JPH08329544A - 光磁気ピックアップ - Google Patents
光磁気ピックアップInfo
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- JPH08329544A JPH08329544A JP7136462A JP13646295A JPH08329544A JP H08329544 A JPH08329544 A JP H08329544A JP 7136462 A JP7136462 A JP 7136462A JP 13646295 A JP13646295 A JP 13646295A JP H08329544 A JPH08329544 A JP H08329544A
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- magneto
- optical pickup
- optical
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1356—Double or multiple prisms, i.e. having two or more prisms in cooperation
-
- G—PHYSICS
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- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
-
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気光学効果により情報の記録、再生を行う
光磁気ピックアップにおいて、光利用効率が高く、十分
なＳＮ比の光磁気信号が得られ、信頼性および耐久性の
高い小型で安価な光磁気ピックアップを提供することを
目的とする。 【構成】 内部にレーザーダイオード１７とフォトダイ
オード１８、１９、２０が構成された光学モジュール１
５と一体に、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率および透過率の
異なる偏光プリズム２３を設け、光学モジュール１５の
内部にプリズム型検光子２４を設けたことで、小型化を
図りながら光利用効率の向上と、光磁気信号の十分なＳ
Ｎ比を確保することができる。また、光学モジュールを
密封する構造としたことで信頼性および耐久性の高い光
磁気ピックアップを提供することができる。
光磁気ピックアップにおいて、光利用効率が高く、十分
なＳＮ比の光磁気信号が得られ、信頼性および耐久性の
高い小型で安価な光磁気ピックアップを提供することを
目的とする。 【構成】 内部にレーザーダイオード１７とフォトダイ
オード１８、１９、２０が構成された光学モジュール１
５と一体に、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率および透過率の
異なる偏光プリズム２３を設け、光学モジュール１５の
内部にプリズム型検光子２４を設けたことで、小型化を
図りながら光利用効率の向上と、光磁気信号の十分なＳ
Ｎ比を確保することができる。また、光学モジュールを
密封する構造としたことで信頼性および耐久性の高い光
磁気ピックアップを提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、音声および画像用ファ
イル、文書ファイル、およびコンピューター用外部メモ
リー装置などに用いられ、光ビームを用いて磁気光学効
果により情報の記録、再生などを繰り返して行える光学
式記録再生装置の光磁気ピックアップに関するものであ
る。
イル、文書ファイル、およびコンピューター用外部メモ
リー装置などに用いられ、光ビームを用いて磁気光学効
果により情報の記録、再生などを繰り返して行える光学
式記録再生装置の光磁気ピックアップに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、光学式記録再生装置の中で、繰り
返し情報の記録再生が行える方式の一つである光磁気記
録再生装置が注目されている。光磁気ピックアップは、
この光磁気記録再生装置の基本的構成要素として、特
に、その小型化技術が最重要視されている。
返し情報の記録再生が行える方式の一つである光磁気記
録再生装置が注目されている。光磁気ピックアップは、
この光磁気記録再生装置の基本的構成要素として、特
に、その小型化技術が最重要視されている。
【０００３】小型化を図った従来の光磁気ピックアップ
として、例えば特開平５−２０５３３９号公報に開示の
ものがある。以下、同公報の図１を用いて従来の光磁気
ピックアップについて説明する。
として、例えば特開平５−２０５３３９号公報に開示の
ものがある。以下、同公報の図１を用いて従来の光磁気
ピックアップについて説明する。
【０００４】図１において、１３、１４はＳｉ基板１２
上に形成されたフォトダイオードであり、これらの配列
方向とは直角な方向に分割されている３個ずつの部分Ａ
〜ＣおよびＤ〜Ｆから成っている。１５はＳｉ基板１２
の上面全体に設けられた偏光膜であり、Ｐ偏光の光のみ
を透過しＳ偏光の光は反射する。１６は偏光膜１５上で
フォトダイオード１３、１４の上方に設けられた断面台
形のプリズム（マイクロプリズム）であり、その斜面に
は、反射率が５０％である無偏光膜２１が形成されてい
る。１７はプリズム１６の上面に設けられた四分の一波
長板であり、その上面には全反射膜１８が形成されてい
る。２３は偏光膜１５上に設けられた別のＳｉ基板であ
り、プリズム１６の斜面に対向する位置に配置されてい
る。２５はＳｉ基板２３上に設けられたレーザーダイオ
ードであり、偏光面が無偏光膜２１の入射面に対して４
５°だけ傾いた光を放射する。２４はＳｉ基板２３上に
設けられた別のフォトダイオードであり、レーザーダイ
オード２５の無偏光膜２１へ向かう側とは反対側の位置
に配置されている。２６はプリズム１６の斜面の上方に
配置された対物レンズである。
上に形成されたフォトダイオードであり、これらの配列
方向とは直角な方向に分割されている３個ずつの部分Ａ
〜ＣおよびＤ〜Ｆから成っている。１５はＳｉ基板１２
の上面全体に設けられた偏光膜であり、Ｐ偏光の光のみ
を透過しＳ偏光の光は反射する。１６は偏光膜１５上で
フォトダイオード１３、１４の上方に設けられた断面台
形のプリズム（マイクロプリズム）であり、その斜面に
は、反射率が５０％である無偏光膜２１が形成されてい
る。１７はプリズム１６の上面に設けられた四分の一波
長板であり、その上面には全反射膜１８が形成されてい
る。２３は偏光膜１５上に設けられた別のＳｉ基板であ
り、プリズム１６の斜面に対向する位置に配置されてい
る。２５はＳｉ基板２３上に設けられたレーザーダイオ
ードであり、偏光面が無偏光膜２１の入射面に対して４
５°だけ傾いた光を放射する。２４はＳｉ基板２３上に
設けられた別のフォトダイオードであり、レーザーダイ
オード２５の無偏光膜２１へ向かう側とは反対側の位置
に配置されている。２６はプリズム１６の斜面の上方に
配置された対物レンズである。
【０００５】上記のように構成された従来の光磁気ピッ
クアップの基本的な動作を説明すると、レーザーダイオ
ード２５から放射された光２８は、無偏光膜２１へ入射
し、そのうち５０％だけが上方へ反射される。無偏光膜
２１で反射された光２８は、対物レンズ２６によって光
磁気記録媒体（光磁気ディスク）２９上に集光され、光
磁気記録媒体２９上に記録されている磁気信号によって
偏光面が回転される。光磁気記録媒体２９で反射された
光２８は、再び対物レンズ２６を透過し無偏光膜２１へ
入射し、そのうち５０％だけが無偏光膜２１を透過す
る。無偏光膜２１を透過した光２８は、プリズム１６中
を進行し、偏光膜１５へ入射する。偏光膜１５へ入射し
た光２８のうち、Ｐ偏光成分のみがこの偏光膜１５を透
過してフォトダイオード１３へ入射し、Ｓ偏光成分は偏
光膜１５で反射される。偏光膜１５で反射された光２８
のＳ偏光成分は、プリズム１６中を進行し、四分の一波
長板１７を透過して全反射膜１８へ入射し、この全反射
膜１８で反射されて再び四分の一波長板１７を透過す
る。すなわち、光２８のＳ偏光成分は、四分の一波長板
１７中を往復するのでＰ偏光に変わる。全反射膜１８で
反射された光２８は、プリズム１６中を進行し偏光膜１
５へ入射するが、この光２８は上述のようにＰ偏光に変
わっているので、偏光膜１５を透過してフォトダイオー
ド１４へ入射する。従って、光磁気信号ＲＦは、ＲＦ＝
（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ）という差動検出によっ
て得られる。
クアップの基本的な動作を説明すると、レーザーダイオ
ード２５から放射された光２８は、無偏光膜２１へ入射
し、そのうち５０％だけが上方へ反射される。無偏光膜
２１で反射された光２８は、対物レンズ２６によって光
磁気記録媒体（光磁気ディスク）２９上に集光され、光
磁気記録媒体２９上に記録されている磁気信号によって
偏光面が回転される。光磁気記録媒体２９で反射された
光２８は、再び対物レンズ２６を透過し無偏光膜２１へ
入射し、そのうち５０％だけが無偏光膜２１を透過す
る。無偏光膜２１を透過した光２８は、プリズム１６中
を進行し、偏光膜１５へ入射する。偏光膜１５へ入射し
た光２８のうち、Ｐ偏光成分のみがこの偏光膜１５を透
過してフォトダイオード１３へ入射し、Ｓ偏光成分は偏
光膜１５で反射される。偏光膜１５で反射された光２８
のＳ偏光成分は、プリズム１６中を進行し、四分の一波
長板１７を透過して全反射膜１８へ入射し、この全反射
膜１８で反射されて再び四分の一波長板１７を透過す
る。すなわち、光２８のＳ偏光成分は、四分の一波長板
１７中を往復するのでＰ偏光に変わる。全反射膜１８で
反射された光２８は、プリズム１６中を進行し偏光膜１
５へ入射するが、この光２８は上述のようにＰ偏光に変
わっているので、偏光膜１５を透過してフォトダイオー
ド１４へ入射する。従って、光磁気信号ＲＦは、ＲＦ＝
（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ）という差動検出によっ
て得られる。
【０００６】また、光磁気ピックアップと光磁気記録媒
体２９とが合焦状態にあるときに、図１（ｂ）に示すよ
うに光２８は全反射膜１８上で焦点を結び、フォトダイ
オード１３、１４上での光スポットの直径が同じになる
ことから、フォーカスエラー信号ＦＥは、ＦＥ＝（Ａ＋
Ｃ＋Ｅ）−（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ）という差動検出によって得ら
れる。
体２９とが合焦状態にあるときに、図１（ｂ）に示すよ
うに光２８は全反射膜１８上で焦点を結び、フォトダイ
オード１３、１４上での光スポットの直径が同じになる
ことから、フォーカスエラー信号ＦＥは、ＦＥ＝（Ａ＋
Ｃ＋Ｅ）−（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ）という差動検出によって得ら
れる。
【０００７】一方、レーザーダイオード２５から無偏光
膜２１へ向かう方向とは反対方向に放射された光２８
は、フォトダイオード２４へ入射し、フォトダイオード
２４で受光する光２８の受光量の変化を検出すること
で、レーザーダイオード２５からの光２８の放射光量の
変化を知ることができる。
膜２１へ向かう方向とは反対方向に放射された光２８
は、フォトダイオード２４へ入射し、フォトダイオード
２４で受光する光２８の受光量の変化を検出すること
で、レーザーダイオード２５からの光２８の放射光量の
変化を知ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、レーザーダイオード２５から放射された
光２８を反射する作用、および光磁気記録媒体２９から
の反射光を透過する作用が、反射率および透過率が光の
偏光方向に関与しない無偏光膜２１で行われるので、反
射率および透過率がいずれも５０％と低く、光利用効率
が悪く放射出力の高い高価なレーザーダイオード２５が
必要となるばかりでなく、光磁気記録媒体２９上に記録
されている磁気信号によって微小な角度だけ回転された
偏光成分、すなわち光磁気信号成分の透過率も同様に悪
いので、光磁気信号の十分なＳＮ比が得られず、光磁気
ピックアップとしての良好な性能を得ることができな
い。
うな構成では、レーザーダイオード２５から放射された
光２８を反射する作用、および光磁気記録媒体２９から
の反射光を透過する作用が、反射率および透過率が光の
偏光方向に関与しない無偏光膜２１で行われるので、反
射率および透過率がいずれも５０％と低く、光利用効率
が悪く放射出力の高い高価なレーザーダイオード２５が
必要となるばかりでなく、光磁気記録媒体２９上に記録
されている磁気信号によって微小な角度だけ回転された
偏光成分、すなわち光磁気信号成分の透過率も同様に悪
いので、光磁気信号の十分なＳＮ比が得られず、光磁気
ピックアップとしての良好な性能を得ることができな
い。
【０００９】さらに、水晶などで構成される高価な四分
の一波長板１７や、レーザーダイオード２５やフォトダ
イオード２４を配置するため、Ｓｉ基板１２とは別のＳ
ｉ基板２３が必要となるので、光磁気ピックアップとし
ての部品点数が多く、低コスト化が極めて困難な構成で
ある。
の一波長板１７や、レーザーダイオード２５やフォトダ
イオード２４を配置するため、Ｓｉ基板１２とは別のＳ
ｉ基板２３が必要となるので、光磁気ピックアップとし
ての部品点数が多く、低コスト化が極めて困難な構成で
ある。
【００１０】本発明は、上記従来の課題を解決し、光の
利用効率が良く、良好なＳＮ比が得られ、かつ高価な発
光素子などの構成部品を必要としない小型の光磁気記録
再生装置の光磁気ピックアップを提供することを目的と
する。
利用効率が良く、良好なＳＮ比が得られ、かつ高価な発
光素子などの構成部品を必要としない小型の光磁気記録
再生装置の光磁気ピックアップを提供することを目的と
する。
【００１１】
【解題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光磁気ピックアップは、複数の受光領域を
有する受光素子および発光素子が一体に設けられ、光の
入出射面に回折格子が設けられた光学モジュールと、発
光素子から放射された光を情報記録媒体上に照射する集
光素子と、発光素子と集光素子との間の光路中で光学モ
ジュールと一体に設けられ、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率
および透過率の異なる偏光プリズムと、光学モジュール
の内部あるいは光学モジュールと一体に設けられ、偏光
プリズムで反射または透過した光を少なくとも互いに直
交する二つの偏光成分を持つ複数の光に分岐する検光子
を備えたものである。
に、本発明の光磁気ピックアップは、複数の受光領域を
有する受光素子および発光素子が一体に設けられ、光の
入出射面に回折格子が設けられた光学モジュールと、発
光素子から放射された光を情報記録媒体上に照射する集
光素子と、発光素子と集光素子との間の光路中で光学モ
ジュールと一体に設けられ、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率
および透過率の異なる偏光プリズムと、光学モジュール
の内部あるいは光学モジュールと一体に設けられ、偏光
プリズムで反射または透過した光を少なくとも互いに直
交する二つの偏光成分を持つ複数の光に分岐する検光子
を備えたものである。
【００１２】
【作用】この構成では、偏光プリズムにおいて、発光素
子からの放射光が反射または透過するときの効率を上げ
ながら、光磁気記録媒体で生じた光の偏光面の微小な回
転により発生した光磁気信号成分が反射または透過する
ときの効率も上げるように、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率
および透過率を異ならせているので、光利用効率が良く
なり、十分なＳＮ比を確保することができる。
子からの放射光が反射または透過するときの効率を上げ
ながら、光磁気記録媒体で生じた光の偏光面の微小な回
転により発生した光磁気信号成分が反射または透過する
ときの効率も上げるように、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率
および透過率を異ならせているので、光利用効率が良く
なり、十分なＳＮ比を確保することができる。
【００１３】また、光利用効率が良いので、高価な高出
力の発光素子が不要となるとともに、波長板や複数の基
板が不要となるので、低コスト化が容易であるばかりで
なく、光学モジュールと偏光プリズムを一体化しながら
光学モジュールの内部に検光子を設けたことにより、極
めて小型の光磁気ピックアップを提供することが可能と
なる。
力の発光素子が不要となるとともに、波長板や複数の基
板が不要となるので、低コスト化が容易であるばかりで
なく、光学モジュールと偏光プリズムを一体化しながら
光学モジュールの内部に検光子を設けたことにより、極
めて小型の光磁気ピックアップを提供することが可能と
なる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例の光磁気ピックアッ
プを、図面を参照しながら説明する。
プを、図面を参照しながら説明する。
【００１５】図１は本発明の第１の実施例における光磁
気ピックアップの構成を示す側面概念図であり、図２は
同実施例における受光素子、発光素子および検光子部分
の上面図である。
気ピックアップの構成を示す側面概念図であり、図２は
同実施例における受光素子、発光素子および検光子部分
の上面図である。
【００１６】図１および図２において、１５は光学モジ
ュールであり、その内部には基板１６が設けられてい
る。基板１６上には、発光素子としてのレーザーダイオ
ード１７と受光素子としてのフォトダイオード１８、１
９、２０が設けられている。レーザーダイオード１７
は、例えば基板１６の一部に略４５°の斜面を有する凹
部を設け、その中に発光チップを搭載して、発光チップ
からの放射光が４５°の斜面にあたり、反射して上方に
放射させるようにしたものである。フォトダイオード１
８、１９は、図２に示すように、それぞれ６個ずつの分
割された部分１８ａ〜１８ｆおよび１９ａ〜１９ｆから
成っており、フォトダイオード２０は、フォトダイオー
ド１８、１９の配列方向に対して略４５°傾いた方向に
分割された２個の部分２０ａ、２０ｂから成っている。
ュールであり、その内部には基板１６が設けられてい
る。基板１６上には、発光素子としてのレーザーダイオ
ード１７と受光素子としてのフォトダイオード１８、１
９、２０が設けられている。レーザーダイオード１７
は、例えば基板１６の一部に略４５°の斜面を有する凹
部を設け、その中に発光チップを搭載して、発光チップ
からの放射光が４５°の斜面にあたり、反射して上方に
放射させるようにしたものである。フォトダイオード１
８、１９は、図２に示すように、それぞれ６個ずつの分
割された部分１８ａ〜１８ｆおよび１９ａ〜１９ｆから
成っており、フォトダイオード２０は、フォトダイオー
ド１８、１９の配列方向に対して略４５°傾いた方向に
分割された２個の部分２０ａ、２０ｂから成っている。
【００１７】２１はガラスまたは樹脂で構成された透明
基板であり、そのレーザーダイオード１７に対向する面
には、略５°〜２０°で回折される±１次回折光の焦点
位置が異なるようなレンズ効果を有するホログラム回折
素子（回折格子）２２が形成されており、透明基板２１
は、光学モジュール１５上に内部を密封する形で設けら
れている。
基板であり、そのレーザーダイオード１７に対向する面
には、略５°〜２０°で回折される±１次回折光の焦点
位置が異なるようなレンズ効果を有するホログラム回折
素子（回折格子）２２が形成されており、透明基板２１
は、光学モジュール１５上に内部を密封する形で設けら
れている。
【００１８】２３は断面が三角形のプリズムと断面が平
行四辺形のプリズムとを接合した断面が台形となる偏光
プリズムであり、その接合面は、例えばレーザーダイオ
ード１７から放射される光がＰ偏光のときに、Ｐ偏光の
透過率が略７０％、Ｐ偏光の反射率が略３０％、Ｓ偏光
の反射率が略１００％に設定された偏光分離面２３ａで
ある。偏光プリズム２３は透明基板２１上に一体に構成
されており、偏光プリズム２３の斜面２３ｂは光学モジ
ュール１５の内部に向かって光が入射するように傾斜し
ている。
行四辺形のプリズムとを接合した断面が台形となる偏光
プリズムであり、その接合面は、例えばレーザーダイオ
ード１７から放射される光がＰ偏光のときに、Ｐ偏光の
透過率が略７０％、Ｐ偏光の反射率が略３０％、Ｓ偏光
の反射率が略１００％に設定された偏光分離面２３ａで
ある。偏光プリズム２３は透明基板２１上に一体に構成
されており、偏光プリズム２３の斜面２３ｂは光学モジ
ュール１５の内部に向かって光が入射するように傾斜し
ている。
【００１９】２４は断面が三角形のプリズムと断面が平
行四辺形のプリズムとを接合した断面が台形となるプリ
ズム型検光子であり、その接合面は、Ｐ偏光の透過率が
略１００％、Ｓ偏光の反射率が略１００％に設定された
偏光分離面２４ａである。プリズム型検光子２４は、基
板１６上でフォトダイオード２０の上部に設けられてお
り、偏光分離面２４ａがフォトダイオード２０の部分２
０ａの上方に配置され、斜面２４ｂがフォトダイオード
２０の部分２０ｂの上方に配置されている。つまり、フ
ォトダイオード２０の部分２０ａ上には、断面が三角形
のプリズムが位置し、フォトダイオード２０の部分２０
ｂ上には、断面が平行四辺形のプリズムが位置してい
る。
行四辺形のプリズムとを接合した断面が台形となるプリ
ズム型検光子であり、その接合面は、Ｐ偏光の透過率が
略１００％、Ｓ偏光の反射率が略１００％に設定された
偏光分離面２４ａである。プリズム型検光子２４は、基
板１６上でフォトダイオード２０の上部に設けられてお
り、偏光分離面２４ａがフォトダイオード２０の部分２
０ａの上方に配置され、斜面２４ｂがフォトダイオード
２０の部分２０ｂの上方に配置されている。つまり、フ
ォトダイオード２０の部分２０ａ上には、断面が三角形
のプリズムが位置し、フォトダイオード２０の部分２０
ｂ上には、断面が平行四辺形のプリズムが位置してい
る。
【００２０】２５は偏光プリズム２３の上方に設けられ
た集光素子としての対物レンズであり、２６は情報記録
媒体としての光磁気記録媒体である。
た集光素子としての対物レンズであり、２６は情報記録
媒体としての光磁気記録媒体である。
【００２１】なお、ホログラム回折素子２２は、透明基
板２１上のレーザーダイオード１７に対向する面（透明
基板２１の下面）ではなく、偏光プリズム２３に対向す
る面（透明基板２１の上面）にあってもよい。
板２１上のレーザーダイオード１７に対向する面（透明
基板２１の下面）ではなく、偏光プリズム２３に対向す
る面（透明基板２１の上面）にあってもよい。
【００２２】また、透明基板２１を廃止して、ホログラ
ム回折素子２２を直接偏光プリズム２３のレーザーダイ
オード１７に対向する面上に設けても良い。
ム回折素子２２を直接偏光プリズム２３のレーザーダイ
オード１７に対向する面上に設けても良い。
【００２３】さらに、偏光プリズム２３とプリズム型検
光子２４は、いずれも断面が三角形のプリズムと断面が
平行四辺形のプリズムを接合して断面が台形となる素子
としたが、断面が三角形のプリズムを３個組み合わせて
断面が台形となるように形成してもよい。
光子２４は、いずれも断面が三角形のプリズムと断面が
平行四辺形のプリズムを接合して断面が台形となる素子
としたが、断面が三角形のプリズムを３個組み合わせて
断面が台形となるように形成してもよい。
【００２４】上記のように構成された本実施例の光磁気
ピックアップの基本的な動作を説明する。レーザーダイ
オード１７から放射されたＰ偏光の光は、ホログラム回
折素子２２が形成された透明基板２１を透過して偏光プ
リズム２３の偏光分離面２３ａに入射する。偏光分離面
２３ａでは、Ｐ偏光の透過率が略７０％、Ｐ偏光の反射
率が略３０％、Ｓ偏光の反射率が略１００％に設定され
ているので、光の略７０％が透過し、対物レンズ２５に
よって光磁気記録媒体２６上に集光される。光磁気記録
媒体２６上では、記録されている磁気信号によって光の
偏光面が略０．５°程度回転され、光磁気信号成分とし
て若干のＳ偏光成分を得て光は反射し、再び対物レンズ
２５を透過して偏光プリズム２３の偏光分離面２３ａに
戻る。偏光分離面２３ａでは、Ｐ偏光の透過率が略７０
％、Ｐ偏光の反射率が略３０％、Ｓ偏光の反射率が略１
００％に設定されているので、Ｐ偏光成分の略７０％は
透過し、Ｐ偏光成分の略３０％と光磁気信号成分である
Ｓ偏光成分の略１００％は反射する。このうち、偏光分
離面２３ａを反射した光は、斜面２３ｂで反射されて透
明基板２１を透過して光学モジュール１５内に入り、プ
リズム型検光子２４の偏光分離面２４ａに入射する。偏
光分離面２４ａでは、Ｐ偏光の透過率が略１００％、Ｓ
偏光の反射率が略１００％に設定されているので、Ｐ偏
光成分は透過してフォトダイオード２０の部分２０ａに
入射し、Ｓ偏光成分は反射して斜面２４ｂで反射された
後にフォトダイオード２０の部分２０ｂに入射するの
で、フォトダイオード２０の各部分２０ａ、２０ｂで得
られる信号を同一符号を用いて示すと、
ピックアップの基本的な動作を説明する。レーザーダイ
オード１７から放射されたＰ偏光の光は、ホログラム回
折素子２２が形成された透明基板２１を透過して偏光プ
リズム２３の偏光分離面２３ａに入射する。偏光分離面
２３ａでは、Ｐ偏光の透過率が略７０％、Ｐ偏光の反射
率が略３０％、Ｓ偏光の反射率が略１００％に設定され
ているので、光の略７０％が透過し、対物レンズ２５に
よって光磁気記録媒体２６上に集光される。光磁気記録
媒体２６上では、記録されている磁気信号によって光の
偏光面が略０．５°程度回転され、光磁気信号成分とし
て若干のＳ偏光成分を得て光は反射し、再び対物レンズ
２５を透過して偏光プリズム２３の偏光分離面２３ａに
戻る。偏光分離面２３ａでは、Ｐ偏光の透過率が略７０
％、Ｐ偏光の反射率が略３０％、Ｓ偏光の反射率が略１
００％に設定されているので、Ｐ偏光成分の略７０％は
透過し、Ｐ偏光成分の略３０％と光磁気信号成分である
Ｓ偏光成分の略１００％は反射する。このうち、偏光分
離面２３ａを反射した光は、斜面２３ｂで反射されて透
明基板２１を透過して光学モジュール１５内に入り、プ
リズム型検光子２４の偏光分離面２４ａに入射する。偏
光分離面２４ａでは、Ｐ偏光の透過率が略１００％、Ｓ
偏光の反射率が略１００％に設定されているので、Ｐ偏
光成分は透過してフォトダイオード２０の部分２０ａに
入射し、Ｓ偏光成分は反射して斜面２４ｂで反射された
後にフォトダイオード２０の部分２０ｂに入射するの
で、フォトダイオード２０の各部分２０ａ、２０ｂで得
られる信号を同一符号を用いて示すと、
【００２５】
【数１】
【００２６】という差動検出によって光磁気信号ＲＦが
得られる。一方、偏光プリズム２３の偏光分離面２３ａ
を透過した光は、透明基板２１に形成されたホログラム
回折素子２２に入射する。ここで光は略５°〜２５°の
回折角で回折され、例えば＋１次回折光はフォトダイオ
ード１８に入射し、−１次光はフォトダイオード１９に
入射する。このとき、ホログラム回折素子２２は±１次
回折光の焦点位置が異なるようなレンズ効果を有するの
で、例えば＋１次光はフォトダイオード１８よりホログ
ラム回折素子２２に近い所で焦点を結び、−１次光はフ
ォトダイオード１９より遠い所で焦点を結ぶので、光磁
気ピックアップと光磁気記録媒体２６が合焦状態にある
ときに、図２に示すようにフォトダイオード１８とフォ
トダイオード１９上での光スポットの直径が同じになる
ので、
得られる。一方、偏光プリズム２３の偏光分離面２３ａ
を透過した光は、透明基板２１に形成されたホログラム
回折素子２２に入射する。ここで光は略５°〜２５°の
回折角で回折され、例えば＋１次回折光はフォトダイオ
ード１８に入射し、−１次光はフォトダイオード１９に
入射する。このとき、ホログラム回折素子２２は±１次
回折光の焦点位置が異なるようなレンズ効果を有するの
で、例えば＋１次光はフォトダイオード１８よりホログ
ラム回折素子２２に近い所で焦点を結び、−１次光はフ
ォトダイオード１９より遠い所で焦点を結ぶので、光磁
気ピックアップと光磁気記録媒体２６が合焦状態にある
ときに、図２に示すようにフォトダイオード１８とフォ
トダイオード１９上での光スポットの直径が同じになる
ので、
【００２７】
【数２】
【００２８】という差動検出によってフォーカスエラー
信号ＦＥが得られる。また、フォトダイオード１８の部
分１８ａ〜１８ｃと部分１８ｄ〜１８ｆを分ける分割線
およびフォトダイオード１９の部分１９ａ〜１９ｃと部
分１９ｄ〜１９ｆを分ける分割線と光磁気記録媒体２６
の情報トラックの方向が平行になるように光磁気ピック
アップを配置しておけば、光磁気ピックアップに対して
光磁気記録媒体２６の情報トラックのずれが発生したと
きに、フォトダイオード１８上の光スポットとフォトダ
イオード１９上の光スポットが、情報トラックと直交す
る方向にそれぞれ逆方向に動くので、
信号ＦＥが得られる。また、フォトダイオード１８の部
分１８ａ〜１８ｃと部分１８ｄ〜１８ｆを分ける分割線
およびフォトダイオード１９の部分１９ａ〜１９ｃと部
分１９ｄ〜１９ｆを分ける分割線と光磁気記録媒体２６
の情報トラックの方向が平行になるように光磁気ピック
アップを配置しておけば、光磁気ピックアップに対して
光磁気記録媒体２６の情報トラックのずれが発生したと
きに、フォトダイオード１８上の光スポットとフォトダ
イオード１９上の光スポットが、情報トラックと直交す
る方向にそれぞれ逆方向に動くので、
【００２９】
【数３】
【００３０】という差動検出によってトラッキングエラ
ー信号ＴＥが得られる。以上のように、本実施例の光磁
気ピックアップによれば、光学モジュール１５と一体に
Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率および透過率の異なる偏光プ
リズム２３を設けたことで、小型化でき、かつ光利用効
率が高くなり光磁気信号の十分なＳＮ比を確保すること
ができる。
ー信号ＴＥが得られる。以上のように、本実施例の光磁
気ピックアップによれば、光学モジュール１５と一体に
Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率および透過率の異なる偏光プ
リズム２３を設けたことで、小型化でき、かつ光利用効
率が高くなり光磁気信号の十分なＳＮ比を確保すること
ができる。
【００３１】また、光学モジュール１５の内部にレーザ
ーダイオード１７とフォトダイオード１８〜２０を一体
に設けた基板１６を設け、この基板１６上にプリズム型
検光子２４を一体に設けたことで、波長板や複数の基板
が不要となるので、小型化でき、かつ低コスト化が容易
となる。
ーダイオード１７とフォトダイオード１８〜２０を一体
に設けた基板１６を設け、この基板１６上にプリズム型
検光子２４を一体に設けたことで、波長板や複数の基板
が不要となるので、小型化でき、かつ低コスト化が容易
となる。
【００３２】さらに、透明基板２１で光学モジュール１
５の内部を密封する構造とすることで、温度や湿度に対
する信頼性および耐久性の向上を図ることができる。
５の内部を密封する構造とすることで、温度や湿度に対
する信頼性および耐久性の向上を図ることができる。
【００３３】以下、本発明の光磁気ピックアップの別の
実施例を説明する。なお、第１の実施例と同一の部材
は、同一の符号で示すものとする。
実施例を説明する。なお、第１の実施例と同一の部材
は、同一の符号で示すものとする。
【００３４】図３は本発明の第２の実施例における光磁
気ピックアップの構成を示す側面概念図、図４は同実施
例における受光素子、発光素子および検光子部分の上面
図、図５は同実施例における回折素子の上面図である。
気ピックアップの構成を示す側面概念図、図４は同実施
例における受光素子、発光素子および検光子部分の上面
図、図５は同実施例における回折素子の上面図である。
【００３５】図３における図１との違いは、フォトダイ
オード１８、１９を、中央部をこれらの配列方向と直交
する方向に３個ずつの部分１８ｉ〜１８ｋおよび１９ｉ
〜１９ｋに分割し、３個ずつの部分１８ｉ〜１８ｋおよ
び１９ｉ〜１９ｋの周辺部をフォトダイオード１８、１
９の配列方向と同じ方向に２個ずつの部分１８ｇと１８
ｈ、１８ｌと１８ｍおよび１９ｇと１９ｈ、１９ｌと１
９ｍに分割し、ホログラム回折素子２２のかわりに回折
格子として領域分割ホログラム回折素子２７を用いたこ
とである。
オード１８、１９を、中央部をこれらの配列方向と直交
する方向に３個ずつの部分１８ｉ〜１８ｋおよび１９ｉ
〜１９ｋに分割し、３個ずつの部分１８ｉ〜１８ｋおよ
び１９ｉ〜１９ｋの周辺部をフォトダイオード１８、１
９の配列方向と同じ方向に２個ずつの部分１８ｇと１８
ｈ、１８ｌと１８ｍおよび１９ｇと１９ｈ、１９ｌと１
９ｍに分割し、ホログラム回折素子２２のかわりに回折
格子として領域分割ホログラム回折素子２７を用いたこ
とである。
【００３６】領域分割ホログラム回折素子２７は、レン
ズ効果を有するとともに、図５に示すように、その瞳領
域内において分割された６個の部分２７ａ〜２７ｆから
成っており、各部分は、異なるパターンを有している。
領域分割ホログラム回折素子２７の部分２７ａで回折さ
れた＋１次回折光はフォトダイオード１８の部分１８ｈ
に、−１次回折光はフォトダイオード１９の部分１９ｍ
にそれぞれ導かれる。同様に部分２７ｄの±１次回折光
は、それぞれフォトダイオード１８、１９の部分１８
ｇ、１９ｌに、部分２７ｃの±１次回折光は、それぞれ
フォトダイオード１８、１９の部分１８ｍ、１９ｈに、
部分２７ｆの±１次回折光は、それぞれフォトダイオー
ド１８、１９の部分１８ｌ、１９ｇに導かれる。また、
２７ｂ、２７ｅの±１次回折光は、それぞれフォトダイ
オード１８、１９の中央の３分割された部分１８ｉ〜１
８ｋおよび１９ｉ〜１９ｋ上に並列して導かれるよう構
成されている。さらに、フォトダイオード１８、１９の
部分１８ｇ、１８ｈ、１８ｌ、１８ｍおよび１９ｇ、１
９ｈ、１９ｌ、１９ｍで受光される分割光スポットの大
きさは、それぞれの部分の面積よりも十分に小さくなる
よう構成されており、部分１８ｉ〜１８ｋおよび１９ｉ
〜１９ｋのフォトダイオード１８、１９の配列方向と平
行な方向の長さは、受光される分割光スポットの大きさ
より十分に長くなるように構成されている。
ズ効果を有するとともに、図５に示すように、その瞳領
域内において分割された６個の部分２７ａ〜２７ｆから
成っており、各部分は、異なるパターンを有している。
領域分割ホログラム回折素子２７の部分２７ａで回折さ
れた＋１次回折光はフォトダイオード１８の部分１８ｈ
に、−１次回折光はフォトダイオード１９の部分１９ｍ
にそれぞれ導かれる。同様に部分２７ｄの±１次回折光
は、それぞれフォトダイオード１８、１９の部分１８
ｇ、１９ｌに、部分２７ｃの±１次回折光は、それぞれ
フォトダイオード１８、１９の部分１８ｍ、１９ｈに、
部分２７ｆの±１次回折光は、それぞれフォトダイオー
ド１８、１９の部分１８ｌ、１９ｇに導かれる。また、
２７ｂ、２７ｅの±１次回折光は、それぞれフォトダイ
オード１８、１９の中央の３分割された部分１８ｉ〜１
８ｋおよび１９ｉ〜１９ｋ上に並列して導かれるよう構
成されている。さらに、フォトダイオード１８、１９の
部分１８ｇ、１８ｈ、１８ｌ、１８ｍおよび１９ｇ、１
９ｈ、１９ｌ、１９ｍで受光される分割光スポットの大
きさは、それぞれの部分の面積よりも十分に小さくなる
よう構成されており、部分１８ｉ〜１８ｋおよび１９ｉ
〜１９ｋのフォトダイオード１８、１９の配列方向と平
行な方向の長さは、受光される分割光スポットの大きさ
より十分に長くなるように構成されている。
【００３７】レーザーダイオード１７より光が放射され
てから、光磁気信号ＲＦが得られるまでの基本的な動作
は、第１の実施例と同様なので省略するが、領域分割ホ
ログラム回折素子２７は、ホログラム回折素子２２と同
様に、±１次回折光の焦点位置が異なるようなレンズ効
果を有するので、
てから、光磁気信号ＲＦが得られるまでの基本的な動作
は、第１の実施例と同様なので省略するが、領域分割ホ
ログラム回折素子２７は、ホログラム回折素子２２と同
様に、±１次回折光の焦点位置が異なるようなレンズ効
果を有するので、
【００３８】
【数４】
【００３９】という差動検出によってフォーカスエラー
信号ＦＥが得られる。また、光磁気記録媒体２６の情報
トラックでの回折光の干渉領域が、領域分割ホログラム
回折素子２７の分割された領域２７ａ、２７ｃ、２７
ｄ、２７ｆを通るようにしておけば、
信号ＦＥが得られる。また、光磁気記録媒体２６の情報
トラックでの回折光の干渉領域が、領域分割ホログラム
回折素子２７の分割された領域２７ａ、２７ｃ、２７
ｄ、２７ｆを通るようにしておけば、
【００４０】
【数５】
【００４１】という差動検出によってトラッキングエラ
ー信号ＴＥが得られる。従って本実施例によれば、第１
の実施例と同様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号
の十分なＳＮ比が得られるとともに、信頼性と耐久性の
高い小型で低コストな光磁気ピックアップが得られるば
かりでなく、フォトダイオード１８、１９の部分１８
ｇ、１８ｈ、１８ｌ、１８ｍおよび１９ｇ、１９ｈ、１
９ｌ、１９ｍで受光される分割光スポットの大きさが、
それぞれの部分の面積よりも十分に小さく、部分１８ｉ
〜１８ｋおよび１９ｉ〜１９ｋのフォトダイオード１
８、１９の配列方向と平行な方向の長さが、その部分で
受光される分割光スポットの大きさより十分に長いの
で、レーザーダイオード１７から放射される光の波長が
外乱などにより変動し、領域分割ホログラム回折素子２
７での回折角が変動した場合でも、受光する分割光スポ
ットが、それぞれの受光部分から逸脱することがなく、
すなわち、波長変動があってもその影響を受けにくい光
磁気ピックアップを提供することができる。
ー信号ＴＥが得られる。従って本実施例によれば、第１
の実施例と同様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号
の十分なＳＮ比が得られるとともに、信頼性と耐久性の
高い小型で低コストな光磁気ピックアップが得られるば
かりでなく、フォトダイオード１８、１９の部分１８
ｇ、１８ｈ、１８ｌ、１８ｍおよび１９ｇ、１９ｈ、１
９ｌ、１９ｍで受光される分割光スポットの大きさが、
それぞれの部分の面積よりも十分に小さく、部分１８ｉ
〜１８ｋおよび１９ｉ〜１９ｋのフォトダイオード１
８、１９の配列方向と平行な方向の長さが、その部分で
受光される分割光スポットの大きさより十分に長いの
で、レーザーダイオード１７から放射される光の波長が
外乱などにより変動し、領域分割ホログラム回折素子２
７での回折角が変動した場合でも、受光する分割光スポ
ットが、それぞれの受光部分から逸脱することがなく、
すなわち、波長変動があってもその影響を受けにくい光
磁気ピックアップを提供することができる。
【００４２】図６は本発明の第３の実施例における光磁
気ピックアップの構成を示す側面概念図、図７は同実施
例の横側面概念図、図８は同実施例における受光素子お
よび発光素子部分の上面図である。
気ピックアップの構成を示す側面概念図、図７は同実施
例の横側面概念図、図８は同実施例における受光素子お
よび発光素子部分の上面図である。
【００４３】図６における図１との違いは、フォトダイ
オード２０のかわりに、フォトダイオード１８、１９の
配列方向とは直角な方向に分割された３個の部分２８
ａ、２８ｂ、２８ｃから成るフォトダイオード２８を用
いたことと、プリズム型検光子２４のかわりに、ニオブ
酸リチウムで構成された平板偏光回折格子（偏光性回折
素子）２９を用いたことである。平板偏光回折格子２９
は、入射した光を互いに直交する二つの直線偏光成分に
分離し、一方の直線偏光成分を０次光、もう一方の直線
偏光成分を±１次光として出射させる作用があり、光学
モジュール１５の内部の透明基板２１の表面上に設けら
れており、０次光がフォトダイオード２８の部分２８ｂ
に導かれ、±１次光がフォトダイオード２８の部分２８
ａ、２８ｃにそれぞれ導かれるよう構成されている。
オード２０のかわりに、フォトダイオード１８、１９の
配列方向とは直角な方向に分割された３個の部分２８
ａ、２８ｂ、２８ｃから成るフォトダイオード２８を用
いたことと、プリズム型検光子２４のかわりに、ニオブ
酸リチウムで構成された平板偏光回折格子（偏光性回折
素子）２９を用いたことである。平板偏光回折格子２９
は、入射した光を互いに直交する二つの直線偏光成分に
分離し、一方の直線偏光成分を０次光、もう一方の直線
偏光成分を±１次光として出射させる作用があり、光学
モジュール１５の内部の透明基板２１の表面上に設けら
れており、０次光がフォトダイオード２８の部分２８ｂ
に導かれ、±１次光がフォトダイオード２８の部分２８
ａ、２８ｃにそれぞれ導かれるよう構成されている。
【００４４】レーザーダイオード１７より光が放射され
てから、フォーカスエラー信号ＦＥ、およびトラッキン
グエラー信号ＴＥが得られるまでの基本的な動作は、第
１の実施例と同様なので省略するが、偏光分離面２３ａ
を反射した光は、斜面２３ｂで反射されて透明基板２１
を透過して光学モジュール１５内に入り、平板偏光回折
格子２９に入射する。平板偏光回折格子２９に入射した
光は、互いに直交する二つの直線偏光成分に分離され、
一方の直線偏光成分が０次光、もう一方の直線偏光成分
が±１次光として出射され、それぞれフォトダイオード
２８の部分２８ｂ、２８ａと２８ｃに導かれるので、
てから、フォーカスエラー信号ＦＥ、およびトラッキン
グエラー信号ＴＥが得られるまでの基本的な動作は、第
１の実施例と同様なので省略するが、偏光分離面２３ａ
を反射した光は、斜面２３ｂで反射されて透明基板２１
を透過して光学モジュール１５内に入り、平板偏光回折
格子２９に入射する。平板偏光回折格子２９に入射した
光は、互いに直交する二つの直線偏光成分に分離され、
一方の直線偏光成分が０次光、もう一方の直線偏光成分
が±１次光として出射され、それぞれフォトダイオード
２８の部分２８ｂ、２８ａと２８ｃに導かれるので、
【００４５】
【数６】
【００４６】という差動検出によって光磁気信号ＲＦが
得られる。従って本実施例によれば、第１の実施例と同
様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号の十分なＳＮ
比が得られるとともに、信頼性と耐久性の高い小型で低
コストな光磁気ピックアップが得られるばかりでなく、
フォトダイオード１８、１９の配列方向とは直角な方向
に分割された３個の部分２８ａ、２８ｂ、２８ｃから成
るフォトダイオード２８を用いたことで、基板１６を小
型にできるので光磁気ピックアップの一層の小型化が図
れるばかりでなく、検光子として光学モジュール１５の
内部で透明基板２１の表面上に設けた平板偏光回折格子
２９を用いたことで光磁気ピックアップの一層の薄型化
が可能となる。
得られる。従って本実施例によれば、第１の実施例と同
様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号の十分なＳＮ
比が得られるとともに、信頼性と耐久性の高い小型で低
コストな光磁気ピックアップが得られるばかりでなく、
フォトダイオード１８、１９の配列方向とは直角な方向
に分割された３個の部分２８ａ、２８ｂ、２８ｃから成
るフォトダイオード２８を用いたことで、基板１６を小
型にできるので光磁気ピックアップの一層の小型化が図
れるばかりでなく、検光子として光学モジュール１５の
内部で透明基板２１の表面上に設けた平板偏光回折格子
２９を用いたことで光磁気ピックアップの一層の薄型化
が可能となる。
【００４７】なお、本実施例では平板偏光回折格子２９
を光学モジュール１５の内部で透明基板２１の表面上に
設けたが、偏光プリズム２３と透明基板２１の間に設け
ても同様な効果があることは言うまでもない。
を光学モジュール１５の内部で透明基板２１の表面上に
設けたが、偏光プリズム２３と透明基板２１の間に設け
ても同様な効果があることは言うまでもない。
【００４８】図９は本発明の第４の実施例における光磁
気ピックアップの側面概念図、図１０は同実施例の横側
面概念図、図１１は同実施例における発光素子および受
光素子部分の上面図である。
気ピックアップの側面概念図、図１０は同実施例の横側
面概念図、図１１は同実施例における発光素子および受
光素子部分の上面図である。
【００４９】図９における、図６との違いは、偏光プリ
ズム２３を断面が三角形のプリズムと断面が平行四辺形
のプリズムを接合して断面が台形のプリズムとしたので
はなく、断面が三角形の三角プリズムを３個組合せ、第
１の三角プリズム２３０と第２の三角プリズム２３１と
の接合面を偏光分離面２３ａとし、第２の三角プリズム
２３１と第３の三角プリズム２３２の間に、平板偏光回
折格子２９のかわりに薄型偏光分離素子３０を挟み込む
形で構成し、薄型偏光分離素子３０とフォトダイオード
２８との距離を大きくして薄型偏光分離素子３０での回
折分離角を小さくしたことである。つまり、偏光プリズ
ム２３と検光子としての薄型偏光分離素子３０とを一体
に設けている。薄型偏光分離素子３０は、例えばニオブ
酸リチウムで構成された偏光分離回折素子であり、図６
の平板偏光回折格子２９と同様な作用をするものであ
る。
ズム２３を断面が三角形のプリズムと断面が平行四辺形
のプリズムを接合して断面が台形のプリズムとしたので
はなく、断面が三角形の三角プリズムを３個組合せ、第
１の三角プリズム２３０と第２の三角プリズム２３１と
の接合面を偏光分離面２３ａとし、第２の三角プリズム
２３１と第３の三角プリズム２３２の間に、平板偏光回
折格子２９のかわりに薄型偏光分離素子３０を挟み込む
形で構成し、薄型偏光分離素子３０とフォトダイオード
２８との距離を大きくして薄型偏光分離素子３０での回
折分離角を小さくしたことである。つまり、偏光プリズ
ム２３と検光子としての薄型偏光分離素子３０とを一体
に設けている。薄型偏光分離素子３０は、例えばニオブ
酸リチウムで構成された偏光分離回折素子であり、図６
の平板偏光回折格子２９と同様な作用をするものであ
る。
【００５０】レーザーダイオード１７より光が放射され
てから、光磁気信号ＲＦ、フォーカスエラー信号ＦＥ、
およびトラッキングエラー信号ＴＥが得られるまでの基
本的な動作は、第１の実施例および第３の実施例と同様
なので省略する。
てから、光磁気信号ＲＦ、フォーカスエラー信号ＦＥ、
およびトラッキングエラー信号ＴＥが得られるまでの基
本的な動作は、第１の実施例および第３の実施例と同様
なので省略する。
【００５１】従って本実施例によれば、第１の実施例と
同様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号の十分なＳ
Ｎ比が得られるとともに、信頼性と耐久性の高い小型で
低コストな光磁気ピックアップが得られるばかりでな
く、薄型偏光分離素子３０とフォトダイオード２８との
距離を大きくしたことで、製作の容易な回折分離角の小
さい薄型偏光分離素子３０を用いることができ、光磁気
ピックアップの一層の低コスト化が可能となる。
同様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号の十分なＳ
Ｎ比が得られるとともに、信頼性と耐久性の高い小型で
低コストな光磁気ピックアップが得られるばかりでな
く、薄型偏光分離素子３０とフォトダイオード２８との
距離を大きくしたことで、製作の容易な回折分離角の小
さい薄型偏光分離素子３０を用いることができ、光磁気
ピックアップの一層の低コスト化が可能となる。
【００５２】また、薄型偏光分離素子３０として、薄型
のウォラストンプリズムを用いることも可能で、ウォラ
ストンプリズムは入射した光を互いに直交する直線偏光
成分に分離してそれぞれ＋１次光、−１次光として出射
する作用があるので、例えばフォトダイオード２８の部
分２８ａで＋１次光を受光し、部分２８ｃで−１次光を
受光するように構成すれば、
のウォラストンプリズムを用いることも可能で、ウォラ
ストンプリズムは入射した光を互いに直交する直線偏光
成分に分離してそれぞれ＋１次光、−１次光として出射
する作用があるので、例えばフォトダイオード２８の部
分２８ａで＋１次光を受光し、部分２８ｃで−１次光を
受光するように構成すれば、
【００５３】
【数７】
【００５４】という差動検出によって光磁気信号ＲＦが
得られ、フォトダイオード２８の部分２８ｂは不要とな
るので、部分２８ａと部分２８ｃを近接して構成するこ
とができ、基板１６の小型化による光磁気ピックアップ
の一層の小型化と低コスト化が可能となる。
得られ、フォトダイオード２８の部分２８ｂは不要とな
るので、部分２８ａと部分２８ｃを近接して構成するこ
とができ、基板１６の小型化による光磁気ピックアップ
の一層の小型化と低コスト化が可能となる。
【００５５】図１２は本発明の第５の実施例における光
磁気ピックアップの構成を示す側面概念図、図１３は同
実施例における受光素子、発光素子および検光子部分の
上面図である。
磁気ピックアップの構成を示す側面概念図、図１３は同
実施例における受光素子、発光素子および検光子部分の
上面図である。
【００５６】図１２における図１との違いは、基板１６
上にモニター用受光素子としてのモニター用フォトダイ
オード３１を設けるとともに、断面が台形の偏光プリズ
ム２３の斜面２３ｂとは反対側の面に、断面が三角形の
反射ミラー３２を設け、レーザーダイオード１７から放
射されて偏光分離面２３ａで反射された光が反射ミラー
３２で反射された後にモニター用フォトダイオード３１
へ導かれるように構成されている。
上にモニター用受光素子としてのモニター用フォトダイ
オード３１を設けるとともに、断面が台形の偏光プリズ
ム２３の斜面２３ｂとは反対側の面に、断面が三角形の
反射ミラー３２を設け、レーザーダイオード１７から放
射されて偏光分離面２３ａで反射された光が反射ミラー
３２で反射された後にモニター用フォトダイオード３１
へ導かれるように構成されている。
【００５７】レーザーダイオード１７より光が放射され
てから、光磁気信号ＲＦ、フォーカスエラー信号ＦＥ、
およびトラッキングエラー信号ＴＥが得られるまでの基
本的な動作は、第１の実施例と同様なので省略するが、
偏光分離面２３ａは、Ｐ偏光の透過率が略７０％、Ｐ偏
光の反射率が略３０％、Ｓ偏光の反射率が略１００％に
設定されているので、レーザーダイオード１７から放射
された光の略３０％は、偏光分離面２３ａで反射され反
射ミラー３２で再び反射されてモニター用フォトダイオ
ード３１へ入射する。すなわち、モニター用フォトダイ
オード３１の受光量の変化を検出することで、レーザー
ダイオード１７から放射される光の光量変化を知ること
ができる。
てから、光磁気信号ＲＦ、フォーカスエラー信号ＦＥ、
およびトラッキングエラー信号ＴＥが得られるまでの基
本的な動作は、第１の実施例と同様なので省略するが、
偏光分離面２３ａは、Ｐ偏光の透過率が略７０％、Ｐ偏
光の反射率が略３０％、Ｓ偏光の反射率が略１００％に
設定されているので、レーザーダイオード１７から放射
された光の略３０％は、偏光分離面２３ａで反射され反
射ミラー３２で再び反射されてモニター用フォトダイオ
ード３１へ入射する。すなわち、モニター用フォトダイ
オード３１の受光量の変化を検出することで、レーザー
ダイオード１７から放射される光の光量変化を知ること
ができる。
【００５８】従って本実施例によれば、第１の実施例と
同様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号の十分なＳ
Ｎ比が得られるとともに、信頼性と耐久性の高い小型で
低コストな光磁気ピックアップが得られるばかりでな
く、光学モジュール１５の内部でレーザーダイオード１
７から放射される光の光量変化を知ることができるの
で、その変化に応じたレーザーダイオード１７の放射光
量制御をかけることで、レーザーダイオード１７の放射
光量を一定に保つことができ、安定した性能の光磁気ピ
ックアップを得ることが可能となる。
同様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号の十分なＳ
Ｎ比が得られるとともに、信頼性と耐久性の高い小型で
低コストな光磁気ピックアップが得られるばかりでな
く、光学モジュール１５の内部でレーザーダイオード１
７から放射される光の光量変化を知ることができるの
で、その変化に応じたレーザーダイオード１７の放射光
量制御をかけることで、レーザーダイオード１７の放射
光量を一定に保つことができ、安定した性能の光磁気ピ
ックアップを得ることが可能となる。
【００５９】図１４は本発明の第６の実施例における光
磁気ピックアップの構成を示す側面概念図、図１５は同
実施例における受光素子および発光素子部分の上面図で
ある。
磁気ピックアップの構成を示す側面概念図、図１５は同
実施例における受光素子および発光素子部分の上面図で
ある。
【００６０】図１４における図６との違いは、偏光プリ
ズム２３の偏光分離面２３ａと斜面２３ｂの間に第２の
偏光分離面２３ｃを設け、平板偏光回折格子２９および
フォトダイオード２８を、斜面２３ｂの下方にではなく
第２の偏光分離面２３ｃの下方に設けるとともに、斜面
２３ｂの下方には、フォトダイオード１８、１９の配列
方向と同じ方向に分割された２個の部分３３ａ、３３ｂ
から成るフォトダイオード３３を設けたことである。第
２の偏光分離面２３ｃは、例えばＰ偏光の透過率が略３
０％、Ｐ偏光の反射率が略７０％、Ｓ偏光の反射率が略
１００％に設定されている。さらに、フォトダイオード
１８、１９は、これらの配列方向と直角な方向に分割さ
れた３個ずつの部分１８ｎ、１８ｏ、１８ｐおよび１９
ｎ、１９ｏ、１９ｐから成っており、各部分の配列方向
の長さは、受光する光スポットの直径よりも十分に大き
くなるように構成されている。
ズム２３の偏光分離面２３ａと斜面２３ｂの間に第２の
偏光分離面２３ｃを設け、平板偏光回折格子２９および
フォトダイオード２８を、斜面２３ｂの下方にではなく
第２の偏光分離面２３ｃの下方に設けるとともに、斜面
２３ｂの下方には、フォトダイオード１８、１９の配列
方向と同じ方向に分割された２個の部分３３ａ、３３ｂ
から成るフォトダイオード３３を設けたことである。第
２の偏光分離面２３ｃは、例えばＰ偏光の透過率が略３
０％、Ｐ偏光の反射率が略７０％、Ｓ偏光の反射率が略
１００％に設定されている。さらに、フォトダイオード
１８、１９は、これらの配列方向と直角な方向に分割さ
れた３個ずつの部分１８ｎ、１８ｏ、１８ｐおよび１９
ｎ、１９ｏ、１９ｐから成っており、各部分の配列方向
の長さは、受光する光スポットの直径よりも十分に大き
くなるように構成されている。
【００６１】動作上での図６との違いは、フォーカスエ
ラー信号ＦＥとトラッキングエラー信号ＴＥとを異なる
フォトダイオードで検出することであり、フォーカスエ
ラー信号ＦＥは図６と同様な動作により、
ラー信号ＦＥとトラッキングエラー信号ＴＥとを異なる
フォトダイオードで検出することであり、フォーカスエ
ラー信号ＦＥは図６と同様な動作により、
【００６２】
【数８】
【００６３】という差動検出で得られる。トラッキング
エラー信号ＴＥは、偏光分離面２３ａから第２の偏光分
離面２３ｃに入射してきた光のうち、略３０％が透過し
斜面２３ｂで反射されたのちにフォトダイオード３３へ
入射するので、
エラー信号ＴＥは、偏光分離面２３ａから第２の偏光分
離面２３ｃに入射してきた光のうち、略３０％が透過し
斜面２３ｂで反射されたのちにフォトダイオード３３へ
入射するので、
【００６４】
【数９】
【００６５】という差動検出で得られる。また、光磁気
信号ＲＦの検出は図６と同様なので省略する。
信号ＲＦの検出は図６と同様なので省略する。
【００６６】従って本実施例によれば、第１の実施例と
同様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号の十分なＳ
Ｎ比が得られるとともに、信頼性と耐久性の高い小型で
低コストな光磁気ピックアップが得られるばかりでな
く、フォーカスエラー信号の検出とトラッキングエラー
信号の検出とを別のフォトダイオードで検出することに
より、フォーカスエラー信号の検出を行うためにホログ
ラム回折素子２２で回折される±１次回折光を受光する
フォトダイオード１８、１９の分割が、それぞれ６分割
ではなく３分割で良く、各部分からの基板１６上での電
気的配線が簡略化され低コスト化が可能となるととも
に、フォトダイオード１８、１９の分割された各部分の
配列方向の長さが受光する光スポットの直径よりも十分
に大きいことから、レーザーダイオード１７から放射さ
れる光の波長が外乱などにより変動し、ホログラム回折
素子２２での回折角が変動した場合でも、フォトダイオ
ード１８、１９の部分１８ｎ〜１８ｐおよび１９ｎ〜１
９ｐで受光する光スポットは、それぞれの受光領域から
逸脱することがなく、すなわち、波長変動があってもそ
の影響を受けにくい光磁気ピックアップを提供すること
ができる。また、各エラー検出を行うフォトダイオード
の分割線が少ないので、各フォトダイオードで光を受光
するときの光量損失が少なく、安定したエラー検出動作
が可能な光磁気ピックアップを提供することができる。
同様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号の十分なＳ
Ｎ比が得られるとともに、信頼性と耐久性の高い小型で
低コストな光磁気ピックアップが得られるばかりでな
く、フォーカスエラー信号の検出とトラッキングエラー
信号の検出とを別のフォトダイオードで検出することに
より、フォーカスエラー信号の検出を行うためにホログ
ラム回折素子２２で回折される±１次回折光を受光する
フォトダイオード１８、１９の分割が、それぞれ６分割
ではなく３分割で良く、各部分からの基板１６上での電
気的配線が簡略化され低コスト化が可能となるととも
に、フォトダイオード１８、１９の分割された各部分の
配列方向の長さが受光する光スポットの直径よりも十分
に大きいことから、レーザーダイオード１７から放射さ
れる光の波長が外乱などにより変動し、ホログラム回折
素子２２での回折角が変動した場合でも、フォトダイオ
ード１８、１９の部分１８ｎ〜１８ｐおよび１９ｎ〜１
９ｐで受光する光スポットは、それぞれの受光領域から
逸脱することがなく、すなわち、波長変動があってもそ
の影響を受けにくい光磁気ピックアップを提供すること
ができる。また、各エラー検出を行うフォトダイオード
の分割線が少ないので、各フォトダイオードで光を受光
するときの光量損失が少なく、安定したエラー検出動作
が可能な光磁気ピックアップを提供することができる。
【００６７】図１６は本発明の第７の実施例における光
磁気ピックアップの構成を示す側面概念図、図１７は同
実施例における受光素子および発光素子部分の上面図で
ある。
磁気ピックアップの構成を示す側面概念図、図１７は同
実施例における受光素子および発光素子部分の上面図で
ある。
【００６８】図１６においては、ホログラム回折素子２
２およびレーザーダイオード１７の両側に配置されてい
たフォトダイオード１８、１９が廃止され、偏光プリズ
ム２３の内部に挟み込まれる形で偏光性ホログラム（偏
光性回折素子）３４が設けられており、偏光性ホログラ
ム３４の透過光のうち０次光を受光する位置にフォトダ
イオード３５が、＋１次光を受光する位置にフォトダイ
オード３６が、−１次光を受光する位置にフォトダイオ
ード３７が設けられている。
２およびレーザーダイオード１７の両側に配置されてい
たフォトダイオード１８、１９が廃止され、偏光プリズ
ム２３の内部に挟み込まれる形で偏光性ホログラム（偏
光性回折素子）３４が設けられており、偏光性ホログラ
ム３４の透過光のうち０次光を受光する位置にフォトダ
イオード３５が、＋１次光を受光する位置にフォトダイ
オード３６が、−１次光を受光する位置にフォトダイオ
ード３７が設けられている。
【００６９】偏光性ホログラム３４は、例えばニオブ酸
リチウムで構成されており、入射した光を互いに直交す
る二つの直線偏光成分に分離し、一方の直線偏光成分を
０次光、もう一方の直線偏光成分を±１次光として出射
させる作用がある。また、偏光性ホログラム３４は、±
１次回折光の焦点位置が異なるようなレンズ効果を有
し、例えば＋１次光はフォトダイオード３６より偏光性
ホログラム３４に近い所で焦点を結び、−１次光はフォ
トダイオード３７より遠い所で焦点を結ぶように構成さ
れるが、０次光がフォトダイオード３５上で焦点を結ば
ないように構成されるため、±１次光のフォトダイオー
ド３６、３７上での光スポットの直径が異なるので、正
しくフォーカスエラー信号が得られるように、フォトダ
イオード３６と３７の大きさを変えた構成となってい
る。フォトダイオード３６、３７は、これらの配列方向
とは直角な方向に分割されている３個ずつの部分３６ａ
〜３６ｃおよび３７ａ〜３７ｃから成っており、フォト
ダイオード３５は、フォトダイオード３６、３７の配列
方向と同じ方向に分割された部分３５ａ、３５ｂから成
っている。
リチウムで構成されており、入射した光を互いに直交す
る二つの直線偏光成分に分離し、一方の直線偏光成分を
０次光、もう一方の直線偏光成分を±１次光として出射
させる作用がある。また、偏光性ホログラム３４は、±
１次回折光の焦点位置が異なるようなレンズ効果を有
し、例えば＋１次光はフォトダイオード３６より偏光性
ホログラム３４に近い所で焦点を結び、−１次光はフォ
トダイオード３７より遠い所で焦点を結ぶように構成さ
れるが、０次光がフォトダイオード３５上で焦点を結ば
ないように構成されるため、±１次光のフォトダイオー
ド３６、３７上での光スポットの直径が異なるので、正
しくフォーカスエラー信号が得られるように、フォトダ
イオード３６と３７の大きさを変えた構成となってい
る。フォトダイオード３６、３７は、これらの配列方向
とは直角な方向に分割されている３個ずつの部分３６ａ
〜３６ｃおよび３７ａ〜３７ｃから成っており、フォト
ダイオード３５は、フォトダイオード３６、３７の配列
方向と同じ方向に分割された部分３５ａ、３５ｂから成
っている。
【００７０】基本的な動作は上述の各実施例と同様なの
で省略するが、
で省略するが、
【００７１】
【数１０】
【００７２】という差動検出で光磁気信号ＲＦが得ら
れ、
れ、
【００７３】
【数１１】
【００７４】という差動検出でフォーカスエラー信号Ｆ
Ｅが得られ、
Ｅが得られ、
【００７５】
【数１２】
【００７６】という差動検出でトラッキングエラー信号
ＴＥが得られる。従って本実施例によれば、第１の実施
例と同様に、光磁気信号の十分なＳＮ比が得られ、信頼
性と耐久性の高い小型で低コストな光磁気ピックアップ
が得られるばかりでなく、レーザーダイオード１７から
光磁気記録媒体２６に至る光路中に、偏光プリズム２３
以外に回折格子などの余分な光分岐素子がないので、光
利用効率が一層向上するとともに、光磁気信号ＲＦとフ
ォーカスエラー信号ＦＥとトラッキングエラー信号ＴＥ
とを共通のフォトダイオード３５〜３７で検出すること
により、基板１６上でのフォトダイオード面積が小さく
できるので、光磁気ピックアップの一層の小型化と低コ
スト化が可能となる。
ＴＥが得られる。従って本実施例によれば、第１の実施
例と同様に、光磁気信号の十分なＳＮ比が得られ、信頼
性と耐久性の高い小型で低コストな光磁気ピックアップ
が得られるばかりでなく、レーザーダイオード１７から
光磁気記録媒体２６に至る光路中に、偏光プリズム２３
以外に回折格子などの余分な光分岐素子がないので、光
利用効率が一層向上するとともに、光磁気信号ＲＦとフ
ォーカスエラー信号ＦＥとトラッキングエラー信号ＴＥ
とを共通のフォトダイオード３５〜３７で検出すること
により、基板１６上でのフォトダイオード面積が小さく
できるので、光磁気ピックアップの一層の小型化と低コ
スト化が可能となる。
【００７７】図１８は本発明の第８の実施例における光
磁気ピックアップの構成を示す側面概念図、図１９は同
実施例における受光素子および発光素子部分の上面図で
ある。
磁気ピックアップの構成を示す側面概念図、図１９は同
実施例における受光素子および発光素子部分の上面図で
ある。
【００７８】図１８は図３、図６および図１２を組み合
わせたものであるが、違いは、図１２で示した反射ミラ
ー３２と偏光プリズム２３を一体化して偏光プリズム２
３の斜面２３ｄを反斜面としている点である。
わせたものであるが、違いは、図１２で示した反射ミラ
ー３２と偏光プリズム２３を一体化して偏光プリズム２
３の斜面２３ｄを反斜面としている点である。
【００７９】主要な構成と基本的な動作は第１の実施
例、第２の実施例、第３の実施例および第５の実施例と
同様なので省略する。
例、第２の実施例、第３の実施例および第５の実施例と
同様なので省略する。
【００８０】従って本実施例によれば、上記各実施例と
同様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号の十分なＳ
Ｎが得られ、小型薄型で信頼性と耐久性が高く、かつ低
コスト化が図れるとともに、レーザーダイオード１７か
ら放射される光の光量変化を知ることができ、かつ波長
変動があってもその影響を一切受けない高性能な光磁気
ピックアップが得られるばかりでなく、反射ミラー３２
と偏光プリズム２３を一体化したことで光学部品点数が
削減され、コストと組み立て工数の一層の削減が可能と
なる。また、レーザーダイオード１７とフォトダイオー
ド１８、１９、２８およびモニター用フォトダイオード
３１をすべて基板１６上に一体に配置したことで、基板
１６上での回路的な接続が簡略化され、光磁気ピックア
ップと外部との接続手段や基板１６の一層の低コスト化
が図れ、また、ノイズにも強い光磁気ピックアップが得
られる。
同様に、光利用効率が高く、かつ光磁気信号の十分なＳ
Ｎが得られ、小型薄型で信頼性と耐久性が高く、かつ低
コスト化が図れるとともに、レーザーダイオード１７か
ら放射される光の光量変化を知ることができ、かつ波長
変動があってもその影響を一切受けない高性能な光磁気
ピックアップが得られるばかりでなく、反射ミラー３２
と偏光プリズム２３を一体化したことで光学部品点数が
削減され、コストと組み立て工数の一層の削減が可能と
なる。また、レーザーダイオード１７とフォトダイオー
ド１８、１９、２８およびモニター用フォトダイオード
３１をすべて基板１６上に一体に配置したことで、基板
１６上での回路的な接続が簡略化され、光磁気ピックア
ップと外部との接続手段や基板１６の一層の低コスト化
が図れ、また、ノイズにも強い光磁気ピックアップが得
られる。
【００８１】
【発明の効果】以上のように、本発明の光磁気ピックア
ップは、光学モジュールと、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率
および透過率の異なる偏光プリズムとを一体に設けたこ
とで、小型化することができ、かつ光利用効率が高くな
るので、光磁気信号の十分なＳＮ比を確保することがで
き、また、光学モジュールの内部あるいは光学モジュー
ルと一体に検光子を設けたことで、さらに小型で、かつ
低コストな光磁気ピックアップが得られる。
ップは、光学モジュールと、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率
および透過率の異なる偏光プリズムとを一体に設けたこ
とで、小型化することができ、かつ光利用効率が高くな
るので、光磁気信号の十分なＳＮ比を確保することがで
き、また、光学モジュールの内部あるいは光学モジュー
ルと一体に検光子を設けたことで、さらに小型で、かつ
低コストな光磁気ピックアップが得られる。
【００８２】また、光学モジュールを密封する構造とし
たことで光磁気ピックアップの信頼性および耐久性の向
上を図ることができる。
たことで光磁気ピックアップの信頼性および耐久性の向
上を図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例における光磁気ピックア
ップの構成を示す側面概念図
ップの構成を示す側面概念図
【図２】同実施例における受光素子、発光素子、検光子
部分の上面図
部分の上面図
【図３】本発明の第２の実施例における光磁気ピックア
ップの構成を示す側面概念図
ップの構成を示す側面概念図
【図４】同実施例における受光素子、発光素子、検光子
部分の上面図
部分の上面図
【図５】同実施例における回折素子の上面図
【図６】本発明の第３の実施例における光磁気ピックア
ップの構成を示す側面概念図
ップの構成を示す側面概念図
【図７】同実施例における光磁気ピックアップの構成を
示す横側面概念図
示す横側面概念図
【図８】同実施例における受光素子、発光素子部分の上
面図
面図
【図９】本発明の第４の実施例における光磁気ピックア
ップの構成を示す側面概念図
ップの構成を示す側面概念図
【図１０】同実施例における光磁気ピックアップの構成
を示す横側面概念図
を示す横側面概念図
【図１１】同実施例における受光素子、発光素子部分の
上面図
上面図
【図１２】本発明の第５の実施例における光磁気ピック
アップの構成を示す側面概念図
アップの構成を示す側面概念図
【図１３】同実施例における受光素子、発光素子、検光
子部分の上面図
子部分の上面図
【図１４】本発明の第６の実施例における光磁気ピック
アップの構成を示す側面概念図
アップの構成を示す側面概念図
【図１５】同実施例における受光素子、発光素子部分の
上面図
上面図
【図１６】本発明の第７の実施例における光磁気ピック
アップの構成を示す側面概念図
アップの構成を示す側面概念図
【図１７】同実施例における受光素子、発光素子部分の
上面図
上面図
【図１８】本発明の第８の実施例における光磁気ピック
アップの構成を示す側面概念図
アップの構成を示す側面概念図
【図１９】同実施例における受光素子、発光素子部分の
上面図
上面図
１５ 光学モジュール １６ 基板 １７ レーザーダイオード １８、１９、２０ フォトダイオード ２２ ホログラム回折素子 ２３ 偏光プリズム ２４ プリズム型検光子 ２５ 対物レンズ
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の受光領域を有する受光素子および
発光素子が一体に設けられ、光の入出射面に回折格子が
設けられた光学モジュールと、前記発光素子から放射さ
れた光を情報記録媒体上に照射する集光素子と、前記発
光素子と前記集光素子との間の光路中で前記光学モジュ
ールと一体に設けられ、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率およ
び透過率の異なる偏光プリズムと、前記光学モジュール
の内部あるいは前記光学モジュールと一体に設けられ、
前記偏光プリズムで反射または透過した光を少なくとも
互いに直交する二つの偏光成分を持つ複数の光に分岐し
て、前記複数の受光領域を有する受光素子へ導く検光子
とを備えた光磁気ピックアップ。 - 【請求項２】 複数の受光領域を有する受光素子と発光
素子とを、同一基板上に配置した請求項１記載の光磁気
ピックアップ。 - 【請求項３】 複数の受光領域を有する受光素子と発光
素子とを同一基板上に配置するとともに、前記基板上に
検光子を一体に配置した請求項１記載の光磁気ピックア
ップ。 - 【請求項４】 回折格子がレンズ効果を有する請求項１
記載の光磁気ピックアップ。 - 【請求項５】 回折格子が、レンズ効果を有するととも
に、異なるパターンを有する複数の領域に分割された請
求項１記載の光磁気ピックアップ。 - 【請求項６】 検光子を、偏光性回折素子またはウォラ
ストンプリズムで構成した請求項１記載の光磁気ピック
アップ。 - 【請求項７】 偏光プリズムと検光子とを一体に設けた
請求項６記載の光磁気ピックアップ。 - 【請求項８】 発光素子から放射され偏光プリズムで反
射または透過された光の一部を受光するモニター用受光
素子を、光学モジュール内に設けた請求項１記載の光磁
気ピックアップ。 - 【請求項９】 偏光プリズムがＰ偏光とＳ偏光とで反射
率および透過率の異なる偏光分離面を少なくとも２面有
する請求項６記載の光磁気ピックアップ。 - 【請求項１０】 複数の受光領域を有する受光素子およ
び発光素子が一体に設けられた光学モジュールと、前記
発光素子から放射された光を情報記録媒体上に照射する
集光素子と、前記発光素子と前記集光素子との間の光路
中で前記光学モジュールと一体に設けられ、Ｐ偏光とＳ
偏光とで反射率および透過率の異なる偏光プリズムと、
前記光学モジュールおよび前記偏光プリズムと一体に設
けられ、前記情報記録媒体で反射され、再び前記集光素
子を透過した光を、少なくとも互いに直交する二つの偏
光成分を持つ複数の光に分岐して、前記複数の受光領域
を有する受光素子へ導く偏光性回折素子とを備えた光磁
気ピックアップ。 - 【請求項１１】 複数の受光領域を有する受光素子と、
前記受光素子と略同一面上に配置された発光素子と、前
記発光素子から放射された光を情報記録媒体上に照射す
る集光素子と、前記発光素子と前記集光素子との間の光
路中に設けられ、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率および透過
率の異なる偏光分離面を有する略台形の偏光プリズム
と、前記受光素子と略同一面上に配置され、前記発光素
子から放射され前記偏光プリズムの偏光分離面と斜面で
反射された光を受光するモニター用受光素子と、レンズ
効果を有する異なるパターンを持つ複数の分割領域から
成る回折領域が設けられ、前記情報記録媒体で反射さ
れ、再び前記集光素子を透過した後に前記偏光プリズム
の偏光分離面を透過した光を、前記複数の受光領域を有
する受光素子の一部の領域へ導く透明基板と、前記情報
記録媒体で反射され、再び前記集光素子を透過した後に
前記偏光プリズムの偏光分離面と斜面で反射された光を
少なくとも互いに直交する二つの偏光成分を持つ複数の
光に分岐して、前記複数の受光領域を有する受光素子の
一部の領域へ導く検光子とを備え、筐体の内部に前記複
数の受光領域を有する受光素子と、前記発光素子と、前
記モニター用受光素子と、前記検光子とを構成するとと
もに、前記筐体を前記透明基板で密封する構造とし、前
記透明基板上に前記偏光プリズムを一体に構成した光磁
気ピックアップ。
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