JPH08329535A

JPH08329535A - 光ディスク基板の製造方法

Info

Publication number: JPH08329535A
Application number: JP7135053A
Authority: JP
Inventors: Toshimasa Tokuda; 俊正徳田
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1995-06-01
Filing date: 1995-06-01
Publication date: 1996-12-13

Abstract

(57)【要約】【目的】ピットを正確に転写し、表面にピット以外の
凹凸欠陥がなく且つ吸湿による反りの少ない高密度記録
容量を有する光ディスク基板を提供する。【構成】全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０
モル％が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサンであるポリカー
ボネート樹脂より実質的に形成され、該ポリカーボネー
ト樹脂はその０．７g を塩化メチレン１００mlに溶解し
た溶液の２０℃において測定された比粘度が０．２〜
０．５であり、該ポリカーボネート樹脂を用いて型締力
１０〜７５トン、樹脂温度２９０〜３６０℃、金型温度
１００〜１４０℃で射出成形することを特徴とする光デ
ィスク基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク基板の製造
方法に関する。更に詳しくは、吸湿による反りが少な
く、ピットを正確に転写し且つ表面にピット以外の凹凸
不良のない光ディスク基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来コンパクトディスク用基板に使用さ
れる代表的な樹脂としては２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）にカー
ボネート前駆物質を反応させて得られたポリカーボネー
ト樹脂が知られており、この樹脂は透明性、耐熱性、寸
法精度等に優れていることから近年光ディスク等の分野
で情報記録媒体用基板の素材としても広く用いられてい
る。しかしながら、ビスフェノールＡからのポリカーボ
ネート樹脂はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が
大きく、従って基板の複屈折が大きい欠点があり、この
改善が求められている。また基板の高密度化の傾向のた
めに、その反りが問題となり、より一層反りの少ないポ
リカーボネート樹脂の基板が求められている。また記録
密度を高めるためにはより転写性のよい樹脂が求められ
ており、更に耐久性のよい樹脂も求められている。しか
しながら、これらの要求を全て満足する光ディスク用基
板はまだ得られていない。

【０００３】一方最近コンパクトディスクのビデオ用の
開発及び商品化が進められている。そのため記録容量
が、従来のオーディオ用のコンパクトディスクに比べて
約１０倍又はそれ以上であることが要求され、更にその
特性も一層高度化することが要望されている。特開平２
−８８６３４号公報には、特定構造のジヒドロキシジフ
ェニルアルカン及びそれからの新規なポリカーボネート
樹脂について記載されている。この公報に開示されてい
る代表例は１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを全ジヒドロキ
シ成分の１００〜２モル％使用したポリカーボネート樹
脂である。上記公報には、得られた前記ポリカーボネー
ト樹脂は従来のポリカーボネート樹脂の用途、例えば電
気分野、被覆及び透明板ガラスの分野において使用さ
れ、高い耐熱性において優れていることが開示されてい
る。コンパクトディスクの用途に関してもビスフェノー
ルＡとの共重合体の実施例が示されているが、ディスク
の製造方法については何等教示してはいない。また特開
昭６２−２２２８１３号公報には第一工程で樹脂温度３
００〜４００℃、金型温度５０〜１５０℃で射出成形
し、第二工程で特定の温度範囲で１分以上熱処理する光
ディスク基板の製造方法が開示されている。上記公報で
は第一工程のみでは良好なディスク基板が得られず、第
二工程の熱処理を行うことによって初めて良好な基板が
得られるとしている。しかしながら、このような熱処理
工程は工業的には採用され難い。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的は
ピットを正確に転写し且つ基板表面にピット以外の凹凸
欠陥のない吸湿による反りの少ない光ディスク基板の製
造方法を提供することにある。本発明の第二の目的は高
密度記録容量を有する光ディスク基板、特にビデオ用光
ディスク基板等に適した高機能を有し且つ溶融成形容易
な光ディスク基板の製造方法を提供することにある。

【０００５】本発明者はこれらの目的を達成せんとして
鋭意研究を重ねた結果、特定のポリカーボネート樹脂を
用い、特定の射出成形条件を採用することにより、はじ
めて上記目的を達成できることを見出し、本発明に到達
した。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、全芳香族ジヒ
ドロキシ成分の少なくとも２０モル％が１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチル
シクロヘキサンであるポリカーボネート樹脂より実質的
に形成され、該ポリカーボネート樹脂はその０．７g を
塩化メチレン１００mlに溶解した溶液の２０℃において
測定された比粘度が０．２〜０．５であり、該ポリカー
ボネート樹脂を用いて型締力１０〜７５トン、樹脂温度
２９０〜３６０℃、金型温度１００〜１４０℃で射出成
形することを特徴とする光ディスク基板の製造方法であ
る。

【０００７】本発明で光ディスク基板の材料に用いるポ
リカーボネート樹脂は、ポリカーボネート樹脂を構成す
る全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％、
好ましくは３０〜９０モル％、より好ましくは４０〜８
０モル％が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（以下成分ａと
いう）であり、残りの芳香族ジヒドロキシ成分は特に制
限する必要はないが、この残りの芳香族ジヒドロキシ成
分として４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノール及び／又は２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下成分ｂとい
う）を用いるのが特に好ましい。本発明で用いる成分
ａ、成分ｂ及びその他のジヒドロキシ成分はその合成時
に副生する不純物を極力除去した９９．０％以上の高純
度のものが好ましい。９９．０％未満では得られたポリ
カーボネート樹脂が着色し好ましくない。

【０００８】本発明のポリカーボネート樹脂において、
成分ａ及び成分ｂの合計が全芳香族ジヒドロキシ成分の
少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも９０モル
％、更に成分ａ及び成分ｂの割合がモル比で２０：８０
〜８０：２０、好ましくはモル比で３０：７０〜８０：
２０であることが望ましいが、他のジヒドロキシ成分
（以下成分ｃという）を全芳香族ジヒドロキシ成分当り
２０モル％以下、好ましくは１０モル％以下で含有して
も差支えない。かかる成分ｃとしては通常ポリカーボネ
ート樹脂のジヒドロキシ成分として使用されている成分
ａ及び成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハイドロ
キノン、レゾルシノール、４，４′−ビフェノール、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタ
ン、４，４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）
ジフェノール、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−イ
ソプロピルフェニル）プロパン、９，９−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）フルオレン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン
等が挙げられる。

【０００９】本発明の光ディスク基板として用いられる
ポリカーボネート樹脂は、通常のポリカーボネ−ト樹脂
を製造するそれ自体公知の反応手段、例えば芳香族ジヒ
ドロキシ成分にホスゲンや炭酸ジエステル等のカーボネ
ート前駆物質を反応させる方法により製造される。

【００１０】その重合反応において、末端停止剤として
通常使用される単官能フェノール類を使用することがで
きる。特にカーボネート前駆物質としてホスゲンを使用
する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤とし
て分子量調節のために一般的に使用され、また得られた
ポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノール類に
基づく基によって封鎖されているので、そうでないもの
と比べて熱安定性に優れている。かかる単官能フェノー
ル類としては、ポリカーボネート樹脂の末端停止剤とし
て使用されるものであればよく、一般にはフェノール又
は低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式で
表される単官能フェノール類を示すことができる。

【００１１】

【化１】

【００１２】（式中、Ａは水素原子又は炭素数１〜９、
好ましくは１〜８の脂肪族炭化水素基を示し、ｒは１〜
５、好ましくは１〜３の整数を示す。）かかる単官能フ
ェノール類の具体例としては、例えばフェノール、ｐ−
tert−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、イソ
オクチルフェノール等が挙げられる。これら単官能フェ
ノール類は、得られたポリカーボネート樹脂の全末端に
対して少なくとも５モル％、好ましくは少なくとも１０
モル％末端に導入されることが望ましい。

【００１３】本発明者の研究によれば、長鎖のアルキル
基或いは脂肪族ポリエステル基を置換基として有するフ
ェノール類、安息香酸クロライド類又は長鎖アルキルカ
ルボン酸クロライド類を使用してポリカーボネート樹脂
の末端基を封鎖すると、これらは前記単官能フェノール
類と同様に末端停止剤又は分子量調節剤として機能する
のみならず、更に得られたポリカーボネート樹脂の改質
にも役立つことが見出された。即ちこれら末端改質剤は
ポリカーボネート樹脂の末端に結合することによって樹
脂の溶融流動性が改良され、成形加工が容易となるばか
りでなく、基板としての物性も改良される。特に樹脂の
吸水率を低くする効果がある。

【００１４】従って、成分ａの割合が全芳香族ジヒドロ
キシ成分当り８０モル％以上、特に９０モル％以上の場
合は、得られた樹脂の吸水率が０．２重量％を超える場
合があるが、このような場合、前記末端改質剤を使用す
ることにより、樹脂の吸水率を０．２％以下に抑えるこ
とができる。かかる末端改質剤は、ポリカーボネート樹
脂の組成によって、その割合は一定ではないが、全末端
に対して少なくとも５モル％、好ましくは少なくとも１
０モル％末端に結合するように使用される。末端改質剤
は前記単官能性フェノール類と組合わせて使用すること
ができる。

【００１５】前記末端改質剤としては下記一般式（１−
ａ）〜（１−ｈ）で表される化合物を使用することがで
きる。

【００１６】

【化２】

【００１７】（各式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−
Ｏ−又は−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−であり、ここでＲは単結合又
は炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭
化水素基を示す。Ｔは単結合又は上記Ｘと同様の結合を
示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。Ｑはハロゲン原子
又は炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族
炭化水素基を示し、ｐは０〜４の整数を示し、Ｙは炭素
数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素
基を示し、Ｗ¹は水素原子、−ＣＯ−Ｒ¹−、−ＣＯ−
Ｏ−Ｒ²−又はＲ³である。ここでＲ¹、Ｒ²及びＲ³
は夫々炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪
族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価
の脂環族炭化水素基又は炭素数６〜１５、好ましくは６
〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。ｑは４〜２
０、好ましくは５〜１０の整数を示し、ｍは１〜１０
０、好ましくは３〜６０、特に好ましくは４〜５０の整
数を示し、Ｚは単結合又は炭素数１〜１０、好ましくは
１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｗ²は水素原
子、炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族
炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価の
脂環族炭化水素基又は炭素数６〜１５、好ましくは６〜
１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。）

【００１８】前記した末端改質剤（１−ａ）〜（１−
ｈ）のうち、好ましいのは（１−ａ）及び（１−ｂ）の
置換フェノール類である。この（１−ａ）の置換フェノ
ール類としては、ｎが１０〜３０特に１０〜２６のもの
が好ましく、その具体例としては例えばデシルフェノー
ル、ドデシルフェノール、トリデシルフェノール、テト
ラデシルフェノール、ペンタデシルフェノール、ヘキサ
デシルフェノール、ヘプタデシルフェノール、オクタデ
シルフェノール、ノナデシルフェノール、エイコシルフ
ェノール、ヘンエイコシルフェノール、ドコシルフェノ
ール、トリコシルフェノール、テトラコシルフェノー
ル、ペンタコシルフェノール、ヘキサコシルフェノー
ル、ヘプタコシルフェノール、オクタコシルフェノー
ル、ノナコシルフェノール及びトリアコンチルフェノー
ルを挙げることができる。また（１−ｂ）の置換フェノ
ール類としては、Ｘが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単
結合である化合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に
１０〜２６のものが好適であって、その具体例としては
例えばヒドロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸
ドデシル、ヒドロキシ安息香酸トリデシル、ヒドロキシ
安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ペンタデシ
ル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシル、ヒドロキシ安息
香酸ヘプタデシル、ヒドロキシ安息香酸オクタデシル、
ヒドロキシ安息香酸ノナデシル、ヒドロキシ安息香酸エ
イコシル、ヒドロキシ安息香酸ヘンエイコシル、ヒドロ
キシ安息香酸ドコシル、ヒドロキシ安息香酸トリコシ
ル、ヒドロキシ安息香酸テトラコシル、ヒドロキシ安息
香酸ペンタコシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサコシル、
ヒドロキシ安息香酸ヘプタコシル、ヒドロキシ安息香酸
オクタコシル、ヒドロキシ安息香酸ノナコシル及びヒド
ロキシ安息香酸トリアコンチルが挙げられる。前記一般
式（１−ａ）〜（１−ｇ）で示された置換フェノール類
又は置換安息香酸クロライドにおいて置換基の位置はｐ
−位、ｍ−位及びｏ−位、ｐ−位の混合物が一般的に好
ましい。

【００１９】本発明に用いられるポリカーボネート樹脂
は、その樹脂の０．７g を１００mlの塩化メチレンに溶
解し、２０℃で測定した比粘度が０．２〜０．５の範囲
のものであり、好ましくは０．２５〜０．４の範囲のも
のである。比粘度が０．２未満では成形品が脆くなり、
０．５より高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生
じ、光学的に良好なディスク基板が得られ難くなる。

【００２０】また本発明のポリカーボネート樹脂は、Ａ
ＳＴＭＤ−０５７０によって測定した吸水率が０．２
重量％以下のものが好ましく、０．１７重量％以下のも
のが特に好ましい。吸水率が０．２重量％を超えると、
光ディスク基板表面上に金属膜を付けた光ディスクが吸
水によって反りを生じ易くなり、トラッキングエラーを
起こし易くなるので好ましくない。なかでも好ましい吸
水率は０．１６重量％以下である。

【００２１】本発明の光ディスク基板の製造に用いる射
出成形は通常の光ディスク成形用に用いられる精密射出
成形機を用いてクリーンルーム内にて行われる。クリー
ンルームのクリーン度はクラス１０００以上にするのが
好ましい。射出成形時の型締力は１０トン以上にすべき
である。型締め力が１０トンより低いと、金型が緩み、
所定の形状の光ディスク基板が得られ難くなる。また成
形時の樹脂温度即ちシリンダ温度を２９０〜３６０℃に
し且つ金型温度を１００〜１４０℃の範囲にする必要が
あり、樹脂温度を３００〜３５０℃にし且つ金型温度１
０５〜１３５℃にするのが好ましい。樹脂温度を２９０
℃より低温にするか又は金型温度１００℃より低温にす
ると、金型表面での樹脂の溶融流動性が低下し、得られ
る光ディスク基板表面にピット以外の凹凸不良が生じる
ようになり、樹脂温度を３６０℃より高くするか又は金
型温度を１４０℃より高くすると、得られる光ディスク
基板の冷却に時間がかかり、成形サイクルが長くなるば
かりでなく離型時に樹脂が十分に固まらず、得られる光
ディスク基板に反りが生じるようになる。更に加えるに
射出速度を５０〜７００mm／秒にするのが好ましい。５
０mm／秒未満では金型内での樹脂の流動が悪く、得られ
る光ディスク基板の複屈折や転写性が悪化するようにな
り、７００mm／秒を越えるとバリを生じたり、ガス焼け
やシルバー等が発生し易くなる。また保圧（２次圧）を
２５〜６０kg／cm²にするのが好ましい。２５kg／cm²
より低くするとヒケが生じ易くなり、６０kg／cm²より
高くするとバリを生じたり、光ディスク基板に大きな応
力がかかり、歪が残るようになり、光学特性の優れた光
ディスク基板が得られ難くなる。

【００２２】本発明の光ディスク基板を成形するに当
り、上記ポリカーボネート樹脂に燐系安定剤を配合する
ことができ、こうすることは好ましいことである。燐系
安定剤としては亜燐酸エステル及び燐酸エステルが好ま
しく使用される。亜燐酸エステルとしては例えばトリフ
ェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイ
ト、トリス（２，４−ジ−tert−ブチルフェニル）ホス
ファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホス
ファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモ
ノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホス
ファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、
ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、モ
ノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニ
ルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイ
ト、ビス（２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェ
ニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−
メチレンビス（４，６−ジ−tert−ブチルフェニル）オ
クチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエ
リスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−tert
−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイ
ト、テトラキス（２，４−ジ−tert−ブチルフェニー
ル）−４，４−ジフェニレンホスホナイト等の亜燐酸の
トリエステル、ジエステル、モノエステル等があげら
れ、なかでもトリスノニルフェニルホスファイト、ジス
テアリルペンタエリスリトールジホスファイト等が好ま
しい。燐酸エステルとしては例えばトリブチルホスフェ
ート、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェー
ト、トリクレジルホスフェート、トリフェニルホスフェ
ート、トリクロルフェニルホスフェート、トリブトキシ
エチルホスフェート、ジフェニルクレジルホスフェー
ト、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェート、ジブ
チルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプ
ロピルホスフェート等があげられ、なかでもトリフェニ
ルホスフェート、トリエチルホスフェート等が好まし
い。これら燐系安定剤は単独で使用しても、二種以上組
合せて使用してもよい。これら燐系安定剤の配合量は、
あまりに少ないと充分な安定化効果特に熱安定化効果が
得られ難く、あまりに多いと長期保存時にポリカーボネ
ート樹脂の劣化を促進させるようになるので、燐系安定
剤を燐原子に換算して１〜１５０ppm 含有される量が適
当である。

【００２３】更に、本発明の光ディスク基板を成形する
に当り、上記ポリカーボネート樹脂に多価アルコールの
高級脂肪酸エステルを配合することができる。この高級
脂肪酸エステルを配合することにより、ポリカーボネー
ト樹脂の熱安定性が向上し、成形時の樹脂の流動性がよ
くなり、更に成形後の金型からの光ディスク基板の離型
性が改良されて離型不良による光ディスク基板の変形が
防止できる。かかる高級脂肪酸エステルとしては、炭素
原子数２〜５の多価アルコールと炭素原子数１０〜３０
の飽和脂肪酸との部分エステル又は全エステルが好まし
い。この多価アルコールとしてはグリコール類、グリセ
ロール、ペンタエリスリトール等があげられる。この高
級脂肪酸エステルの配合量は、ポリカーボネート樹脂に
５０〜２０００ppm 含有される量が好ましい。５０ppm
より少ないと上記効果が得られず、２０００ppm より多
いと金型表面の汚れの原因になるので好ましくない。

【００２４】

【実施例】以下に実施例をあげて本発明を更に説明す
る。実施例中の部及び％は重量部及び重量％であり、評
価は下記の方法によった。（１）比粘度：ポリカーボネート樹脂０．７g を塩化メ
チレン１００mlに溶解して２０℃で測定した。（２）ガラス転移温度（Ｔｇ）：デュポン社製９１０型
ＤＳＣにより測定した。（３）流動性（ＭＦＲ）：ＪＩＳＫ−７２１０に準拠
し、東洋精機（株）製セミオートメルトインデクサーを
用いて２８０℃、荷重２．１６kgで１０分間に流出した
ポリマー量（ｇ）で示した。（４）ピット深さ（nm）：ピット深さ１１２nmのスタン
パーを用い、射出成形機［住友重機械工業（株）製ＤＩ
ＳＫ３］で厚さ１．２mm、直径１２０mmの基板を成形
し、基板中心より４０mmの位置のピット深さをセイコー
電子工業（株）製の原子間力顕微鏡にて測定し、ピット
深さ１００nm以上を合格とした。（５）凹凸不良：（４）で成形した基板の中央部を光学
顕微鏡により倍率２００倍で３０箇所観察し（視野の直
径は１mm）、ピット以外の凹凸不良の発生個数を示し
た。（６）吸水率（％）：ＡＳＴＭＤ−０５７０によって
測定した。

【００２５】［合成例１］撹拌機、温度計及び還流冷却
機を備えた反応槽に４８％の水酸化ナトリウム水溶液６
１．３部及びイオン交換水９２９．２部を仕込み、これ
に１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン３９部、４，４′−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール４
３．６部及びハイドロサルファイト０．１７部を溶解し
た後ｐ−tert−ブチルフェノール１．５１部及び塩化メ
チレン６３７．９部を加え、更にトリエチルアミン０．
０９部を加えて撹拌下１５〜２５℃でホスゲン３２．４
部を４０分かけて吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後４８
％水酸化ナトリウム水溶液１５．６部を加え、２８〜３
３℃で約１時間撹拌して反応を終了した。反応終了後生
成物を塩化メチレンで希釈して水洗し、更に塩酸酸性に
して水洗を繰返して水相の導電率がイオン交換水のそれ
と殆ど同じになった時点で水洗を終了し、塩化メチレン
を蒸発して１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン部分と４，４′
−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール
部分の比がモル比で５０：５０のポリカーボネート樹脂
８６．４部を得た（収率９７％）。

【００２６】このポリマーの比粘度は０．２８６、Ｔｇ
は１４７℃、ＭＦＲは７０ g／１０分、吸水率は０．１
５重量％であった。

【００２７】［合成例２］合成例１における１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサンの使用量を３１．２部、４，４′−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールの
使用量を５２．２部に変更する以外は合成例１と同様に
して１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン部分と４，４′−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール部
分の比がモル比で４０：６０であるポリカーボネート樹
脂８６．４部を得た（収率９６％）。このポリマーの比
粘度は０．２９２、Ｔｇは１３５℃、ＭＦＲは９０ g／
１０分、吸水率は０．１２重量％であった。

【００２８】［合成例３］合成例１で用いた反応槽にイ
オン交換水９６５．１部及び４８％水酸化ナトリウム水
溶液６３．６部を仕込み、これに１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘ
キサン２１．３部、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン４６．９部及びハイドロサ
ルファイト０．１８部を溶解した後塩化メチレン６６
２．５部を加え、撹拌下１５〜２０℃でホスゲン３２．
４部を４０分を要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後
ｐ−tert−ブチルフェノール２部及び４８％水酸化ナト
リウム水溶液１６．２部を加えて乳化させた後トリエチ
ルアミン０．０９部を加え、以下合成例１と同様にして
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５
−トリメチルシクロヘキサン部分と２，２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン部分の比が
モル比で３０：７０であるポリカーボネート樹脂７５．
７部を得た（収率９７％）。このポリマーの比粘度は
０．３０４、Ｔｇは１５３℃、ＭＦＲは５０g／１０
分、吸水率は０．１６重量％であった。

【００２９】［合成例４］合成例１におけるｐ−tert−
ブチルフェノールの使用量を３．０２部にする以外は合
成例１と同様にして１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン部分と
４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフ
ェノール部分の比がモル比で５０：５０である無色のポ
リカーボネート樹脂８７部（収率９８％）を得た。この
ポリマーの比粘度は０．１８９、Ｔｇは１４６℃であっ
た。ＭＦＲは流れすぎて測定不可能であった。

【００３０】［実施例１〜６］合成例１〜３で合成した
夫々のポリマー１００部にトリス（２、４−ジ−tert−
ブチルフェニル）ホスファイトを０．００３部、リン酸
トリメチルを０．００５部及びステアリン酸モノグリセ
リド０．０４５部を加え、ペレット化した後射出成形機
［住友重機（株）製ＤＩＳＫ３］により表１に示す成形
条件で厚さ１．２mm、直径１２０mmのディスク基板に成
形し、ディスク表面のピット以外の凹凸不良の観察を行
ったところピット以外の凹凸不良は認められなかった。
また表１に示す通りディスク特性は良好であった。

【００３１】［比較例１］合成例４で合成したポリマー
を用い、実施例で加えた化合物を同量加え、表１記載の
成形条件で射出成形したところ、基板離型時に割れが生
じ基板を得ることができなかった。

【００３２】［比較例２］合成例１で合成したポリマー
を用い、実施例で加えた化合物を同量加え、表１の成形
条件で射出成形した。金型温度８０℃では成形品表面に
ピット以外の凹凸不良が３０箇所全部に１０個以上観察
された。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【発明の効果】本発明の方法によれば吸水率が少なく且
つ基板表面にピット以外の凹凸不良のない良好なディス
ク基板の提供が可能になり、その奏する効果は格別なも
のである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも
２０モル％が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンであるポリカ
ーボネート樹脂より実質的に形成され、該ポリカーボネ
ート樹脂はその０．７g を塩化メチレン１００mlに溶解
した溶液の２０℃において測定された比粘度が０．２〜
０．５であり、該ポリカーボネート樹脂を用いて型締力
１０〜７５トン、樹脂温度２９０〜３６０℃、金型温度
１００〜１４０℃で射出成形することを特徴とする光デ
ィスク基板の製造方法。
【請求項２】該ポリカーボネート樹脂が、全芳香族ジ
ヒドロキシ成分の３０〜９０モル％が１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンである請求項１記載の光ディスク基板の製造
方法。
【請求項３】該ポリカーボネート樹脂が、全芳香族ジ
ヒドロキシ成分の４０〜８０モル％が１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンである請求項１記載の光ディスク基板の製造
方法。
【請求項４】該ポリカーボネート樹脂が、（ａ）１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン（成分ａ）及び（ｂ）４，４′
−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール
及び／又は２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン（成分ｂ）を全芳香族ジヒドロキシ
成分の少なくとも８０モル％とし且つ成分ａと成分ｂの
割合がモル比で２０：８０〜８０：２０である請求項１
〜３のいずれか１項記載の光ディスク基板の製造方法。
【請求項５】成分ｂが４，４′−（ｍ−フェニレンジ
イソプロピリデン）ジフェノールである請求項４記載の
光ディスク基板の製造方法。
【請求項６】成分ａ：成分ｂの割合がモル比で３０：
７０〜８０：２０である請求項５記載の光ディスク基板
の製造方法。
【請求項７】成分ｂが２，２−ビス（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパンである請求項４記載の
光ディスク基板の製造方法。
【請求項８】成分ａ：成分ｂの割合が、モル比で３
０：７０〜８０：２０である請求項７記載の光ディスク
基板の製造方法。
【請求項９】射出成形機の射出速度が５０〜７００mm
／秒である請求項１〜８のいずれか１項記載の光ディス
ク基板の製造方法。
【請求項１０】射出成形機の保圧が２５〜６０kg／cm
²である請求項１〜９のいずれか１項記載の光ディスク
基板の製造方法。