JPH09320098A - 光ピックアップ装置および複合光学装置 - Google Patents

光ピックアップ装置および複合光学装置

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JPH09320098A
JPH09320098A JP8154839A JP15483996A JPH09320098A JP H09320098 A JPH09320098 A JP H09320098A JP 8154839 A JP8154839 A JP 8154839A JP 15483996 A JP15483996 A JP 15483996A JP H09320098 A JPH09320098 A JP H09320098A
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optical
light
laser
light emitting
composite
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Tadashi Taniguchi
正 谷口
Chiaki Kojima
千秋 小島
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 互いにフォーマットの異なる複数種の光ディ
スクに対する書き込みまたは読み取りを行うことができ
る光ピックアップ装置およびその種の光ピックアップ装
置に用いられる複合光学装置を提供する。 【解決手段】 それぞれ異なるフォーマットの光ディス
クに対する書き込みまたは読み取りに最適な仕様に設計
された2個のレーザカプラLC1およびLC2を組み合
わせて光ピックアップ装置を構成する。または、同一の
フォトダイオードIC上に2個のレーザカプラLC1お
よびLC2を集積して一つのレーザカプラを構成し、こ
れを光ピックアップ装置に用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ピックアップ
装置および複合光学装置に関し、特に、光ディスクシス
テムに用いて好適なものである。
【0002】
【従来の技術】近年、光ディスクシステムが多様化する
中で、光ディスクに対する書き込みまたは読み取り用の
レーザ光に、発光波長が780nm帯の半導体レーザに
よるレーザ光、発光波長が635nm(または650n
m)帯の赤色発光の半導体レーザによるレーザ光、青色
発光の半導体レーザによるレーザ光などを用いた、フォ
ーマットの異なる互換性のない光ディスクが増えている
(例えば、CD、CDR、MD、MMCD、DVDな
ど)。
【0003】このような互いにフォーマットの異なる複
数種の光ディスクの記録/再生を同一の光ディスクシス
テムにより行う場合には、フォーマットの異なる光ディ
スク毎に専用の光ピックアップ装置が必要となる。一
方、書き込み用の半導体レーザと読み取り用の半導体レ
ーザとでは、目的や特性に大きな差があるため、書き込
み専用の半導体レーザと読み取り専用の半導体レーザと
をそれぞれ用いた方が、光ピックアップ装置を容易に構
成することができる場合がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにフォーマットが異なる光ディスク毎に光ピックア
ップ装置を用意することは、光ディスクシステムの大型
化やコストの上昇をもたらす。また、それぞれパッケー
ジ化された書き込み専用の半導体レーザと読み取り専用
の半導体レーザとを用いて光ピックアップ装置を構成す
る場合には、光ピックアップ装置が大型化し、ひいては
光ディスクシステムの大型化を招くとともに、これらの
半導体レーザや光検出器などの光軸の調整などが従来に
比べて難しく、組み立てが難しい。
【0005】したがって、この発明の目的は、互いにフ
ォーマットの異なる複数種の光ディスクに対する書き込
みまたは読み取りを行うことができ、しかも小型で組み
立ても容易な光ピックアップ装置を提供することにあ
る。この発明の他の目的は、光ピックアップ装置に用い
た場合に、互いにフォーマットの異なる複数種の光ディ
スクに対する書き込みまたは読み取りを行うことがで
き、しかも光ピックアップ装置の小型化および組み立て
の容易化を図ることができる複合光学装置を提供するこ
とにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明による光ピックアップ装置は、基体上に発
光素子、受光素子および部分反射面を備えた透明光学部
品が設けられた複合光学装置を複数有し、複数の複合光
学装置は互いに仕様が異なることを特徴とするものであ
る。
【0007】ここで、典型的には、複数の複合光学装置
の発光素子は発光波長および/または光出力が互いに異
なる。また、典型的には、発光素子、受光素子および透
明光学部品は、発光素子からの光の出射光軸と受光素子
への光の入射光軸とが透明光学部品の部分反射面におい
て互いにほぼ一致するように配置される。
【0008】この発明による複合光学装置は、基体上に
複数の発光素子、受光素子および部分反射面を備えた透
明光学部品が設けられ、複数の発光素子は互いに仕様が
異なることを特徴とするものである。
【0009】ここで、典型的には、複数の発光素子は発
光波長および/または光出力が互いに異なる。また、典
型的には、発光素子、受光素子および透明光学部品は、
発光素子からの光の出射光軸と受光素子への光の入射光
軸とが透明光学部品の部分反射面において互いにほぼ一
致するように配置される。
【0010】上述のように構成されたこの発明による光
ピックアップ装置によれば、複数の複合光学装置の仕様
を互いにフォーマットの異なる複数種の光ディスクに対
応したものに設計しておくことにより、これらの互いに
フォーマットの異なる複数種の光ディスクに対する書き
込みまたは読み取りを行うことができる。また、この複
合光学装置は小型に構成することができるため、光ピッ
クアップ装置を小型に構成することができる。さらに、
この複合光学装置における発光素子、受光素子および透
明光学部品の光軸の調整などはあらかじめ行われている
ので、光ピックアップ装置の組み立てが容易である。
【0011】上述のように構成されたこの発明による複
合光学装置によれば、複数の発光素子の仕様を互いにフ
ォーマットの異なる複数種の光ディスクに対応したもの
に設計しておくことにより、これらの互いにフォーマッ
トの異なる複数種の光ディスクに対する書き込みまたは
読み取りを行うことができる。また、この複合光学装置
は小型に構成することができるため、この複合光学装置
を用いて小型の光ピックアップ装置を構成することがで
きる。さらに、この複合光学装置における発光素子、受
光素子および透明光学部品の光軸の調整などは、単一の
発光素子を搭載した従来の複合光学装置とほぼ同様に比
較的簡単に行うことができ、したがって組み立てが容易
である。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
【0013】以下の実施形態の説明の便宜上、まず、光
ピックアップ装置に用いられる一般的なレーザカプラに
ついて説明する。
【0014】図1および図2はこのレーザカプラを示
す。ここで、図1はこのレーザカプラの斜視図、図2は
このレーザカプラの長手方向に沿っての断面図である。
図1および図2に示すように、このレーザカプラにおい
ては、フォトダイオードIC1上に、光学ガラスからな
るマイクロプリズム2と、フォトダイオード3上に半導
体レーザ4を載せたLOP(Laser on Photodiode)チッ
プとが互いに隣接してマウントされている。ここで、フ
ォトダイオードIC1は、光信号検出用の一対のフォト
ダイオードPD1およびPD2のほか、信号の電流−電
圧変換アンプや演算処理部など(図示せず)がIC化さ
れたものである。また、フォトダイオード3は、半導体
レーザ4のリア側の端面からの光出力をモニターし、そ
れによってフロント側の端面からの光出力を制御するた
めのものである。このフォトダイオード3はまた、半導
体レーザ4は通常その接合が下側にくるようにマウント
されることから、この半導体レーザ4のフロント側の端
面から出射されるレーザ光がフォトダイオードIC1の
表面で反射されて雑音光となるのを防止するために、半
導体レーザ4をフォトダイオードIC1の表面から十分
に高い所に位置させる役割も有する。
【0015】図2に示すように、マイクロプリズム2
は、光入射面となる斜面2a、上面2b、底面2c、端
面2dおよび端面2eを有する。そして、斜面2aには
ハーフミラー5が設けられ、上面2bには全反射膜6が
設けられ、底面2cには反射防止膜7が設けられ、端面
2dは鏡面に構成され、端面2eには光吸収膜8が設け
られている。マイクロプリズム2の大きさの一例を挙げ
ると、高さ0.6mm、全長1.52mm、幅1.8m
m、上面2bの長さ1.1mmである。
【0016】マイクロプリズム2の底面2cに設けられ
た反射防止膜7上にはさらに、二酸化シリコン(SiO
2 )膜(図示せず)が設けられている。一方、フォトダ
イオードIC1のフォトダイオードPD1上には窒化シ
リコン(SiN)膜(図示せず)が設けられ、さらにこ
のSiN膜およびフォトダイオードPD2の表面を覆う
ようにSiO2 膜9が設けられている。そして、マイク
ロプリズム2の底面2cに設けられたSiO2 膜が接着
剤10によりフォトダイオードIC1上のSiO2 膜9
に接着されて、マイクロプリズム2がフォトダイオード
IC1上にマウントされている。この場合、フォトダイ
オードPD1上のSiN膜およびその上の部分のSiO
2 膜9によりハーフミラーが形成されている。なお、反
射防止膜7上に設けられたSiO2 膜は、接着剤10に
よるマイクロプリズム2の接着力を強化するためのもの
である。また、SiO2 膜9は、フォトダイオードIC
1の表面のパッシベーションのほか、接着剤10による
マイクロプリズム2の接着力を強化するためのものであ
る。
【0017】この場合、光信号検出用のフォトダイオー
ドPD1およびPD2としては、四分割型のものが用い
られる。すなわち、図3に示すように、フォトダイオー
ドPD1は、互いに分離して設けられた4個のフォトダ
イオードA1〜A4を有し、フォトダイオードPD2
は、互いに分離して設けられた4個のフォトダイオード
B1〜B4を有する。
【0018】上述のように構成されたレーザカプラは、
図4に示すように、例えばセラミックス製のフラットパ
ッケージ11に納められ、ウィンドウキャップ(図示せ
ず)により封止される。
【0019】次に、上述のレーザカプラの動作について
図5を参照しながら説明する。図5に示すように、上述
のレーザカプラにおいては、半導体レーザ4のフロント
側の端面から出射されたレーザ光Lは、マイクロプリズ
ム2の斜面2a上のハーフミラー(図示せず)で反射さ
れた後、対物レンズOLにより集光され、光ディスクD
に入射する。なお、対物レンズOLは、レーザカプラと
一体または別体に設けられる。この光ディスクDで反射
されたレーザ光Lは、マイクロプリズム2の斜面2a上
のハーフミラーを通ってこのマイクロプリズム2の内部
に入る。このマイクロプリズム2の内部に入った光のう
ちの半分(50%)の光はフォトダイオードPD1に入
射し、残りの半分(50%)の光はこのフォトダイオー
ドPD1上に設けられたハーフミラーとマイクロプリズ
ム2の上面2bとで順次反射されてフォトダイオードP
D2に入射する。
【0020】この場合、レーザ光Lが光ディスクDの記
録面上に焦点を結んでいるときに、フォトダイオードP
D1およびPD2上のレーザ光Lのスポットサイズが同
じになるように設計されているが、光ディスクDが変位
して焦点位置が記録面からずれると、これらのフォトダ
イオードPD1およびPD2上のレーザ光Lのスポット
サイズは互いに異なってくる。そこで、フォトダイオー
ドPD1からの出力信号とフォトダイオードPD2から
の出力信号との差を焦点位置のずれに対応させると、フ
ォーカスエラー信号を検出することができる。そして、
このフォーカスエラー信号のゼロ点が、焦点位置が光デ
ィスクDの記録面に一致した点、すなわちジャストフォ
ーカス点に対応し、このフォーカスエラー信号がゼロと
なるようにフォーカスサーボ系にフィードバックを与え
る。このようにして、ジャストフォーカス状態が維持さ
れ、光ディスクDの記録/再生が支障なく行われること
になる。なお、図3において、フォーカスエラー信号
は、(A1+A2+B3+B4)−(A3+A4+B1
+B2)により形成される。
【0021】さて、以上のことを前提としてこの発明の
第1の実施形態について説明する。この第1の実施形態
においては、上述のレーザカプラを2個用いて光ピック
アップ装置を構成する。
【0022】図6はこの発明の第1の実施形態による光
ピックアップ装置を示す。図6に示すように、この第1
の実施形態による光ピックアップ装置は、2個のレーザ
カプラLC1およびLC2とハーフミラーHMと対物レ
ンズOLとにより構成されている。レーザカプラLC1
およびLC2は、例えば、図1および図2に示すような
構成を有する。この場合、レーザカプラLC1は、ハー
フミラーHMおよび対物レンズOLの共通の光軸上に配
置されている。また、レーザカプラLC2は、その入射
または出射光軸が、レーザカプラLC1の入射または出
射光軸とハーフミラーHMにおいて互いにほぼ一致する
位置に配置されている。ここで、好適には、ハーフミラ
ーHMとしては偏光機能を有するものを用い、このハー
フミラーHMによりレーザカプラLC1およびLC2か
らのレーザ光を互いに異なる偏光とし、光利用効率を最
大化する。
【0023】この第1の実施形態においては、レーザカ
プラLC1は、あるフォーマットの一つの種類の光ディ
スクの記録/再生を行うのに最適な仕様に設計されたも
のであり、その半導体レーザ4の発光波長および/また
は光出力、フォトダイオードPD1およびPD2の受光
特性などが最適化されている。一方、レーザカプラLC
2は、上述のものとフォーマットの異なる他の種類の光
ディスクの記録/再生を行うのに最適な仕様に設計され
たものであり、その半導体レーザ4の発光波長および/
または光出力、フォトダイオードPD1およびPD2の
受光特性などが最適化されている。
【0024】ここで、半導体レーザ4の具体例をいくつ
か挙げると、発光波長が780nm帯で光出力が数mW
のもの、発光波長が780nm帯で光出力が数10mW
のもの、赤色発光(発光波長635〜680nm程度)
で光出力が数mWのもの、赤色発光(発光波長635〜
680nm程度)で光出力が数10mWのもの、青色発
光(発光波長500nm程度)で光出力が数mWのも
の、青色発光(発光波長500nm程度)で光出力が数
10mWのものなどがあり、これらのうちから目的に応
じたものが用いられる。
【0025】以上のように、この第1の実施形態による
光ピックアップ装置によれば、互いにフォーマットの異
なる2種類の光ディスクの記録/再生に最適な仕様に設
計されたレーザカプラLC1およびLC2を有するの
で、記録/再生を行うべき光ディスクの種類に応じてこ
れらのレーザカプラLC1およびLC2のうちのいずれ
かを用いることにより、互いにフォーマットの異なる2
種類の光ディスクの記録/再生を行うことができる。ま
た、これらのレーザカプラLC1およびLC2は小型に
構成することができるので、パッケージ化されたサイズ
の大きい半導体レーザを2個用いて光ピックアップ装置
を構成する場合に比べて、光ピックアップ装置を小型に
構成することができる。さらに、レーザカプラLC1お
よびLC2における半導体レーザ4、フォトダイオード
PD1およびPD2、マイクロプリズム2などの光軸の
調整はあらかじめ行われているので、この光ピックアッ
プ装置は組み立てが簡単である。
【0026】図7はこの発明の第2の実施形態によるレ
ーザカプラを示し、光ピックアップ装置に用いられるも
のである。図7に示すように、この第2の実施形態によ
るレーザカプラにおいては、図1および図2に示すもの
と同様な構成を有する2個のレーザカプラLC1および
LC2が、それらの光軸が互いに平行になるように、同
一のフォトダイオードIC1上に互いに隣接して配置さ
れている。これらのレーザカプラLC1およびLC2
は、第1の実施形態におけると同様に、それぞれあるフ
ォーマットの一つの種類の光ディスクの記録/再生を行
うのに最適な仕様に設計されたものである。ここで、レ
ーザカプラLC1のLOPチップとレーザカプラLC2
のLOPチップとの間隔は、これらのLOPチップのマ
ウント精度にもよるが、通常は500μm程度、最小で
300〜400μmにすることができる。
【0027】この第2の実施形態によるレーザカプラを
用いて光ピックアップ装置を構成する場合、対物レンズ
は、このレーザカプラと一体に設けてもよいし、別体に
設けてもよい。この対物レンズは、レーザカプラLC1
およびLC2で共用することができる。
【0028】この第2の実施形態によれば、第1の実施
形態と同様な利点を得ることができる。すなわち、この
第2の実施形態によるレーザカプラを光ピックアップ装
置に用いた場合には、記録/再生を行うべき光ディスク
の種類に応じてレーザカプラLC1およびLC2のうち
のいずれかを用いることにより、互いにフォーマットの
異なる2種類の光ディスクの記録/再生を行うことがで
きる。
【0029】また、これらのレーザカプラLC1および
LC2は同一のフォトダイオードIC1上に集積されて
いるので、光ピックアップ装置を小型に構成することが
できるとともに、フォトダイオードIC1およびパッケ
ージがそれぞれ一つだけで済むことにより製造コストも
安価にすることができる。さらに、これらのレーザカプ
ラLC1およびLC2をフォトダイオードIC1上に集
積する場合の光軸の調整などは、図1および図2に示す
レーザカプラと同様に比較的簡単である。
【0030】図8はこの発明の第3の実施形態によるレ
ーザカプラを示し、光ピックアップ装置に用いられるも
のである。図8に示すように、この第3の実施形態によ
るレーザカプラにおいては、レーザカプラLC1のマイ
クロプリズム2とレーザカプラLC2のマイクロプリズ
ム2とが一体的に形成されている。その他のことは、第
2の実施形態によるレーザカプラと同様であるので、説
明を省略する。
【0031】この第3の実施形態によるレーザカプラを
用いて光ピックアップ装置を構成する場合、対物レンズ
はこのレーザカプラと一体または別体に設けられること
やレーザカプラLC1およびLC2で対物レンズを共用
することができることは、第2の実施形態において述べ
たと同様である。この第3の実施形態によっても、第2
の実施形態と同様な利点を得ることができる。
【0032】図9はこの発明の第4の実施形態によるレ
ーザカプラを示し、光ピックアップ装置に用いられるも
のである。図9に示すように、この第4の実施形態によ
るレーザカプラにおいては、同一のフォトダイオードI
C1上に、2個のレーザカプラLC1およびLC2が、
光信号検出用のフォトダイオードPD1およびPD2と
マイクロプリズム2とを共有し、かつ、光軸を共有して
互いに対向して集積されている。この場合、マイクロプ
リズム2は、レーザカプラLC1のLOPチップ側およ
びレーザカプラLC2のLOPチップ側に、それぞれ光
入射面となる斜面2aを有している。その他のことは、
第2の実施形態によるレーザカプラと同様であるので、
説明を省略する。
【0033】この第4の実施形態において、一方の半導
体レーザ4から出射されてマイクロプリズム2の一方の
斜面2aで反射されたレーザ光Lと他方の半導体レーザ
4から出射されてマイクロプリズム2の他方の斜面2a
で反射されたレーザ光Lとの間隔は、典型的には、1m
m程度にすることができる。
【0034】この第4の実施形態によるレーザカプラを
用いて光ピックアップ装置を構成する場合、対物レンズ
はこのレーザカプラと一体または別体に設けられること
やレーザカプラLC1およびLC2で対物レンズを共用
することができることは、第2の実施形態において述べ
たと同様である。
【0035】この第4の実施形態によっても、第2の実
施形態と同様な利点を得ることができる。この場合、特
に、レーザカプラLC1およびLC2はフォトダイオー
ドPD1およびPD2とマイクロプリズム2とを共有し
ていることにより、フォトダイオードIC1をより一層
小型化することができ、したがって光ピックアップ装置
をより一層小型化することができる。
【0036】図10はこの発明の第5の実施形態による
レーザカプラを示し、光ピックアップ装置に用いられる
ものである。図10に示すように、この第5の実施形態
によるレーザカプラにおいては、単一のLOPチップに
発光波長および/または光出力が互いに異なる2個の半
導体レーザ4が含まれている。具体的には、フォトダイ
オードチップ3の上部に段部3aが形成され、この段部
3aの下側に、あるフォーマットの一つの種類の光ディ
スクに対する書き込みまたは読み出しに最適な発光波長
および/または光出力に設計された半導体レーザ4が設
けられ、段部3aの上側に、フォーマットの異なる他の
種類の光ディスクに対する書き込みまたは読み出しに最
適な発光波長および/または光出力に設計された半導体
レーザ4が設けられている。ここで、段部3aの高さ
は、これらの半導体レーザ4のフロント側の端面から出
射されるレーザ光Lが相互に干渉しないように、十分に
大きく選ばれている。その他のことは、第2の実施形態
によるレーザカプラと同様であるので、説明を省略す
る。
【0037】この第5の実施形態によるレーザカプラを
用いて光ピックアップ装置を構成する場合、対物レンズ
はこのレーザカプラと一体または別体に設けられること
やレーザカプラLC1およびLC2で対物レンズを共用
することができることは、第2の実施形態において述べ
たと同様である。
【0038】この第5の実施形態によっても、第2の実
施形態と同様な利点を得ることができる。この場合、特
に、レーザカプラLC1およびLC2はフォトダイオー
ドPD1およびPD2とマイクロプリズム2とフォトダ
イオード3とを共有していることにより、フォトダイオ
ードIC1をより一層小型化することができ、したがっ
て光ピックアップ装置をより一層小型化することができ
る。
【0039】図11はこの発明の第6の実施形態による
レーザカプラを示し、光ピックアップ装置に用いられる
ものである。図11に示すように、この第6の実施形態
によるレーザカプラにおいては、同一のフォトダイオー
ドIC1上に、2個のレーザカプラLC1およびLC2
が、光信号検出用のフォトダイオードPD1、PD2お
よびPD1´の一部(この場合はフォトダイオードPD
2)およびマイクロプリズム2を共有し、かつ、光軸を
共有して互いに対向して集積されている。この場合、レ
ーザカプラLC1はフォトダイオードPD1およびPD
2により光信号検出を行い、レーザカプラLC2はフォ
トダイオードPD1´およびPD2により光信号検出を
行う。その他のことは、第2の実施形態によるレーザカ
プラと同様であるので、説明を省略する。
【0040】この第6の実施形態によるレーザカプラを
用いて光ピックアップ装置を構成する場合、対物レンズ
はこのレーザカプラと一体または別体に設けられること
やレーザカプラLC1およびLC2で対物レンズを共用
することができることは、第2の実施形態において述べ
たと同様である。この第6の実施形態によっても、第2
の実施形態と同様な利点を得ることができる。
【0041】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【0042】例えば、上述の実施形態において挙げた数
値や材料などはあくまでも例に過ぎず、これと異なる数
値や材料などを用いてもよい。また、上述の第1の実施
形態において、ハーフミラーHMの代わりに例えば偏光
ビームスプリッタを用いてもよく、対物レンズOLを光
ピックアップ装置と別体に設けてもよい。
【0043】また、上述の第4の実施形態においてはレ
ーザカプラLC1およびLC2はフォトダイオードPD
1およびPD2とマイクロプリズム2とを共有し、第6
の実施形態においてはレーザカプラLC1およびLC2
はフォトダイオードPD2およびマイクロプリズム2を
共有しているが、レーザカプラLC1およびLC2のそ
れぞれに対して一対のフォトダイオードPD1およびP
D2を互いに光軸を共有するように設け、これらのレー
ザカプラLC1およびLC2がマイクロプリズム2のみ
共有するようにしてもよい。
【0044】さらに、上述の第1〜第6の実施形態にお
いては、2個のレーザカプラLC1およびLC2を同一
のフォトダイオードIC1上に集積して一つのレーザカ
プラを構成しているが、3個以上のレーザカプラを同一
のフォトダイオードIC1上に集積して一つのレーザカ
プラを構成してもよい。
【0045】なお、図12に示すように、2個のレーザ
カプラLC1およびLC2を同一のフラットパッケージ
11内に横方向に並列配置して実装し、これを光ピック
アップ装置に用いても、上述の実施形態と同様な利点を
得ることができる。この場合もレーザカプラLC1およ
びLC2で対物レンズを共用することができるが、レン
ズ視野を考えると、これらのレーザカプラLC1および
LC2は例えば100μm程度まで近接させて実装する
のが好ましい。また、これらのレーザカプラLC1およ
びLC2は、同一のフラットパッケージ11内に縦方向
に並列配置してもよい。さらに、3個以上のレーザカプ
ラを同一のフラットパッケージ11内に実装してもよ
い。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による光
ピックアップ装置によれば、複数の複合光学装置は互い
に仕様が異なることにより、互いにフォーマットの異な
る複数種の光ディスクに対する書き込みまたは読み取り
を行うことができ、しかも小型で組み立ても容易であ
る。
【0047】この発明による複合光学装置によれば、複
数の発光素子は互いに仕様が異なることにより、この複
合光学装置を光ピックアップ装置に用いた場合、互いに
フォーマットの異なる複数種の光ディスクに対する書き
込みまたは読み取りを行うことができ、しかも光ピック
アップ装置の小型化および組み立ての容易化を図ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施形態による光ピックアッ
プ装置に用いられる一般的なレーザカプラを示す斜視図
である。
【図2】この発明の第1の実施形態による光ピックアッ
プ装置に用いられる一般的なレーザカプラを示す断面図
である。
【図3】図1および図2に示すレーザカプラにおける光
信号検出用のフォトダイオードのパターンを示す平面図
である。
【図4】フラットパッケージによりパッケージングされ
たレーザカプラを示す斜視図である。
【図5】光ピックアップ装置にレーザカプラを応用した
場合の動作を説明するための略線図である。
【図6】この発明の第1の実施形態によるレーザカプラ
を示す略線図である。
【図7】この発明の第2の実施形態によるレーザカプラ
を示す斜視図である。
【図8】この発明の第3の実施形態によるレーザカプラ
を示す斜視図である。
【図9】この発明の第4の実施形態によるレーザカプラ
を示す斜視図である。
【図10】この発明の第5の実施形態によるレーザカプ
ラを示す斜視図である。
【図11】この発明の第6の実施形態によるレーザカプ
ラを示す斜視図である。
【図12】この発明の他の実施形態によるレーザカプラ
を示す斜視図である。
【符号の説明】
1・・・フォトダイオードIC、2・・・マイクロプリ
ズム、4・・・半導体レーザ、PD1,PD1´,PD
2・・・フォトダイオード、LC1,LC2・・・レー
ザカプラ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基体上に発光素子、受光素子および部分
    反射面を備えた透明光学部品が設けられた複合光学装置
    を複数有し、 上記複数の複合光学装置は互いに仕様が異なることを特
    徴とする光ピックアップ装置。
  2. 【請求項2】 上記複数の複合光学装置の上記発光素子
    は発光波長および/または光出力が互いに異なることを
    特徴とする請求項1記載の光ピックアップ装置。
  3. 【請求項3】 上記発光素子、上記受光素子および上記
    透明光学部品は、上記発光素子からの光の出射光軸と上
    記受光素子への光の入射光軸とが上記透明光学部品の上
    記部分反射面において互いにほぼ一致するように配置さ
    れていることを特徴とする請求項1記載の光ピックアッ
    プ装置。
  4. 【請求項4】 上記基体は半導体基板であり、上記発光
    素子は半導体レーザであり、上記受光素子はフォトダイ
    オードであり、上記透明光学部品はプリズムであること
    を特徴とする請求項1記載の光ピックアップ装置。
  5. 【請求項5】 基体上に複数の発光素子、受光素子およ
    び部分反射面を備えた透明光学部品が設けられ、 上記複数の発光素子は互いに仕様が異なることを特徴と
    する複合光学装置。
  6. 【請求項6】 上記複数の発光素子は発光波長および/
    または光出力が互いに異なることを特徴とする請求項5
    記載の複合光学装置。
  7. 【請求項7】 上記発光素子、上記受光素子および上記
    透明光学部品は、上記発光素子からの光の出射光軸と上
    記受光素子への光の入射光軸とが上記透明光学部品の上
    記部分反射面において互いにほぼ一致するように配置さ
    れていることを特徴とする請求項5記載の複合光学装
    置。
  8. 【請求項8】 上記複数の発光素子は光軸が互いにほぼ
    平行になるように互いに隣接して配置され、かつ、上記
    透明光学部品は上記複数の発光素子のそれぞれに対応し
    て設けられていることを特徴とする請求項5記載の複合
    光学装置。
  9. 【請求項9】 上記複数の発光素子は光軸が互いにほぼ
    平行になるように互いに隣接して配置され、かつ、上記
    透明光学部品は上記複数の発光素子に共通の単一の透明
    光学部品であることを特徴とする請求項5記載の複合光
    学装置。
  10. 【請求項10】 上記複数の発光素子は互いに光軸を共
    有し、かつ、上記受光素子を共有して配置されているこ
    とを特徴とする請求項5記載の複合光学装置。
  11. 【請求項11】 上記複数の発光素子は上記基体の表面
    からの高さが互いに異なる位置に配置されていることを
    特徴とする請求項5記載の複合光学装置。
  12. 【請求項12】 上記複数の発光素子は互いに光軸を共
    有し、かつ、上記受光素子の一部を共有して配置されて
    いることを特徴とする請求項5記載の複合光学装置。
  13. 【請求項13】 上記基体は半導体基板であり、上記発
    光素子は半導体レーザであり、上記受光素子はフォトダ
    イオードであり、上記透明光学部品はプリズムであるこ
    とを特徴とする請求項5記載の複合光学装置。
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