JPH08330669A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH08330669A JPH08330669A JP13767395A JP13767395A JPH08330669A JP H08330669 A JPH08330669 A JP H08330669A JP 13767395 A JP13767395 A JP 13767395A JP 13767395 A JP13767395 A JP 13767395A JP H08330669 A JPH08330669 A JP H08330669A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、簡単な製造工程で端面近傍に
電流非注入構造を形成し、高信頼な光ディスク用半導体
レーザを提供することにある。 【構成】活性層と、これを挟んでバンドギャップの広い
クラッド層を設けた半導体レーザであり、励起領域では
このクラッド層とキャップ層の間に両者の中間的なバン
ドギャップのヘテロバッファ層を設け、共振器端面近傍
ではクラッド層とキャップ層が直接接した電流非注入構
造を設け、端面近傍の活性層への電流注入を低減する。
電流非注入構造を形成し、高信頼な光ディスク用半導体
レーザを提供することにある。 【構成】活性層と、これを挟んでバンドギャップの広い
クラッド層を設けた半導体レーザであり、励起領域では
このクラッド層とキャップ層の間に両者の中間的なバン
ドギャップのヘテロバッファ層を設け、共振器端面近傍
ではクラッド層とキャップ層が直接接した電流非注入構
造を設け、端面近傍の活性層への電流注入を低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ、特に光デ
ィスク用光源に適した半導体レーザに関する。
ィスク用光源に適した半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク光源に用いられる半導体レー
ザの高信頼化には共振器端面の劣化の防止が重要であ
る。端面劣化の防止策として、端面に保護膜を形成する
方法が広く用いられている。図４に従来の典型的な光デ
ィスク用半導体レーザを示す。活性層３を挟んでバンド
ギャップの大きなクラッド層２、４が形成されており、
上部クラッド層４にはリブ型の光導波路が形成されてい
る。電流は電流ブロック層６によってリブ導波路に狭窄
されて活性層に注入される。共振器の長手方向に電流狭
窄構造はなく、共振器端面にも共振器内部と同等の高密
度の電流注入が行われる。共振器端面では結晶表面の表
面準位を介してキャリアが非発光に再結合するため、共
振器内部に比較して局所的に温度が上昇し、劣化の進行
が速い。そこで、共振器端面には保護膜１０、１１が形
成され、端面結晶が雰囲気中の酸素と反応して酸化し、
急速に劣化するのを防止する。
ザの高信頼化には共振器端面の劣化の防止が重要であ
る。端面劣化の防止策として、端面に保護膜を形成する
方法が広く用いられている。図４に従来の典型的な光デ
ィスク用半導体レーザを示す。活性層３を挟んでバンド
ギャップの大きなクラッド層２、４が形成されており、
上部クラッド層４にはリブ型の光導波路が形成されてい
る。電流は電流ブロック層６によってリブ導波路に狭窄
されて活性層に注入される。共振器の長手方向に電流狭
窄構造はなく、共振器端面にも共振器内部と同等の高密
度の電流注入が行われる。共振器端面では結晶表面の表
面準位を介してキャリアが非発光に再結合するため、共
振器内部に比較して局所的に温度が上昇し、劣化の進行
が速い。そこで、共振器端面には保護膜１０、１１が形
成され、端面結晶が雰囲気中の酸素と反応して酸化し、
急速に劣化するのを防止する。
【０００３】また従来技術では、共振器端面近傍に活性
層よりバンドギャップの広い半導体層を設けた窓構造と
呼ばれる半導体レーザが、多数報告されている。そのな
かで特開平２−１３０８８６号公報には、共振器端面近
傍にリッジ段差を設けた半導体基板を用いて窓構造を形
成する方法が述べられている。窓構造によって、端面近
傍の活性層が発振光で励起されるのを防止し、高出力化
を図るものである。
層よりバンドギャップの広い半導体層を設けた窓構造と
呼ばれる半導体レーザが、多数報告されている。そのな
かで特開平２−１３０８８６号公報には、共振器端面近
傍にリッジ段差を設けた半導体基板を用いて窓構造を形
成する方法が述べられている。窓構造によって、端面近
傍の活性層が発振光で励起されるのを防止し、高出力化
を図るものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来技術には
以下に説明するような問題があり充分な効果が得られな
かった。
以下に説明するような問題があり充分な効果が得られな
かった。
【０００５】端面に保護膜を形成する方法は、端面の結
晶表面の酸化による急速な劣化の防止には効果的である
が、端面近傍へも高密度の電流注入が行われ、結晶欠陥
の形成が加速される。このため長期的な端面劣化の防止
は不十分であった。
晶表面の酸化による急速な劣化の防止には効果的である
が、端面近傍へも高密度の電流注入が行われ、結晶欠陥
の形成が加速される。このため長期的な端面劣化の防止
は不十分であった。
【０００６】窓構造半導体レーザは、一般に、窓構造の
形成に微細なエッチング工程や高度な結晶成長工程が必
要で製造工程に高い精度が要求される問題があった。ま
た複雑な製造工程途中で結晶欠陥が導入されやすく、窓
構造の結晶や窓構造と励起領域の界面領域などを高い品
質で作製することが難しかった。前述の特開平２−１３
０８８６号公報記載の発明でも窓構造が複雑で、（００
１）面、（１１１）面、そして励起部と窓構造部の境界
領域の傾斜面と、互いに両方位の異なる結晶面に同時に
結晶成長を行うので全領域で高品質な結晶を得ることが
困難であった。またこの従来の窓構造半導体レーザで
は、窓構造領域の劣化防止と無効電流の低減のため、窓
構造上部にｎ型ＧａＡｓ層が設けられ、電流が注入され
ないようにしている。即ち、このｎ型ＧａＡｓ層は、電
流狭窄用を兼用しており、そのため０．６−０．９μｍ
と厚い。このため素子表面に凹凸ができ、ヒートシンク
への融着と放熱が不均一になり、特性の悪化や劣化を生
じる原因となっていた。
形成に微細なエッチング工程や高度な結晶成長工程が必
要で製造工程に高い精度が要求される問題があった。ま
た複雑な製造工程途中で結晶欠陥が導入されやすく、窓
構造の結晶や窓構造と励起領域の界面領域などを高い品
質で作製することが難しかった。前述の特開平２−１３
０８８６号公報記載の発明でも窓構造が複雑で、（００
１）面、（１１１）面、そして励起部と窓構造部の境界
領域の傾斜面と、互いに両方位の異なる結晶面に同時に
結晶成長を行うので全領域で高品質な結晶を得ることが
困難であった。またこの従来の窓構造半導体レーザで
は、窓構造領域の劣化防止と無効電流の低減のため、窓
構造上部にｎ型ＧａＡｓ層が設けられ、電流が注入され
ないようにしている。即ち、このｎ型ＧａＡｓ層は、電
流狭窄用を兼用しており、そのため０．６−０．９μｍ
と厚い。このため素子表面に凹凸ができ、ヒートシンク
への融着と放熱が不均一になり、特性の悪化や劣化を生
じる原因となっていた。
【０００７】本発明の目的は、簡単な製造工程で端面近
傍に電流非注入構造を形成し、これらの問題を解決した
高信頼な半導体レーザを提供することにある。
傍に電流非注入構造を形成し、これらの問題を解決した
高信頼な半導体レーザを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、少なくとも活性層と、この活性層を挟んでこの活性
層よりもバンドギャップの大きい第１および第２のクラ
ッド層を有し、共振器長方向に延伸したストライプ状の
励起領域が共振器端面には達しない長さに設けられ、こ
の励起領域では、前記第１のクラッド層と前記第１のク
ラッド層上に形成されたこの第１のクラッド層よりもバ
ンドギャップの小さいキャップ層との間に、この両者の
中間的なバンドギャップを有する少なくとも１層のヘテ
ロバッファ層が設けられ、前記励起領域を前記共振器長
方向から挟む前記共振器端面近傍には前記少なくとも１
層のヘテロバッファ層を設けないことにより前記共振器
端面近傍への電流注入量を低減したことを特徴とする。
は、少なくとも活性層と、この活性層を挟んでこの活性
層よりもバンドギャップの大きい第１および第２のクラ
ッド層を有し、共振器長方向に延伸したストライプ状の
励起領域が共振器端面には達しない長さに設けられ、こ
の励起領域では、前記第１のクラッド層と前記第１のク
ラッド層上に形成されたこの第１のクラッド層よりもバ
ンドギャップの小さいキャップ層との間に、この両者の
中間的なバンドギャップを有する少なくとも１層のヘテ
ロバッファ層が設けられ、前記励起領域を前記共振器長
方向から挟む前記共振器端面近傍には前記少なくとも１
層のヘテロバッファ層を設けないことにより前記共振器
端面近傍への電流注入量を低減したことを特徴とする。
【０００９】
【実施例】本発明の上記および他の目的、特徴および効
果を明瞭にすべく、以下図面を参照して本発明の実施例
を詳細に説明する。
果を明瞭にすべく、以下図面を参照して本発明の実施例
を詳細に説明する。
【００１０】図１（ａ）は素子全体の斜視図、同図
（ｂ）は共振器に沿ったＡ−Ａ′での素子断面図、そし
て図２（ａ），（ｂ）および図３（ａ），（ｂ）は製造
工程を示す図である。
（ｂ）は共振器に沿ったＡ−Ａ′での素子断面図、そし
て図２（ａ），（ｂ）および図３（ａ），（ｂ）は製造
工程を示す図である。
【００１１】図２（ａ）において、まずｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、厚さ１．５μｍのｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y
Ｉｎ1-y Ｐ（ｘ＝０．６，ｙ＝０．５）クラッド層２、
厚さ０．０５μｍのＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３、厚さ
１．５μｍのｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（ｘ
＝０．６，ｙ＝０．５）クラッド層４、そして厚さ１０
ｎｍのｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層５を順
次結晶成長する。次に、通常のフォトリソグラフィ法等
により、共振器端面近傍を除く領域にエッチングマスク
１２を形成し、これをマスクとしてｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐヘテロバッファ層５を選択的にエッチングする。
このエッチングにはＡｌＧａＩｎＰ層に対するエッチン
グ速度が非常に遅いＨＢｒとＨ2 Ｏの混合液を用いた。
次にエッチングマスク１２を除去した後、ＳｉＯ2 膜１
３を結晶全面に形成してから通常のフォトリソグラフィ
法を使ったエッチングを行ってＳｉＯ2 膜を幅約５μｍ
のストライプ状にする。次に、同図（ｂ）に示すよう
に、このＳｉＯ2 膜１３をマスクとしてｐ型（Ａｌ0.6
Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層４をエッチングしてリッジ
状光導波路を形成する。このエッチングには硫酸、過酸
化水素水そしてＨ2 Ｏの混合液を用いた。この後、リッ
ジ上部にＳｉＯ2 膜を残したままｎ型ＧａＡｓブロック
層６を結晶成長する。このときＳｉＯ2 膜上には結晶成
長せず、図３（ａ）に示すように、リッジ分を埋め込ん
でｎ型ＧａＡｓブロック層６が形成される。ＳｉＯ2 膜
１３を除去後、結晶全面にｐ型ＧａＡｓキャップ層７を
結晶成長する。結晶成長完了後は、通常の電極形成工
程、素子化工程、端面保護膜形成工程を経て、図１
（ａ）の半導体レーザを作製する。
板１上に、厚さ１．５μｍのｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y
Ｉｎ1-y Ｐ（ｘ＝０．６，ｙ＝０．５）クラッド層２、
厚さ０．０５μｍのＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層３、厚さ
１．５μｍのｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（ｘ
＝０．６，ｙ＝０．５）クラッド層４、そして厚さ１０
ｎｍのｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層５を順
次結晶成長する。次に、通常のフォトリソグラフィ法等
により、共振器端面近傍を除く領域にエッチングマスク
１２を形成し、これをマスクとしてｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐヘテロバッファ層５を選択的にエッチングする。
このエッチングにはＡｌＧａＩｎＰ層に対するエッチン
グ速度が非常に遅いＨＢｒとＨ2 Ｏの混合液を用いた。
次にエッチングマスク１２を除去した後、ＳｉＯ2 膜１
３を結晶全面に形成してから通常のフォトリソグラフィ
法を使ったエッチングを行ってＳｉＯ2 膜を幅約５μｍ
のストライプ状にする。次に、同図（ｂ）に示すよう
に、このＳｉＯ2 膜１３をマスクとしてｐ型（Ａｌ0.6
Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層４をエッチングしてリッジ
状光導波路を形成する。このエッチングには硫酸、過酸
化水素水そしてＨ2 Ｏの混合液を用いた。この後、リッ
ジ上部にＳｉＯ2 膜を残したままｎ型ＧａＡｓブロック
層６を結晶成長する。このときＳｉＯ2 膜上には結晶成
長せず、図３（ａ）に示すように、リッジ分を埋め込ん
でｎ型ＧａＡｓブロック層６が形成される。ＳｉＯ2 膜
１３を除去後、結晶全面にｐ型ＧａＡｓキャップ層７を
結晶成長する。結晶成長完了後は、通常の電極形成工
程、素子化工程、端面保護膜形成工程を経て、図１
（ａ）の半導体レーザを作製する。
【００１２】本発明の半導体レーザは、図１（ｂ）に示
すように、ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層５
が共振器内部にのみ設けられており、端面近傍はｐ型
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４とｐ
型ＧａＡｓキャップ層７が直接接している。（Ａｌ0.6
Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４とＧａＡｓキャ
ップ層７のバンドギャップは室温でそれぞれ２．２６５
ｅＶと１．４２ｅＶである。このように、両半導体層の
バンドギャップ差が約０．８ｅＶと大きいため、両者の
界面には、従来報告されているように、バンド不連続に
よる大きなポテンシャルバリアが形成され、電流が流れ
ない。一方、励起領域では、バンドギャップが両半導体
層の中間的な大きさの１．９１ｅＶであるＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐヘテロバッファ層５が設けられており、ヘテロ界
面がＡｌＧａＩｎＰ層とＧａＩｎＰ層の界面とＧａＩｎ
Ｐ層とＧａＡｓ層の界面とのバンドギャップ差の小さい
界面となり、ポテンシャルバリアは小さく、電気伝導の
障害とならない。
すように、ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層５
が共振器内部にのみ設けられており、端面近傍はｐ型
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４とｐ
型ＧａＡｓキャップ層７が直接接している。（Ａｌ0.6
Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４とＧａＡｓキャ
ップ層７のバンドギャップは室温でそれぞれ２．２６５
ｅＶと１．４２ｅＶである。このように、両半導体層の
バンドギャップ差が約０．８ｅＶと大きいため、両者の
界面には、従来報告されているように、バンド不連続に
よる大きなポテンシャルバリアが形成され、電流が流れ
ない。一方、励起領域では、バンドギャップが両半導体
層の中間的な大きさの１．９１ｅＶであるＧａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐヘテロバッファ層５が設けられており、ヘテロ界
面がＡｌＧａＩｎＰ層とＧａＩｎＰ層の界面とＧａＩｎ
Ｐ層とＧａＡｓ層の界面とのバンドギャップ差の小さい
界面となり、ポテンシャルバリアは小さく、電気伝導の
障害とならない。
【００１３】本発明の半導体レーザでは、端面近傍の電
流非注入領域のＧａＩｎＰ活性層３にも、ｐ型（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４を経由して
励起領域から漏れ電流を流している。こうして注入され
る漏れ電流の大きさは、最大でも（動作電流値）×（非
注入領域の長さ）÷（励起領域の長さ）と見積られる。
この漏れ電流が小さくて端面近傍のＧａＩｎＰ活性層３
への注入キャリア密度が低すぎると、電流非注入領域の
発振光に対する吸収損失が増大し、双安定動作などの特
異な動作を示すようになる。そこで、注入キャリア密度
が適切な値になるよう、ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ
1-y Ｐクラッド層の電気抵抗（ρ）や層厚に応じて端面
電流非注入領域の長さを設定する必要がある。この際、
端面部の注入キャリア密度が励起領域の１／２〜１／５
になるようにその長さを設定すれば非注入領域での光吸
収係数が１０〜１００ｃｍ-1程度となるが、非注入領域
の長さがこれを超えると、光吸収係数が１００ｃｍ-1以
上の大きな値となり、双安定動作などを生じてしまう。
本実施例の場合、ｘ＝０．６，ρ＝０．６６Ω・ｃｍ，
Ｐ＝６．４×１０17ｃｍ-3であり、共振器長が７００μ
ｍであるので非注入領域の長さは１０〜３０μｍが適切
であった。
流非注入領域のＧａＩｎＰ活性層３にも、ｐ型（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４を経由して
励起領域から漏れ電流を流している。こうして注入され
る漏れ電流の大きさは、最大でも（動作電流値）×（非
注入領域の長さ）÷（励起領域の長さ）と見積られる。
この漏れ電流が小さくて端面近傍のＧａＩｎＰ活性層３
への注入キャリア密度が低すぎると、電流非注入領域の
発振光に対する吸収損失が増大し、双安定動作などの特
異な動作を示すようになる。そこで、注入キャリア密度
が適切な値になるよう、ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ
1-y Ｐクラッド層の電気抵抗（ρ）や層厚に応じて端面
電流非注入領域の長さを設定する必要がある。この際、
端面部の注入キャリア密度が励起領域の１／２〜１／５
になるようにその長さを設定すれば非注入領域での光吸
収係数が１０〜１００ｃｍ-1程度となるが、非注入領域
の長さがこれを超えると、光吸収係数が１００ｃｍ-1以
上の大きな値となり、双安定動作などを生じてしまう。
本実施例の場合、ｘ＝０．６，ρ＝０．６６Ω・ｃｍ，
Ｐ＝６．４×１０17ｃｍ-3であり、共振器長が７００μ
ｍであるので非注入領域の長さは１０〜３０μｍが適切
であった。
【００１４】本発明は上記実施例に記載した、半導体材
料、活性層や光導波路の構造、クラッド層などの限定さ
れるものでなく、本発明の特徴を満す限り、他のもので
も良いことはもちろんである。
料、活性層や光導波路の構造、クラッド層などの限定さ
れるものでなく、本発明の特徴を満す限り、他のもので
も良いことはもちろんである。
【００１５】例えば、活性層がＺｎＳｅ等のＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体からなる緑青色半導体レーザにも適用で
きる。この場合、ＧａＡｓ基板上にｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ
からなる第２のクラッド層、ＺｎＳｅ活性層、ｐ型Ｚｎ
ＭｇＳＳｅからなる第１のクラッド層、ＺｎＳｅからな
る第２のヘテロバッファ層、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａ
ＩｎＰからなる第１のヘテロバッファ層、そしてｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層が順次積層され、第１のヘテロバッフ
ァ層が共振器端面近傍には設けられていない構成となっ
ている。ここで、ＺｎＳｅヘテロバッファ層が設けられ
るのは、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰからなる第１
のヘテロバッファ層とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅからなる第１
のクラッド層とのバンドギャップの差が大きいため、両
者の中間的な大きさのバンドギャップを有しているＺｎ
Ｓｅヘテロバッファ層を間に介在させることにより励起
領域における電流注入効率を改善するためである。
族化合物半導体からなる緑青色半導体レーザにも適用で
きる。この場合、ＧａＡｓ基板上にｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ
からなる第２のクラッド層、ＺｎＳｅ活性層、ｐ型Ｚｎ
ＭｇＳＳｅからなる第１のクラッド層、ＺｎＳｅからな
る第２のヘテロバッファ層、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａ
ＩｎＰからなる第１のヘテロバッファ層、そしてｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層が順次積層され、第１のヘテロバッフ
ァ層が共振器端面近傍には設けられていない構成となっ
ている。ここで、ＺｎＳｅヘテロバッファ層が設けられ
るのは、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰからなる第１
のヘテロバッファ層とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅからなる第１
のクラッド層とのバンドギャップの差が大きいため、両
者の中間的な大きさのバンドギャップを有しているＺｎ
Ｓｅヘテロバッファ層を間に介在させることにより励起
領域における電流注入効率を改善するためである。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば端面近傍に電流非注入構
造を設けることによって端面部への電流注入を低減し、
高信頼な半導体レーザを実現できる。本発明の電流非注
入構造は、エッチングする結晶表面が平坦なためエッチ
ング工程が簡単であり、また工程途中で劣化原因を導入
する心配もない。さらに除去するヘテロバッファ層が１
０ｎｍ程度と薄いため、従来の窓構造半導体レーザの電
流非注入構造のような素子表面の凹凸を生じることもな
く、特性や信頼性への悪影響も無い。
造を設けることによって端面部への電流注入を低減し、
高信頼な半導体レーザを実現できる。本発明の電流非注
入構造は、エッチングする結晶表面が平坦なためエッチ
ング工程が簡単であり、また工程途中で劣化原因を導入
する心配もない。さらに除去するヘテロバッファ層が１
０ｎｍ程度と薄いため、従来の窓構造半導体レーザの電
流非注入構造のような素子表面の凹凸を生じることもな
く、特性や信頼性への悪影響も無い。
【図１】本発明の一実施例の半導体レーザの構造図であ
り（ａ）は素子全体の斜視図、（ｂ）は共振器に沿った
Ａ−Ａ′での素子断面図である。
り（ａ）は素子全体の斜視図、（ｂ）は共振器に沿った
Ａ−Ａ′での素子断面図である。
【図２】本発明の一実施例の半導体レーザの製造工程の
一部を示す図であり、（ａ）はＧａＩｎＰヘテロバッフ
ァ層の選択エッチング後の構造図、（ｂ）はｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層のリジ導波路形成後の構造図であ
る。
一部を示す図であり、（ａ）はＧａＩｎＰヘテロバッフ
ァ層の選択エッチング後の構造図、（ｂ）はｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層のリジ導波路形成後の構造図であ
る。
【図３】図２（ｂ）に引き続く半導体レーザの製造工程
を示す図であり、（ａ）はｎ−ＧａＡｓブロック層の選
択成長、ＳｉＯ2 マスク除去後の構造図、（ｂ）はｐ−
ＧａＡｓキャップ層成長後の構造図である。
を示す図であり、（ａ）はｎ−ＧａＡｓブロック層の選
択成長、ＳｉＯ2 マスク除去後の構造図、（ｂ）はｐ−
ＧａＡｓキャップ層成長後の構造図である。
【図４】従来の半導体レーザの構造図であり（ａ）は素
子全体の斜視図、（ｂ）は共振器に沿ったＢ−Ｂ′での
素子断面図である。
子全体の斜視図、（ｂ）は共振器に沿ったＢ−Ｂ′での
素子断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ３ ＧａＩｎＰ活性層 ４ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ５ ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層 ６ ｎ型ＧａＡｓブロック層 ７ ｐ型キャップ層 ８，９ 電極 １０，１１ 共振器端面保護膜 １２ エッチングマスク １３ ＳｉＯ2 マスク
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも活性層と、この活性層を挟ん
でこの活性層よりもバンドギャップの大きい第１および
第２のクラッド層を有し、共振器長方向に延伸したスト
ライプ状の励起領域が共振器端面には達しない長さに設
けられ、この励起領域では、前記第１のクラッド層と前
記第１のクラッド層上に形成されたこの第１のクラッド
層よりもバンドギャップの小さいキャップ層との間に、
この両者の中間的なバンドギャップを有する少なくとも
１層のヘテロバッファ層が設けられ、前記励起領域を前
記共振器長方向から挟む前記共振器端面近傍には前記少
なくとも１層のヘテロバッファ層を設けないことにより
前記共振器端面近傍への電流注入量を低減したことを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 第１のクラッド層がＡｌＧａＩｎＰ、キ
ャップ層がＧａＡｓ、ヘテロバッファ層がＧａＩｎＰで
あることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 第１のクラッド層がＺｎＭｇＳＳｅ、キ
ャップ層がＧａＡｓであり、前記ヘテロバッファ層とし
てＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＩｎＰからなる第１のヘテ
ロバッファ層とＺｎＳｅからなる第２のヘテロバッファ
層を有し、前記共振器端面近傍では前記第１のヘテロバ
ッファ層を介さずに、前記第１のヘテロバッファ層と前
記キャップ層とが接して設けられていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記第１のクラッド層が、他の部分に比
べて厚さの大きいストライプ状の領域を有しており、こ
のストライプ状の領域の一部が前記励起領域に形成され
ていることを特徴とする請求項１記載または請求項２ま
たは請求項３に記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13767395A JPH08330669A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13767395A JPH08330669A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330669A true JPH08330669A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15204153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13767395A Pending JPH08330669A (ja) | 1995-06-05 | 1995-06-05 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330669A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05218565A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JPH0613694A (ja) * | 1991-02-01 | 1994-01-21 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH077218A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Sony Corp | 半導体レーザ |
-
1995
- 1995-06-05 JP JP13767395A patent/JPH08330669A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613694A (ja) * | 1991-02-01 | 1994-01-21 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH05218565A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JPH077218A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Sony Corp | 半導体レーザ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971021 |