JPH08330259A - 半導体ウェハの研磨方法 - Google Patents
半導体ウェハの研磨方法Info
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- JPH08330259A JPH08330259A JP16915395A JP16915395A JPH08330259A JP H08330259 A JPH08330259 A JP H08330259A JP 16915395 A JP16915395 A JP 16915395A JP 16915395 A JP16915395 A JP 16915395A JP H08330259 A JPH08330259 A JP H08330259A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハの研磨工程における研磨状態を
定量的に測定し、得られた測定結果を研磨装置にフィー
ドバックさせて研磨条件を毎回設定しなおすことによ
り、研磨精度の高い研磨ができる半導体ウェハの研磨方
法を提供する。 【構成】 半導体ウェハを貼付プレートに貼り付ける。
半導体ウェハを鏡面研磨する前にその表面測定を行い、
測定値処理装置に測定値を入力する。研磨条件を設定す
る。研磨装置により半導体ウェハの表面を研磨して鏡面
加工する。研磨中の研磨面の温度を測定し、測定値処理
装置に入力する。第２の表面測定を行い、その測定値を
測定値処理装置に入力する。その各測定値を測定値処理
装置により制御信号に変換する。制御信号により研磨条
件を再設定する。
定量的に測定し、得られた測定結果を研磨装置にフィー
ドバックさせて研磨条件を毎回設定しなおすことによ
り、研磨精度の高い研磨ができる半導体ウェハの研磨方
法を提供する。 【構成】 半導体ウェハを貼付プレートに貼り付ける。
半導体ウェハを鏡面研磨する前にその表面測定を行い、
測定値処理装置に測定値を入力する。研磨条件を設定す
る。研磨装置により半導体ウェハの表面を研磨して鏡面
加工する。研磨中の研磨面の温度を測定し、測定値処理
装置に入力する。第２の表面測定を行い、その測定値を
測定値処理装置に入力する。その各測定値を測定値処理
装置により制御信号に変換する。制御信号により研磨条
件を再設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハを貼付プ
レートに貼り付け研磨する半導体ウェハの研磨方法に関
するものである。
レートに貼り付け研磨する半導体ウェハの研磨方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハを製造する工程の中には、
半導体ウェハを貼付プレートに貼り付け、研磨装置によ
り鏡面研磨する工程がある。この工程においては、使用
される研磨装置の経年変化などにより研磨面の片減りや
研磨取代不足が発生する。従来、片減りの方向と量の特
定は、半導体ウェハを貼付プレートに貼り付けた状態で
研磨工程から選択抽出し、干渉縞平坦度測定装置を使用
して干渉縞の数と縞のパターンを目視して判断してい
た。また研磨取代不足は、貼付プレートに貼り付けた状
態で、半導体ウェハの研磨前後の厚さを測定して規定値
との差により判断していた。この研磨面の片減りや取代
不足を修正するためには、研磨ヘッドのクロスリング又
はＯリングの位置や押圧荷重等といった研磨装置の条件
設定を変化させて調節していた。
半導体ウェハを貼付プレートに貼り付け、研磨装置によ
り鏡面研磨する工程がある。この工程においては、使用
される研磨装置の経年変化などにより研磨面の片減りや
研磨取代不足が発生する。従来、片減りの方向と量の特
定は、半導体ウェハを貼付プレートに貼り付けた状態で
研磨工程から選択抽出し、干渉縞平坦度測定装置を使用
して干渉縞の数と縞のパターンを目視して判断してい
た。また研磨取代不足は、貼付プレートに貼り付けた状
態で、半導体ウェハの研磨前後の厚さを測定して規定値
との差により判断していた。この研磨面の片減りや取代
不足を修正するためには、研磨ヘッドのクロスリング又
はＯリングの位置や押圧荷重等といった研磨装置の条件
設定を変化させて調節していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この干
渉縞平坦度測定装置を使用した干渉縞の数と縞のパター
ンにより判断する方法では、片減り量と片減り方向を定
量的に測定する訳ではないので、研磨装置の微妙な調整
をするには熟練と経験とが必要であるという問題があ
る。また、研磨工程の外で干渉縞平坦度測定装置を使用
するために一旦自動工程からこれを取り出す必要があ
る。このため、片減りを測定し、その測定結果による条
件変更を行う間は研磨装置を止めることとなる。したが
って、一連の研磨工程およびその前後の工程に影響を与
え、製造効率が非常に悪いという問題がある。さらに、
これらの抽出測定は作業効率の観点から毎回行うことが
困難なため、測定と測定との間に研磨ムラが大きくなる
可能性があるという問題点がある。本発明は、上記問題
に鑑みなされたもので、半導体ウェハの研磨工程におけ
る研磨状態を定量的に測定し、得られた測定結果を研磨
装置にフィードバックさせて研磨条件を毎回設定しなお
すことにより、研磨精度の高い研磨ができる半導体ウェ
ハの研磨方法を提供することを目的とするものである。
渉縞平坦度測定装置を使用した干渉縞の数と縞のパター
ンにより判断する方法では、片減り量と片減り方向を定
量的に測定する訳ではないので、研磨装置の微妙な調整
をするには熟練と経験とが必要であるという問題があ
る。また、研磨工程の外で干渉縞平坦度測定装置を使用
するために一旦自動工程からこれを取り出す必要があ
る。このため、片減りを測定し、その測定結果による条
件変更を行う間は研磨装置を止めることとなる。したが
って、一連の研磨工程およびその前後の工程に影響を与
え、製造効率が非常に悪いという問題がある。さらに、
これらの抽出測定は作業効率の観点から毎回行うことが
困難なため、測定と測定との間に研磨ムラが大きくなる
可能性があるという問題点がある。本発明は、上記問題
に鑑みなされたもので、半導体ウェハの研磨工程におけ
る研磨状態を定量的に測定し、得られた測定結果を研磨
装置にフィードバックさせて研磨条件を毎回設定しなお
すことにより、研磨精度の高い研磨ができる半導体ウェ
ハの研磨方法を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、半
導体ウェハの研磨方法を、半導体ウェハを貼付プレート
に貼り付け、研磨装置の研磨条件を設定し、貼付プレー
トに貼り付られた半導体ウェハを研磨装置により鏡面研
磨し、鏡面研磨した半導体ウェハを貼付プレートに貼り
付けた状態で該半導体ウェハの表面を測定し、測定され
た表面測定値を情報処理装置により処理し、研磨条件を
設定するための信号に変換し、変換された信号を出力
し、研磨装置調節工程にフィードバックさせる一連の工
程を自動工程として行うようにしたものである。また、
半導体ウェハの研磨方法を、半導体ウェハを貼付プレー
トに貼り付け、貼付プレートに貼り付られた半導体ウェ
ハの表面を測定して情報処理装置に入力し、研磨装置の
研磨条件を設定し、貼付プレートに貼り付られた半導体
ウェハを研磨装置により鏡面研磨し、研磨中の研磨面の
研磨温度を測定して情報処理装置に入力し、鏡面研磨し
た半導体ウェハを貼付プレートに貼り付けた状態でその
表面を測定し測定された各表面測定値及び研磨温度を情
報処理装置により処理し、研磨条件を設定するための信
号を研磨装置調節工程にフィードバックさせる一連の工
程を自動工程として行うようにしたものである。
導体ウェハの研磨方法を、半導体ウェハを貼付プレート
に貼り付け、研磨装置の研磨条件を設定し、貼付プレー
トに貼り付られた半導体ウェハを研磨装置により鏡面研
磨し、鏡面研磨した半導体ウェハを貼付プレートに貼り
付けた状態で該半導体ウェハの表面を測定し、測定され
た表面測定値を情報処理装置により処理し、研磨条件を
設定するための信号に変換し、変換された信号を出力
し、研磨装置調節工程にフィードバックさせる一連の工
程を自動工程として行うようにしたものである。また、
半導体ウェハの研磨方法を、半導体ウェハを貼付プレー
トに貼り付け、貼付プレートに貼り付られた半導体ウェ
ハの表面を測定して情報処理装置に入力し、研磨装置の
研磨条件を設定し、貼付プレートに貼り付られた半導体
ウェハを研磨装置により鏡面研磨し、研磨中の研磨面の
研磨温度を測定して情報処理装置に入力し、鏡面研磨し
た半導体ウェハを貼付プレートに貼り付けた状態でその
表面を測定し測定された各表面測定値及び研磨温度を情
報処理装置により処理し、研磨条件を設定するための信
号を研磨装置調節工程にフィードバックさせる一連の工
程を自動工程として行うようにしたものである。
【０００５】
【作用】 半導体ウェハの研磨工程における取代、片減
り、研磨温度をそれぞれ定量的に計測し、その測定値を
信号処理して研磨装置にフィードバックさせ、研磨条件
を毎回設定することにより、常に均一な厚さで平坦度の
高い半導体ウェハに研磨できる。
り、研磨温度をそれぞれ定量的に計測し、その測定値を
信号処理して研磨装置にフィードバックさせ、研磨条件
を毎回設定することにより、常に均一な厚さで平坦度の
高い半導体ウェハに研磨できる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明に係る半導体ウェハの研磨方法の工
程図、図２は本発明に係る半導体ウェハの測定値処理方
法の工程図、図３は半導体ウェハの表面測定装置の模式
図、図４は本発明に係る半導体ウェハの表面測定パター
ンを示す平面図、図５は測定結果の一例を示すグラフ、
図６は表面測定パターンの他の実施例を示す平面図であ
る。
する。図１は本発明に係る半導体ウェハの研磨方法の工
程図、図２は本発明に係る半導体ウェハの測定値処理方
法の工程図、図３は半導体ウェハの表面測定装置の模式
図、図４は本発明に係る半導体ウェハの表面測定パター
ンを示す平面図、図５は測定結果の一例を示すグラフ、
図６は表面測定パターンの他の実施例を示す平面図であ
る。
【０００７】図１に示すように、本実施例の半導体ウェ
ハの研磨方法では、ラップドウェハをエッチングもしく
は平面研削した後に次の工程により研磨する。 （１）半導体ウェハを貼付プレートに貼り付ける。 （２）貼付プレートに貼り付けられた半導体ウェハを鏡
面研磨する前に第１の表面測定を行い、その測定値を測
定値処理装置に入力する。 （３）研磨条件の設定を行う。尚、初回の研磨は、仕様
書等に記載された初期設定条件を研磨装置に設定する。 （４）研磨装置により半導体ウェハの表面を研磨して鏡
面加工する。 （５）研磨中において研磨面の温度測定を行い、その測
定値を測定値処理装置に入力する。 （６）研磨された半導体ウェハを貼付プレートに貼り付
けた状態のまま第２の表面測定を行い、その測定値を測
定値処理装置に入力する。 （７）入力された各測定値を測定値処理装置により変換
し、研磨装置を制御する信号として出力する。 （８）出力された信号により上記（３）の研磨条件を再
設定する。 （９）第２の表面測定を終了した半導体ウェハを貼付プ
レートから剥がし、次の工程で洗浄及び乾燥をする。 上記（３）〜（８）の工程を繰り返して、研磨条件を毎
回再設定しながら順次半導体ウェハが研磨される。
ハの研磨方法では、ラップドウェハをエッチングもしく
は平面研削した後に次の工程により研磨する。 （１）半導体ウェハを貼付プレートに貼り付ける。 （２）貼付プレートに貼り付けられた半導体ウェハを鏡
面研磨する前に第１の表面測定を行い、その測定値を測
定値処理装置に入力する。 （３）研磨条件の設定を行う。尚、初回の研磨は、仕様
書等に記載された初期設定条件を研磨装置に設定する。 （４）研磨装置により半導体ウェハの表面を研磨して鏡
面加工する。 （５）研磨中において研磨面の温度測定を行い、その測
定値を測定値処理装置に入力する。 （６）研磨された半導体ウェハを貼付プレートに貼り付
けた状態のまま第２の表面測定を行い、その測定値を測
定値処理装置に入力する。 （７）入力された各測定値を測定値処理装置により変換
し、研磨装置を制御する信号として出力する。 （８）出力された信号により上記（３）の研磨条件を再
設定する。 （９）第２の表面測定を終了した半導体ウェハを貼付プ
レートから剥がし、次の工程で洗浄及び乾燥をする。 上記（３）〜（８）の工程を繰り返して、研磨条件を毎
回再設定しながら順次半導体ウェハが研磨される。
【０００８】ここで、貼付プレートに貼り付けられた半
導体ウェハ表面の測定方法について説明する。本実施例
における表面測定は、非接触のギャップセンサーを備え
た平坦度測定装置により測定される。この平坦度測定装
置は、図３に示すように、貼付プレート３を搭載する回
転自在に設けられた測定基台１と、測定基台１の上方に
配置され水平方向に移動可能に設けられた測定ヘッド２
により構成される。測定基台１の上には半導体ウェハ４
を貼り付けたままの貼付プレートを搭載する。
導体ウェハ表面の測定方法について説明する。本実施例
における表面測定は、非接触のギャップセンサーを備え
た平坦度測定装置により測定される。この平坦度測定装
置は、図３に示すように、貼付プレート３を搭載する回
転自在に設けられた測定基台１と、測定基台１の上方に
配置され水平方向に移動可能に設けられた測定ヘッド２
により構成される。測定基台１の上には半導体ウェハ４
を貼り付けたままの貼付プレートを搭載する。
【０００９】研磨面の表面測定パターンの一例を示す。
図４に示すように、例えば４枚の直径８インチのウェハ
４ａ〜ｂを貼付プレートに貼り付けて、前記した測定基
台１の上に搭載する。次に下記の測定パターンによりそ
の表面の凹凸を測定する。 （ａ）測定ヘッド２を測定点Ｘ１から測定点Ｘ２へ移動
させて測定する。 （ｂ）測定基台１を９０°右に回転させた後、測定ヘッ
ド２を測定点Ｙ１から測定点Ｙ２へ移動させ測定する。 （ｃ）最後に測定ヘッド２を測定点Ｚに移動させた後、
測定基台１を一回転させながら測定する。 これらの測定値は例えば図５（ａ）〜（ｃ）のようにデ
ィスプレー（図示せず。）に表示される。ここで得られ
る情報は、各半導体ウェハの厚さおよび、内減りまたは
外減りといった片減り方向とその量である。
図４に示すように、例えば４枚の直径８インチのウェハ
４ａ〜ｂを貼付プレートに貼り付けて、前記した測定基
台１の上に搭載する。次に下記の測定パターンによりそ
の表面の凹凸を測定する。 （ａ）測定ヘッド２を測定点Ｘ１から測定点Ｘ２へ移動
させて測定する。 （ｂ）測定基台１を９０°右に回転させた後、測定ヘッ
ド２を測定点Ｙ１から測定点Ｙ２へ移動させ測定する。 （ｃ）最後に測定ヘッド２を測定点Ｚに移動させた後、
測定基台１を一回転させながら測定する。 これらの測定値は例えば図５（ａ）〜（ｃ）のようにデ
ィスプレー（図示せず。）に表示される。ここで得られ
る情報は、各半導体ウェハの厚さおよび、内減りまたは
外減りといった片減り方向とその量である。
【００１０】次に、本実施例における各測定値の処理か
ら研磨条件の再設定に至る工程について説明する。上記
の各測定値を測定値処理装置によって処理することによ
り、図２に示すように、第１表面測定値と第２表面測定
値との解析から研磨における取代が得られ、第２表面測
定値から研磨における片減りの方向と量が得られ、研磨
温度測定により研磨面の温度が得られる。
ら研磨条件の再設定に至る工程について説明する。上記
の各測定値を測定値処理装置によって処理することによ
り、図２に示すように、第１表面測定値と第２表面測定
値との解析から研磨における取代が得られ、第２表面測
定値から研磨における片減りの方向と量が得られ、研磨
温度測定により研磨面の温度が得られる。
【００１１】これらで得られた情報は、研磨取代、平坦
度および研磨温度をそれぞれ制御するための要素として
処理され、後述する研磨荷重や定盤回転数等の研磨条件
を変化させるための信号に変換される。これらの研磨条
件は相互に干渉作用を有することから、この測定値処理
装置における処理は総合処理により行われ、相互に補正
された値となって出力される。例えば、後述する研磨荷
重を増加させると取代が増大するが、同時に外減りが増
大することになる。この外減りは、定盤の回転数を変化
させることによって補正することができる。
度および研磨温度をそれぞれ制御するための要素として
処理され、後述する研磨荷重や定盤回転数等の研磨条件
を変化させるための信号に変換される。これらの研磨条
件は相互に干渉作用を有することから、この測定値処理
装置における処理は総合処理により行われ、相互に補正
された値となって出力される。例えば、後述する研磨荷
重を増加させると取代が増大するが、同時に外減りが増
大することになる。この外減りは、定盤の回転数を変化
させることによって補正することができる。
【００１２】変換されたそれぞれの制御信号は、次のシ
ーケンスに従って研磨条件の設定を行う。 （１）取代制御 （ａ）取代制御信号を電空レギュレータに入力すること
により、エアシリンダーのエアー圧を増減させて研磨荷
重を変化させる。研磨荷重を増加させることにより取代
は増加する。尚、この研磨荷重には上下限圧力が設定さ
れている。 （ｂ）研磨荷重の上下限値を越える場合は、取代制御信
号が研磨時間設定シーケンサに入力され、研磨時間を変
化させる。研磨時間を増加させることにより取代は増加
する。尚、この研磨時間には上下限値が設定されてい
る。 （ｃ）研磨時間の上限値を越える場合は、取代制御信号
がシーズニング装置を作動させ、研磨クロスがシーズニ
ングされる。 （ｄ）研磨クロスをシーズニングしても取代が足りない
場合は、クロス交換の警告灯が点灯する。この場合は、
一時的に研磨装置を止めてクロスの交換を行う。
ーケンスに従って研磨条件の設定を行う。 （１）取代制御 （ａ）取代制御信号を電空レギュレータに入力すること
により、エアシリンダーのエアー圧を増減させて研磨荷
重を変化させる。研磨荷重を増加させることにより取代
は増加する。尚、この研磨荷重には上下限圧力が設定さ
れている。 （ｂ）研磨荷重の上下限値を越える場合は、取代制御信
号が研磨時間設定シーケンサに入力され、研磨時間を変
化させる。研磨時間を増加させることにより取代は増加
する。尚、この研磨時間には上下限値が設定されてい
る。 （ｃ）研磨時間の上限値を越える場合は、取代制御信号
がシーズニング装置を作動させ、研磨クロスがシーズニ
ングされる。 （ｄ）研磨クロスをシーズニングしても取代が足りない
場合は、クロス交換の警告灯が点灯する。この場合は、
一時的に研磨装置を止めてクロスの交換を行う。
【００１３】（２）平坦度制御 平坦度の制御は、内減り外減り２通りの片減りを制御す
る目的で制御される。したがって、この平坦度制御信号
によって変化させられる研磨条件は次のとおりである。 （ａ）定盤の回転を制御するモーターコントローラーに
平坦度制御信号を入力することにより、定盤回転数を変
化させる。定盤回転数を増加させると片減りの方向が修
正される。尚、この定盤回転数には上下限回転数が設定
されている。 （ｂ）定盤回転の上下限値を越える場合は、定盤の冷却
水を制御するために、冷却水温調機器と流量バルブに平
坦度制御信号を入力し、冷却水の水温と流量を制御す
る。冷却水の水温を上昇させ定盤温度が上昇することに
より、片減りの方向が修正される。尚、この冷却水の水
温と流量には上下限値が設定されている。 （ｃ）冷却水の水温と流量の上下限値を越える場合は、
電空レギュレータに平坦度制御信号を入力することによ
り、エアシリンダーのエアー圧を増減させて研磨荷重を
変化させる。研磨荷重を増加させると、片減りの方向が
修正される。尚、この研磨荷重には上下限圧力が設定さ
れている。 （ｄ）研磨荷重の上下限値を越える場合は、クロスリン
グ又はＯリング交換の警告灯が点灯する。この場合は一
時的に研磨装置を止めてクロスリング又はＯリングの交
換を行う。
る目的で制御される。したがって、この平坦度制御信号
によって変化させられる研磨条件は次のとおりである。 （ａ）定盤の回転を制御するモーターコントローラーに
平坦度制御信号を入力することにより、定盤回転数を変
化させる。定盤回転数を増加させると片減りの方向が修
正される。尚、この定盤回転数には上下限回転数が設定
されている。 （ｂ）定盤回転の上下限値を越える場合は、定盤の冷却
水を制御するために、冷却水温調機器と流量バルブに平
坦度制御信号を入力し、冷却水の水温と流量を制御す
る。冷却水の水温を上昇させ定盤温度が上昇することに
より、片減りの方向が修正される。尚、この冷却水の水
温と流量には上下限値が設定されている。 （ｃ）冷却水の水温と流量の上下限値を越える場合は、
電空レギュレータに平坦度制御信号を入力することによ
り、エアシリンダーのエアー圧を増減させて研磨荷重を
変化させる。研磨荷重を増加させると、片減りの方向が
修正される。尚、この研磨荷重には上下限圧力が設定さ
れている。 （ｄ）研磨荷重の上下限値を越える場合は、クロスリン
グ又はＯリング交換の警告灯が点灯する。この場合は一
時的に研磨装置を止めてクロスリング又はＯリングの交
換を行う。
【００１４】（３）温度制御 上記した取代制御信号と平坦度制御信号によって変化し
た研磨条件により、研磨面の温度が上下する。研磨面の
温度は品質管理において重要な要素であることから、研
磨面におけるクロスの温度を監視し規定値内に維持する
必要がある。このためには、温度制御信号を砥粒バルブ
コントローラーに入力し、その流量を増減させる。
た研磨条件により、研磨面の温度が上下する。研磨面の
温度は品質管理において重要な要素であることから、研
磨面におけるクロスの温度を監視し規定値内に維持する
必要がある。このためには、温度制御信号を砥粒バルブ
コントローラーに入力し、その流量を増減させる。
【００１５】尚、上記実施例では貼付プレートに貼り付
けられた半導体ウェハを研磨する前に、第１の表面測定
を行い、その第１表面測定値を測定値処理装置に入力し
ていたが、工程の簡素化を図るために、第１の表面測定
に替えて研磨前のウェハの厚さと貼付ワックスの厚さの
平均値を予め固定値として測定値処理装置に入力して、
この情報に基づき各制御信号への変換を行うようにした
ものでもよい。
けられた半導体ウェハを研磨する前に、第１の表面測定
を行い、その第１表面測定値を測定値処理装置に入力し
ていたが、工程の簡素化を図るために、第１の表面測定
に替えて研磨前のウェハの厚さと貼付ワックスの厚さの
平均値を予め固定値として測定値処理装置に入力して、
この情報に基づき各制御信号への変換を行うようにした
ものでもよい。
【００１６】また、上記実施例では貼付プレートに４枚
の半導体ウェハを貼り付けていたが、奇数枚例えば５枚
の半導体ウェハを貼り付けた場合は、次に示す測定パタ
ーンにより行われる。 （１） 測定ヘッドを外側から貼付プレートの中心まで
移動させ、１枚目のウェハ５ａの略中心の一直線上を測
定する〔図５（ａ）参照〕。 （２）測定基台を左に３６°回転させた後、測定ヘッド
を貼付プレートの中心から外側まで移動させ、２枚目の
ウェハ５ｃの略中心の一直線上を測定する〔図５（ｂ）
参照〕。 （３）測定基台を左に７２°回転させた後、測定ヘッド
を再び外側から貼付プレートの中心まで移動させ、３枚
目のウェハ５ｂの略中心の一直線上を測定する〔図５
（ｃ）参照〕。 （４）測定基台を左に３６°回転させた後、測定ヘッド
を貼付プレートの中心から外側まで移動させ、４枚目の
ウェハ５ｄの略中心の一直線上を測定する〔図５（ｄ）
参照〕。 （５）測定基台を右に７２°回転させた後、測定ヘッド
を再び外側から貼付プレートの中心まで移動させ、５枚
目のウェハ５ｅの略中心の一直線上を測定する〔図５
（ｅ）参照〕。 （６）測定ヘッドをウェハ５ｅの略中心に移動させた
後、測定基台１を３６０°回転させて、ウェハ５ａ〜ｅ
のそれぞれの略中心を円弧状に計測する。
の半導体ウェハを貼り付けていたが、奇数枚例えば５枚
の半導体ウェハを貼り付けた場合は、次に示す測定パタ
ーンにより行われる。 （１） 測定ヘッドを外側から貼付プレートの中心まで
移動させ、１枚目のウェハ５ａの略中心の一直線上を測
定する〔図５（ａ）参照〕。 （２）測定基台を左に３６°回転させた後、測定ヘッド
を貼付プレートの中心から外側まで移動させ、２枚目の
ウェハ５ｃの略中心の一直線上を測定する〔図５（ｂ）
参照〕。 （３）測定基台を左に７２°回転させた後、測定ヘッド
を再び外側から貼付プレートの中心まで移動させ、３枚
目のウェハ５ｂの略中心の一直線上を測定する〔図５
（ｃ）参照〕。 （４）測定基台を左に３６°回転させた後、測定ヘッド
を貼付プレートの中心から外側まで移動させ、４枚目の
ウェハ５ｄの略中心の一直線上を測定する〔図５（ｄ）
参照〕。 （５）測定基台を右に７２°回転させた後、測定ヘッド
を再び外側から貼付プレートの中心まで移動させ、５枚
目のウェハ５ｅの略中心の一直線上を測定する〔図５
（ｅ）参照〕。 （６）測定ヘッドをウェハ５ｅの略中心に移動させた
後、測定基台１を３６０°回転させて、ウェハ５ａ〜ｅ
のそれぞれの略中心を円弧状に計測する。
【００１７】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
次のような優れた効果がある。 （イ）研磨条件を設定するためにデータを定量的な形で
測定して制御信号に変換し、この制御信号により研磨装
置を調整して、平坦度が高く、かつ均一な厚さの半導体
ウェハに研磨できる。 （ロ）研磨状態の測定と研磨条件の設定を自動工程から
出さずに行うことにより、作業効率の向上が図れる。 （ハ）研磨面の測定と研磨装置の調整を毎回行うので、
片減りや研磨ムラが大きくならないうちに研磨装置の調
整がなされる。 （ニ）測定値が干渉縞を目視するのと違い定量的に表さ
れるため、熟練を要することなく研磨装置の微妙で且つ
正確な調節ができる。
次のような優れた効果がある。 （イ）研磨条件を設定するためにデータを定量的な形で
測定して制御信号に変換し、この制御信号により研磨装
置を調整して、平坦度が高く、かつ均一な厚さの半導体
ウェハに研磨できる。 （ロ）研磨状態の測定と研磨条件の設定を自動工程から
出さずに行うことにより、作業効率の向上が図れる。 （ハ）研磨面の測定と研磨装置の調整を毎回行うので、
片減りや研磨ムラが大きくならないうちに研磨装置の調
整がなされる。 （ニ）測定値が干渉縞を目視するのと違い定量的に表さ
れるため、熟練を要することなく研磨装置の微妙で且つ
正確な調節ができる。
【図１】本発明に係る半導体ウェハの研磨方法の工程図
である。
である。
【図２】本発明に係る半導体ウェハの測定値処理方法の
工程図である。
工程図である。
【図３】半導体ウェハの表面測定装置の模式図である。
【図４】本発明に係る半導体ウェハの表面測定パターン
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５】測定結果の一例を示すグラフである。
【図６】表面測定パターンの他の実施例を示す平面図で
ある。
ある。
【図７】従来技術の研磨方法の工程図ある。
１ 測定基台 ２ 測定ヘッド ３ 貼付プレート ４ 半導体ウェハ ４ａ〜ｄ半導体ウェハ ５ａ〜ｅ半導体ウェハ
Claims (7)
- 【請求項１】 次の工程を一連の自動工程として行うこ
とを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。 （１）半導体ウェハを貼付プレートに貼り付ける貼付工
程。 （２）研磨装置の研磨条件を設定する研磨装置調節工
程。 （３）貼付プレートに貼り付られた半導体ウェハを研磨
装置により鏡面研磨する研磨工程。 （４）鏡面研磨した半導体ウェハを貼付プレートに貼り
付けた状態で該半導体ウェハの表面を測定する表面測定
工程。 （５）測定された表面測定値を情報処理装置により処理
し、研磨条件を設定するための信号に変換する情報処理
工程。 （６）変換された信号を出力し、研磨装置調節工程にフ
ィードバックさせる出力工程。 - 【請求項２】 次の工程を一連の自動工程として行うこ
とを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。 （１）半導体ウェハを貼付プレートに貼り付ける貼付工
程。 （２）貼付プレートに貼り付られた半導体ウェハの表面
を測定し、情報処理装置に入力する第１の表面測定工
程。 （３）研磨装置の研磨条件を設定する研磨装置調節工
程。 （４）貼付プレートに貼り付られた半導体ウェハを研磨
装置により鏡面研磨する研磨工程。 （５）研磨中の研磨面の研磨温度を測定し、情報処理装
置に入力する研磨温度測定工程。 （６）鏡面研磨した半導体ウェハを貼付プレートに貼り
付けた状態で該半導体ウェハの表面を測定する第２の表
面測定工程。 （７）測定された各表面測定値及び研磨温度を情報処理
装置により処理し、研磨条件を設定するための信号を研
磨装置調節工程にフィードバックさせる情報処理工程。 - 【請求項３】 貼付プレートに貼り付られた半導体ウェ
ハの表面を測定する方法が、非接触のギャップセンサー
を使用し、測定位置が貼付プレートに貼付されたそれぞ
れの半導体ウェハの略中心を通り貼付プレートの中心と
周縁とを結ぶ直線上と、それぞれの半導体ウェハの略中
心を通る貼付プレートと同心円の円周上であることを特
徴とする請求項１記載または請求項２記載の半導体ウェ
ハの研磨方法。 - 【請求項４】 研磨装置調節工程にフィードバックされ
る信号が、取代制御信号、平坦度制御信号および／また
は温度制御信号であることを特徴とする請求項１記載ま
たは請求項２記載の半導体ウェハの研磨方法。 - 【請求項５】 取代制御信号により設定される研磨条件
が、研磨荷重、研磨時間および／またはシーズニングで
あることを特徴とする請求項４記載の半導体ウェハの研
磨方法。 - 【請求項６】 平坦度制御信号により設定される研磨条
件が、定盤回転数、定盤冷却水の温度と流量および／ま
たは研磨荷重であることを特徴とする請求項４記載の半
導体ウェハの研磨方法。 - 【請求項７】 温度制御信号により設定される研磨条件
が、砥粒流量であることを特徴とする請求項４記載の半
導体ウェハの研磨方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16915395A JPH08330259A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 半導体ウェハの研磨方法 |
| TW085109235A TW372904B (en) | 1995-05-30 | 1996-07-29 | Method for polishing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16915395A JPH08330259A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 半導体ウェハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330259A true JPH08330259A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15881272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16915395A Pending JPH08330259A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 半導体ウェハの研磨方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330259A (ja) |
| TW (1) | TW372904B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11262858A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-09-28 | Zygo Corp | ワークピースの仕上げ方法及び装置 |
| US6213847B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-04-10 | Nec Corporation | Semiconductor wafer polishing device and polishing method thereof |
| JP2002231672A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | ウェーハ研磨方法およびその装置 |
| JP2010218643A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Hoya Corp | ガラス基板の製造方法、ガラス基板及び磁気記録媒体 |
| JP2018036317A (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 株式会社ニコン | 積層装置、薄化装置、露光装置制御装置、プログラム及び積層体の製造方法 |
| WO2025088991A1 (ja) * | 2023-10-24 | 2025-05-01 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
-
1995
- 1995-05-30 JP JP16915395A patent/JPH08330259A/ja active Pending
-
1996
- 1996-07-29 TW TW085109235A patent/TW372904B/zh active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11262858A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-09-28 | Zygo Corp | ワークピースの仕上げ方法及び装置 |
| US6213847B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-04-10 | Nec Corporation | Semiconductor wafer polishing device and polishing method thereof |
| JP2002231672A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | ウェーハ研磨方法およびその装置 |
| JP2010218643A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Hoya Corp | ガラス基板の製造方法、ガラス基板及び磁気記録媒体 |
| JP2018036317A (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 株式会社ニコン | 積層装置、薄化装置、露光装置制御装置、プログラム及び積層体の製造方法 |
| WO2025088991A1 (ja) * | 2023-10-24 | 2025-05-01 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW372904B (en) | 1999-11-01 |
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