JPH08336267A - 車両用交流発電機 - Google Patents
車両用交流発電機Info
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- JPH08336267A JPH08336267A JP7139520A JP13952095A JPH08336267A JP H08336267 A JPH08336267 A JP H08336267A JP 7139520 A JP7139520 A JP 7139520A JP 13952095 A JP13952095 A JP 13952095A JP H08336267 A JPH08336267 A JP H08336267A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ステータコアからの放熱を促進して高出力化
を実現するとともに、全体の冷却効率の向上と小型化を
併せて実現する。 【構成】 ロータ１の外周に対向し、内周面の周方向へ
一定間隔で複数のティース２１１が突設されたステータ
コア２１と、各ティース２１１に巻回されて、外周面が
ステータコア２１の内周面に接触する複数のステータコ
イル２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃと、ステータコア２
１の熱が伝達するフレーム上に設けられ、ステータコイ
ル２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃに発生する交流電圧がバッテ
リ電圧より高くなった時のみ導通作動して当該ステータ
コイル２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの電流でバッテリを充電
する、ＳｉＣ材のＭＯＳ型トランジスタとを有する。
を実現するとともに、全体の冷却効率の向上と小型化を
併せて実現する。 【構成】 ロータ１の外周に対向し、内周面の周方向へ
一定間隔で複数のティース２１１が突設されたステータ
コア２１と、各ティース２１１に巻回されて、外周面が
ステータコア２１の内周面に接触する複数のステータコ
イル２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃと、ステータコア２
１の熱が伝達するフレーム上に設けられ、ステータコイ
ル２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃに発生する交流電圧がバッテ
リ電圧より高くなった時のみ導通作動して当該ステータ
コイル２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの電流でバッテリを充電
する、ＳｉＣ材のＭＯＳ型トランジスタとを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、車両用交流発電機（オ
ルタネータ）に関し、冷却性能の向上による高出力化と
共に、小型化をも図ったものであり、その適用範囲は、
通常のエンジン駆動のオルタネータのみならず、車両制
動時の回生発電を行うオルタネータ、あるいは車両走行
モータの、回生発電を行うものにも及ぶものである。
ルタネータ）に関し、冷却性能の向上による高出力化と
共に、小型化をも図ったものであり、その適用範囲は、
通常のエンジン駆動のオルタネータのみならず、車両制
動時の回生発電を行うオルタネータ、あるいは車両走行
モータの、回生発電を行うものにも及ぶものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の車両の低燃費化の要請を背景に、
オルタネータの発電効率の向上が求められている。発電
効率の向上を図るための一手段として、ステータコイル
の放熱を促進して高出力化することが考えられる。従来
の、いわゆる全節巻きステータコイルの一例を図１０に
示し、リング状のステータコア（図は上半部のみを示
す）２１には内周面に周方向へ一定間隔で複数のティー
ス２１１が突設されており、ティース２１１間のスロッ
ト２１２（図１１）に挿通されて三相のステータコイル
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃが交互に折り返されて巻回され
ている。そのコイルエンドは互いに重なり、ステータコ
ア２１から両側軸方向へ寸法Ｌ´で突出している。
オルタネータの発電効率の向上が求められている。発電
効率の向上を図るための一手段として、ステータコイル
の放熱を促進して高出力化することが考えられる。従来
の、いわゆる全節巻きステータコイルの一例を図１０に
示し、リング状のステータコア（図は上半部のみを示
す）２１には内周面に周方向へ一定間隔で複数のティー
ス２１１が突設されており、ティース２１１間のスロッ
ト２１２（図１１）に挿通されて三相のステータコイル
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃが交互に折り返されて巻回され
ている。そのコイルエンドは互いに重なり、ステータコ
ア２１から両側軸方向へ寸法Ｌ´で突出している。
【０００３】ところで、この構造では、ステータコイル
は最外層のもの（例えば図１０の２２Ｂ）の外周面と、
中間層（例えば図１０の２２Ａ）のものの外周面の約半
分がステータコア２１の内周に接しているだけであるか
ら、ステータコアへの外周面での接触面積は全ステータ
コイル外周面の約５０％であり、十分な放熱が確保でき
なかった。
は最外層のもの（例えば図１０の２２Ｂ）の外周面と、
中間層（例えば図１０の２２Ａ）のものの外周面の約半
分がステータコア２１の内周に接しているだけであるか
ら、ステータコアへの外周面での接触面積は全ステータ
コイル外周面の約５０％であり、十分な放熱が確保でき
なかった。
【０００４】そこで、例えば特開平６−１４１４９７号
公報では、全てのステータコイルの外周面をステータコ
アの内周面に接触させてステータコイルの放熱の促進を
図った短節巻きステータコイルが提案されている。
公報では、全てのステータコイルの外周面をステータコ
アの内周面に接触させてステータコイルの放熱の促進を
図った短節巻きステータコイルが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ステータコイルの外周
全面をステータコアに接触させた上記公報に記載の構造
で、確かにコイルの放熱は促進されるが、一方で、ステ
ータコアを設けたオルタネータフレームに多量の熱が伝
わる。このため、通常、オルタネータフレームに設けら
れる整流器（整流用スイッチング手段）の放熱を促進す
る必要が生じ、このために整流器の放熱フィンが大型化
する。これは、上記フレームに設ける冷却用吸気口を塞
いで、実質開口面積の十分な確保を往々にして困難と
し、オルタネータ全体では冷却性能が却って低下すると
ともに、オルタネータの体格も増大するという不具合が
ある。
全面をステータコアに接触させた上記公報に記載の構造
で、確かにコイルの放熱は促進されるが、一方で、ステ
ータコアを設けたオルタネータフレームに多量の熱が伝
わる。このため、通常、オルタネータフレームに設けら
れる整流器（整流用スイッチング手段）の放熱を促進す
る必要が生じ、このために整流器の放熱フィンが大型化
する。これは、上記フレームに設ける冷却用吸気口を塞
いで、実質開口面積の十分な確保を往々にして困難と
し、オルタネータ全体では冷却性能が却って低下すると
ともに、オルタネータの体格も増大するという不具合が
ある。
【０００６】本発明はこのような課題を解決するもの
で、ステータコアからの放熱を促進して高出力化を実現
するとともに、全体の冷却効率の向上と小型化を併せて
実現した車両用交流発電機を提供することを目的とす
る。
で、ステータコアからの放熱を促進して高出力化を実現
するとともに、全体の冷却効率の向上と小型化を併せて
実現した車両用交流発電機を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、請求項１に記載の発明においては、ロータの
外周に対向し、内周面の周方向へ一定間隔で複数のティ
ース（２１１）が突設されたステータコア（２１）と、
前記ティースに巻回されて少なくとも外周面の一部が前
記ステータコア内周面に各々接触する多相のステータコ
イル（２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ）と、前記ステー
タコアを少なくとも一部で嵌合するとともに前記ステー
タコイルにより暖められた冷却風を吐出する孔を備えた
熱良導体金属製のフレーム（４）と、該フレーム上に熱
的に密着して設けられ、前記ステータコイルに発生する
交流電圧を直流電圧に変換してバッテリを充電する、Ｓ
ｉＣ材のＭＯＳ型トランジスタ（３１Ａ、３１Ｂ、３１
Ｃ、３１Ｄ、３１Ｅ、３１Ｆ）で構成された整流用スイ
ッチング手段（３１）とを備えている。
するため、請求項１に記載の発明においては、ロータの
外周に対向し、内周面の周方向へ一定間隔で複数のティ
ース（２１１）が突設されたステータコア（２１）と、
前記ティースに巻回されて少なくとも外周面の一部が前
記ステータコア内周面に各々接触する多相のステータコ
イル（２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ）と、前記ステー
タコアを少なくとも一部で嵌合するとともに前記ステー
タコイルにより暖められた冷却風を吐出する孔を備えた
熱良導体金属製のフレーム（４）と、該フレーム上に熱
的に密着して設けられ、前記ステータコイルに発生する
交流電圧を直流電圧に変換してバッテリを充電する、Ｓ
ｉＣ材のＭＯＳ型トランジスタ（３１Ａ、３１Ｂ、３１
Ｃ、３１Ｄ、３１Ｅ、３１Ｆ）で構成された整流用スイ
ッチング手段（３１）とを備えている。
【０００８】請求項２に記載の発明においては、ロータ
（１）の外周に対向し、内周面の周方向へ一定間隔で複
数のティース（２１１）が突設されたステータコア（２
１）と、前記ステータコア（２１）の内周面に沿って隣
り合うティース（２１１）間に巻回されて、少なくとも
外周面の一部が前記ステータコア（２１）の内周面に接
触する多相の外層ステータコイル（２２Ａ−Ｏ、２２Ｂ
−Ｏ、２２Ｃ−Ｏ）と、前記外層ステータコイル（２２
Ａ−Ｏ、２２Ｂ−Ｏ、２２Ｃ−Ｏ）の内方位置で、前記
外層ステータコイルとは周方向へ１ティース分ずれた位
置で隣り合うティース（２１１）間に巻回され、少なく
とも外周面の一部が前記外層ステータコイル（２２Ａ−
Ｏ、２２Ｂ−Ｏ、２２Ｃ−Ｏ）の内側面に接触する多相
の内層ステータコイル（２２Ａ−Ｉ、２２Ｂ−Ｉ、２２
Ｃ−Ｉ）と、前記ステータコア（２１）の熱が伝達する
フレーム（４）上に設けられ、前記外層及び内層の各ス
テータコイル（２２Ａ−Ｏ、２２Ｂ−Ｏ、２２Ｃ−Ｏ、
２２Ａ−Ｉ、２２Ｂ−Ｉ、２２Ｃ−Ｉ）に発生する交流
電圧を直流電圧に変換してバッテリ（３３）を充電す
る、ＳｉＣ材のＭＯＳ型トランジスタ（３１Ａ、３１
Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄ、３１Ｅ、３１Ｆ）で構成された整
流用スイッチング手段（３１）と、を備えている。
（１）の外周に対向し、内周面の周方向へ一定間隔で複
数のティース（２１１）が突設されたステータコア（２
１）と、前記ステータコア（２１）の内周面に沿って隣
り合うティース（２１１）間に巻回されて、少なくとも
外周面の一部が前記ステータコア（２１）の内周面に接
触する多相の外層ステータコイル（２２Ａ−Ｏ、２２Ｂ
−Ｏ、２２Ｃ−Ｏ）と、前記外層ステータコイル（２２
Ａ−Ｏ、２２Ｂ−Ｏ、２２Ｃ−Ｏ）の内方位置で、前記
外層ステータコイルとは周方向へ１ティース分ずれた位
置で隣り合うティース（２１１）間に巻回され、少なく
とも外周面の一部が前記外層ステータコイル（２２Ａ−
Ｏ、２２Ｂ−Ｏ、２２Ｃ−Ｏ）の内側面に接触する多相
の内層ステータコイル（２２Ａ−Ｉ、２２Ｂ−Ｉ、２２
Ｃ−Ｉ）と、前記ステータコア（２１）の熱が伝達する
フレーム（４）上に設けられ、前記外層及び内層の各ス
テータコイル（２２Ａ−Ｏ、２２Ｂ−Ｏ、２２Ｃ−Ｏ、
２２Ａ−Ｉ、２２Ｂ−Ｉ、２２Ｃ−Ｉ）に発生する交流
電圧を直流電圧に変換してバッテリ（３３）を充電す
る、ＳｉＣ材のＭＯＳ型トランジスタ（３１Ａ、３１
Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄ、３１Ｅ、３１Ｆ）で構成された整
流用スイッチング手段（３１）と、を備えている。
【０００９】請求項３に記載の発明では、請求項１又は
２に記載の車両用交流発電機において、前記ステータコ
イル（２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ）は三相で設けられ、前
記ＭＯＳ型トランジスタは互いに直列に接続された三対
（３１Ａと３１Ｂ、３１Ｃと３１Ｄ、３１Ｅと３１Ｆ）
を、前記バッテリ（３３）の端子間に並列に接続して、
これら対となったＭＯＳ型トランジスタ（３１Ａと３１
Ｂ、３１Ｃと３１Ｄ、３１Ｅと３１Ｆ）の接続点間に、
各相の前記ステータコイル（２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ）
を接続する。
２に記載の車両用交流発電機において、前記ステータコ
イル（２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ）は三相で設けられ、前
記ＭＯＳ型トランジスタは互いに直列に接続された三対
（３１Ａと３１Ｂ、３１Ｃと３１Ｄ、３１Ｅと３１Ｆ）
を、前記バッテリ（３３）の端子間に並列に接続して、
これら対となったＭＯＳ型トランジスタ（３１Ａと３１
Ｂ、３１Ｃと３１Ｄ、３１Ｅと３１Ｆ）の接続点間に、
各相の前記ステータコイル（２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ）
を接続する。
【００１０】請求項４に記載の発明では、請求項３に記
載の車両用交流発電機において、三相の前記ステータコ
イル（２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ）は電気角が２π／３の
巻線ピッチで設けられている。なお、上記各手段のカッ
コ内の符号は、後述する実施例記載の具体的手段との対
応関係を示すものである。
載の車両用交流発電機において、三相の前記ステータコ
イル（２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ）は電気角が２π／３の
巻線ピッチで設けられている。なお、上記各手段のカッ
コ内の符号は、後述する実施例記載の具体的手段との対
応関係を示すものである。
【００１１】
【発明の作用効果】請求項１に記載の発明によれば、ス
テータコイルの発熱はこれが接触するステータコアに効
率的に放熱される。この熱はフレーム上の整流用スイッ
チング手段に伝達されるが、スイッチング手段を構成す
るＳｉＣ材のＭＯＳ型トランジスタはオン抵抗が従来の
Ｓｉ材のＭＯＳ型トランジスタ及びダイオードに比して
十分小さいから、ステータコアからの伝熱があっても全
体の温度上昇は小さくなる。したがって、スイッチング
手段に設ける放熱フィン等の形状を小型化でき、オルタ
ネータ全体の体格をコンパクトにできる。
テータコイルの発熱はこれが接触するステータコアに効
率的に放熱される。この熱はフレーム上の整流用スイッ
チング手段に伝達されるが、スイッチング手段を構成す
るＳｉＣ材のＭＯＳ型トランジスタはオン抵抗が従来の
Ｓｉ材のＭＯＳ型トランジスタ及びダイオードに比して
十分小さいから、ステータコアからの伝熱があっても全
体の温度上昇は小さくなる。したがって、スイッチング
手段に設ける放熱フィン等の形状を小型化でき、オルタ
ネータ全体の体格をコンパクトにできる。
【００１２】また、フレーム上のスイッチング手段が小
型化されるのに伴い、フレームに設ける冷却風吸気口の
実質開口面積を十分に確保することができ、オルタネー
タ内の冷却効率が向上する。請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１の作用効果に加えて、内外層のステータ
コイルから発生する反作用起磁力に含まれる高調波成分
が打ち消されて、発電時の磁気音が低減される。
型化されるのに伴い、フレームに設ける冷却風吸気口の
実質開口面積を十分に確保することができ、オルタネー
タ内の冷却効率が向上する。請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１の作用効果に加えて、内外層のステータ
コイルから発生する反作用起磁力に含まれる高調波成分
が打ち消されて、発電時の磁気音が低減される。
【００１３】請求項３に記載の発明によれば、三相交流
の交流発電機において、その冷却性能の向上による高出
力化と発電機体格のコンパクト化を実現することができ
る。請求項４に記載の発明によれば、三相交流発電機に
おいて、コイルエンドの重なりを無くすことができる２
π／３ピッチの巻線としているため、各相のステータコ
イルをそれぞれ単独で各ティースに巻回でき、コイル長
が短くなり、コイル抵抗が小さくなってその発熱が抑え
られる。
の交流発電機において、その冷却性能の向上による高出
力化と発電機体格のコンパクト化を実現することができ
る。請求項４に記載の発明によれば、三相交流発電機に
おいて、コイルエンドの重なりを無くすことができる２
π／３ピッチの巻線としているため、各相のステータコ
イルをそれぞれ単独で各ティースに巻回でき、コイル長
が短くなり、コイル抵抗が小さくなってその発熱が抑え
られる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を図に示す実施例について説明
する。 （第１実施例） 〔ステータコイルの放熱を促進する構造〕図１にはオル
タネータの全体縦断面を示す。オルタネータのフレーム
４は、半容器状のドライブフレーム４１とリアフレーム
４２とを衝合して構成されている。フレーム４の中心に
はベアリング５１、５２により支持されてシャフト５３
が設けてあり、シャフト５３は前端（図の左端）に装着
されたプーリ５４を介して入力するエンジン動力により
回転させられる。
する。 （第１実施例） 〔ステータコイルの放熱を促進する構造〕図１にはオル
タネータの全体縦断面を示す。オルタネータのフレーム
４は、半容器状のドライブフレーム４１とリアフレーム
４２とを衝合して構成されている。フレーム４の中心に
はベアリング５１、５２により支持されてシャフト５３
が設けてあり、シャフト５３は前端（図の左端）に装着
されたプーリ５４を介して入力するエンジン動力により
回転させられる。
【００１５】シャフト５３にはランデル型ロータコアが
固定されており、このロータコアはフロントコア１２と
リヤコア１３を衝合したものである。ランダル型ロータ
コアにはロータコイル１４が巻回されており、このロー
タコイル１４の外周側（図の上側）を覆ってフロントお
よびリヤの各コア１２、１３から交互にランデル型爪状
磁極１１が屈曲突出している。これら爪状磁極１１に
は、ロータコイル１４の励磁により交互に異なる極性の
磁界が現れる。
固定されており、このロータコアはフロントコア１２と
リヤコア１３を衝合したものである。ランダル型ロータ
コアにはロータコイル１４が巻回されており、このロー
タコイル１４の外周側（図の上側）を覆ってフロントお
よびリヤの各コア１２、１３から交互にランデル型爪状
磁極１１が屈曲突出している。これら爪状磁極１１に
は、ロータコイル１４の励磁により交互に異なる極性の
磁界が現れる。
【００１６】ロータ１の外周にはこれに近接して、ステ
ータコア２２を内設したステータ２が配設されている。
ステータコア２１はリング状で（図２にその一部を示
す）、内周面には周方向へ一定間隔で多数のティース２
１１が突設され、これらティース２１１間のスロット２
１２（図３）内を挿通して、三相の各スタータコイル２
２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃが交互にティース２１１に巻回さ
れている。
ータコア２２を内設したステータ２が配設されている。
ステータコア２１はリング状で（図２にその一部を示
す）、内周面には周方向へ一定間隔で多数のティース２
１１が突設され、これらティース２１１間のスロット２
１２（図３）内を挿通して、三相の各スタータコイル２
２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃが交互にティース２１１に巻回さ
れている。
【００１７】各ステータコイル２２Ａ〜２２Ｃは２磁極
ピッチＰ（図２）に対して電気角２π／３をなして、ス
ロット２１２内を延びる直線状の長辺を有する長円形に
各ティース２１１に巻回されて、隣接するものが径方向
に重ならないようになっている。そして、各ステータコ
イル２２Ａ〜２２Ｃは外周面の全面がステータコア２１
の内周面に接触している。スロット２１２内のコイル２
２Ａ〜２２Ｃの占積率は５２％程度であり、ステータコ
ア２１との接触面積は従来よりも２５％程度増加してい
る。
ピッチＰ（図２）に対して電気角２π／３をなして、ス
ロット２１２内を延びる直線状の長辺を有する長円形に
各ティース２１１に巻回されて、隣接するものが径方向
に重ならないようになっている。そして、各ステータコ
イル２２Ａ〜２２Ｃは外周面の全面がステータコア２１
の内周面に接触している。スロット２１２内のコイル２
２Ａ〜２２Ｃの占積率は５２％程度であり、ステータコ
ア２１との接触面積は従来よりも２５％程度増加してい
る。
【００１８】なお、コイルエンドはステータコア２１か
ら両側軸方向へ、従来の寸法Ｌ´（図１１参照）より短
い寸法Ｌで突出している。図２中の矢印はロータ１の各
磁極コア１１からの磁力線を示し、ロータ１が回転する
と各磁極コア１１により形成される磁束が各相のステー
タコイル２２Ａ〜２２Ｃを横切って、これらコイルに交
流の発電電圧を発生させる。ステータコイル２２Ａ〜２
２Ｃの発電が開始されると、発電電流が、後述する全波
整流器を介してバッテリへ供給され、この電流供給時に
ステータコイル２２Ａ〜２２Ｃは発熱する。
ら両側軸方向へ、従来の寸法Ｌ´（図１１参照）より短
い寸法Ｌで突出している。図２中の矢印はロータ１の各
磁極コア１１からの磁力線を示し、ロータ１が回転する
と各磁極コア１１により形成される磁束が各相のステー
タコイル２２Ａ〜２２Ｃを横切って、これらコイルに交
流の発電電圧を発生させる。ステータコイル２２Ａ〜２
２Ｃの発電が開始されると、発電電流が、後述する全波
整流器を介してバッテリへ供給され、この電流供給時に
ステータコイル２２Ａ〜２２Ｃは発熱する。
【００１９】ここにおいて、各ステータコイル２２Ａ〜
２２Ｃは外周の全面がステータコア２１の内周面に接し
ているから、ステータコイル２２Ａ〜２２Ｃの熱はステ
ータコア２１へ効率的に放散されて、コイルの温度上昇
が防止される。図１において、ロータ１には前後の端面
外周に送風ファン１５、１６が設けられており、ロータ
１の回転に伴って、ドライブフレーム４１の前面および
リアフレーム４２の後面に複数設けた吸気口４１１、４
２１から外気を吸入する（図の矢印）。吸入された外気
はロータコイル１４、ステータコイル２２および後述す
る整流用スイッチング手段を含んだ電圧調整器等を冷却
した後、各フレーム４１、４２の外周面にそれぞれ複数
設けた排気口４１２、４２２から排出される。
２２Ｃは外周の全面がステータコア２１の内周面に接し
ているから、ステータコイル２２Ａ〜２２Ｃの熱はステ
ータコア２１へ効率的に放散されて、コイルの温度上昇
が防止される。図１において、ロータ１には前後の端面
外周に送風ファン１５、１６が設けられており、ロータ
１の回転に伴って、ドライブフレーム４１の前面および
リアフレーム４２の後面に複数設けた吸気口４１１、４
２１から外気を吸入する（図の矢印）。吸入された外気
はロータコイル１４、ステータコイル２２および後述す
る整流用スイッチング手段を含んだ電圧調整器等を冷却
した後、各フレーム４１、４２の外周面にそれぞれ複数
設けた排気口４１２、４２２から排出される。
【００２０】リアフレーム４２から突出するシャフト５
３の後端外周には、ロータコイル１４へ給電するスリッ
プリング５５が設けられて、これにブラシ５６が接触し
ている。また、シャフト５３の後端部を覆ってカバー体
５７が設けられて、このカバー体５７内に、詳細を後述
する整流用スイッチング手段を含む電圧調整器が収納さ
れている。 〔電圧調整器の発熱を抑える構造〕図４にバッテリ３３
を充電するオルタネータの電気回路図を示す。電圧調整
器３内の電圧調整部３２はバッテリ３３の電圧を読み取
って、これが一定となるようにロータコイル１４への通
電をＯＮ、ＯＦＦ制御する。
３の後端外周には、ロータコイル１４へ給電するスリッ
プリング５５が設けられて、これにブラシ５６が接触し
ている。また、シャフト５３の後端部を覆ってカバー体
５７が設けられて、このカバー体５７内に、詳細を後述
する整流用スイッチング手段を含む電圧調整器が収納さ
れている。 〔電圧調整器の発熱を抑える構造〕図４にバッテリ３３
を充電するオルタネータの電気回路図を示す。電圧調整
器３内の電圧調整部３２はバッテリ３３の電圧を読み取
って、これが一定となるようにロータコイル１４への通
電をＯＮ、ＯＦＦ制御する。
【００２１】Δ結線された三相の各ステータコイル２２
Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの出力端電圧ＶV 、ＶU 、ＶW は、
整流用スイッチング手段３１を構成する三対のＭＯＳ型
トランジスタ３１Ａ〜３１Ｆの各接続点に入力するとと
もに、電圧調整部５２にも入力している。すなわち、各
トランジスタは、ハイサイドのもの３１Ａ、３１Ｃ、３
１ＥのドレインＤとローサイドのもの３１Ｂ、３１Ｄ、
３１ＦのソースＳが互いに接続され、ハイサイドのトラ
ンジスタ３１Ａ、３１Ｃ、３１ＥのソースＳがバッテリ
３３の高電位側に接続されるとともに、ローサイドのト
ランジスタ３１Ｂ、３１Ｄ、３１ＦのドレインＤがバッ
テリ３３の低電位側に接続されている。各トランジスタ
３１Ａ〜３１Ｆは、電圧調整部３２からゲートＧに入力
する信号によって導通が制御される。
Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの出力端電圧ＶV 、ＶU 、ＶW は、
整流用スイッチング手段３１を構成する三対のＭＯＳ型
トランジスタ３１Ａ〜３１Ｆの各接続点に入力するとと
もに、電圧調整部５２にも入力している。すなわち、各
トランジスタは、ハイサイドのもの３１Ａ、３１Ｃ、３
１ＥのドレインＤとローサイドのもの３１Ｂ、３１Ｄ、
３１ＦのソースＳが互いに接続され、ハイサイドのトラ
ンジスタ３１Ａ、３１Ｃ、３１ＥのソースＳがバッテリ
３３の高電位側に接続されるとともに、ローサイドのト
ランジスタ３１Ｂ、３１Ｄ、３１ＦのドレインＤがバッ
テリ３３の低電位側に接続されている。各トランジスタ
３１Ａ〜３１Ｆは、電圧調整部３２からゲートＧに入力
する信号によって導通が制御される。
【００２２】上記各ＭＯＳ型トランジスタ３１Ａ〜３１
Ｆの構造は同一であり、これを図５を参照して以下に説
明する。図において、ＳｉＣ材のＮ+ 型基板３１１上に
Ｎ型耐圧層３１２がエピタキシャル成長により形成さ
れ、Ｎ型耐圧層３１２の表面部にＰ型ウエル領域３１３
がアルミニウムをイオン注入することにより形成されて
いる。
Ｆの構造は同一であり、これを図５を参照して以下に説
明する。図において、ＳｉＣ材のＮ+ 型基板３１１上に
Ｎ型耐圧層３１２がエピタキシャル成長により形成さ
れ、Ｎ型耐圧層３１２の表面部にＰ型ウエル領域３１３
がアルミニウムをイオン注入することにより形成されて
いる。
【００２３】さらにＰ型ウエル領域３１３の表面部にＮ
+ 型領域３１４が窒素をイオン注入することにより形成
され、ウエハ表面のトレンチ形成予定領域だけを開口し
てレジストや絶縁膜でマスクしつつ、周知のＲＩＥドラ
イエッチングによりトレンチ３１５が凹設される。その
後、トレンチ３１５の表面に熱酸化法によりシリコン酸
化膜からなるゲート絶縁膜３１６を形成し、その後、ト
レンチ３１５にドープドポリシリコンからなる電極３１
７を形成してゲートＧとする。その後、金属電極５１８
をＮ+ 型領域３１４及びＰ型ウエル領域３１３の表面に
コンタクトしてドレインＤとし、金属電極をＮ+ 型基板
３１１の表面にコンタクトしてソースＳとする。
+ 型領域３１４が窒素をイオン注入することにより形成
され、ウエハ表面のトレンチ形成予定領域だけを開口し
てレジストや絶縁膜でマスクしつつ、周知のＲＩＥドラ
イエッチングによりトレンチ３１５が凹設される。その
後、トレンチ３１５の表面に熱酸化法によりシリコン酸
化膜からなるゲート絶縁膜３１６を形成し、その後、ト
レンチ３１５にドープドポリシリコンからなる電極３１
７を形成してゲートＧとする。その後、金属電極５１８
をＮ+ 型領域３１４及びＰ型ウエル領域３１３の表面に
コンタクトしてドレインＤとし、金属電極をＮ+ 型基板
３１１の表面にコンタクトしてソースＳとする。
【００２４】上記Ｐ型ウエル領域３１３（すなわちゲー
ト電極３１７直下の領域）とソースＳあるいはドレイン
Ｄとの間に、それぞれソース接続側の寄生ダイオードＤ
ｓ（図４参照）とドレイン接続側の寄生ダイオードＤｄ
とが生じるが、寄生ダイオードＤｄは短絡されて、寄生
ダイオードＤｓがバッテリ３３からの逆流を阻止する。
ト電極３１７直下の領域）とソースＳあるいはドレイン
Ｄとの間に、それぞれソース接続側の寄生ダイオードＤ
ｓ（図４参照）とドレイン接続側の寄生ダイオードＤｄ
とが生じるが、寄生ダイオードＤｄは短絡されて、寄生
ダイオードＤｓがバッテリ３３からの逆流を阻止する。
【００２５】次に、図４の電圧調整部３２による各ＭＯ
Ｓ型トランジスタ３１Ａ〜３１Ｆの開閉制御について説
明する。電圧調整部３２は、三相ステータコイル２２Ａ
〜２２Ｃの出力端電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗを読み込み、そ
の線間発電電圧Ｖｕ−Ｖｖ，Ｖｖ−Ｖｗ，Ｖｗ−Ｖｕの
中から、正値でかつバッテリ３３の端子電圧より大きい
線間発電電圧を選択する。
Ｓ型トランジスタ３１Ａ〜３１Ｆの開閉制御について説
明する。電圧調整部３２は、三相ステータコイル２２Ａ
〜２２Ｃの出力端電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗを読み込み、そ
の線間発電電圧Ｖｕ−Ｖｖ，Ｖｖ−Ｖｗ，Ｖｗ−Ｖｕの
中から、正値でかつバッテリ３３の端子電圧より大きい
線間発電電圧を選択する。
【００２６】そして、この選択した線間発電電圧Ｖｕ−
Ｖｖ，Ｖｖ−Ｖｗ，Ｖｗ−Ｖｕがバッテリ３３に印加さ
れるように、ハイサイドのトランジスタ３１Ａ、３１
Ｃ、３１Ｅの一つと、ローサイドのトランジスタ３１
Ｂ、３１Ｄ、３１Ｆの一つとを導通作動させる。これに
より、選択された三相ステータコイル２２Ａ〜２２Ｃか
らバッテリ３３へ充電電流が供給される。
Ｖｖ，Ｖｖ−Ｖｗ，Ｖｗ−Ｖｕがバッテリ３３に印加さ
れるように、ハイサイドのトランジスタ３１Ａ、３１
Ｃ、３１Ｅの一つと、ローサイドのトランジスタ３１
Ｂ、３１Ｄ、３１Ｆの一つとを導通作動させる。これに
より、選択された三相ステータコイル２２Ａ〜２２Ｃか
らバッテリ３３へ充電電流が供給される。
【００２７】ところで、本実施例では既述のように、Ｍ
ＯＳ型トランジスタの素材として単結晶ＳｉＣを使用し
ているため、Ｎ型耐圧層３１２の厚さ及び不純物濃度を
従来のＳｉに比較して大幅に向上することができる。す
なわち、Ｓｉの場合、その降伏電界強度は約３０Ｖ／μ
ｍであり、簡単のために、耐圧３００ＶをＮ型耐圧層３
１２で負担すると考えると、耐圧層３１２の必要厚さは
約２０μｍ、その不純物濃度は１×１０15原子／ｃ
ｍ3 、抵抗率は約５Ω・ｃｍとなる。
ＯＳ型トランジスタの素材として単結晶ＳｉＣを使用し
ているため、Ｎ型耐圧層３１２の厚さ及び不純物濃度を
従来のＳｉに比較して大幅に向上することができる。す
なわち、Ｓｉの場合、その降伏電界強度は約３０Ｖ／μ
ｍであり、簡単のために、耐圧３００ＶをＮ型耐圧層３
１２で負担すると考えると、耐圧層３１２の必要厚さは
約２０μｍ、その不純物濃度は１×１０15原子／ｃ
ｍ3 、抵抗率は約５Ω・ｃｍとなる。
【００２８】これに対して、ＳｉＣの降伏電界強度は４
００Ｖ／μｍ程度であり、Ｎ型耐圧層３１２の必要厚さ
は約４μｍ、その不純物濃度は２×１０16原子／ｃ
ｍ3 、抵抗率は約１．２５Ω・ｃｍとなる。したがっ
て、ＳｉＣ材を使用したＭＯＳ型トランジスタ（ＳｉＣ
−ＭＯＳ）のＮ型耐圧層３１２の抵抗は、Ｓｉ材のＭＯ
Ｓ型トランジスタ（Ｓｉ−ＭＯＳ）のＮ型耐圧層の抵抗
に比べて１／２０にまで低減できることになる。
００Ｖ／μｍ程度であり、Ｎ型耐圧層３１２の必要厚さ
は約４μｍ、その不純物濃度は２×１０16原子／ｃ
ｍ3 、抵抗率は約１．２５Ω・ｃｍとなる。したがっ
て、ＳｉＣ材を使用したＭＯＳ型トランジスタ（ＳｉＣ
−ＭＯＳ）のＮ型耐圧層３１２の抵抗は、Ｓｉ材のＭＯ
Ｓ型トランジスタ（Ｓｉ−ＭＯＳ）のＮ型耐圧層の抵抗
に比べて１／２０にまで低減できることになる。
【００２９】この結果、ＳｉＣ−ＭＯＳにおけるソース
寄生抵抗Ｒｓ（図５参照）はＳｉのそれに比較して１／
２０に低減され、これに応じてチャンネル抵抗も大幅に
減少する。図６にはＳｉＣ−ＭＯＳのＩD −ＶDS特性を
示し、図の二点鎖線で示すダイオードの順方向特性に比
して、７５Ａの出力電流ＩD でも電圧降下ＶDSは小さ
く、オン抵抗の小さいことが知られる。
寄生抵抗Ｒｓ（図５参照）はＳｉのそれに比較して１／
２０に低減され、これに応じてチャンネル抵抗も大幅に
減少する。図６にはＳｉＣ−ＭＯＳのＩD −ＶDS特性を
示し、図の二点鎖線で示すダイオードの順方向特性に比
して、７５Ａの出力電流ＩD でも電圧降下ＶDSは小さ
く、オン抵抗の小さいことが知られる。
【００３０】図７には、ＭＯＳトランジスタの要求耐圧
を変えた場合のオン抵抗率についての計算結果の一例を
示す。なお、このオン抵抗率はチャンネル抵抗とＮ型耐
圧層３１２（図５参照）の抵抗Ｒｓとの和である。チャ
ンネル抵抗は各種ファクタにより変動するものの、図か
らわかるように高耐圧領域ではＮ型耐圧層３１２の抵抗
Ｒｓが支配的となって、耐圧が増加してもチャンネル抵
抗自体はほとんど変化しない。
を変えた場合のオン抵抗率についての計算結果の一例を
示す。なお、このオン抵抗率はチャンネル抵抗とＮ型耐
圧層３１２（図５参照）の抵抗Ｒｓとの和である。チャ
ンネル抵抗は各種ファクタにより変動するものの、図か
らわかるように高耐圧領域ではＮ型耐圧層３１２の抵抗
Ｒｓが支配的となって、耐圧が増加してもチャンネル抵
抗自体はほとんど変化しない。
【００３１】したがって、Ｓｉ−ＭＯＳでは耐圧２５Ｖ
近傍から耐圧増加とともにオン抵抗率が比例的に増加す
るのに対して、ＳｉＣ−ＭＯＳでは耐圧２５０Ｖまでは
Ｎ型耐圧層３１２の抵抗増加はほとんど無視でき、耐圧
２５０Ｖを超えてはじめてオン抵抗率がゆっくりと増加
する。このようにして、ＳｉＣ−ＭＯＳのオン抵抗は、
断線時に印加される高電圧に対して十分な耐圧を確保し
つつ、大電流（７５Ａ程度）通電時にも十分小さくでき
る（１／２０程度）から、通電時の発熱量を大きく低減
することができる。
近傍から耐圧増加とともにオン抵抗率が比例的に増加す
るのに対して、ＳｉＣ−ＭＯＳでは耐圧２５０Ｖまでは
Ｎ型耐圧層３１２の抵抗増加はほとんど無視でき、耐圧
２５０Ｖを超えてはじめてオン抵抗率がゆっくりと増加
する。このようにして、ＳｉＣ−ＭＯＳのオン抵抗は、
断線時に印加される高電圧に対して十分な耐圧を確保し
つつ、大電流（７５Ａ程度）通電時にも十分小さくでき
る（１／２０程度）から、通電時の発熱量を大きく低減
することができる。
【００３２】したがって、既述のようにステータコイル
２２Ａ〜２２Ｃからの発熱がステータコア２１に伝熱さ
れ、さらにフレーム４上の電圧調整器に至っても、電圧
調整器内に設けたＳｉＣ−ＭＯＳ３１Ａ〜３１Ｆからな
る整流器の発熱はＳｉ−ＭＯＳに比しても１／２０程度
と十分小さいことにより、従来の整流器に比して温度上
昇は格段に小さくなる。
２２Ａ〜２２Ｃからの発熱がステータコア２１に伝熱さ
れ、さらにフレーム４上の電圧調整器に至っても、電圧
調整器内に設けたＳｉＣ−ＭＯＳ３１Ａ〜３１Ｆからな
る整流器の発熱はＳｉ−ＭＯＳに比しても１／２０程度
と十分小さいことにより、従来の整流器に比して温度上
昇は格段に小さくなる。
【００３３】これにより、整流器の冷却フィンを小型に
して、従来、別体に配置されていた励磁電流制御部をも
一体化でき、電圧調整器としてコンパクトにすることが
できる。そして、電気部品のコンパクト化により、リア
フレーム４２（図１参照）の吸気口４２１の実質開口面
積が大きくなるので、ステータコイル２２等に対する大
量の冷却風の供給が可能となり、オルタネータ全体とし
て冷却性能を向上させることができる。
して、従来、別体に配置されていた励磁電流制御部をも
一体化でき、電圧調整器としてコンパクトにすることが
できる。そして、電気部品のコンパクト化により、リア
フレーム４２（図１参照）の吸気口４２１の実質開口面
積が大きくなるので、ステータコイル２２等に対する大
量の冷却風の供給が可能となり、オルタネータ全体とし
て冷却性能を向上させることができる。
【００３４】特に本実施例では、コイルエンドの重なり
の無い２π／３ピッチ巻線にし、巻線収納が容易となる
ため、ステータコイル２２Ａ〜２２Ｃのコイルエンドの
突出寸法Ｌ（図１）が従来よりも小さくでき、排気口４
１２、４２２の開口面積を十分確保することができ、吸
気口４１１、４２１から吸入された大量の冷却風が効率
的に排気口４１２、４２２へ流通して、ステータコイル
２２Ａ〜２２Ｃの放冷を促進する。
の無い２π／３ピッチ巻線にし、巻線収納が容易となる
ため、ステータコイル２２Ａ〜２２Ｃのコイルエンドの
突出寸法Ｌ（図１）が従来よりも小さくでき、排気口４
１２、４２２の開口面積を十分確保することができ、吸
気口４１１、４２１から吸入された大量の冷却風が効率
的に排気口４１２、４２２へ流通して、ステータコイル
２２Ａ〜２２Ｃの放冷を促進する。
【００３５】ここで、図８は従来のオルタネータ（図中
破線）と本実施例のオルタネータ（図中実線）の吸入風
量を比較したもので、本実施例のものでは９０％〜１０
０％も吸入風量を向上させることができる。すなわち、
電気部品のコンパクト化による実質吸気口面積の拡大と
コイルエンド寸法の短縮による排気口の拡大との相乗効
果により、発電機全体の冷却性を格段に向上できる。
破線）と本実施例のオルタネータ（図中実線）の吸入風
量を比較したもので、本実施例のものでは９０％〜１０
０％も吸入風量を向上させることができる。すなわち、
電気部品のコンパクト化による実質吸気口面積の拡大と
コイルエンド寸法の短縮による排気口の拡大との相乗効
果により、発電機全体の冷却性を格段に向上できる。
【００３６】（第２実施例）ステータコイルは図９に示
すような構造でも良い。図において、ステータコイル
は、ステータコア２１の内周面に接する外層の各コイル
２２Ａ−Ｏ、２２Ｂ−Ｏ、２２Ｃ−Ｏと、外層コイルの
内周面に接する内層の各コイル２２Ａ−Ｉ、２２Ｂ−
Ｉ、２２Ｃ−Ｉとで構成されている。内外層の各コイル
２２Ａ−Ｉ〜２２Ｃ−Ｏは、２磁極ピッチＰに対して電
気角２π／３をなして各ティース２１１に巻回されて、
隣接するものが重ならないようになっている。また、上
層ステータコイルと下層ステータコイルは周方向へ１テ
ィース分（π／３）ずれて位置している。
すような構造でも良い。図において、ステータコイル
は、ステータコア２１の内周面に接する外層の各コイル
２２Ａ−Ｏ、２２Ｂ−Ｏ、２２Ｃ−Ｏと、外層コイルの
内周面に接する内層の各コイル２２Ａ−Ｉ、２２Ｂ−
Ｉ、２２Ｃ−Ｉとで構成されている。内外層の各コイル
２２Ａ−Ｉ〜２２Ｃ−Ｏは、２磁極ピッチＰに対して電
気角２π／３をなして各ティース２１１に巻回されて、
隣接するものが重ならないようになっている。また、上
層ステータコイルと下層ステータコイルは周方向へ１テ
ィース分（π／３）ずれて位置している。
【００３７】このような構造において、外層のステータ
コイル２２Ａ−Ｏ〜２２Ｃ−Ｏからはその外周面の全面
が接するステータコア２１へ効率的に熱の放散がなされ
るとともに、内層のステータコイル２２Ａ−Ｉ〜２２Ｃ
−Ｉからもその外周の全面が接する外層ステータコイル
２２Ａ−Ｏ〜２２Ｃ−Ｏへ効率的に熱の放散がなされ
る。
コイル２２Ａ−Ｏ〜２２Ｃ−Ｏからはその外周面の全面
が接するステータコア２１へ効率的に熱の放散がなされ
るとともに、内層のステータコイル２２Ａ−Ｉ〜２２Ｃ
−Ｉからもその外周の全面が接する外層ステータコイル
２２Ａ−Ｏ〜２２Ｃ−Ｏへ効率的に熱の放散がなされ
る。
【００３８】本実施例では、ステータコイル２２Ａ−Ｉ
〜２２Ｃ−Ｉ、２２Ａ−Ｏ〜２２Ｃ−Ｏから発生する反
作用起磁力に含まれる高調波成分が打ち消されて、発電
時の磁気音が低減される。
〜２２Ｃ−Ｉ、２２Ａ−Ｏ〜２２Ｃ−Ｏから発生する反
作用起磁力に含まれる高調波成分が打ち消されて、発電
時の磁気音が低減される。
【図１】本発明の一実施例に係る、交流発電機の半断面
側面図である。
側面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る、ステータの部分拡大
正面図である。
正面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る、ステータコア内周面
の部分拡大図であり、図２のＡ矢視図である。
の部分拡大図であり、図２のＡ矢視図である。
【図４】本発明の一実施例に係る、交流発電機の電気回
路図である。
路図である。
【図５】本発明の一実施例に係る、ＭＯＳ型トランジス
タの断面図である。
タの断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係る、ＭＯＳ型トランジス
タのＶDS−ＩD 曲線である。
タのＶDS−ＩD 曲線である。
【図７】本発明の一実施例に係る、ＳｉＣ−ＭＯＳ型ト
ランジスタの耐圧−オン抵抗率曲線である。
ランジスタの耐圧−オン抵抗率曲線である。
【図８】本発明の一実施例に係る、吸入風量の変化を示
すグラフである。
すグラフである。
【図９】本発明の他の実施例に係る、ステータの部分拡
大正面図である。
大正面図である。
【図１０】従来例に係る、ステータの半部正面図であ
る。
る。
【図１１】従来例に係る、ステータコア内周面の部分拡
大図であり、図１０のＢ矢視図である。
大図であり、図１０のＢ矢視図である。
１…ロータ、１１…磁極コア、１４…ロータコイル、２
…ステータ、２１…ステータコア、２１１…ティース、
２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ａ−Ｉ、２２Ｂ−
Ｉ、２２Ｃ−Ｉ、２２Ａ−Ｏ、２２Ｂ−Ｏ、２２Ｃ−Ｏ
…ステータコイル、３３…バッテリ、３１Ａ、３１Ｂ、
３１Ｃ、３１Ｄ、３１Ｄ、３１Ｅ、３１Ｆ…ＭＯＳ型ト
ランジスタ、４…フレーム。
…ステータ、２１…ステータコア、２１１…ティース、
２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ａ−Ｉ、２２Ｂ−
Ｉ、２２Ｃ−Ｉ、２２Ａ−Ｏ、２２Ｂ−Ｏ、２２Ｃ−Ｏ
…ステータコイル、３３…バッテリ、３１Ａ、３１Ｂ、
３１Ｃ、３１Ｄ、３１Ｄ、３１Ｅ、３１Ｆ…ＭＯＳ型ト
ランジスタ、４…フレーム。
Claims (4)
- 【請求項１】 ロータの外周に対向し、内周面の周方向
へ一定間隔で複数のティースが突設されたステータコア
と、 前記ティースに巻回されて少なくとも外周面の一部が前
記ステータコア内周面に各々接触する多相のステータコ
イルと、 前記ステータコアを少なくとも一部で嵌合するとともに
前記ステータコイルにより暖められた冷却風を吐出する
孔を備えた熱良導体金属製のフレームと、 前記フレーム上に熱的に密着して設けられ、前記ステー
タコイルに発生する交流電圧を直流電圧に変換してバッ
テリを充電する、ＳｉＣ材のＭＯＳ型トランジスタで構
成された整流用スイッチング手段とを備えたことを特徴
とする車両用交流発電機。 - 【請求項２】 ロータの外周に対向し、内周面の周方向
へ一定間隔で複数のティースが突設されたステータコア
と、 前記ステータコアの内周面に沿って隣り合うティース間
に巻回されて、外周面が前記ステータコアの内周面に接
触する多相の外層ステータコイルと、 前記外層ステータコイルの内方位置で、前記外層ステー
タコイルとは周方向へ１ティース分ずれた位置で隣り合
うティース間に巻回され、少なくとも外周面の一部が前
記外層ステータコイルの内側面に接触する多相の内層ス
テータコイルと、 前記ステータコアの熱が伝達するフレーム上に設けら
れ、前記外層及び内層の各ステータコイルに発生する交
流電圧を直流電圧に変換してバッテリを充電する、Ｓｉ
Ｃ材のＭＯＳ型トランジスタで構成された整流用スイッ
チング手段とを備えたことを特徴とする車両用交流発電
機。 - 【請求項３】 前記ステータコイルは三相で設けられ、
前記ＭＯＳ型トランジスタは互いに直列に接続された三
対を、前記バッテリの端子間に並列に接続して、これら
対となったＭＯＳ型トランジスタの接続点間に、各相の
前記ステータコイルを接続したことを特徴とする請求項
１又は２に記載の車両用交流発電機。 - 【請求項４】 三相の前記ステータコイルは電気角が２
π／３の巻線ピッチで設けられていることを特徴とする
請求項３に記載の車両用交流発電機。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7139520A JPH08336267A (ja) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | 車両用交流発電機 |
| KR1019960020086A KR970004236A (ko) | 1995-06-06 | 1996-06-05 | 실리콘 카바이드 스위칭 트랜지스터를 갖는 차량용 교류발전기 |
| EP96109067A EP0748028A1 (en) | 1995-06-06 | 1996-06-05 | Alternator for vehicles with SiC switching transistors |
| CN96108504A CN1146655A (zh) | 1995-06-06 | 1996-06-06 | 采用SiC开关晶体管的车辆用交流发电机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7139520A JPH08336267A (ja) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | 車両用交流発電機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08336267A true JPH08336267A (ja) | 1996-12-17 |
Family
ID=15247207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7139520A Pending JPH08336267A (ja) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | 車両用交流発電機 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0748028A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08336267A (ja) |
| KR (1) | KR970004236A (ja) |
| CN (1) | CN1146655A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018168734A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | アイチエレック株式会社 | 水中ポンプ |
| JP2018168733A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | アイチエレック株式会社 | 水中ポンプ |
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| JP2959640B2 (ja) * | 1990-09-27 | 1999-10-06 | 本田技研工業株式会社 | 充電回路 |
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-
1995
- 1995-06-06 JP JP7139520A patent/JPH08336267A/ja active Pending
-
1996
- 1996-06-05 EP EP96109067A patent/EP0748028A1/en not_active Withdrawn
- 1996-06-05 KR KR1019960020086A patent/KR970004236A/ko not_active Ceased
- 1996-06-06 CN CN96108504A patent/CN1146655A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018168734A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | アイチエレック株式会社 | 水中ポンプ |
| JP2018168733A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | アイチエレック株式会社 | 水中ポンプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1146655A (zh) | 1997-04-02 |
| EP0748028A1 (en) | 1996-12-11 |
| KR970004236A (ko) | 1997-01-29 |
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