JPH08330106A

JPH08330106A - 電子部品とその製造方法

Info

Publication number: JPH08330106A
Application number: JP7133335A
Authority: JP
Inventors: Iwao Ueno; 巌上野; Yasuo Wakahata; 康男若畑
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-05-31
Filing date: 1995-05-31
Publication date: 1996-12-13
Anticipated expiration: 2016-06-25
Also published as: JP3179313B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、電子機器や電気機器で用いる耐湿
性に優れた電子部品とその製造方法を提供することを目
的とするものである。【構成】本発明は、バリスタ素子１表面に少なくとも
一対の電極を形成し、この電極形成部以外のバリスタ素
子１表面全体に金属被膜層を形成した後、酸化雰囲気中
で熱処理し、前記金属被膜層を酸化させた金属酸化物よ
りなる保護層５を形成し、さらに、前記電極表面にメッ
キ層４を形成するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子部品とその製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、素子を外部雰囲気より保護す
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の保護膜は、例え
ばガラスで形成したものは衝撃や熱による剥離やクラッ
クからの浸水、また樹脂で形成したものは吸湿性がある
ため、いずれも耐湿特性に対する信頼性が低いという問
題点を有していた。

【０００４】そこで本発明は、上記問題点を解決するも
ので、耐湿特性に優れた電子部品とその製造方法を提供
することを目的とするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、素子表面に少なくとも一対の電極を形成
し、この電極形成部以外の素子表面に金属被膜層を形成
し、その後前記素子を酸化雰囲気中で熱処理し、前記金
属被膜層を酸化させた金属酸化物よりなる保護層を形成
し、さらに、前記電極表面にメッキ層を形成するもので
ある。

【０００６】

【作用】本発明によると、まず素子表面に少なくとも一
対の電極を形成し、次に、表面の電極形成部以外に金属
被膜層を形成し、その後素子を酸化雰囲気中で熱処理す
ることにより、この金属被膜層は酸化されて金属酸化物
となり抵抗値が高くなる。

【０００７】従って、素子表面の抵抗が高く緻密な構造
の保護層を設けることができる。以上の構成であれば、
素子の構造がポーラスな場合でも表面に形成された緻密
な金属酸化物よりなる保護層により、周囲の環境、例え
ば湿度やガス等の影響を受けにくくなる。また、素子表
面を硬質の保護層で覆うので、素子表面の機械的強度が
向上し、製造工程中に加わる衝撃や電子部品を実装する
ときに加わる衝撃による外傷や歪みを受けにくくするこ
とができる。

【０００８】

【実施例】

（実施例１）以下、本発明の第１の実施例につて図１を
用いて説明する。

【０００９】図１において、１はバリスタ素子で、その
内部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外
部電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴ
ｉＯ ₃を主成分とし、副成分としてＮｂ₂Ｏ₅、Ｔａ
₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＭｎＯ₂などを添加したものである。ま
た、内部電極２は、Ｎｉを主成分とし、副成分としてＬ
ｉ ₂ＣＯ₃などを添加して形成したものである。さらに外
部電極３は、下層３ａをＮｉを主成分とし、副成分とし
てＬｉ₂ＣＯ₃などを添加して形成し、上層３ｂをＡｇで
形成したものである。以上の構成において、バリスタ素
子１の上層３ｂの電極形成部以外の素子表面には、保護
層５が付着形成されている。さらに、上層３ｂの表面に
Ｎｉメッキ層４ａと半田メッキ層４ｂが形成されてい
る。

【００１０】図３は、製造工程を示し、（７）に示すご
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
りセラミックシート１ａを作製した。

【００１１】セラミックシート１ａと、内部電極２とを
積層（８）し、それを切断（９）、脱バイ・仮焼（１
０）、面とり（１１）した。

【００１２】次に、バリスタ素子１の端面に、下層３ａ
となるＮｉ外部電極を塗布（１２）し、１２００〜１３
００℃で還元焼成（１３）し、その後、上層３ｂとなる
Ａｇ外部電極を塗布（１５）した。

【００１３】さらに、塗布した上層３ｂの表面に糊や樹
脂で形成されるレジスト膜を設け、その後、無電解Ｎｉ
メッキ層を付着（１４）し、７００〜８５０℃で再酸化
のため加熱（１６）し、焼付けＡｇ外部電極３ｂと、無
電解Ｎｉメッキからなる金属酸化物の保護層５を形成し
た。次に、加熱（１６）時に炭化したレジスト膜を除去
した後に、上層３ｂの上にＮｉメッキ層４ａと半田メッ
キ層４ｂを付着（１７）した。

【００１４】実施例１で得られたバリスタ素子１では、
バリスタ素子１の上層３ｂ形成部以外の表面全体に緻密
な構造の保護層５が形成されており、さらに上層３ｂの
表面にＮｉメッキ層４ａと半田メッキ層４ｂが形成され
た構造となっているために、（Ｉ）バリスタ素子１の気密性絶縁性が極めて高く、
水、ガス、酸、アルカリなどからの保護を確実に行うこ
とができ、耐湿性の向上、耐薬品性（例えば、メッキ液
による素子のエッチングの防止）の向上、表面リークの
減少、外部電極３のマイグレーションの防止などの効果
が発揮される。

【００１５】（II）バリスタ素子１の表面が硬質な保護
層５で覆われているため、機械的強度が向上し、また衝
撃にも強く、ワレ、カケなどの外傷や歪の発生を防ぐこ
とができる。

【００１６】（III）外部電極３表面がメッキ層４で覆
われているため、電子部品として優れた実装性を発揮す
る。

【００１７】（IV）金属酸化物の保護層５の一部がバリ
スタ素子１の表面に拡散し反応しているため付着強度は
極めて高く、衝撃や熱による剥離やクラックが発生しに
くい。

【００１８】（Ｖ）保護層５を形成する際、金属が酸化
することにより体積が大きくなるので、より緻密な保護
膜を形成することができる。などの特徴を有した。

【００１９】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図４を用いて説明する。

【００２０】実施例１と同様にして、上層３ｂを付与し
たバリスタ素子１を再酸化（１６）した後、Ｓｉ（Ｏ
Ｒ）₄（Ｒはアルキル基），（化４）で表わされるケイ
素化合物、Ｔｉ（ＯＲ）₄（Ｒはアルキル基），（化
５）で表わされるチタン化合物、Ａｌ（ＯＲ）₃（Ｒは
アルキル基），（化６）で表わされるアルミ化合物のう
ちの少なくとも一種類以上を含む液体中に浸漬し、バリ
スタ素子１の表面にガラス形成用物質を付着（１８）
し、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂の
うちの少なくとも一種類よりなる反応抑制剤の粉末内に
埋設し、３００〜８５０℃で熱処理（１９）した。

【００２１】

【化４】

【００２２】

【化５】

【００２３】

【化６】

【００２４】その後、面とり（２０）、Ｎｉメッキ層４
ａと半田メッキ層４ｂを付着（１７）し、図２に示すご
とく保護層５の表面にガラス層２１を有する電子部品を
得た。

【００２５】なお、実施例２において、ガラス形成用物
質の付着（１８）および熱処理（１９）を１サイクルし
か実施していないが、複数回実施した方がより均一なガ
ラス層２１を形成することができる。

【００２６】そして、この形成されたガラス層２１は、
保護層５の外表面に単に付着しているのではなく、一部
が保護層５内に拡散し反応しているため付着強度は極め
て高い。また、このガラス形成用物質にＢｉ₂Ｏ₃、Ｓｂ
₂Ｏ₃の少なくとも一方が含まれる場合さらに顕著であ
る。

【００２７】この様に、金属酸化物よりなる保護層５の
表面に、新たにガラス層２１を形成することにより、前
記（Ｉ）〜（Ｖ）などに記載した特徴がより一層発揮さ
れる。特に、還元性の強い、ガスや溶液中にバリスタ素
子１を投入しても、ガラス層２１が形成されているた
め、保護層５の金属酸化物が還元されることがなくダメ
ージを受けることがなかった。

【００２８】また、反応抑制剤の作用は、保護層５とガ
ラス層２１の拡散反応を抑制するだけでなく、バリスタ
素子１同士のくっつき不良を防止する作用もある。

【００２９】さらにまた、上記各種液体中にＡｌ₂Ｏ₃、
ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｓｉ₃Ｎ ₄、ＳｉＯ₂、炭素繊
維、ガラス繊維の少なくとも一種類以上を含む針状の結
晶成分を分散させると、形成されたガラス層２１の熱的
強度や機械的強度が向上し、特にヒートショック等で発
生するクラックや剥離の発生や広がりを抑制することが
できた。また、針状の結晶成分のアンカー効果により保
護層５との付着強度はより強くなった。この場合、分散
させる針状の結晶成分の粒径は細かく均一である方がよ
り顕著であった。また、上記反応抑制剤の粉末に分散さ
せても同様の効果を確認した。

【００３０】また、針状の結晶成分にＢｉ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂
Ｏ₃の少なくとも一方が含まれる場合さらに顕著であっ
た。さらにまた、保護層５の表面にシリコーン系やエポ
キシ系の樹脂を形成しても同様の効果が得られた。

【００３１】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について説明する。

【００３２】実施例１および２と同様にして図５に示す
（７）〜（１３），（１５）の工程を経た後、Ｓｉ
Ｏ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂のうちの少
なくとも一種類以上の粉末を分散させた無電解Ｎｉメッ
キ層を付着（１４）し、以下（１６），（１７）の工程
を経ることにより、図１に示す耐還元性に優れた保護層
５を有する電子部品を得た。

【００３３】実施例３で得られた保護層５は、再酸化
（１６）時に、ＮｉとＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍ
ｇＯ、ＺｒＯ₂のうちの少なくとも一種類以上の粉末が
反応し、耐還元性に優れた保護層５を形成する。この場
合、分散させる粉末の粒径が細かく均一であり、また、
純度が高い方が顕著であった。また、上記各種粉末以外
に、ガラス粉末でも同様の効果があった。

【００３４】以上、このような上記各実施例１〜３によ
り得られたバリスタ素子１では、バリスタ素子１の電極
形成部以外の表面に緻密な構造の保護層５が形成されて
いるために、周囲の環境、例えば、湿度、ガス、酸、ア
ルカリなどの影響を受けにくくなる。また、表面を硬質
の保護層５で覆われているので、機械的強度が向上する
ものである。

【００３５】また、製造工程上重要なことは、（Ｉ）無電解Ｎｉメッキ層を付着する時や、ガラス形成
用物質を付着する時は、バリスタ素子１の表面には不純
物の付着がないように、純水かイオン交換水で充分に洗
浄しておく。

【００３６】（II）ガラス形成用物質を含む液体は、加
水分解するので、バリスタ素子１を浸漬する時は、その
水分を充分に除去してから浸漬する方が望ましい。

【００３７】（III）無電解Ｎｉメッキ液に粉末を分散
させる場合は、分散性を良くするために充分に攪拌する
方が望ましい。

【００３８】また、バリスタ素子１表面に形成された保
護層５は、Ｎｉメッキ層４ａと半田メッキ層４ｂを付着
（１７）する工程時に、発生する水素ガスの影響で、そ
の表面の一部が還元され抵抗値が低下する場合がある。
従って、この現象を防止するために、（IV）上記実施例
２で示したように、保護層５の表面に、ガラス層２１を
形成し、水素ガスの影響を防止することが望ましい。

【００３９】（Ｖ）上記実施例３で示したように、耐還
元性の保護層５を形成し、水素ガスの影響を防止するこ
とが望ましい。

【００４０】（VI）メッキ工程（１７）の工程後に、過
酸化水素のアンモニア溶液を用い、表面の一部が還元さ
れた保護層５を酸化させることが望ましい。また、この
場合、バリスタ素子１に影響を及ぼさないアルカリ溶液
でも構わない。さらに、この溶液は、洗浄作用があるた
め、メッキ工程（１７）後の洗浄液として利用できるも
のである。

【００４１】また、上記実施例２で示したように、ガラ
ス層２１を形成する場合、上層３ｂ表面にもガラス層２
１が形成される場合があり、メッキ工程（１７）を実施
してもメッキ層４が付着しにくい場合がある。従って、
それを解決するために、（VII）上層３ｂ表面に、予め洗濯糊やエチルセルロー
スなどの多糖類よりなる糊やポリビニルアルコール、酢
酸ビニル等からなるレジスト膜を設け、その後、ガラス
形成用物質を付着（１８）、熱処理（１９）し、レジス
ト膜を炭化させ、超音波洗浄機などで除去する工程を有
することが望ましい。そして、このレジスト膜を形成す
る際、染料や顔料を混合し、着色することにより、レジ
スト膜が均一に形成できたかどうかを知ることができ
る。なお、上記実施例において、バリスタ素子１表面に
形成する金属酸化物の保護層５は、Ｎｉについてのみ示
したが、これ以外の酸化物で抵抗が高く、耐薬品性のあ
る金属であればどのようなものでも構わない。そして、
その形成方法も、無電解メッキについてのみ示したが、
蒸着、スパッタリング、ディップ、溶射、印刷などで形
成しても同様の効果が得られる。

【００４２】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について図６を用いて説明する。

【００４３】図６において、１はバリスタ素子で、その
内部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外
部電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴ
ｉＯ ₃を主成分とし、副成分としてＮｂ₂Ｏ₅、Ｔａ
₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＭｎＯ₂などを添加したものである。ま
た、内部電極２は、Ｎｉを主成分とし、副成分としてＬ
ｉ ₂ＣＯ₃などを添加して形成したものである。さらに外
部電極３は、下層３ａをＮｉを主成分とし、副成分とし
てＬｉ₂ＣＯ₃などを添加して形成し、上層３ｂをＡｇで
形成したものである。以上の構成において、バリスタ素
子１の端面を除く表面全体に高抵抗の保護層５が付着形
成されている。さらに、上層３ｂの表面にＮｉメッキ層
４ａと半田メッキ層４ｂが形成されている。

【００４４】図８は、製造工程を示し、（７）に示すご
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
りセラミックシート１ａを作製した。

【００４５】セラミックシート１ａと、内部電極２とを
積層（８）し、それを切断（９）、脱バイ・仮焼（１
０）、面とり（１１）した。

【００４６】次に、バリスタ素子１の端面に、下層３ａ
となるＮｉ外部電極を塗布（１２）し、１２００〜１３
００℃で還元焼成（１３）し、その後、素子端面に糊や
樹脂で形成されるレジスト膜を設けた後、無電解Ｎｉメ
ッキ層を付着（１４）し、さらに、水洗や有機溶剤でレ
ジストを除去した後に上層３ｂとなるＡｇ外部電極を塗
布（１５）し、７００〜８５０℃で再酸化のため加熱
（１６）し、焼付けＡｇ外部電極３ｂと、無電解Ｎｉメ
ッキからなる金属酸化物の保護層５を形成した。次に、
上層３ｂの上にＮｉメッキ層４ａと半田メッキ層４ｂを
付着（１７）した。

【００４７】本実施例で得られたバリスタ素子１では、
バリスタ素子１の端面を除く表面全体に緻密な構造の保
護層５が形成されており、さらに上層３ｂの表面にＮｉ
メッキ層４ａと半田メッキ層４ｂが形成された構造とな
っているために、（Ｉ）バリスタ素子１の気密性絶縁性が極めて高く、
水、ガス、酸、アルカリなどからの保護を確実に行うこ
とができ、耐久性の向上、耐薬品性（例えば、メッキ液
による素子のエッチングの防止）の向上、表面リークの
減少、外部電極のマイグレーションの防止などの効果が
発揮される。

【００４８】（II）バリスタ素子１の表面が硬質な保護
層５で覆われているため、機械的強度が向上し、また衝
撃にも強く、ワレ、カケなどの外傷や歪の発生を防ぐこ
とができる。

【００４９】（III）電極表面がメッキ層で覆われてい
るため、電子部品として優れた実装性を発揮する。

【００５０】（IV）金属酸化物の保護層５の一部がバリ
スタ素子１の表面に拡散し反応しているため付着強度は
極めて高く、衝撃や熱による剥離やクラックが発生しに
くい。

【００５１】（Ｖ）保護層５を形成する際、金属が酸化
することにより体積が大きくなるので、より緻密な保護
膜を形成することができる。などの特徴を有した。

【００５２】（実施例５）以下、本発明の第５の実施例
について、図９を用いて説明する。

【００５３】実施例３と同様にして、上層３ｂを付与し
たバリスタ素子１を再酸化（１６）した後、Ｓｉ（Ｏ
Ｒ）₄（Ｒはアルキル基），（化４）で表わされるケイ
素化合物、Ｔｉ（ＯＲ）₄（Ｒはアルキル基），（化
５）で表わされるチタン化合物、Ａｌ（ＯＲ）₃（Ｒは
アルキル基），（化６）で表わされるアルミ化合物のう
ちの少なくとも一種類以上を含む液体中に浸漬し、バリ
スタ素子１の表面にガラス形成用物質を付着（１８）
し、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂の
うちの少なくとも一種類よりなる反応抑制剤の粉末内部
に埋設し、３００〜８５０℃で熱処理（１９）した。

【００５４】その後、面とり（２０）、Ｎｉメッキ層４
ａと半田メッキ層４ｂを付着（１７）し、図７に示すご
とく保護層５の表面にガラス層２１を有する電子部品を
得た。

【００５５】なお、実施例４において、ガラス形成用物
質の付着（１８）および熱処理（１９）を１サイクルし
か実施していないが、複数回実施した方がより均一なガ
ラス層２１を形成することができる。

【００５６】そして、この形成されたガラス層２１は、
保護層５の外表面に単に付着しているのではなく、一部
が拡散し反応しているため付着強度は極めて高い。ま
た、このガラス形成用物質にＢｉ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃の少な
くとも一方が含まれる場合さらに顕著である。

【００５７】この様に、金属酸化物よりなる保護層５の
表面に、新たにガラス層２１を形成することにより、前
記（Ｉ）〜（Ｖ）などに記載した特徴がより一層発揮さ
れる。特に、還元性の強い、ガスや溶液中にバリスタ素
子１を投入しても、ガラス層２１が形成されているた
め、保護層５の金属酸化物が還元されることがなくダメ
ージを受けることがなかった。

【００５８】また、反応抑制剤の作用は、保護層５とガ
ラス層２１の拡散反応を抑制するだけでなく、バリスタ
素子１同士のくっつき不良を防止する作用もある。

【００５９】さらにまた、上記各種液体中にＡｌ₂Ｏ₃、
ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｓｉ₃Ｎ ₄、ＳｉＯ₂、炭素繊
維、ガラス繊維の少なくとも一種類以上を含む針状の結
晶成分を分散させると、形成されたガラス層２１の熱的
強度や機械的強度、特にヒートショック等で発生するク
ラックや剥離の発生や広がりを抑制することができた。
また、針状の結晶成分のアンカー効果により保護層５と
の付着強度はより強くなった。この場合、分散させる針
状の結晶成分の粒径は細かく均一である方がより顕著で
あった。また、上記反応抑制剤の粉末に分散させても同
様の効果を確認した。

【００６０】また、針状の結晶成分にＢｉ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂
Ｏ₃の少なくとも一方が含まれる場合さらに顕著であっ
た。さらにまた、保護層５の表面にシリコーン系、エポ
キシ系の樹脂を形成しても同様の効果が得られた。

【００６１】（実施例６）以下、本発明の第６の実施例
について説明する。

【００６２】実施例４および５と同様にして図１０に示
す（７）〜（１３）の工程を経た後、ＳｉＯ₂、Ｔｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂のうちの少なくとも一
種類以上の粉末を分散させた無電解Ｎｉメッキ層を付着
（１４）し、以下（１５）〜（１７）の工程を経ること
により、図６に示す耐還元性に優れた保護層５を有する
電子部品を得た。

【００６３】実施例６で得られた保護層５は、再酸化
（１６）時に、ＮｉとＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍ
ｇＯ、ＺｒＯ₂のうちの少なくとも一種類以上の粉末が
反応し、耐還元性に優れた保護層５を形成する。この場
合、分散させる粉末の粒径が細かく均一であり、また、
純度が高い方が顕著であった。また、上記各種粉末以外
に、ガラス粉末でも同様の効果があった。

【００６４】以上、このような上記実施例３〜６により
得られたバリスタ素子１では、バリスタ素子１端面を除
く表面全体に緻密な構造の保護層５が形成されているた
めに、周囲の環境、例えば、湿度、ガス、酸、アルカリ
などの影響を受けにくくなる。また、表面を硬質の保護
層５で覆われているので、機械的強度が向上するもので
ある。

【００６５】また、製造工程上重要なことは、（Ｉ）無電解Ｎｉメッキ層を付着する時や、ガラス形成
用物質を付着する時は、バリスタ素子１の表面には不純
物の付着がないように、純水かイオン交換水で充分に洗
浄しておく。

【００６６】（II）ガラス形成用物質を含む液体は、加
水分解するので、バリスタ素子１を浸漬する時は、その
水分を充分に除去してから浸漬する方が望ましい。

【００６７】（III）無電解Ｎｉメッキ液に粉末を分散
させる場合は、分散性を良くするために充分に攪拌する
方が望ましい。

【００６８】また、バリスタ素子１表面に形成された保
護層５は、Ｎｉメッキ層４ａと半田メッキ層４ｂを付着
（１７）する工程時に、発生する水素ガスの影響で、そ
の表面の一部が還元され抵抗値が低下する場合がある。
従って、この現象を防止するために、（IV）上記実施例５で示したように、保護層５の表面
に、ガラス層２１を形成し、水素ガスの影響を防止する
ことが望ましい。

【００６９】（Ｖ）上記実施例６で示したように、耐還
元性の保護層５を形成し、水素ガスの影響を防止するこ
とが望ましい。

【００７０】（VI）メッキ工程（１７）の工程後に、過
酸化水素のアンモニア溶液を用い、表面の一部が還元さ
れた保護層５を酸化させることが望ましい。また、この
場合、バリスタ素子１に影響を及ぼさないアルカリ溶液
でも構わない。さらに、この溶液は、洗浄作用があるた
め、メッキ工程（１７）後の洗浄液として利用できるも
のである。

【００７１】また、上記実施例５で示したように、ガラ
ス層２１を形成する場合、上層３ｂ表面にもガラス層２
１が形成される場合があり、メッキ工程（１７）を実施
してもメッキ層が付着しにくい場合がある。従って、そ
れを解決するために、（VII）上層３ｂ表面に、予め洗濯糊やエチルセルロー
スなどの多糖類よりなる糊やポリビニルアルコール、酢
酸ビニル等からなるレジスト膜を設け、その後、ガラス
形成用物質を付着（１８）、熱処理（１９）し、レジス
ト膜を炭化させ、超音波洗浄機などで除去する工程を有
することが望ましい。そして、このレジスト膜を形成す
る際、染料や顔料を混合することにより、レジスト膜が
均一に形成できたかどうかを知ることができる。なお、
上記実施例４〜６において、素子表面に形成する金属酸
化物の保護層５は、Ｎｉについてのみ示したが、これ以
外の酸化物で抵抗が高く、耐薬品性のある金属であれば
どのようなものでも構わない。そして、その形成方法
も、無電解メッキについてのみ示したが、蒸着、スパッ
タリング、ディップ、溶射、印刷などで形成しても同様
の効果が得られる。

【００７２】また実施例１〜３の積層バリスタは、バリ
スタ素子１の表面の外部電極３の形成部分以外に保護層
５を形成し、実施例４〜６の積層バリスタはバリスタ素
子１の端面を除く表面全体に保護層５を形成した。

【００７３】そのため、実施例４〜６の積層バリスタ
は、実施例１〜３の積層バリスタと比較すると上層３ｂ
のＡｇ外部電極と内部電極２との間でマイグレーション
が起きにくい。

【００７４】また、実施例１〜６において、保護層５と
なるＮｉメッキの厚さは６μｍ以下が好ましい。その理
由としてはＮｉメッキの厚みが６μｍを越えるとＮｉが
収縮しバリスタ素子のワレやヒビが起こるおそれがある
からである。

【００７５】また、実施例１〜６において、積層バリス
タを例にあげたが、本発明は、コンデンサ、サーミス
タ、セラミスタ、バリスタ、圧電素子、フェライト、セ
ラミック基板などセラミック磁器を用いるものやそうで
ないもの、また、その形状も、ディスク型、円筒型、積
層型など何にでも適応できるものである。

【００７６】

【発明の効果】以上、本発明によると、まず、素子に少
なくとも一対の電極を形成し、次に素子の電極形成部以
外の表面全体に金属被膜層を付着し、その後、酸化雰囲
気中で熱処理し、金属酸化物よりなる保護層を形成し、
さらに、電極表面にメッキ層を形成する。

【００７７】この構成により素子表面に抵抗が高く、緻
密な構造の保護層を設けることができる。

【００７８】このため、素子の構造がポーラスな場合で
あっても、緻密な保護層によって周囲の環境、例えば湿
気、ガス、酸、アルカリなどの影響を受け難くすること
ができる。

【００７９】また、素子の表面抵抗が低い場合でも、そ
の表面に抵抗の高い金属酸化物よりなる保護層によっ
て、例えば漏れ電流を抑制したり、メッキ流れ、メッキ
液によるエッチングなどを抑えることができる。

【００８０】さらに、この保護層はクラックや歪が入り
難く、緻密で均質で堅固なので、素子表面の機械的強度
を高め、製造工程中や実装時に受ける衝撃による外傷や
歪の発生を防ぐことができる。

【００８１】このように、本発明の電子部品は信頼性に
優れたもので実用上の効果も極めて大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１、第３の実施例におけるバリスタ
の断面図

【図２】本発明の第２の実施例におけるバリスタの断面
図

【図３】本発明の第１の実施例におけるバリスタの製造
工程図

【図４】本発明の第２の実施例におけるバリスタの製造
工程図

【図５】本発明の第３の実施例におけるバリスタの製造
工程図

【図６】本発明の第４、第６の実施例におけるバリスタ
の断面図

【図７】本発明の第５の実施例におけるバリスタの断面
図

【図８】本発明の第４の実施例におけるバリスタの製造
工程図

【図９】本発明の第５の実施例におけるバリスタの製造
工程図

【図１０】本発明の第６の実施例におけるバリスタの製
造工程図

【符号の説明】

１バリスタ素子２内部電極３外部電極４メッキ層５保護層２１ガラス層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】素子と、前記素子表面に設けた少なくと
も一対の電極と、少なくとも前記素子表面の前記電極形
成部以外に設けた金属酸化物の保護層と、前記電極表面
に設けたメッキ層とを備えた電子部品。
【請求項２】素子が、セラミック磁器よりなる請求項
１記載の電子部品。
【請求項３】保護層の抵抗を素子の抵抗よりも高くし
た請求項１記載の電子部品。
【請求項４】保護層の表面に、ガラス層を備えた請求
項１記載の電子部品。
【請求項５】保護層は、耐還元性を有する金属酸化物
よりなる請求項１記載の電子部品。
【請求項６】保護層は、ガラスを含有した請求項１記
載の電子部品。
【請求項７】素子表面に少なくとも一対の電極を形成
し、次に、この素子の電極形成部以外に金属被膜層を形
成し、その後、前記素子を酸化雰囲気中で熱処理し、前
記素子表面の前記金属被膜層を酸化させた金属酸化物よ
りなる保護層を形成し、さらに、前記電極表面にメッキ
層を形成する電子部品の製造方法。
【請求項８】電極形成と金属酸化物よりなる保護層の
形成を同時に行う請求項７記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】金属被膜層を無電解メッキ法で形成する
請求項７あるいは８記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】無電解メッキの材料として、Ｎｉ，Ｃ
ｕのどちらか一方を主成分とするものを用いる請求項９
記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】無電解メッキ液に、ＳｉＯ₂、Ｔｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂のうちの少なくとも一
種類以上を含む粉末を分散させる請求項９あるいは１０
記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】無電解メッキ液に、ガラス粉末を分散
させる請求項９あるいは１０記載の電子部品の製造方
法。
【請求項１３】金属被膜層を蒸着、スパッタリング、
ディップ、溶射、印刷のうちのいずれかの方法で形成す
る請求項７記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】電極表面にメッキ層を形成した後に、
過酸化水素のアルカリ溶液中に浸漬し、保護層を酸化さ
せる請求項７記載の電子部品の製造方法。
【請求項１５】アルカリ溶液として、アンモニア水を
用いる請求項１４記載の電子部品の製造方法。
【請求項１６】素子表面の電極を形成しようとする部
分を除く表面全体に金属被膜層を形成し、この素子の前
記電極を形成しようとする部分に電極を形成し、その
後、前記素子を酸化雰囲気中で熱処理し、前記素子表面
の前記金属被膜層を酸化させた金属酸化物よりなる保護
層を形成し、さらに、前記電極表面にメッキ層を形成す
る電子部品の製造方法。
【請求項１７】電極形成と金属酸化物よりなる保護層
の形成を同時に行う請求項１６記載の電子部品の製造方
法。
【請求項１８】金属被膜層を無電解メッキ法で形成す
る請求項１６記載の電子部品の製造方法。
【請求項１９】無電解メッキの材料として、Ｎｉ，Ｃ
ｕのどちらか一方を主成分とするものを用いる請求項１
８記載の電子部品の製造方法。
【請求項２０】無電解メッキ液に、ＳｉＯ₂、Ｔｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂のうちの少なくとも一
種類以上を含む粉末を分散させる請求項１８あるいは１
９記載の電子部品の製造方法。
【請求項２１】無電解メッキ液に、ガラス粉末を分散
させる請求項１８あるいは１９記載の電子部品の製造方
法。
【請求項２２】金属被膜層を蒸着、スパッタリング、
ディップ、溶射、印刷のうちのいずれかの方法で形成す
る請求項１６記載の電子部品の製造方法。
【請求項２３】電極表面にメッキ層を形成した後に、
過酸化水素のアルカリ溶液中に浸漬し、保護層を酸化さ
せる請求項１６記載の電子部品の製造方法。
【請求項２４】アルカリ溶液として、アンモニア水を
用いる請求項２３記載の電子部品の製造方法。
【請求項２５】保護層を形成した素子をガラス形成用
物質を含む液体中に浸漬し、その後、前記素子を前記液
体中から取出した後に加熱し、さらに、前記素子の電極
表面にメッキ層を形成する電子部品の製造方法。
【請求項２６】液体は、Ｓｉ（ＯＲ）₄（Ｒはアルキ
ル基），（化１）で表わされるケイ素化合物、Ｔｉ（Ｏ
Ｒ）₄（Ｒはアルキル基），（化２）で表わされるチタ
ン化合物、Ａｌ（ＯＲ）₃（Ｒはアルキル基），（化
３）で表わされるアルミ化合物のうち少なくとも一種類
以上と、少なくともガラス形成用物質と有機バインダー
とからなる添加剤と、有機溶剤により構成される請求項
２５記載の電子部品の製造方法。【化１】【化２】【化３】
【請求項２７】Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、炭素繊維、ガラス繊維の少な
くとも一種類以上を含む針状の結晶成分を液体中に分散
させる請求項２５記載の電子部品の製造方法。
【請求項２８】Ｂｉ₂Ｏ₃とＳｂ₂Ｏ₃の少なくとも一種
類以上の針状の結晶成分をさらに分散させる請求項２７
記載の電子部品の製造方法。
【請求項２９】保護層を形成した素子をガラス形成用
物質を含む液体中に浸漬し、次に、前記素子を液体中か
ら取出した後、反応抑制剤を前記素子の外表面に当接さ
せ加熱し、さらに、前記素子の電極表面にメッキ層を形
成する電子部品の製造方法。
【請求項３０】反応抑制剤は、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂のうちの少なくとも一種類以
上を含む請求項２９記載の電子部品の製造方法。
【請求項３１】電極を形成した素子の、前記電極表面
に、予めレジスト膜を設け、次に、ガラス形成用物質を
含む液体中に浸漬し、その後前記素子を前記液体中から
取出した後に加熱し、ガラス層を形成すると同時に前記
レジスト膜を炭化させ、次に、前記炭化したレジスト膜
を洗浄除去し、その後電極表面にメッキ層を形成する電
子部品の製造方法。
【請求項３２】レジスト膜は、糊で形成する請求項３
１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３３】糊は、多糖類を主成分とする請求項３
２記載の電子部品の製造方法。
【請求項３４】保護層を形成した素子を樹脂成分を含
む液体中に浸漬し、その後、前記素子を前記液体中から
取出した後に加熱硬化し、さらに、前記素子の電極表面
にメッキ層を形成する電子部品の製造方法。
【請求項３５】樹脂は、シリコーン系、エポキシ系で
ある請求項３４記載の電子部品の製造方法。