JPH0832004A - 半導体装置用リードフレームのメッキ方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームのメッキ方法Info
- Publication number
- JPH0832004A JPH0832004A JP18389294A JP18389294A JPH0832004A JP H0832004 A JPH0832004 A JP H0832004A JP 18389294 A JP18389294 A JP 18389294A JP 18389294 A JP18389294 A JP 18389294A JP H0832004 A JPH0832004 A JP H0832004A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- plating
- silver plating
- lead
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームにおけるリード、アイランド
の側面の余分な銀メッキを除去して、銀メッキのマイグ
レーションを防止し、リードの絶縁低下を回避する。 【構成】 アウターリード、インナーリード３及びアイ
ランド４とを有するリードフレーム１をプレス加工等に
より形成した後、一面をシールして他面側のインナーリ
ード３の端部及びアイランド４に銀メッキ５を施す。そ
の後、メッキ面に弾性シール部材８を押し当てると共
に、反対面にマスク７をかけて所要部位を露出させ、露
出部分に剥離液Ｓを噴射して、アイランド４及びインナ
ーリード３の側面４ｂ，３ｂに付着した銀メッキ５を除
去する。アイランド４，リード３の反メッキ面に吸湿性
の高いポリイミドテープを貼着しても、銀メッキ５がテ
ープに接触するすることがないから、銀メッキのマイグ
レーションが生じない。
の側面の余分な銀メッキを除去して、銀メッキのマイグ
レーションを防止し、リードの絶縁低下を回避する。 【構成】 アウターリード、インナーリード３及びアイ
ランド４とを有するリードフレーム１をプレス加工等に
より形成した後、一面をシールして他面側のインナーリ
ード３の端部及びアイランド４に銀メッキ５を施す。そ
の後、メッキ面に弾性シール部材８を押し当てると共
に、反対面にマスク７をかけて所要部位を露出させ、露
出部分に剥離液Ｓを噴射して、アイランド４及びインナ
ーリード３の側面４ｂ，３ｂに付着した銀メッキ５を除
去する。アイランド４，リード３の反メッキ面に吸湿性
の高いポリイミドテープを貼着しても、銀メッキ５がテ
ープに接触するすることがないから、銀メッキのマイグ
レーションが生じない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レームのアイランド及びインナーリードの所定部位に銀
メッキを施す方法の改良に関するものである。
レームのアイランド及びインナーリードの所定部位に銀
メッキを施す方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、リードフレームのアイランド及
びインナーリードの一部の表面には、銀メッキを施すこ
とが行われている。従来、このメッキ加工は、リードフ
レームにアイランド、インナーリード及びアウターリー
ドを形成した後、メッキを施す部分を除いて表面に弾力
性のあるゴムマスクをかけてメッキ液を噴射することに
より行っている。
びインナーリードの一部の表面には、銀メッキを施すこ
とが行われている。従来、このメッキ加工は、リードフ
レームにアイランド、インナーリード及びアウターリー
ドを形成した後、メッキを施す部分を除いて表面に弾力
性のあるゴムマスクをかけてメッキ液を噴射することに
より行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
表面部はゴムマスクでシールできるが、リードフレーム
の板厚があるため、側面や裏面にも銀メッキが付着して
必要以上にメッキエリアが拡がってしまう。この場合、
例えばポリイミド等の電気絶縁性のテープをメッキの反
対面に貼着し、製造工程においてリードとアイランドを
支持するタイプの半導体装置では、側面のメッキがテー
プに接触することがある。テープは吸湿性が高いので、
側面の銀メッキがテープ上にマイグレーションを起こ
し、リード間の短絡を招来することがある。これに対し
て、リード側面への銀メッキの付着を防止するために、
リードフレームの素材にインナーリードの端部及びアイ
ランドのパターンに対応して銀メッキを施した後、プレ
ス成形するものもあるが、メッキパターンとリードフレ
ームの外形との位置合わせを高い精度で行うために大が
かりな設備等を要し、製作が容易でないという問題があ
る。そこで、本発明は、リードフレームの側面の余分な
銀メッキを除去して、銀メッキのマイグレーションをな
くし、リードの絶縁低下を防止し、また大がかりな設備
を要せず比較的容易に実施できる半導体装置用リードフ
レームのメッキ方法を提供することを課題としている。
表面部はゴムマスクでシールできるが、リードフレーム
の板厚があるため、側面や裏面にも銀メッキが付着して
必要以上にメッキエリアが拡がってしまう。この場合、
例えばポリイミド等の電気絶縁性のテープをメッキの反
対面に貼着し、製造工程においてリードとアイランドを
支持するタイプの半導体装置では、側面のメッキがテー
プに接触することがある。テープは吸湿性が高いので、
側面の銀メッキがテープ上にマイグレーションを起こ
し、リード間の短絡を招来することがある。これに対し
て、リード側面への銀メッキの付着を防止するために、
リードフレームの素材にインナーリードの端部及びアイ
ランドのパターンに対応して銀メッキを施した後、プレ
ス成形するものもあるが、メッキパターンとリードフレ
ームの外形との位置合わせを高い精度で行うために大が
かりな設備等を要し、製作が容易でないという問題があ
る。そこで、本発明は、リードフレームの側面の余分な
銀メッキを除去して、銀メッキのマイグレーションをな
くし、リードの絶縁低下を防止し、また大がかりな設備
を要せず比較的容易に実施できる半導体装置用リードフ
レームのメッキ方法を提供することを課題としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、リードフレーム１におけるアイランド４及
び又はインナーリード３の表面の所定部分に銀メッキ５
を施した後、メッキ面をシール部材８でシールし、メッ
キ面の反対側から剥離液Ｓを噴射してアイランド４及び
インナリード３の側面に付着した銀メッキ５を除去する
半導体装置用リードフレームのメッキ方法を採用した。
決するため、リードフレーム１におけるアイランド４及
び又はインナーリード３の表面の所定部分に銀メッキ５
を施した後、メッキ面をシール部材８でシールし、メッ
キ面の反対側から剥離液Ｓを噴射してアイランド４及び
インナリード３の側面に付着した銀メッキ５を除去する
半導体装置用リードフレームのメッキ方法を採用した。
【０００５】
【作用】本発明の方法では、リードフレーム１のアイラ
ンド４及びインナーリード３の表面４ａ，３ａの所定部
分に噴射法等で銀メッキ５を施す。次に、メッキ面を例
えばシール部材８などでシールして、メッキ面の裏面側
から剥離液Ｓを噴射し、表面４ａ，３ａ以外に付着した
銀メッキ５を除去する。従って、シールしたアイランド
４及びインナリード３の表面４ａ，３ａの必要個所のみ
に銀メッキ５が残り、側面４ｂ，３ｂ等には銀メッキ５
がなく、ポリイミドテープ等を貼着しても銀メッキのマ
イグレーションが生じない。
ンド４及びインナーリード３の表面４ａ，３ａの所定部
分に噴射法等で銀メッキ５を施す。次に、メッキ面を例
えばシール部材８などでシールして、メッキ面の裏面側
から剥離液Ｓを噴射し、表面４ａ，３ａ以外に付着した
銀メッキ５を除去する。従って、シールしたアイランド
４及びインナリード３の表面４ａ，３ａの必要個所のみ
に銀メッキ５が残り、側面４ｂ，３ｂ等には銀メッキ５
がなく、ポリイミドテープ等を貼着しても銀メッキのマ
イグレーションが生じない。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図１において、リードフレーム１には、アウターリード
２、インナーリード３及びアイランド４が形成されてい
る。インナリード３の先端付近の表面３ａ及びアイラン
ド４の表面４ａには、銀メッキ５が施されている。
図１において、リードフレーム１には、アウターリード
２、インナーリード３及びアイランド４が形成されてい
る。インナリード３の先端付近の表面３ａ及びアイラン
ド４の表面４ａには、銀メッキ５が施されている。
【０００７】このリードフレーム１のアウターリード
２、インナーリード３、及びアイランド４は、プレス加
工等により形成する。そして、図２に示すように、リー
ドフレーム１の一面に弾性シール部材６を密着させると
共に、反対面にメッキ範囲を限定するマスク７をかけ
て、メッキ液Ｐを噴射し、銀メッキ５を部分的に施す。
このとき、図３に示すように、インナリード３及びアイ
ランド４の表面３ａ，４ａのみならず側面３ｂ，４ｂに
も銀メッキ５が付着することとなる。
２、インナーリード３、及びアイランド４は、プレス加
工等により形成する。そして、図２に示すように、リー
ドフレーム１の一面に弾性シール部材６を密着させると
共に、反対面にメッキ範囲を限定するマスク７をかけ
て、メッキ液Ｐを噴射し、銀メッキ５を部分的に施す。
このとき、図３に示すように、インナリード３及びアイ
ランド４の表面３ａ，４ａのみならず側面３ｂ，４ｂに
も銀メッキ５が付着することとなる。
【０００８】次に、このリードフレーム１を表裏反転さ
せて、図５に示すように、メッキ面に弾性シール部材８
を押し当てる。また、リードフレーム１の反対側には、
マスク９がかけられ、メッキ面の裏面の所要部分のみが
露出する。そして、この露出部分に剥離液Ｓを噴射す
る。アイランド４及びインナーリード３の側面４ｂ，３
ｂに付着した銀メッキ５は、図４に示すように、剥離液
Ｓによって除去され、シールしたアイランド４及びイン
ナーリード３の表面４ａ，３ａのみに銀メッキ５が残
る。なお、剥離液Ｓによる銀メッキ５の剥離手段は電解
法又は化学法の何れであってもよい。また、本発明は図
示の実施例に限定されるものではなく、例えば、アイラ
ンドを有しないリードフレームにも適用することができ
る。
せて、図５に示すように、メッキ面に弾性シール部材８
を押し当てる。また、リードフレーム１の反対側には、
マスク９がかけられ、メッキ面の裏面の所要部分のみが
露出する。そして、この露出部分に剥離液Ｓを噴射す
る。アイランド４及びインナーリード３の側面４ｂ，３
ｂに付着した銀メッキ５は、図４に示すように、剥離液
Ｓによって除去され、シールしたアイランド４及びイン
ナーリード３の表面４ａ，３ａのみに銀メッキ５が残
る。なお、剥離液Ｓによる銀メッキ５の剥離手段は電解
法又は化学法の何れであってもよい。また、本発明は図
示の実施例に限定されるものではなく、例えば、アイラ
ンドを有しないリードフレームにも適用することができ
る。
【０００９】
【発明の効果】以上のように、本発明は、リードフレー
ム１におけるアイランド４及び又はインナーリード３の
表面の所定部分に銀メッキ５を施した後、メッキ面をシ
ール部材８でシールし、メッキ面の反対側から剥離液Ｓ
を噴射してアイランド４及びインナリード３の側面に付
着した銀メッキ５を除去する半導体装置用リードフレー
ムのメッキ方法を採用したため、アイランド４及びイン
ナーリード３の側面の余分な銀メッキ５を除去すること
ができ、銀メッキのマイグレーションがなく、リード間
の短絡を防止することができる。という効果を有する。
ム１におけるアイランド４及び又はインナーリード３の
表面の所定部分に銀メッキ５を施した後、メッキ面をシ
ール部材８でシールし、メッキ面の反対側から剥離液Ｓ
を噴射してアイランド４及びインナリード３の側面に付
着した銀メッキ５を除去する半導体装置用リードフレー
ムのメッキ方法を採用したため、アイランド４及びイン
ナーリード３の側面の余分な銀メッキ５を除去すること
ができ、銀メッキのマイグレーションがなく、リード間
の短絡を防止することができる。という効果を有する。
【図１】リードフレームの平面図である。
【図２】メッキ工程の概略図である。
【図３】メッキ加工後のリードフレームの一部の拡大断
面図である。
面図である。
【図４】剥離加工後のリードフレームの一部の拡大断面
図である。
図である。
【図５】剥離処理の概略図である。
【符号の説明】 １ リードフレーム ２ アウターリード ３ インナーリード ４ アイランド ５ 銀メッキ ８ 弾性シール部材 ９ マスク Ｐ メッキ液 Ｓ 剥離液
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームにおけるアイランド及び
又はインナーリードの表面の所要部分に銀メッキを施し
た後、メッキ面をシール部材でシールし、メッキ面の反
対側から剥離液を噴射してアイランド及びインナリード
の側面に付着した銀メッキを除去することを特徴とする
半導体装置用リードフレームのメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18389294A JPH0832004A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 半導体装置用リードフレームのメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18389294A JPH0832004A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 半導体装置用リードフレームのメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832004A true JPH0832004A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16143645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18389294A Pending JPH0832004A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 半導体装置用リードフレームのメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832004A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073830A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5246774A (en) * | 1975-10-11 | 1977-04-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Process for production of lead frame for semiconductors |
| JPS6155949A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Hitachi Cable Ltd | めつき物の部分剥離法 |
| JPS61164245A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Toppan Printing Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPS61236147A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Toppan Printing Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
-
1994
- 1994-07-13 JP JP18389294A patent/JPH0832004A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5246774A (en) * | 1975-10-11 | 1977-04-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Process for production of lead frame for semiconductors |
| JPS6155949A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Hitachi Cable Ltd | めつき物の部分剥離法 |
| JPS61164245A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Toppan Printing Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPS61236147A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Toppan Printing Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073830A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
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