migration does not occur.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レームのアイランド及びインナーリードの所定部位に銀
メッキを施す方法の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a method of silver-plating islands and inner leads of a semiconductor device lead frame.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、リードフレームのアイランド及
びインナーリードの一部の表面には、銀メッキを施すこ
とが行われている。従来、このメッキ加工は、リードフ
レームにアイランド、インナーリード及びアウターリー
ドを形成した後、メッキを施す部分を除いて表面に弾力
性のあるゴムマスクをかけてメッキ液を噴射することに
より行っている。
2. Description of the Related Art Generally, the surface of a part of an island and inner leads of a lead frame is plated with silver. Conventionally, this plating process is performed by forming an island, an inner lead and an outer lead on a lead frame, and then spraying a plating solution with a resilient rubber mask on the surface excluding the portion to be plated.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
表面部はゴムマスクでシールできるが、リードフレーム
の板厚があるため、側面や裏面にも銀メッキが付着して
必要以上にメッキエリアが拡がってしまう。この場合、
例えばポリイミド等の電気絶縁性のテープをメッキの反
対面に貼着し、製造工程においてリードとアイランドを
支持するタイプの半導体装置では、側面のメッキがテー
プに接触することがある。テープは吸湿性が高いので、
側面の銀メッキがテープ上にマイグレーションを起こ
し、リード間の短絡を招来することがある。これに対し
て、リード側面への銀メッキの付着を防止するために、
リードフレームの素材にインナーリードの端部及びアイ
ランドのパターンに対応して銀メッキを施した後、プレ
ス成形するものもあるが、メッキパターンとリードフレ
ームの外形との位置合わせを高い精度で行うために大が
かりな設備等を要し、製作が容易でないという問題があ
る。そこで、本発明は、リードフレームの側面の余分な
銀メッキを除去して、銀メッキのマイグレーションをな
くし、リードの絶縁低下を防止し、また大がかりな設備
を要せず比較的容易に実施できる半導体装置用リードフ
レームのメッキ方法を提供することを課題としている。
In the above conventional method,
The surface can be sealed with a rubber mask, but because of the thickness of the lead frame, silver plating adheres to the side and back surfaces and the plating area expands more than necessary. in this case,
For example, in a semiconductor device of a type in which an electrically insulating tape made of polyimide or the like is attached to the surface opposite to the plating and the leads and the island are supported in the manufacturing process, the plating on the side surface may come into contact with the tape. The tape is highly hygroscopic, so
The silver plating on the side surface may cause migration on the tape, leading to a short circuit between leads. On the other hand, in order to prevent the silver plating from adhering to the side surface of the lead,
There is also a method in which the lead frame material is press-molded after silver plating corresponding to the inner lead end and island pattern, but it is necessary to align the plating pattern with the lead frame outer shape with high accuracy. However, there is a problem in that it requires large-scale equipment and is not easy to manufacture. Therefore, the present invention is a semiconductor that can be implemented relatively easily by removing excess silver plating on the side surface of the lead frame, eliminating migration of silver plating, preventing deterioration of lead insulation, and requiring no large-scale equipment. An object is to provide a method for plating a lead frame for a device.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、リードフレーム1におけるアイランド4及
び又はインナーリード3の表面の所定部分に銀メッキ5
を施した後、メッキ面をシール部材8でシールし、メッ
キ面の反対側から剥離液Sを噴射してアイランド4及び
インナリード3の側面に付着した銀メッキ5を除去する
半導体装置用リードフレームのメッキ方法を採用した。
According to the present invention, in order to solve the above problems, silver plating 5 is applied to a predetermined portion of the surface of the island 4 and / or the inner lead 3 in the lead frame 1.
Then, the plated surface is sealed with the sealing member 8, and the stripping solution S is sprayed from the side opposite to the plated surface to remove the silver plating 5 adhering to the side surfaces of the island 4 and the inner leads 3. Adopted the plating method.

【0005】[0005]

【作用】本発明の方法では、リードフレーム1のアイラ
ンド4及びインナーリード3の表面4a,3aの所定部
分に噴射法等で銀メッキ5を施す。次に、メッキ面を例
えばシール部材8などでシールして、メッキ面の裏面側
から剥離液Sを噴射し、表面4a,3a以外に付着した
銀メッキ5を除去する。従って、シールしたアイランド
4及びインナリード3の表面4a,3aの必要個所のみ
に銀メッキ5が残り、側面4b,3b等には銀メッキ5
がなく、ポリイミドテープ等を貼着しても銀メッキのマ
イグレーションが生じない。
In the method of the present invention, the silver 4 is applied to the island 4 of the lead frame 1 and the predetermined portions of the surfaces 4a, 3a of the inner leads 3 by a jet method or the like. Next, the plated surface is sealed with, for example, a seal member 8 and the stripping solution S is sprayed from the back surface side of the plated surface to remove the silver plating 5 attached to the surfaces other than the surfaces 4a and 3a. Therefore, the silver plating 5 remains only on the necessary portions of the surfaces 4a, 3a of the sealed island 4 and the inner leads 3, and the silver plating 5 remains on the side surfaces 4b, 3b.
No migration of silver plating occurs even when a polyimide tape or the like is attached.

【0006】[0006]

【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図1において、リードフレーム1には、アウターリード
2、インナーリード3及びアイランド4が形成されてい
る。インナリード3の先端付近の表面3a及びアイラン
ド4の表面4aには、銀メッキ5が施されている。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
In FIG. 1, an outer lead 2, an inner lead 3 and an island 4 are formed on a lead frame 1. The surface 3a near the tip of the inner lead 3 and the surface 4a of the island 4 are plated with silver.

【0007】このリードフレーム1のアウターリード
2、インナーリード3、及びアイランド4は、プレス加
工等により形成する。そして、図2に示すように、リー
ドフレーム1の一面に弾性シール部材6を密着させると
共に、反対面にメッキ範囲を限定するマスク7をかけ
て、メッキ液Pを噴射し、銀メッキ5を部分的に施す。
このとき、図3に示すように、インナリード3及びアイ
ランド4の表面3a,4aのみならず側面3b,4bに
も銀メッキ5が付着することとなる。
The outer lead 2, the inner lead 3 and the island 4 of the lead frame 1 are formed by press working or the like. Then, as shown in FIG. 2, the elastic seal member 6 is brought into close contact with one surface of the lead frame 1, the mask 7 for limiting the plating range is applied to the opposite surface, the plating solution P is jetted, and the silver plating 5 is partially covered. Give it.
At this time, as shown in FIG. 3, the silver plating 5 adheres not only to the surfaces 3a and 4a of the inner lead 3 and the island 4 but also to the side surfaces 3b and 4b.

【0008】次に、このリードフレーム1を表裏反転さ
せて、図5に示すように、メッキ面に弾性シール部材8
を押し当てる。また、リードフレーム1の反対側には、
マスク9がかけられ、メッキ面の裏面の所要部分のみが
露出する。そして、この露出部分に剥離液Sを噴射す
る。アイランド4及びインナーリード3の側面4b,3
bに付着した銀メッキ5は、図4に示すように、剥離液
Sによって除去され、シールしたアイランド4及びイン
ナーリード3の表面4a,3aのみに銀メッキ5が残
る。なお、剥離液Sによる銀メッキ5の剥離手段は電解
法又は化学法の何れであってもよい。また、本発明は図
示の実施例に限定されるものではなく、例えば、アイラ
ンドを有しないリードフレームにも適用することができ
る。
Next, the lead frame 1 is turned upside down and, as shown in FIG. 5, the elastic seal member 8 is applied to the plated surface.
Press against. Also, on the opposite side of the lead frame 1,
The mask 9 is applied, and only the required portion of the back surface of the plated surface is exposed. Then, the stripping solution S is sprayed on this exposed portion. Side surfaces 4b and 3 of the island 4 and the inner lead 3
As shown in FIG. 4, the silver plating 5 attached to b is removed by the stripping solution S, and the silver plating 5 remains only on the surfaces 4a and 3a of the sealed island 4 and the inner leads 3. The means for stripping the silver plating 5 with the stripping solution S may be an electrolytic method or a chemical method. Further, the present invention is not limited to the illustrated embodiment, but can be applied to a lead frame having no island, for example.

【0009】[0009]

【発明の効果】以上のように、本発明は、リードフレー
ム1におけるアイランド4及び又はインナーリード3の
表面の所定部分に銀メッキ5を施した後、メッキ面をシ
ール部材8でシールし、メッキ面の反対側から剥離液S
を噴射してアイランド4及びインナリード3の側面に付
着した銀メッキ5を除去する半導体装置用リードフレー
ムのメッキ方法を採用したため、アイランド4及びイン
ナーリード3の側面の余分な銀メッキ5を除去すること
ができ、銀メッキのマイグレーションがなく、リード間
の短絡を防止することができる。という効果を有する。
As described above, according to the present invention, after silver plating 5 is applied to a predetermined portion of the surface of the island 4 and / or the inner lead 3 in the lead frame 1, the plated surface is sealed with the seal member 8 and plated. Stripping solution S from the opposite side
Is used to remove the silver plating 5 attached to the side surfaces of the island 4 and the inner leads 3, and thus the excess silver plating 5 on the side surfaces of the island 4 and the inner leads 3 is removed. It is possible to prevent migration of silver plating and prevent short circuit between leads. Has the effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】リードフレームの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a lead frame.

【図2】メッキ工程の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a plating process.

【図3】メッキ加工後のリードフレームの一部の拡大断
面図である。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a part of the lead frame after plating.

【図4】剥離加工後のリードフレームの一部の拡大断面
図である。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a part of the lead frame after the peeling process.

【図5】剥離処理の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a peeling process.

【符号の説明】 1 リードフレーム 2 アウターリード 3 インナーリード 4 アイランド 5 銀メッキ 8 弾性シール部材 9 マスク P メッキ液 S 剥離液[Explanation of symbols] 1 lead frame 2 outer lead 3 inner lead 4 island 5 silver plating 8 elastic seal member 9 mask P plating solution S stripping solution

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 リードフレームにおけるアイランド及び
又はインナーリードの表面の所要部分に銀メッキを施し
た後、メッキ面をシール部材でシールし、メッキ面の反
対側から剥離液を噴射してアイランド及びインナリード
の側面に付着した銀メッキを除去することを特徴とする
半導体装置用リードフレームのメッキ方法。
1. A surface of an island and / or an inner lead of a lead frame is plated with silver, the plated surface is sealed with a sealing member, and a stripping solution is sprayed from the side opposite to the plated surface to release the island and the inner. A method for plating a lead frame for a semiconductor device, characterized in that the silver plating attached to the side surfaces of the leads is removed.
JP18389294A 1994-07-13 1994-07-13 Method of plating lead frame for semiconductor device Pending JPH0832004A (en)

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Cited By (1)

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