JPH08320570A - 電子線描画装置 - Google Patents

電子線描画装置

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JPH08320570A
JPH08320570A JP12620195A JP12620195A JPH08320570A JP H08320570 A JPH08320570 A JP H08320570A JP 12620195 A JP12620195 A JP 12620195A JP 12620195 A JP12620195 A JP 12620195A JP H08320570 A JPH08320570 A JP H08320570A
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JP
Japan
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electron beam
sample
sample chamber
objective lens
lens group
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Application number
JP12620195A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Ito
博之 伊藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】電子線カラム1の対物レンズ2を試料室5の固
定に梁構造を用いて上下端で固定する。 【効果】軽量で効果的な耐震構造を提供し描画精度を向
上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体やマスク原版上に
微細パターンを露光する電子線描画装置に係り、特に、
その電子線照射位置決め精度を向上するための電子線カ
ラムの保持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術は公知例:(Jpn., J., Appl.,
Vol.32(1993)pp6044−6048 太田
他)に示す通り、電子線カラム下部を試料室の蓋に固定
しその固定部の強度を最適化している。電子線描画装置
は、電子顕微鏡から発展した歴史があり、電子線カラム
の固定法も電子顕微鏡の技術から発展したものである。
公知例に示す従来技術も電子線カラムを固定部で1点支
持しその剛性改善、すなわち、試料室蓋の剛性改善を目
的としている。本質的に剛性改善のために重量が増加
し、特性の改善の他、保守性等に問題があった。特に高
速描画技術として重要なステージ連続移動描画では電子
線カラムの振動が精度上の問題となる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】外部振動や、装置内の
振動、特に試料ステージ移動により電子線カラムの横揺
れを防止し高精度の電子線照射位置決めを可能とする電
子線カラムの保持法を提供する。
【0004】
【課題を解決するための手段】電子線カラムの対物レン
ズ上端を試料室に対して梁で固定する。対物レンズ下端
を試料室に固定することにより、2点支持し横揺れを防
止する。
【0005】
【作用】試料室上面である電子線カラムの取付け部に概
略45度の梁を設け、対物レンズ上端に梁を固定する。
対物レンズ下端を試料室に固定することにより、2点支
持とする。ステージ連続移動描画の場合は連続移動方向
が通常固定であり、補強はその方向に一致させ横揺れを
防止する。
【0006】
【実施例】本発明の実施例を図1と図2を用いて説明す
る。図1は本発明の概略図を、図2は本発明を適用した
可変成形型電子線描画装置の説明図を示す。電子線描画
装置は図2に示す通り、一般に電子源1または成形絞り
像を縮小レンズで縮小し、対物レンズ2で試料14に投
影し、描画データに従い微細パターンを生成する。可変
成形型電子線描画装置では第一成形絞り7を成形レンズ
で第二成形絞り10に結像し、その透過位置を成形偏向
器8で制御しビーム断面形状を可変とした装置である。
【0007】縮小された電子ビームは対物レンズ2のビ
ーム偏向器13で照射位置が決定される。試料ステージ
16は試料14をビーム偏向範囲に移動させる。電子線
描画装置はステージ移動を描画位置に逐次移動させる、
いわゆる、ステップアンドリピート描画方式とステージ
を連続に移動させビーム偏向器13で追従する連続移動
描画が可能である。ステップアンドリピート描画では描
画前に整定時間を設けることにより機械的振動の影響を
低減できるが描画時間が増大する。連続移動描画では描
画密度の変化が少ない場合はステップアンドリピート方
式ほど、急速な加減速は発生しない利点がある。しか
し、機械的に常に動的な状態、すなわち、加振状態にあ
るといえる。そのため特に連続移動方向の電子線カラム
の横揺れが問題となる。図1は本発明の適用例である。
先の公知例での解析では一次の振動モードは電子線カラ
ムが試料室の固定点を支点とした100Hz程度の振り
子振動であり、支点の近くの補強が有効であると結論し
ている。実施例では対物レンズ上下端に梁を渡しカラム
を支持している。一般に対物レンズ上部には、数十分の
一にビームを縮小する縮小レンズが配置されるため縮小
レンズ以上の振動も同比で縮小されると考えられる。そ
のため、対物レンズのみの補強により経済的で効果的な
防振が可能である。本構造により電子線カラムの支持力
は試料室蓋強度には依存せずステージ移動方向に取付け
た梁強度に依存する。特に、連続移動の場合は連続移動
方向の梁を重点に強化すれば試料室蓋を薄く、従って全
体を軽量化できる。本実施例は、試料室に対して電子線
カラムの固定についてであるが、さらに試料室自体の架
台取付けについても適用可能である。
【0008】
【発明の効果】対物レンズ本体2点を試料室に梁で支持
する構造により、効果的に支持強度を向上できる。さら
に支持方向を電子線カラムをステージ移動方向に限定し
て構成あるいは強化すれば試料室蓋等を軽量化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の斜視図。
【図2】電子線描画装置の説明図。
【符号の説明】
1…電子線カラム、2…対物レンズ、3…固定梁、4…
試料室蓋、5…試料室。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子線を発生する電子銃と、前記電子線を
    成形絞りにより成形する成形レンズ群と、前記成形レン
    ズ群と成形ビームを縮小する縮小レンズ群と縮小した成
    形ビームを描画試料面に投影する対物レンズ群と投影像
    を偏向し照射位置決めをするビーム偏向器からなる電子
    線カラムと、偏向照射位置へ試料移動する試料ステージ
    と、前記試料ステージを真空に保持する試料室とからな
    る電子線照射機構において、 対物レンズの下部と上部を梁により前記試料室に固定し
    たことを特徴とする電子線描画装置。
  2. 【請求項2】ステージを連続に移動し前記ビーム偏向器
    で追従する描画方式で連続移動方向に請求項1に記載の
    補強をした電子線描画装置。
JP12620195A 1995-05-25 1995-05-25 電子線描画装置 Pending JPH08320570A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6794665B2 (en) 2002-04-22 2004-09-21 Hitachi High-Technologies Corporation Electron beam drawing apparatus
EP1577929A2 (en) 2004-03-16 2005-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
WO2013015019A1 (ja) * 2011-07-25 2013-01-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子装置
JP2017195304A (ja) * 2016-04-21 2017-10-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6794665B2 (en) 2002-04-22 2004-09-21 Hitachi High-Technologies Corporation Electron beam drawing apparatus
EP1577929A2 (en) 2004-03-16 2005-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
US7230257B2 (en) 2004-03-16 2007-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
WO2013015019A1 (ja) * 2011-07-25 2013-01-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子装置
JP2013026150A (ja) * 2011-07-25 2013-02-04 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子装置
CN103597571A (zh) * 2011-07-25 2014-02-19 株式会社日立高新技术 带电粒子装置
US8927930B2 (en) 2011-07-25 2015-01-06 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle device
JP2017195304A (ja) * 2016-04-21 2017-10-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム装置

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