JPH08325564A - 有機薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
有機薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH08325564A JPH08325564A JP7137677A JP13767795A JPH08325564A JP H08325564 A JPH08325564 A JP H08325564A JP 7137677 A JP7137677 A JP 7137677A JP 13767795 A JP13767795 A JP 13767795A JP H08325564 A JPH08325564 A JP H08325564A
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 陽極２もしくは陰極６の少なくとも一方が透
明電極よりなる一対の電極間に、正孔注入輸送剤を含有
する正孔注入輸送層４と発光剤を含有する発光層５（正
孔注入輸送剤と発光剤を混合して一層としても良い）を
有し、前記陽極２と前記正孔注入輸送層４との間に、前
記陽極層２を接するようにして、キナクリドン誘導体を
含有する陽極界面層３を有することを特徴とする有機薄
膜ＥＬ素子である。 【構成】 陽極界面が安定化することによって、有機薄
膜ＥＬ素子の輝度の低下、高抵抗化を抑制することがで
き、結果として素子の長寿命化がはかれる。
明電極よりなる一対の電極間に、正孔注入輸送剤を含有
する正孔注入輸送層４と発光剤を含有する発光層５（正
孔注入輸送剤と発光剤を混合して一層としても良い）を
有し、前記陽極２と前記正孔注入輸送層４との間に、前
記陽極層２を接するようにして、キナクリドン誘導体を
含有する陽極界面層３を有することを特徴とする有機薄
膜ＥＬ素子である。 【構成】 陽極界面が安定化することによって、有機薄
膜ＥＬ素子の輝度の低下、高抵抗化を抑制することがで
き、結果として素子の長寿命化がはかれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は平面光源やディスプレイ
に使用される有機薄膜ＥＬ素子に関するものである。
に使用される有機薄膜ＥＬ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ素子は、自発光の面状表示素子とし
ての利用が注目されている。その中でも、有機物を発光
材として用いた有機薄膜ＥＬ素子は、有機層を積層して
機能分離する事によって、印加電圧１０Ｖ弱で発光効率
が大変良く高輝度な発光が実現している。その基本とな
る素子構成は、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極、
または、陽極／発光層／電子注入輸送層／陰極、また
は、陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／
陰極、であり、通常は陽極から順次製膜される。
ての利用が注目されている。その中でも、有機物を発光
材として用いた有機薄膜ＥＬ素子は、有機層を積層して
機能分離する事によって、印加電圧１０Ｖ弱で発光効率
が大変良く高輝度な発光が実現している。その基本とな
る素子構成は、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極、
または、陽極／発光層／電子注入輸送層／陰極、また
は、陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／
陰極、であり、通常は陽極から順次製膜される。
【０００３】従来の有機薄膜ＥＬ素子は、正孔注入輸送
層に芳香族アミンの蒸着膜を用いるものがほとんどであ
る。その中でも特に１，１−ビス（４−ジパラトリルア
ミノフェニル）シクロヘキサン、または、Ｎ，Ｎ′−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンは、正孔注
入特性が良く、製膜性が良いため、好んで用いられてい
る。これらの材料の蒸着膜は蒸着直後は均一な膜である
が、数日後にはかなり凝集が進む事が報告されてい
る（’９３春応用物理学会予講集３０ａ−ＳＺＫ−
１，’９３年秋応用物理学会予講集２９ａ−ＺＣ−
８）。そのために、素子の劣化が起こる。また、ガラス
転移点が６０〜８０℃と低く、素子の駆動時に熱劣化が
起こる。
層に芳香族アミンの蒸着膜を用いるものがほとんどであ
る。その中でも特に１，１−ビス（４−ジパラトリルア
ミノフェニル）シクロヘキサン、または、Ｎ，Ｎ′−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンは、正孔注
入特性が良く、製膜性が良いため、好んで用いられてい
る。これらの材料の蒸着膜は蒸着直後は均一な膜である
が、数日後にはかなり凝集が進む事が報告されてい
る（’９３春応用物理学会予講集３０ａ−ＳＺＫ−
１，’９３年秋応用物理学会予講集２９ａ−ＺＣ−
８）。そのために、素子の劣化が起こる。また、ガラス
転移点が６０〜８０℃と低く、素子の駆動時に熱劣化が
起こる。
【０００４】一般に芳香族アミンはガラス転移点が１０
０℃以下と低く、そのために素子の劣化が起こると考え
られている。このことは、有機層の膜質が有機薄膜ＥＬ
素子の素子特性に大きく影響する事を示しており、均質
で、接する他の膜との界面の密着の良い安定な膜を作成
する事が有機薄膜ＥＬ素子において重要となる。
０℃以下と低く、そのために素子の劣化が起こると考え
られている。このことは、有機層の膜質が有機薄膜ＥＬ
素子の素子特性に大きく影響する事を示しており、均質
で、接する他の膜との界面の密着の良い安定な膜を作成
する事が有機薄膜ＥＬ素子において重要となる。
【０００５】これに対して、ポルフィリン系化合物を正
孔注入層に用いるという方法も開示されているが（特開
昭５７−５１７８１号公報）、この場合でも素子作成後
の正孔注入層の結晶化や凝集が素子の劣化をもたらし
た。
孔注入層に用いるという方法も開示されているが（特開
昭５７−５１７８１号公報）、この場合でも素子作成後
の正孔注入層の結晶化や凝集が素子の劣化をもたらし
た。
【０００６】これは、一般に、有機低分子を単独で用い
た場合、結晶化や凝集が時間とともに進むことによっ
て、長時間安定で均質な薄膜状態を形成させることが困
難であることによる。
た場合、結晶化や凝集が時間とともに進むことによっ
て、長時間安定で均質な薄膜状態を形成させることが困
難であることによる。
【０００７】そこで、正孔注入輸送層の熱的な安定性を
向上させて素子の劣化を抑えるために、前述の１，１−
ビス（４−ジパラトリルアミノフェニル）シクロヘキサ
ンやＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチ
ルフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジア
ミンなどの芳香族アミンを高分子バインダーに分散させ
た膜を正孔注入輸送層として用いる方法が考えられる。
この正孔注入輸送層の製膜には、スピンコート法、ディ
ップコート法等の湿式製膜法を用いることができる。城
戸（Ｋｉｄｏ）等はこのような構成の有機薄膜ＥＬ素子
の特性について発表している（ジャパニーズ・ジャーナ
ル・オブ・アプライド・フィジクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ）、３１巻’９２年Ｌ９６０）。このように正孔注
入輸送層として芳香族アミンの樹脂分散膜を導入した素
子の発光特性は、素子作成直後には高輝度に発光する
が、印加電圧を一定にして連続発光させるとすぐに輝度
が低下する。これは、陽極と正孔注入輸送層との界面の
密着性が悪く、すぐに正孔注入輸送層が陽極から剥離し
てしまって電気的接触がとれなくなることが原因であっ
た。
向上させて素子の劣化を抑えるために、前述の１，１−
ビス（４−ジパラトリルアミノフェニル）シクロヘキサ
ンやＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチ
ルフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジア
ミンなどの芳香族アミンを高分子バインダーに分散させ
た膜を正孔注入輸送層として用いる方法が考えられる。
この正孔注入輸送層の製膜には、スピンコート法、ディ
ップコート法等の湿式製膜法を用いることができる。城
戸（Ｋｉｄｏ）等はこのような構成の有機薄膜ＥＬ素子
の特性について発表している（ジャパニーズ・ジャーナ
ル・オブ・アプライド・フィジクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ）、３１巻’９２年Ｌ９６０）。このように正孔注
入輸送層として芳香族アミンの樹脂分散膜を導入した素
子の発光特性は、素子作成直後には高輝度に発光する
が、印加電圧を一定にして連続発光させるとすぐに輝度
が低下する。これは、陽極と正孔注入輸送層との界面の
密着性が悪く、すぐに正孔注入輸送層が陽極から剥離し
てしまって電気的接触がとれなくなることが原因であっ
た。
【０００８】また、ピンホールを減少させて素子の安定
性を上げるために、正孔注入層として、陽極側から正孔
注入性ポルフィリン系化合物の層と正孔注入性芳香族３
級アミンの層の２層を用いるという有機薄膜ＥＬ素子の
構成が開示されている（特開昭６３−２９５６９５号公
報）。しかし、この構成でも素子の安定性の向上は不十
分であった。すなわち、陽極と正孔注入輸送層との界面
の剥離の防止と、正孔注入層の結晶化や凝集の防止と同
時に実現することが非常に難しいためであった。
性を上げるために、正孔注入層として、陽極側から正孔
注入性ポルフィリン系化合物の層と正孔注入性芳香族３
級アミンの層の２層を用いるという有機薄膜ＥＬ素子の
構成が開示されている（特開昭６３−２９５６９５号公
報）。しかし、この構成でも素子の安定性の向上は不十
分であった。すなわち、陽極と正孔注入輸送層との界面
の剥離の防止と、正孔注入層の結晶化や凝集の防止と同
時に実現することが非常に難しいためであった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、有機薄
膜ＥＬ素子は高輝度を示すが、その寿命は他の発光素子
と比べると短く、実用化の妨げとなっている。
膜ＥＬ素子は高輝度を示すが、その寿命は他の発光素子
と比べると短く、実用化の妨げとなっている。
【００１０】本発明は、以上のような従来の事情に対処
してなされたもので、長寿命の有機薄膜ＥＬ素子を提供
する事を目的とする。
してなされたもので、長寿命の有機薄膜ＥＬ素子を提供
する事を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、陽極もしく
は陰極の少なくとも一方が透明電極よりなる一対の電極
間に、正孔注入輸送剤を含有する正孔注入輸送層と発光
剤を含有する発光層、もしくは正孔注入輸送剤と発光剤
を含有する正孔注入輸送層を有する有機薄膜ＥＬ素子に
おいて、前記陽極と前記正孔注入輸送層との間に、前記
陽極に接して、下記一般式（Ｉ）で表されるキナクリド
ン誘導体を含有する陽極界面層を有することを特徴とす
る有機薄膜ＥＬ素子において長寿命が実現されることを
見いだした。
は陰極の少なくとも一方が透明電極よりなる一対の電極
間に、正孔注入輸送剤を含有する正孔注入輸送層と発光
剤を含有する発光層、もしくは正孔注入輸送剤と発光剤
を含有する正孔注入輸送層を有する有機薄膜ＥＬ素子に
おいて、前記陽極と前記正孔注入輸送層との間に、前記
陽極に接して、下記一般式（Ｉ）で表されるキナクリド
ン誘導体を含有する陽極界面層を有することを特徴とす
る有機薄膜ＥＬ素子において長寿命が実現されることを
見いだした。
【００１２】
【化２】
【００１３】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、
アラルキル基、シアノ基、アミド基、アルコキシカルボ
ニル基、アシル基、ニトロ基、シロキシ基、水酸基、置
換または無置換のアミノ基、アルケニル基、アリル基、
置換または無置換の芳香族炭化水素環、置換または無置
換の芳香族複素環、またはＲ1 とＲ2 、Ｒ2 とＲ3 、Ｒ
3 とＲ4 、Ｒ5 とＲ6 、Ｒ6 とＲ7 、Ｒ7 とＲ8はそれ
ぞれ互いに結合して、置換または無置換の芳香族炭化水
素環、または置換または無置換の芳香族複素環を表
す）。
Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、
アラルキル基、シアノ基、アミド基、アルコキシカルボ
ニル基、アシル基、ニトロ基、シロキシ基、水酸基、置
換または無置換のアミノ基、アルケニル基、アリル基、
置換または無置換の芳香族炭化水素環、置換または無置
換の芳香族複素環、またはＲ1 とＲ2 、Ｒ2 とＲ3 、Ｒ
3 とＲ4 、Ｒ5 とＲ6 、Ｒ6 とＲ7 、Ｒ7 とＲ8はそれ
ぞれ互いに結合して、置換または無置換の芳香族炭化水
素環、または置換または無置換の芳香族複素環を表
す）。
【００１４】その目的は、キナクリドン誘導体層を陽極
上に形成する事によって陽極と有機層との界面を密着さ
せ、両者の接触を保ち、それによって有機薄膜ＥＬ素子
の輝度の低下と高抵抗化を抑えることにある。
上に形成する事によって陽極と有機層との界面を密着さ
せ、両者の接触を保ち、それによって有機薄膜ＥＬ素子
の輝度の低下と高抵抗化を抑えることにある。
【００１５】通常、有機薄膜ＥＬ素子は、透明な基板上
に陽極としてインジウム錫酸化物、ＳｎＯ2 、金等の光
透過率の高い薄膜を形成し、その上に有機層を真空蒸着
法、塗布法等によって成膜する。有機薄膜は分子結晶で
あるために凝集を起こしやすく（ケミストリー・レター
ズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、’９４年
９６９）、基板との密着性は良くない。そのため、有機
薄膜ＥＬ素子は作成初期には高輝度の発光を得ることが
できるが、経時変化によって徐々に輝度は低下する。そ
こで、本発明者は、薄膜状態での経時変化が少なく、ま
た、電極との接触を保つ材料を探索した結果、キナクリ
ドン誘導体が非常に有効であることを見出した。
に陽極としてインジウム錫酸化物、ＳｎＯ2 、金等の光
透過率の高い薄膜を形成し、その上に有機層を真空蒸着
法、塗布法等によって成膜する。有機薄膜は分子結晶で
あるために凝集を起こしやすく（ケミストリー・レター
ズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、’９４年
９６９）、基板との密着性は良くない。そのため、有機
薄膜ＥＬ素子は作成初期には高輝度の発光を得ることが
できるが、経時変化によって徐々に輝度は低下する。そ
こで、本発明者は、薄膜状態での経時変化が少なく、ま
た、電極との接触を保つ材料を探索した結果、キナクリ
ドン誘導体が非常に有効であることを見出した。
【００１６】陽極界面層には、具体的には例えば下記の
ようなキナクリドン誘導体が適用できるが、これに限定
されるわけではない。
ようなキナクリドン誘導体が適用できるが、これに限定
されるわけではない。
【００１７】
【化３】
【００１８】
【化４】
【００１９】
【化５】
【００２０】
【化６】
【００２１】
【化７】
【００２２】
【化８】
【００２３】
【化９】
【００２４】
【化１０】
【００２５】
【化１１】
【００２６】陽極界面層は、陽極からの正孔注入の障壁
にならないことが好ましい。したがって、陽極界面層の
膜厚は、１〜１００nmが好ましいが、より好ましくは１
〜５０nmである。
にならないことが好ましい。したがって、陽極界面層の
膜厚は、１〜１００nmが好ましいが、より好ましくは１
〜５０nmである。
【００２７】陽極界面層の形成は公知の方法が適用でき
るが、例えば、蒸着法によって行うことができる。これ
は具体的には、抵抗加熱，エレクトロンビーム，スパッ
タ，イオンプレーティング，ＭＢＥ等である。
るが、例えば、蒸着法によって行うことができる。これ
は具体的には、抵抗加熱，エレクトロンビーム，スパッ
タ，イオンプレーティング，ＭＢＥ等である。
【００２８】また、湿式製膜法によっても形成できる。
例えば、スピンコーター，アプリケーター，スプレーコ
ーター，バーコーター，ディップコーター，ドクターブ
レード，ローラーコーター，カーテンコーター，ビード
コーター等の装置を用いて製膜する事ができる。
例えば、スピンコーター，アプリケーター，スプレーコ
ーター，バーコーター，ディップコーター，ドクターブ
レード，ローラーコーター，カーテンコーター，ビード
コーター等の装置を用いて製膜する事ができる。
【００２９】この場合、塗液の作成に使用する溶剤は公
知の溶剤が適宜用いられる。例えば、アルコール類，芳
香族炭化水素，ケトン類，エステル類，脂肪族ハロゲン
化炭化水素，エーテル類，アミド類，スルホキシド類等
が適用される。
知の溶剤が適宜用いられる。例えば、アルコール類，芳
香族炭化水素，ケトン類，エステル類，脂肪族ハロゲン
化炭化水素，エーテル類，アミド類，スルホキシド類等
が適用される。
【００３０】また、陽極界面層として、一般式（Ｉ）で
示される化合物を高分子バインダー中に分散させた膜を
用いることもできる。高分子バインダーは、公知の材料
から適宜選択される。例えば、ビニル系樹脂，アクリル
系樹脂，エポキシ系樹脂，シリコン系樹脂，スチリル系
樹脂，ポリイミド，ポリシリレン，ポリビニルカルバゾ
ール，ポリカーボネート，セルロース系樹脂，ポリオフ
ィレン系樹脂等の他、にかわ，ゼラチン等の天然樹脂が
適用できる。
示される化合物を高分子バインダー中に分散させた膜を
用いることもできる。高分子バインダーは、公知の材料
から適宜選択される。例えば、ビニル系樹脂，アクリル
系樹脂，エポキシ系樹脂，シリコン系樹脂，スチリル系
樹脂，ポリイミド，ポリシリレン，ポリビニルカルバゾ
ール，ポリカーボネート，セルロース系樹脂，ポリオフ
ィレン系樹脂等の他、にかわ，ゼラチン等の天然樹脂が
適用できる。
【００３１】一般式（Ｉ）で示される化合物の高分子バ
インダー分散膜を製膜する方法としては公知の方法が適
用できるが、例えば、高分子バインダーを溶剤にとかし
て上記のような湿式製膜法を用いることができる。この
場合の湿式製膜法及び溶剤は上記のような公知の方法及
び材料が適宜選択される。
インダー分散膜を製膜する方法としては公知の方法が適
用できるが、例えば、高分子バインダーを溶剤にとかし
て上記のような湿式製膜法を用いることができる。この
場合の湿式製膜法及び溶剤は上記のような公知の方法及
び材料が適宜選択される。
【００３２】陽極界面層には、一般式（Ｉ）で示される
化合物が２種類以上混合していても良い。また、適宜、
他の化合物を混合して用いることも可能である。この場
合、陽極との電気的接触を向上させるためには、一般式
（Ｉ）で示される化合物を１０重量％以上含有させるこ
とが好ましいが、より好ましくは５０重量％以上であ
る。
化合物が２種類以上混合していても良い。また、適宜、
他の化合物を混合して用いることも可能である。この場
合、陽極との電気的接触を向上させるためには、一般式
（Ｉ）で示される化合物を１０重量％以上含有させるこ
とが好ましいが、より好ましくは５０重量％以上であ
る。
【００３３】陽極界面層を形成した後に、膜に処理をす
ることによって膜の状態を変化させ、素子の特性を向上
させることが可能である。処理の方法としては公知の方
法が適用できる。例えば、溶剤蒸気に晒す、溶剤に浸
す、等の処理をすることが有効である。また、膜を適当
な温度で加熱処理することもできる。
ることによって膜の状態を変化させ、素子の特性を向上
させることが可能である。処理の方法としては公知の方
法が適用できる。例えば、溶剤蒸気に晒す、溶剤に浸
す、等の処理をすることが有効である。また、膜を適当
な温度で加熱処理することもできる。
【００３４】陽極界面層の上には、正孔注入輸送剤を含
有する膜が形成される。本発明の目的は、有機薄膜ＥＬ
素子において発光効率を低下させることなく有機層の安
定化をはかること、つまり陽極との電気的接触を向上さ
せることにある。したがって、本発明においては、正孔
輸送能を有し、電子及び励起子をブロッキングするため
の正孔注入輸送剤を含有することが必要である。正孔注
入輸送剤としては、公知の材料から適宜選択される。よ
り具体的には、有機感光体、有機薄膜ＥＬ素子等でよく
用いられる芳香族３級アミンが望ましい。また、ポリ−
（パラ−フェニレン−ビニレン）、ポリアニリン等の導
電性高分子を用いることもできる。また、ポリシリレン
を用いることもできる。藤田（Ｆｕｊｉｔａ）等の報告
（’９２春応用物理会予講集２８ｐ−Ｑ−９）ではキク
ナリドンを正孔注入輸送層に適用しているが、キナクリ
ドンは電子及び励起子のブロッキング性が低いために、
これを正孔注入輸送層に用いた素子は、特に素子を青色
に発光させた場合には発光効率が低かった。従って、キ
ナクリドンは正孔注入輸送剤としては不適であり、本発
明における正孔注入輸送剤には含まない。
有する膜が形成される。本発明の目的は、有機薄膜ＥＬ
素子において発光効率を低下させることなく有機層の安
定化をはかること、つまり陽極との電気的接触を向上さ
せることにある。したがって、本発明においては、正孔
輸送能を有し、電子及び励起子をブロッキングするため
の正孔注入輸送剤を含有することが必要である。正孔注
入輸送剤としては、公知の材料から適宜選択される。よ
り具体的には、有機感光体、有機薄膜ＥＬ素子等でよく
用いられる芳香族３級アミンが望ましい。また、ポリ−
（パラ−フェニレン−ビニレン）、ポリアニリン等の導
電性高分子を用いることもできる。また、ポリシリレン
を用いることもできる。藤田（Ｆｕｊｉｔａ）等の報告
（’９２春応用物理会予講集２８ｐ−Ｑ−９）ではキク
ナリドンを正孔注入輸送層に適用しているが、キナクリ
ドンは電子及び励起子のブロッキング性が低いために、
これを正孔注入輸送層に用いた素子は、特に素子を青色
に発光させた場合には発光効率が低かった。従って、キ
ナクリドンは正孔注入輸送剤としては不適であり、本発
明における正孔注入輸送剤には含まない。
【００３５】この正孔注入輸送剤を含有する膜には、発
光剤が含有されていても良い。発光剤には、有機薄膜Ｅ
Ｌ素子でドーピング剤、ホスト剤としてよく用いられる
蛍光材料を適宜用いることができる。また、この正孔注
入輸送剤を含有する膜には、発光剤とともに、電子注入
輸送剤が含有されていても良い。
光剤が含有されていても良い。発光剤には、有機薄膜Ｅ
Ｌ素子でドーピング剤、ホスト剤としてよく用いられる
蛍光材料を適宜用いることができる。また、この正孔注
入輸送剤を含有する膜には、発光剤とともに、電子注入
輸送剤が含有されていても良い。
【００３６】この正孔注入輸送剤を含有する膜の製膜方
法は、前記した蒸着法、湿式製膜法等が適用できる。
法は、前記した蒸着法、湿式製膜法等が適用できる。
【００３７】陽極界面層の上にさらに積層される各層は
公知のいずれの組み合わせでも適用できる。例えば、本
発明の陽極界面層を形成した後に、正孔注入輸送層を１
層または多層形成しても良く、また、発光層は適当な蛍
光色素がドープされていても良い。また、電子注入輸送
層が発光層の上に１層または多層形成されていても良い
がこの限りではない。
公知のいずれの組み合わせでも適用できる。例えば、本
発明の陽極界面層を形成した後に、正孔注入輸送層を１
層または多層形成しても良く、また、発光層は適当な蛍
光色素がドープされていても良い。また、電子注入輸送
層が発光層の上に１層または多層形成されていても良い
がこの限りではない。
【００３８】この構成にする事によって陽極界面の安定
性が向上するために、有機薄膜ＥＬ素子の耐久性が大幅
に向上した。
性が向上するために、有機薄膜ＥＬ素子の耐久性が大幅
に向上した。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
【００４０】（実施例１）ガラス基板上にＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物）を製膜し、陽極とした。その抵抗値は
１５Ω／□とした。その上に陽極界面層として、化合物
（ａ）を抵抗加熱式の真空蒸着によって５nm製膜した。
このとき、基板の加熱は行わなかった。その後、正孔注
入輸送層としてＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス
（３−メチルフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，
４′−ジアミンを５０nm、さらに発光層としてトリス−
（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウムを７５nm
真空蒸着によって製膜し、最後に陰極として真空蒸着に
よってＭｇＡｇ（蒸着速度比１０：１）を２５０nm製膜
した。
ジウム錫酸化物）を製膜し、陽極とした。その抵抗値は
１５Ω／□とした。その上に陽極界面層として、化合物
（ａ）を抵抗加熱式の真空蒸着によって５nm製膜した。
このとき、基板の加熱は行わなかった。その後、正孔注
入輸送層としてＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス
（３−メチルフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，
４′−ジアミンを５０nm、さらに発光層としてトリス−
（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウムを７５nm
真空蒸着によって製膜し、最後に陰極として真空蒸着に
よってＭｇＡｇ（蒸着速度比１０：１）を２５０nm製膜
した。
【００４１】この素子の発光特性を空気中で測定したと
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は６．８Ｖから７．９Ｖに上昇
し、発光輝度は２３０ｃｄ／m 2 から１５０ｃｄ／m 2
に落ちた。これは、比較例と比べ本発明の有機薄膜ＥＬ
素子において耐久性が向上していることを示している。
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は６．８Ｖから７．９Ｖに上昇
し、発光輝度は２３０ｃｄ／m 2 から１５０ｃｄ／m 2
に落ちた。これは、比較例と比べ本発明の有機薄膜ＥＬ
素子において耐久性が向上していることを示している。
【００４２】（実施例２〜９）実施例１と同様にして素
子を作成したが、陽極界面層には化合物（ｂ）〜（ｉ）
を適用した。これらの素子の発光特性を空気中で測定し
たところ、どの素子も非常に明るいトリス−（８−ヒド
ロキシキノリノール）アルミニウムからの緑色の発光が
得られた。それぞれの素子を６ｍＡ／cm2 の一定電流密
度で連続して発光させたときの初期と５００時間後の発
光輝度、印加電圧を表１に示す。
子を作成したが、陽極界面層には化合物（ｂ）〜（ｉ）
を適用した。これらの素子の発光特性を空気中で測定し
たところ、どの素子も非常に明るいトリス−（８−ヒド
ロキシキノリノール）アルミニウムからの緑色の発光が
得られた。それぞれの素子を６ｍＡ／cm2 の一定電流密
度で連続して発光させたときの初期と５００時間後の発
光輝度、印加電圧を表１に示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】（実施例１０）ガラス基板上にＩＴＯ（イ
ンジウム錫酸化物）を製膜し、陽極とした。その抵抗値
は１５Ω／□とした。その上に陽極界面層として、化合
物（ａ）を抵抗加熱式の真空蒸着によって５nm製膜し
た。このとき、基板の加熱は行わなかった。その後、正
孔注入輸送層として１，１−ビス（４−ジパラトリルア
ミノフェニル）シクロヘキサンを５０nm、さらに発光層
としてトリス−（８−ヒドロキシキノリノール）アルミ
ニウムとＤＣＭ（ＩＩ）を蒸着速度比１００：１で６０
nm真空蒸着によって製膜し、最後に陰極として真空蒸着
によってＭｇＡｇ（蒸着速度比１０：１）を２５０nm製
膜した。
ンジウム錫酸化物）を製膜し、陽極とした。その抵抗値
は１５Ω／□とした。その上に陽極界面層として、化合
物（ａ）を抵抗加熱式の真空蒸着によって５nm製膜し
た。このとき、基板の加熱は行わなかった。その後、正
孔注入輸送層として１，１−ビス（４−ジパラトリルア
ミノフェニル）シクロヘキサンを５０nm、さらに発光層
としてトリス−（８−ヒドロキシキノリノール）アルミ
ニウムとＤＣＭ（ＩＩ）を蒸着速度比１００：１で６０
nm真空蒸着によって製膜し、最後に陰極として真空蒸着
によってＭｇＡｇ（蒸着速度比１０：１）を２５０nm製
膜した。
【００４５】この素子の発光特性を空気中で測定したと
ころ、非常に明るいＤＣＭからのオレンジ色の発光が得
られた。また、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して
発光させたところ、５００時間後にも面発光の状態を持
続していて、その時点で印加電圧は４．９Ｖから５．６
Ｖに上昇し、発光輝度は４９０ｃｄ／m 2 から４００ｃ
ｄ／m 2 に落ちた。
ころ、非常に明るいＤＣＭからのオレンジ色の発光が得
られた。また、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して
発光させたところ、５００時間後にも面発光の状態を持
続していて、その時点で印加電圧は４．９Ｖから５．６
Ｖに上昇し、発光輝度は４９０ｃｄ／m 2 から４００ｃ
ｄ／m 2 に落ちた。
【００４６】
【化１２】
【００４７】（実施例１１）実施例１と同様に有機薄膜
ＥＬ素子を作成したが、ただし、陰極として真空蒸着に
よってＡｌＬｉ（蒸着速度比１００：１）を２５nm製膜
した。
ＥＬ素子を作成したが、ただし、陰極として真空蒸着に
よってＡｌＬｉ（蒸着速度比１００：１）を２５nm製膜
した。
【００４８】この素子の発光特性を空気中で測定したと
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は６．６Ｖから７．６Ｖに上昇
し、発光輝度は２５０ｃｄ／m 2 から１６０ｃｄ／m 2
に落ちた。
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は６．６Ｖから７．６Ｖに上昇
し、発光輝度は２５０ｃｄ／m 2 から１６０ｃｄ／m 2
に落ちた。
【００４９】（実施例１２）実施例１と同様に有機薄膜
ＥＬ素子を作成したが、ただし陽極としてＳｎＯ2を抵
抗値が１００Ω／□になるように製膜した。
ＥＬ素子を作成したが、ただし陽極としてＳｎＯ2を抵
抗値が１００Ω／□になるように製膜した。
【００５０】この素子の発光特性を空気中で測定したと
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は７．０Ｖから７．８Ｖに上昇
し、発光輝度は２１０ｃｄ／m 2 から１３０ｃｄ／m 2
に落ちた。
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は７．０Ｖから７．８Ｖに上昇
し、発光輝度は２１０ｃｄ／m 2 から１３０ｃｄ／m 2
に落ちた。
【００５１】（実施例１３）ガラス基板上にＩＴＯを製
膜し、陽極とした。その抵抗値は１５Ω／□とした。そ
の上に陽極界面層として、化合物（ａ）を１０nm真空蒸
着によって製膜した。このとき、基板の加熱は行わなか
った。その後、正孔注入輸送層としてＮ，Ｎ′−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−１，
１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンとポリカーボネ
ートｚ２００（三菱ガス化学社製）を重量比１：１にし
てジクロロメタンに１重量％で溶かした塗液を作成し、
これをディップコートによって製膜した後、８０℃で１
時間乾燥した。陽極界面層＋正孔注入輸送層の膜厚は６
３nmであった。さらにその上に発光層としてトリス−
（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウムを７５nm
真空蒸着によって製膜し、最後に陰極としてＭｇＡｇ
（蒸着速度比１０：１）を２５０nm製膜した。
膜し、陽極とした。その抵抗値は１５Ω／□とした。そ
の上に陽極界面層として、化合物（ａ）を１０nm真空蒸
着によって製膜した。このとき、基板の加熱は行わなか
った。その後、正孔注入輸送層としてＮ，Ｎ′−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−１，
１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンとポリカーボネ
ートｚ２００（三菱ガス化学社製）を重量比１：１にし
てジクロロメタンに１重量％で溶かした塗液を作成し、
これをディップコートによって製膜した後、８０℃で１
時間乾燥した。陽極界面層＋正孔注入輸送層の膜厚は６
３nmであった。さらにその上に発光層としてトリス−
（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウムを７５nm
真空蒸着によって製膜し、最後に陰極としてＭｇＡｇ
（蒸着速度比１０：１）を２５０nm製膜した。
【００５２】この素子の発光特性を空気中で測定したと
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は６．５Ｖから７．６Ｖに上昇
し、発光輝度は１８０ｃｄ／m 2 から１１０ｃｄ／m 2
に落ちた。
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は６．５Ｖから７．６Ｖに上昇
し、発光輝度は１８０ｃｄ／m 2 から１１０ｃｄ／m 2
に落ちた。
【００５３】（実施例１４）ガラス基板上にＩＴＯを製
膜し、陽極とした。その抵抗値は１５Ω／□とした。そ
の上に陽極界面層として、化合物（ａ）を１０nm真空蒸
着によって製膜した。このとき基板の加熱は行わなかっ
た。その後、電子注入輸送剤Ｂｕ−ＰＢＤ（ＩＩＩ）と
発光剤クマリン６（ＩＶ）と正孔注入輸送剤ポリ（Ｎ−
ビニルカルバゾール）を重量比３０：１：７０にしてジ
クロロメタンに２重量％で溶かした塗液を作成し、これ
をディップコートによって成膜した後、８０℃で１時間
乾燥させた。有機層全体の膜厚は７０nmであった。その
上に、陰極としてＭｇＡｇ（蒸着速度比１０：１）を２
５０nm製膜した。
膜し、陽極とした。その抵抗値は１５Ω／□とした。そ
の上に陽極界面層として、化合物（ａ）を１０nm真空蒸
着によって製膜した。このとき基板の加熱は行わなかっ
た。その後、電子注入輸送剤Ｂｕ−ＰＢＤ（ＩＩＩ）と
発光剤クマリン６（ＩＶ）と正孔注入輸送剤ポリ（Ｎ−
ビニルカルバゾール）を重量比３０：１：７０にしてジ
クロロメタンに２重量％で溶かした塗液を作成し、これ
をディップコートによって成膜した後、８０℃で１時間
乾燥させた。有機層全体の膜厚は７０nmであった。その
上に、陰極としてＭｇＡｇ（蒸着速度比１０：１）を２
５０nm製膜した。
【００５４】この素子の発光特性を空気中で測定したと
ころ、非常に明るいクマリン６からの緑色の発光が得ら
れた。また、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発
光させたところ、５００時間後にも面発光の状態を持続
していて、その時点で印加電圧は６．２Ｖから７．５Ｖ
に上昇し、発光輝度は３１０ｃｄ／m 2 から２００ｃｄ
／m 2 に落ちた。
ころ、非常に明るいクマリン６からの緑色の発光が得ら
れた。また、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発
光させたところ、５００時間後にも面発光の状態を持続
していて、その時点で印加電圧は６．２Ｖから７．５Ｖ
に上昇し、発光輝度は３１０ｃｄ／m 2 から２００ｃｄ
／m 2 に落ちた。
【００５５】
【化１３】
【００５６】
【化１４】
【００５７】（実施例１５）実施例１と同様にして素子
を作成したが、陽極界面層を製膜した後に、基板をテト
ラヒドロフランに浸し、その後８０℃で３０分加熱して
乾燥した。
を作成したが、陽極界面層を製膜した後に、基板をテト
ラヒドロフランに浸し、その後８０℃で３０分加熱して
乾燥した。
【００５８】この素子の発光特性を空気中で測定したと
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は６．３Ｖから７．１Ｖに上昇
し、発光輝度は２２０ｃｄ／m 2 から１７０ｃｄ／m 2
に落ちた。
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は６．３Ｖから７．１Ｖに上昇
し、発光輝度は２２０ｃｄ／m 2 から１７０ｃｄ／m 2
に落ちた。
【００５９】（実施例１６）実施例１と同様にして素子
を作成したが、陽極界面層を製膜した後に、基板を１２
０℃で２時間加熱した。
を作成したが、陽極界面層を製膜した後に、基板を１２
０℃で２時間加熱した。
【００６０】この素子の発光特性を空気中で測定したと
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は６．４Ｖから７．５Ｖに上昇
し、発光輝度は２２０ｃｄ／m 2 から１５０ｃｄ／m 2
に落ちた。
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、５００時間後にも面発光の状態を持続してい
て、その時点で印加電圧は６．４Ｖから７．５Ｖに上昇
し、発光輝度は２２０ｃｄ／m 2 から１５０ｃｄ／m 2
に落ちた。
【００６１】（比較例１）ガラス基板上にＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物）を製膜し、陽極とした。その抵抗値は
１５Ω／□とした。その上に正孔注入輸送層としてＮ，
Ｎ′ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンを５
０nm、さらに発光層としてトリス−（８−ヒドロキシキ
ノリノール）アルミニウムを７５nm真空蒸着によって製
膜し、最後に陰極として真空蒸着によってＭｇＡｇ（蒸
着速度比１０：１）を２５０nm製膜した。
ジウム錫酸化物）を製膜し、陽極とした。その抵抗値は
１５Ω／□とした。その上に正孔注入輸送層としてＮ，
Ｎ′ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンを５
０nm、さらに発光層としてトリス−（８−ヒドロキシキ
ノリノール）アルミニウムを７５nm真空蒸着によって製
膜し、最後に陰極として真空蒸着によってＭｇＡｇ（蒸
着速度比１０：１）を２５０nm製膜した。
【００６２】この素子の発光特性を空気中で測定したと
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、３７６時間後に、印加電圧が６．７Ｖから１
８．５Ｖに上昇し、発光輝度が１８０ｃｄ／m 2 から５
６ｃｄ／m 2 に落ちたところで素子が絶縁破壊した。
ころ、非常に明るいトリス−（８−ヒドロキシキノリノ
ール）アルミニウムからの緑色の発光が得られた。ま
た、６ｍＡ／cm2 の一定電流密度で連続して発光させた
ところ、３７６時間後に、印加電圧が６．７Ｖから１
８．５Ｖに上昇し、発光輝度が１８０ｃｄ／m 2 から５
６ｃｄ／m 2 に落ちたところで素子が絶縁破壊した。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば陽
極界面の安定性が向上するために耐久性が向上した有機
薄膜ＥＬ素子が得られる。
極界面の安定性が向上するために耐久性が向上した有機
薄膜ＥＬ素子が得られる。
【図１】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の１例を示す断面図
である。
である。
１ 基板 ２ 陽極 ３ 陽極界面層 ４ 正孔注入輸送層 ５ 発光層 ６ 陰極
Claims (1)
- 【請求項１】陽極もしくは陰極の少なくとも一方が透明
電極よりなる一対の電極間に、正孔注入輸送剤を含有す
る正孔注入輸送層と発光剤を含有する発光層、もしくは
正孔注入輸送剤と発光剤を含有する正孔注入輸送層を有
する有機薄膜ＥＬ素子において、前記陽極と前記正孔注
入輸送層との間に、前記陽極に接して、下記一般式
（Ｉ）で表されるキナクリドン誘導体を含有する陽極界
面層を有することを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子。 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、
Ｒ8 はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル
基、シアノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、ア
シル基、ニトロ基、シロキシ基、水酸基、置換または無
置換のアミノ基、アルケニル基、アリル基、置換または
無置換の芳香族炭化水素環、置換または無置換の芳香族
複素環、またはＲ1 とＲ2 、Ｒ2 とＲ3 、Ｒ3 とＲ4 、
Ｒ5 とＲ6 、Ｒ6 とＲ7 、Ｒ7 とＲ8はそれぞれ互いに
結合して、置換または無置換の芳香族炭化水素環、また
は置換または無置換の芳香族複素環を表す）。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7137677A JPH08325564A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| US08/658,660 US5616427A (en) | 1995-06-05 | 1996-06-05 | Organic thin film EL device having long lifetime |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7137677A JPH08325564A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325564A true JPH08325564A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=15204245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7137677A Pending JPH08325564A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5616427A (ja) |
| JP (1) | JPH08325564A (ja) |
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| JP2015109370A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Tdk株式会社 | 電界発光素子 |
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| CN100403355C (zh) * | 1996-09-19 | 2008-07-16 | 精工爱普生株式会社 | 矩阵式显示元件及其制造方法 |
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| DE19803889A1 (de) * | 1998-01-31 | 1999-08-05 | Bosch Gmbh Robert | Elektrolumineszierende Anordnung unter Verwendung von dotierten Blendsystemen |
| GB9805476D0 (en) * | 1998-03-13 | 1998-05-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
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| KR100377321B1 (ko) | 1999-12-31 | 2003-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자 |
| KR100721656B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
| JP4378186B2 (ja) * | 2004-02-06 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ素子アレイ |
| EP1794255B1 (en) * | 2004-08-19 | 2016-11-16 | LG Chem, Ltd. | Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same |
| KR100890862B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2009-03-27 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| US8680693B2 (en) * | 2006-01-18 | 2014-03-25 | Lg Chem. Ltd. | OLED having stacked organic light-emitting units |
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| DE102008056391B4 (de) * | 2008-09-26 | 2021-04-01 | Osram Oled Gmbh | Organisches elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| CN102386341B (zh) * | 2010-09-06 | 2015-11-25 | 精工爱普生株式会社 | 发光元件、发光装置、显示装置和电子设备 |
| JP2012186257A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
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Also Published As
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