JPH08328177A - ハロゲン化銀粒子の調製方法 - Google Patents
ハロゲン化銀粒子の調製方法Info
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- JPH08328177A JPH08328177A JP8150476A JP15047696A JPH08328177A JP H08328177 A JPH08328177 A JP H08328177A JP 8150476 A JP8150476 A JP 8150476A JP 15047696 A JP15047696 A JP 15047696A JP H08328177 A JPH08328177 A JP H08328177A
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- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
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- G03C2200/00—Details
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フェーズI反応装置を用いてより薄いハロゲ
ン化銀粒子を作成する方法を提供する。 【解決手段】 ハロゲン化物塩溶液及び銀塩溶液をミキ
サヘッド上でお互いにできるだけ近づけて導入する。反
応装置を微小反応ゾーンと全体反応ゾーンに実質的に分
割し、フェーズIIもしくは二段階反応装置の効果をま
ねる。
ン化銀粒子を作成する方法を提供する。 【解決手段】 ハロゲン化物塩溶液及び銀塩溶液をミキ
サヘッド上でお互いにできるだけ近づけて導入する。反
応装置を微小反応ゾーンと全体反応ゾーンに実質的に分
割し、フェーズIIもしくは二段階反応装置の効果をま
ねる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はハロゲン化銀乳剤の
製造方法に関する。具体的には、本発明は極薄ハロゲン
化銀粒子を製造することを可能にする。
製造方法に関する。具体的には、本発明は極薄ハロゲン
化銀粒子を製造することを可能にする。
【0002】
【従来の技術】米国特許第5,250,403号明細書
に記載されるように、デュアルゾーン(dual zone )反
応装置をハロゲン化銀乳剤の製造に用いる。第一反応容
器で臭化銀粒子核の集団を形成し、その核を第二成長容
器に輸送することによりハロゲン化銀写真乳剤を調製す
る。そのような装置は、改良された形態性状を有する平
板状ハロゲン化銀粒子を生成することができる。しか
し、デュアルゾーン反応装置はシングルゾーン反応装置
よりも結合するコストがかかる。従って、ハロゲン化銀
粒子を生成するコストを下げるためには、通常のダブル
ジェットもしくはシングルゾーン反応装置で薄型ハロゲ
ン化銀粒子を生成できることが望ましい。
に記載されるように、デュアルゾーン(dual zone )反
応装置をハロゲン化銀乳剤の製造に用いる。第一反応容
器で臭化銀粒子核の集団を形成し、その核を第二成長容
器に輸送することによりハロゲン化銀写真乳剤を調製す
る。そのような装置は、改良された形態性状を有する平
板状ハロゲン化銀粒子を生成することができる。しか
し、デュアルゾーン反応装置はシングルゾーン反応装置
よりも結合するコストがかかる。従って、ハロゲン化銀
粒子を生成するコストを下げるためには、通常のダブル
ジェットもしくはシングルゾーン反応装置で薄型ハロゲ
ン化銀粒子を生成できることが望ましい。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、一つの反応
容器において薄型ハロゲン化銀粒子もしくは平板状粒子
を生成することを可能にする。
容器において薄型ハロゲン化銀粒子もしくは平板状粒子
を生成することを可能にする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明はハロゲン化銀粒
子の製造方法である。この方法には、入り口面及び出口
面並びに前記入り口面から出口面に伸びた少なくとも一
つの流路を有するミキサを準備することが含まれる。前
記ミキサを回転させる。ミキサの入り口面のところに硝
酸銀溶液を導入し、それと同時に前記硝酸銀溶液の導入
の30mmの範囲内のミキサの入り口面のところにハロ
ゲン化物塩溶液を導入する。このプロセスから生成され
るハロゲン化銀粒子は極薄であり非常に高いアスペクト
比を有する。
子の製造方法である。この方法には、入り口面及び出口
面並びに前記入り口面から出口面に伸びた少なくとも一
つの流路を有するミキサを準備することが含まれる。前
記ミキサを回転させる。ミキサの入り口面のところに硝
酸銀溶液を導入し、それと同時に前記硝酸銀溶液の導入
の30mmの範囲内のミキサの入り口面のところにハロ
ゲン化物塩溶液を導入する。このプロセスから生成され
るハロゲン化銀粒子は極薄であり非常に高いアスペクト
比を有する。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明は、通常のフェーズI反応
装置で調製されるものよりも著しく薄い平板状ハロゲン
化銀粒子を調製することに向けられている。フェーズI
反応装置とは、一つの反応容器中でハロゲン化銀粒子を
生成する反応装置のことをいう。デュアルゾーン沈殿装
置は、イオン性溶液をポンプ装置を用いて添加する代わ
りに、別個の核生成装置で連続的に調製される微小核を
成長反応装置に導入すること以外は、フェーズI反応装
置と似ている。
装置で調製されるものよりも著しく薄い平板状ハロゲン
化銀粒子を調製することに向けられている。フェーズI
反応装置とは、一つの反応容器中でハロゲン化銀粒子を
生成する反応装置のことをいう。デュアルゾーン沈殿装
置は、イオン性溶液をポンプ装置を用いて添加する代わ
りに、別個の核生成装置で連続的に調製される微小核を
成長反応装置に導入すること以外は、フェーズI反応装
置と似ている。
【0006】従って、核生成装置からデュアルゾーン反
応装置へのアウトプットには、イオン性銀は実質的に含
まれず、高過飽和にされていない。さらに、アウトプッ
ト溶液のpBrを、成長反応装置に導入する前に調節す
ることができる。これらの二つの事象が、デュアルゾー
ン反応装置を用いたハロゲン化銀粒子に観察される厚み
減少の原因であると信じられる。本発明の目的は、通常
のフェーズIシステムにおいてデュアルゾーン反応装置
の挙動をまねることである。
応装置へのアウトプットには、イオン性銀は実質的に含
まれず、高過飽和にされていない。さらに、アウトプッ
ト溶液のpBrを、成長反応装置に導入する前に調節す
ることができる。これらの二つの事象が、デュアルゾー
ン反応装置を用いたハロゲン化銀粒子に観察される厚み
減少の原因であると信じられる。本発明の目的は、通常
のフェーズIシステムにおいてデュアルゾーン反応装置
の挙動をまねることである。
【0007】通常のフェーズI反応装置では、新鮮な銀
反応物を、それが反応装置に到達すると、連続的かつ瞬
時に全体の反応装置溶液で希釈する。フェーズI反応装
置に用いられるミキサの例は、米国特許第3,415,
650号及び同5,096,690号明細書に記載され
ている。さらに、国際出願PCT/US94/0737
8号明細書には、フェーズI反応装置に用いることがで
きるミキサが記載されている。このミキサヘッドをPE
PAミキサという。以下の実験では全てPEPAミキサ
を用いたが、改良されたハロゲン化銀粒子は、記載され
る任意の従来技術のミキサを用いることができる。
反応物を、それが反応装置に到達すると、連続的かつ瞬
時に全体の反応装置溶液で希釈する。フェーズI反応装
置に用いられるミキサの例は、米国特許第3,415,
650号及び同5,096,690号明細書に記載され
ている。さらに、国際出願PCT/US94/0737
8号明細書には、フェーズI反応装置に用いることがで
きるミキサが記載されている。このミキサヘッドをPE
PAミキサという。以下の実験では全てPEPAミキサ
を用いたが、改良されたハロゲン化銀粒子は、記載され
る任意の従来技術のミキサを用いることができる。
【0008】図1は、通常のダブルジェット反応装置内
部のミキサである。ミキサ10は、第一の面13から第
二の面14に伸びる一連の導管12(一つだけ図1に示
す)を含む。導管12上の領域15(導管11を通って
与えられる濃縮された銀が、過剰の臭化物を含んだ沈殿
装置に入る)を、微小反応ゾーンもしくはMRZと呼
ぶ。この領域を15によって示し、斜線を付す。
部のミキサである。ミキサ10は、第一の面13から第
二の面14に伸びる一連の導管12(一つだけ図1に示
す)を含む。導管12上の領域15(導管11を通って
与えられる濃縮された銀が、過剰の臭化物を含んだ沈殿
装置に入る)を、微小反応ゾーンもしくはMRZと呼
ぶ。この領域を15によって示し、斜線を付す。
【0009】15のところに導入される新鮮な銀の希釈
は重要であり、無次元の希釈比を次のように定義する:
は重要であり、無次元の希釈比を次のように定義する:
【0010】
【数1】
【0011】即ち、プロセスパラメータの関数として表
すと:
すと:
【0012】
【数2】
【0013】上記式で、「kq 」は、定数(ミキサの吸
入排出流量の指標)であり、「CBr- 全体」は、反応
装置のハロゲン化物濃度であり、「QAg」は、銀反応
物の流量であり、そして「CAg+ 」は、銀反応物の濃
度である。「#スプレッダ(spreader)穴」は、反応装
置の銀導入ポイントの数である。「#穴」は、ミキサの
第一の面から第二の面に伸びる導管の数である。
入排出流量の指標)であり、「CBr- 全体」は、反応
装置のハロゲン化物濃度であり、「QAg」は、銀反応
物の流量であり、そして「CAg+ 」は、銀反応物の濃
度である。「#スプレッダ(spreader)穴」は、反応装
置の銀導入ポイントの数である。「#穴」は、ミキサの
第一の面から第二の面に伸びる導管の数である。
【0014】この比は、図1に示すようなフェーズIの
ミキサにより、どの様にして新鮮な銀反応物を、注入さ
れた全体のハロゲン化物と混合するかを表す。それを、
MRZの局部的な平均pBrと直接的に関連づけること
もできる。希釈及び非常に速い沈殿反応のために、MR
Zの平均pBrが、平均の全体pBrとは大きく異なる
ことは明かである。数式(2)の希釈比の式は、その違
いが、低いミキサ吸入排出量、高い硝酸銀濃度及び高い
銀反応物流量のために、大きくなることを示す。さら
に、境界条件を考慮に入れると、非常に大きな局部的な
pBr勾配がMRZ中に存在する(大きな局部的な過飽
和勾配の存在を意味する)。
ミキサにより、どの様にして新鮮な銀反応物を、注入さ
れた全体のハロゲン化物と混合するかを表す。それを、
MRZの局部的な平均pBrと直接的に関連づけること
もできる。希釈及び非常に速い沈殿反応のために、MR
Zの平均pBrが、平均の全体pBrとは大きく異なる
ことは明かである。数式(2)の希釈比の式は、その違
いが、低いミキサ吸入排出量、高い硝酸銀濃度及び高い
銀反応物流量のために、大きくなることを示す。さら
に、境界条件を考慮に入れると、非常に大きな局部的な
pBr勾配がMRZ中に存在する(大きな局部的な過飽
和勾配の存在を意味する)。
【0015】他の理論的なアプローチも同様の結論を導
くけれども、希釈比とAgBr平板状粒子乳剤との間に
直接的な関係があることも実験的に証明されている(図
2)。図2から、希釈比の増加が、乳剤のハロゲン化銀
粒子のアスペクト比を著しく増加させることは明白であ
る。従って、本発明の主題は、反応装置の全体的な特性
を変えることなく、反応領域の希釈比を高めることを可
能にする方法である。生成される粒子は、通常のフェー
ズI反応装置由来のものよりも薄くなる。ハロゲン化銀
の低い溶解性のために、平衡状態での平均全体Br- 濃
度は一般的に低い。式(2)から、希釈比を高めようと
するならば、臭化物濃度を増加させることが、調節する
のに最も簡単なパラメータの一つであることが容易に決
まる。全体のpBrを変えると、乳剤特性が大きく変わ
るが、全体のpBrに影響を与えないで、MRZ中のp
Brを局部的にのみ変更することは可能である。従っ
て、好ましい技法は、MRZにできるだけ近づけて塩を
加えることであり、希釈比を式(3)のように書き直す
ことができる。
くけれども、希釈比とAgBr平板状粒子乳剤との間に
直接的な関係があることも実験的に証明されている(図
2)。図2から、希釈比の増加が、乳剤のハロゲン化銀
粒子のアスペクト比を著しく増加させることは明白であ
る。従って、本発明の主題は、反応装置の全体的な特性
を変えることなく、反応領域の希釈比を高めることを可
能にする方法である。生成される粒子は、通常のフェー
ズI反応装置由来のものよりも薄くなる。ハロゲン化銀
の低い溶解性のために、平衡状態での平均全体Br- 濃
度は一般的に低い。式(2)から、希釈比を高めようと
するならば、臭化物濃度を増加させることが、調節する
のに最も簡単なパラメータの一つであることが容易に決
まる。全体のpBrを変えると、乳剤特性が大きく変わ
るが、全体のpBrに影響を与えないで、MRZ中のp
Brを局部的にのみ変更することは可能である。従っ
て、好ましい技法は、MRZにできるだけ近づけて塩を
加えることであり、希釈比を式(3)のように書き直す
ことができる。
【0016】
【数3】
【0017】図3は、本発明の方法を実施するのに用い
られる装置の概略的な配置を示す。図3に示されるよう
に、別の送出口16を通してMRZ15のところに臭化
物を加える。この臭化物を、ミキサの面13上の銀導入
口11にできるだけ近づけて加える。ミキサの面13の
丁度上に臭化物反応物を導入することにより、pBrを
低下させ、そしてイオン性銀をハロゲン化銀に変化させ
ることにより銀の過飽和低下させる臭化物スクリーンを
形成する。このようにして、通常のダブルジェット反応
装置をデュアルゾーン反応装置の核生成装置アウトプッ
トに似せて作成する。
られる装置の概略的な配置を示す。図3に示されるよう
に、別の送出口16を通してMRZ15のところに臭化
物を加える。この臭化物を、ミキサの面13上の銀導入
口11にできるだけ近づけて加える。ミキサの面13の
丁度上に臭化物反応物を導入することにより、pBrを
低下させ、そしてイオン性銀をハロゲン化銀に変化させ
ることにより銀の過飽和低下させる臭化物スクリーンを
形成する。このようにして、通常のダブルジェット反応
装置をデュアルゾーン反応装置の核生成装置アウトプッ
トに似せて作成する。
【0018】
【実施例】次の例は、PEPAミキサの上部の銀管路に
近づけて追加の臭化物管路を用いることを記載する。い
くつかのタイプの実験装置(そのいくつかは試験されて
おり、またいくつは例1に記載する方法の論理的な拡張
である)を以下に記載する。これらは、予備混合のない
単一添加ポイント、予備混合のない複数添加ポイント及
び予備混合を伴う単一添加ポイントを含む。
近づけて追加の臭化物管路を用いることを記載する。い
くつかのタイプの実験装置(そのいくつかは試験されて
おり、またいくつは例1に記載する方法の論理的な拡張
である)を以下に記載する。これらは、予備混合のない
単一添加ポイント、予備混合のない複数添加ポイント及
び予備混合を伴う単一添加ポイントを含む。
【0019】例1 予備混合のない単一添加ポイント 図4及び5に示すのは、混合ヘッド、並びに本発明にお
いて用いられるハロゲン化物溶液(41)及び銀溶液
(42)の導入ポイント(41、42)の平面図であ
る。図4は、回転時に見た銀導入前のハロゲン化物導入
を示し、図5は、銀導入後のハロゲン化物導入を示す。
同じ内径のプラスチック管を用いてハロゲン化物中に銀
を送出した。芯芯距離が3mmとなるように、薄壁の管
材を用いてミキサヘッドの上に二つの管を配置した。こ
れらの管がお互いにできるだけ近づき、且つ芯芯から3
0mm以内と成ることが好ましい。また、これらの管を
実質的に平行に配置することが好ましい。
いて用いられるハロゲン化物溶液(41)及び銀溶液
(42)の導入ポイント(41、42)の平面図であ
る。図4は、回転時に見た銀導入前のハロゲン化物導入
を示し、図5は、銀導入後のハロゲン化物導入を示す。
同じ内径のプラスチック管を用いてハロゲン化物中に銀
を送出した。芯芯距離が3mmとなるように、薄壁の管
材を用いてミキサヘッドの上に二つの管を配置した。こ
れらの管がお互いにできるだけ近づき、且つ芯芯から3
0mm以内と成ることが好ましい。また、これらの管を
実質的に平行に配置することが好ましい。
【0020】ミキサ軸と各送出管の端部との距離は一定
である。即ち、銀導入管及びハロゲン化物導入管では、
入り口面から同じ半径方向の間隔がある。試験した配合
物は、医療用X線フィルムに用いる純粋なAgBr平板
状乳剤である。最初に、釜を、76.7℃で0.4%ゼ
ラチン及び消泡剤で満たした。低いvAg(vAg約−
16mv)で希釈された銀並びにAgNO3 濃度=1モ
ル/L及びNaBr濃度=1モル/Lの反応物濃度を用
いて核生成を行った。次にゼラチンダンプによりゼラチ
ン含量を1.2%に高めた。
である。即ち、銀導入管及びハロゲン化物導入管では、
入り口面から同じ半径方向の間隔がある。試験した配合
物は、医療用X線フィルムに用いる純粋なAgBr平板
状乳剤である。最初に、釜を、76.7℃で0.4%ゼ
ラチン及び消泡剤で満たした。低いvAg(vAg約−
16mv)で希釈された銀並びにAgNO3 濃度=1モ
ル/L及びNaBr濃度=1モル/Lの反応物濃度を用
いて核生成を行った。次にゼラチンダンプによりゼラチ
ン含量を1.2%に高めた。
【0021】成長を二つの部分に分割した。第一相での
成長を、−3mv、30ml/分で達成する。30ml
/分で50mvにvAgをシフトして、反応装置を第二
相での成長条件に到達させる。この工程を、最初、30
から60ml/分に直線的勾配で流量を増加させて行
い、そして60ml/分のところでの30分区間で完了
した。成長区間では、濃縮された反応物(AgNO3 濃
度=2.5モル/L、NaBr濃度=2.6モル/L)
を用いた。この参照乳剤の場合、臭化物溶液をミキサの
反対側に加え、銀溶液の導入ポイントに対して直線状に
並べた。
成長を、−3mv、30ml/分で達成する。30ml
/分で50mvにvAgをシフトして、反応装置を第二
相での成長条件に到達させる。この工程を、最初、30
から60ml/分に直線的勾配で流量を増加させて行
い、そして60ml/分のところでの30分区間で完了
した。成長区間では、濃縮された反応物(AgNO3 濃
度=2.5モル/L、NaBr濃度=2.6モル/L)
を用いた。この参照乳剤の場合、臭化物溶液をミキサの
反対側に加え、銀溶液の導入ポイントに対して直線状に
並べた。
【0022】図6は、通常のダブルジェット反応装置方
法で調製した参照乳剤の光学顕微鏡写真を表す。図8
は、図4に示した装置を用いた同じ乳剤の光学顕微鏡写
真を表す。図10は、図5に示した装置を用いた光学顕
微鏡写真を表す。図8及び10に示した場合では、10
0%のハロゲン化物を銀の前もしくは後に、それぞれ上
部に加える。銀導入ポイントのところに添加されるハロ
ゲン化物がない図5に示す参照乳剤と比較されたい。
法で調製した参照乳剤の光学顕微鏡写真を表す。図8
は、図4に示した装置を用いた同じ乳剤の光学顕微鏡写
真を表す。図10は、図5に示した装置を用いた光学顕
微鏡写真を表す。図8及び10に示した場合では、10
0%のハロゲン化物を銀の前もしくは後に、それぞれ上
部に加える。銀導入ポイントのところに添加されるハロ
ゲン化物がない図5に示す参照乳剤と比較されたい。
【0023】作成された乳剤の結果は、本発明の方法を
用いてより大きな粒子が作成されたことを示す。さら
に、本発明の方法を用いて作成された粒子の方がより薄
い。図12は、銀と塩導入ポイント間の間隔に対する厚
さの関係を示す。図13に示すのは、混合ヘッド、ハロ
ゲン化物溶液(41)及び銀溶液(42)の導入ポイン
トの平面図である。この態様では、ハロゲン化物流れを
銀導入流れからおおよそ30mm離して配置する。図4
及び5に示した装置にあっては少し再核生成が起きる可
能性があるので、この問題を銀添加ポイントから臭化物
流れを離すことによって克服する。図13に示すよう
に、臭化物溶液の指向性のアウトプットを、ミキサの上
で銀ポイントの方に向ける。この場合銀導入管及び塩導
入管は、図4及び5に示すようなもはや平行ではない。
銀添加ポイントと臭化物添加ポイントとの間の距離の増
加を補い、MRZ中で同じpBrを維持するために、硝
酸銀溶液よりも高く濃縮された臭化物溶液が必要であ
る。さらに、この態様は、乳剤粒子の厚さを操作するた
めに、二種類の変数、即ち、塩導入管と銀導入管との間
の距離及び塩対銀濃度比を用いることができる。
用いてより大きな粒子が作成されたことを示す。さら
に、本発明の方法を用いて作成された粒子の方がより薄
い。図12は、銀と塩導入ポイント間の間隔に対する厚
さの関係を示す。図13に示すのは、混合ヘッド、ハロ
ゲン化物溶液(41)及び銀溶液(42)の導入ポイン
トの平面図である。この態様では、ハロゲン化物流れを
銀導入流れからおおよそ30mm離して配置する。図4
及び5に示した装置にあっては少し再核生成が起きる可
能性があるので、この問題を銀添加ポイントから臭化物
流れを離すことによって克服する。図13に示すよう
に、臭化物溶液の指向性のアウトプットを、ミキサの上
で銀ポイントの方に向ける。この場合銀導入管及び塩導
入管は、図4及び5に示すようなもはや平行ではない。
銀添加ポイントと臭化物添加ポイントとの間の距離の増
加を補い、MRZ中で同じpBrを維持するために、硝
酸銀溶液よりも高く濃縮された臭化物溶液が必要であ
る。さらに、この態様は、乳剤粒子の厚さを操作するた
めに、二種類の変数、即ち、塩導入管と銀導入管との間
の距離及び塩対銀濃度比を用いることができる。
【0024】上記例に示す装置の別の態様では、銀及び
塩の両方をいくつかの導入ポイントを通して主反応物に
添加することができる。数本の管路を用いるので釜の中
のMRZの数が増加する。このことは、式(2)に示さ
れており、それによると数個の銀導入ポイントを追加す
ることにより希釈比を高くすることができる。数個の銀
導入ポイントを提供するのに用いられる装置は、米国特
許第5,241,992号明細書に記載されている。図
14はハロゲン化銀沈殿釜用の四穴スプレッダを示す。
このスプレッダを、ミキサの上部もしくは底部のいずれ
か、又は両方に用いることができる。透過電子顕微鏡及
びX線蛍光技法を組み合わせて、25nmより薄い厚さ
(通常のフェーズIもしくはフェーズII反応装置のい
ずれを用いるよりも非常に薄い)を有するT粒子集団の
小断片の存在を測定した。8〜17nm程度の薄さの厚
みを有するいくつかの粒子の存在さえも証明されてい
る。
塩の両方をいくつかの導入ポイントを通して主反応物に
添加することができる。数本の管路を用いるので釜の中
のMRZの数が増加する。このことは、式(2)に示さ
れており、それによると数個の銀導入ポイントを追加す
ることにより希釈比を高くすることができる。数個の銀
導入ポイントを提供するのに用いられる装置は、米国特
許第5,241,992号明細書に記載されている。図
14はハロゲン化銀沈殿釜用の四穴スプレッダを示す。
このスプレッダを、ミキサの上部もしくは底部のいずれ
か、又は両方に用いることができる。透過電子顕微鏡及
びX線蛍光技法を組み合わせて、25nmより薄い厚さ
(通常のフェーズIもしくはフェーズII反応装置のい
ずれを用いるよりも非常に薄い)を有するT粒子集団の
小断片の存在を測定した。8〜17nm程度の薄さの厚
みを有するいくつかの粒子の存在さえも証明されてい
る。
【0025】予備混合を有する単一添加ポイント デュアルゾーン反応装置を模す考えに関して、核を生成
するように主反応装置に反応物を導入する直前に銀溶液
及び塩溶液の予備混合を行う。これを図15に表す。こ
の図では、主流溶液に入る前に二つの溶液をお互いに向
き合わせるようにな角度で、ミキサヘッド上に配置した
銀及びハロゲン化物導入チップを用いて、予備混合を達
成する。
するように主反応装置に反応物を導入する直前に銀溶液
及び塩溶液の予備混合を行う。これを図15に表す。こ
の図では、主流溶液に入る前に二つの溶液をお互いに向
き合わせるようにな角度で、ミキサヘッド上に配置した
銀及びハロゲン化物導入チップを用いて、予備混合を達
成する。
【0026】
【発明の効果】記載した微小反応ゾーン反応装置の主た
る利点は、通常の反応装置を用いて普通に沈殿されたも
のよりも薄い粒子を沈殿することである。結果として本
発明の利点は、より薄いハロゲン化銀粒子によって生じ
るものである。これらの利点には、写真乳剤の銀減少、
放射線感受性の向上及び光学的特性の向上が含まれる。
る利点は、通常の反応装置を用いて普通に沈殿されたも
のよりも薄い粒子を沈殿することである。結果として本
発明の利点は、より薄いハロゲン化銀粒子によって生じ
るものである。これらの利点には、写真乳剤の銀減少、
放射線感受性の向上及び光学的特性の向上が含まれる。
【0027】考えられる本発明の好ましい態様を記載
し、図によって示したが、本発明の範囲内で種々の変形
及び改良を行うことができることは当業者にとって明か
なことである。
し、図によって示したが、本発明の範囲内で種々の変形
及び改良を行うことができることは当業者にとって明か
なことである。
【図1】フェーズI反応装置のミキサの概略図。
【図2】フェーズI反応装置のアスペクト比対希釈比の
グラフ。
グラフ。
【図3】本発明を実施するのに用いるミキサ/ディスト
リビュータアッセンブリーの概略図。
リビュータアッセンブリーの概略図。
【図4】銀添加前の塩添加を示すミキサの平面図。
【図5】銀添加後の塩添加を示すミキサの平面図。
【図6】フェーズI反応装置で作られて乳剤粒子を示す
光学顕微鏡写真。
光学顕微鏡写真。
【図7】粒子体積とハロゲン化銀粒子の相対個数のグラ
フ。
フ。
【図8】銀溶液前に塩化物を添加した、本発明の乳剤粒
子を示す光学顕微鏡写真。
子を示す光学顕微鏡写真。
【図9】粒子体積とハロゲン化銀粒子の相対個数のグラ
フ。
フ。
【図10】銀溶液後に塩化物を添加した、本発明の乳剤
粒子を示す光学顕微鏡写真。
粒子を示す光学顕微鏡写真。
【図11】粒子体積とハロゲン化銀粒子の相対個数のグ
ラフ。
ラフ。
【図12】ハロゲン化銀粒子の大きさに与える、銀及び
ハロゲン化物の導入ポイント間隔の影響を示すグラフ。
ハロゲン化物の導入ポイント間隔の影響を示すグラフ。
【図13】本発明に用いるミキサの概略図。
【図14】スプレッダの断面図。
【図15】本発明の別の態様の概略図。
10…ミキサ 11…導管 12…導管 13…第一面 14…第二面 15…MRZ 41…ハロゲン化物溶液導入ポイント 42…銀溶液導入ポイント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03C 1/035 G03C 1/035 H
Claims (3)
- 【請求項1】 入り口面及び出口面並びに前記入り口面
から出口面に伸びた少なくとも一つの流路を有するミキ
サを準備すること、 前記ミキサを回転させること、 ミキサの入り口面のところで硝酸銀溶液を導入するこ
と、そしてハロゲン化銀粒子が生成される前記硝酸銀溶
液の導入の30mm以内のミキサの入り口面のところで
ハロゲン化物塩溶液を導入すること、を含んで成るハロ
ゲン化銀粒子の生成方法。 - 【請求項2】 入り口面及び出口面並びに前記入り口面
から出口面に伸びた複数の流路を有するミキサを準備す
ること、 前記ミキサを回転させること、 ミキサの入り口面の複数の場所で硝酸銀溶液を導入する
こと、そしてハロゲン化銀粒子が生成される前記硝酸銀
溶液導入の複数の位置の30mm以内に間隔を開けたミ
キサの入り口面の複数の場所でハロゲン化物塩溶液を導
入すること、を含んで成るハロゲン化銀粒子の生成方
法。 - 【請求項3】 入り口面及び出口面並びに前記入り口面
から出口面に伸びた少なくとも一つの流路を有するミキ
サを準備すること、 前記ミキサを回転させること、 ミキサの入り口面のところで硝酸銀溶液を導入するこ
と、そして硝酸銀溶液及びハロゲン化物塩溶液を導入前
に混合する前記ミキサの入り口面のところでハロゲン化
物塩溶液を導入すること、を含んで成るハロゲン化銀粒
子の生成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/448,053 US6136523A (en) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | Micro reaction zone reactors |
| US448053 | 1995-05-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08328177A true JPH08328177A (ja) | 1996-12-13 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6136523A (ja) |
| EP (1) | EP0744653B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08328177A (ja) |
| DE (1) | DE69624286T2 (ja) |
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-
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1996
- 1996-05-17 DE DE69624286T patent/DE69624286T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-17 EP EP96420179A patent/EP0744653B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-23 JP JP8150476A patent/JPH08328177A/ja active Pending
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| DE69624286T2 (de) | 2003-07-03 |
| EP0744653A1 (en) | 1996-11-27 |
| DE69624286D1 (de) | 2002-11-21 |
| EP0744653B1 (en) | 2002-10-16 |
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Legal Events
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| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20051111 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060411 |