JPH0832494B2 - 携帯形半導体記憶装置 - Google Patents

携帯形半導体記憶装置

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JPH0832494B2
JPH0832494B2 JP2217613A JP21761390A JPH0832494B2 JP H0832494 B2 JPH0832494 B2 JP H0832494B2 JP 2217613 A JP2217613 A JP 2217613A JP 21761390 A JP21761390 A JP 21761390A JP H0832494 B2 JPH0832494 B2 JP H0832494B2
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JP
Japan
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metal panel
insulating layer
circuit ground
metal
ground terminal
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善秀 森
隆幸 篠原
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0067Devices for protecting against damage from electrostatic discharge

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、例えばコンピュータの外部記憶媒体として
用いられるICカードなどの携帯形半導体記憶装置に係
り、詳しくは静電気放電に対処した構造に関する。
<従来の技術> 従来のICカードには、外装に金属パネルを用いたもの
がある。その外観を第3図の斜視図に示す。
同図において、1はICカードの本体、2は本体1の表
面に設けられた外装用の金属パネル、3はコネクタ、4
は内蔵基板の回路グランドに接続されるICカードのグラ
ンド端子である。
該ICカードの内部構造を第4図の断面図に示す。同図
において、5は回路基板、6は回路基板5に搭載された
素子、7は内蔵電池、8は電池7の負電極に接触する電
極片、9は正電極に接触する電極片である。このうち、
負電極用の電極片8は、回路基板5の回路グランドパタ
ーンを通じてコネクタ3の回路グランド端子4に直結さ
れており、該回路グランド端子4は、ICカードを所定の
システム機器に装着すると、システム機器の回路グラン
ドを通じて接地されるようになっている。
ここで、上記の素子6や部材どうしが金属パネル2を
通じて短絡しないように、金属パネル2の内面には、絶
縁層10が形成されている。この絶縁層10は、金属パネル
2に絶縁材を均一な厚みで塗布することにより形成され
ている。
そして、表裏の金属パネル2,2どうしは、その間に介
装したコンタクトばね11により互いに接続されて導通し
ており、このように導通することで、内部回路に対して
電磁シールドを構成している。
このように従来の金属パネル2を有するICカードで
は、金属パネル2と回路グランド端子4とが電気的に分
離された構造となっている。
ここで、ICカードが回路グランド端子4を通じて接地
されている状態で、金属パネル2に静電気放電によるノ
イズ(ESDノイズ)が印加された場合を考えてみると、
そのノイズが比較的低レベル(具体的には、金属パネル
2と回路グランド端子4との間の最小静電耐圧以下のレ
ベル)であるときは、両金属パネル2,2のシールド効果
で、ノイズは内部回路の信号に重畳することがなく、内
部回路に悪影響を及ぼさない。
<発明が解決しようとする課題> しかしながら、外来のESDノイズのレベルが高く、金
属パネル2と回路グランド端子4との間の静電耐圧を越
えるレベルである場合には、金属パネル2から内部回
路、回路グランド端子4を経由して放電が起こる。この
放電の際、ICカード内部では特定の放電経路はなく、放
電経路が不定であるから、多くの場合、内部の素子6に
放電電流が流れ、素子6の破壊や、データの変成(デー
タ化け)といった不都合が発生する。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであっ
て、低レベルのESDノイズに対しては、従来通り、シー
ルド効果を発揮することができ、高レベルのノイズに対
しては、常に最も安全な放電経路が形成されるようにし
て、素子の破壊やデータの変成等の不都合の発生を未然
に防止することができるICカードを提供することを課題
とする。
<課題を解決するための手段> 本発明は、上記の課題を達成するためには、本体表面
に金属パネルが設けられ、金属パネルの内面に絶縁層が
形成されたICカードであって、絶縁層に、回路グランド
端子に直結された金属片が近接配置され、絶縁層の各部
分のうち、前記金属片に対向する部分が、絶縁層の他の
部分より静電耐圧が低い低耐圧部に形成されている構成
とした。
<作用> 上記の構成において、低レベルのESDノイズが金属パ
ネルに印加された場合は、金属パネルのシールド効果
で、ノイズは遮断され、内部回路には加わらない。
高レベルのノイズが金属パネルに印加されると、金属
パネル、絶縁層の低耐圧部、金属片から回路グランド端
子に至る放電経路が形成され、放電電流は最短経路を通
って回路グランド側に流れ、内部の素子の悪影響を与え
ない。
<実施例> 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説
明する。
第1図は本発明の一実施例に係るICカードの断面図で
ある。
この実施例のICカードが、本体の表面に設けられた外
装用の金属パネル2と、金属パネル2の内面に設けられ
た絶縁層10と、各種素子を搭載した回路基板5と、内蔵
電池7と、電池7の負電極に接触する電極片8と、正電
極に接触する電極片9と、表裏の金属パネル2,2を導通
接続するコンタクトばね11とを有する点は、第3図およ
び第4図に示した従来のICカードと同じであり、ここで
は、第3図および第4図と同一の符号を付して、詳細な
説明は省略する。
この実施例のICカードでは、負電極用の電極片8が、
回路基板5の回路グランドパターンを通じて回路グラン
ド端子4に接続されているのであるが、この電極片8
は、金属パネル2側に近接配置されている。なお、この
回路グランド端子4は、端末機の接地端子に接続されて
いる。そして、絶縁層10の各部分のうち、負電極用の電
極片8と対向する部分は、ピンホール12を多数穿設する
ことで、絶縁層10の他の部分より静電耐圧が低い低耐圧
部10aに形成されている。ピンホール12の孔径は、絶縁
層10に負電極用の電極片8が密着しても、該電極片8と
金属パネル2とが短絡しない程度に充分に小さいものと
する。
ここで、ICカードがその回路グランド端子4を介して
接地されている状態で、高いレベルのESDノイズが金属
パネル2に印加されると、金属パネル2から回路グラン
ド端子4に放電電流が流れるが、その場合の放電経路に
は、絶縁耐圧の小さな部分が選択される。前記したよう
に、低耐圧部10aと負電極用の電極片8とに対応する部
分は、絶縁耐圧が他の部分より小さいから、金属パネル
2、低耐圧部10a、負電極用の電極片8から回路グラン
ド端子4に至る放電経路が形成され、放電電流は最短経
路を通って回路グランド側に流れる。したがって、素子
が破壊されたり、データが変成することがない。
一方、内部回路は、表裏の金属パネル2,2でシールド
されているから、低レベルのノイズが金属パネル2に印
加された場合は、ノイズは、金属パネル2のシールド効
果で遮断され、内部回路には加わらない。
第1図の実施例では、ピンホール12を穿設することで
低耐圧部10aを形成したが、この低耐圧部10aは、第2図
に示すように、負電極用の電極片8に対向する個所を、
他の部分より薄くすることによっても、低耐圧部10aと
することができる。
さらに、負電極用の電極片8に対向する部分を、絶縁
層10の他の部分より絶縁耐圧の低い他の絶縁材に置き換
えることでも、低耐圧部10aとすることができる。
以上のような手段により低耐圧部10aを形成した場合
も、ESDノイズに対して、第1図の実施例に関して説明
したのと同様の作用効果が得られる。
また、上記各実施例では、負電極用の電極片8を金属
パネル2に近接させて、該電極片8が放電経路の一部を
構成するようにしたが、その他、回路グランド端子4に
直結される他の搭載金属片を金属パネル2に近接させ
て、該金属片を放電経路の一部としてもよい。
<発明の効果> 以上述べたように、本発明によれば、金属パネルと、
絶縁層の低耐圧部と、負電極用の電極片のような近接金
属片とが、高いレベルのESDノイズに対して、回路グラ
ンド端子に至る最短で安全な放電経路を形成するから、
放電電流は内部回路を通らずに回路グランドに流れるこ
とになり、素子が破壊されたり、記憶データが変成され
るようなことがなく、静電気放電に対する耐性が向上す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係るICカードの要部断面
図、第2図は他の実施例の要部断面図である。 第3図および第4図は従来例に係り、第3図は外観斜視
図、第4図はその要部断面図である。 2……金属パネル、4……回路グランド端子、5……回
路基板、7……電池、8……負電極用の電極片(近接金
属片)、10……絶縁層、10a……低耐圧部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】本体表面に金属パネルが設けられ、金属パ
    ネルの内面に絶縁層が形成された携帯形半導体記憶装置
    であって、 絶縁層に、内蔵基板の回路グランドに直結された金属片
    が近接配置され、 絶縁層の各部分のうち、前記金属片に対向する部分が、
    絶縁層の他の部分より静電耐圧が低い低耐圧部に形成さ
    れている ことを特徴とする携帯形半導体記憶装置。
JP2217613A 1990-08-18 1990-08-18 携帯形半導体記憶装置 Expired - Lifetime JPH0832494B2 (ja)

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JP2217613A JPH0832494B2 (ja) 1990-08-18 1990-08-18 携帯形半導体記憶装置
US07/715,962 US5206783A (en) 1990-08-18 1991-06-17 Portable semiconductor memory unit
GB9113242A GB2247109B (en) 1990-08-18 1991-06-19 Portable semiconductor memory unit
DE4121888A DE4121888C2 (de) 1990-08-18 1991-07-02 IC-Karte

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