JPH08340233A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH08340233A JPH08340233A JP7146187A JP14618795A JPH08340233A JP H08340233 A JPH08340233 A JP H08340233A JP 7146187 A JP7146187 A JP 7146187A JP 14618795 A JP14618795 A JP 14618795A JP H08340233 A JPH08340233 A JP H08340233A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 弾性表面波装置において、再現性及び信頼性
の優れた高耐電力性の電極を提供する。 【構成】 遷移金属あるいはその合金Ｍの下地膜２とこ
の上に堆積したＡｌあるいはＡｌ系合金よりなる電極３
において、下地膜２が、遷移金属あるいは合金ＭにＳｉ
を０．５〜５重量％添加したＭ−Ｓｉ合金であり、金属
Ｍは遷移金属のいずれか１種、あるいはそれらの二種類
以上よりなる合金であって、かつ、ＡｌまたはＡｌ系合
金が（１１１）配向であることを特徴とする弾性表面波
装置である。この上に堆積するＡｌまたはＡｌ系合金膜
が（１１１）に強く配向させるためには、Ｍ−Ｓｉ合金
下地膜の膜厚が０．３〜３nmであることが望ましい。
の優れた高耐電力性の電極を提供する。 【構成】 遷移金属あるいはその合金Ｍの下地膜２とこ
の上に堆積したＡｌあるいはＡｌ系合金よりなる電極３
において、下地膜２が、遷移金属あるいは合金ＭにＳｉ
を０．５〜５重量％添加したＭ−Ｓｉ合金であり、金属
Ｍは遷移金属のいずれか１種、あるいはそれらの二種類
以上よりなる合金であって、かつ、ＡｌまたはＡｌ系合
金が（１１１）配向であることを特徴とする弾性表面波
装置である。この上に堆積するＡｌまたはＡｌ系合金膜
が（１１１）に強く配向させるためには、Ｍ−Ｓｉ合金
下地膜の膜厚が０．３〜３nmであることが望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信機器に用いられる弾性表面波
装置は、その電極の耐電力性向上が不可欠となってい
る。従来、弾性表面波装置の電極のストレスマイグレー
ション耐性、すなわち耐電力性を高めるためには、電極
材料にＣｕやＴｉなどの微量添加や、電極膜の結晶性の
改善などが有効であることが知られている。例えば、膜
厚が〜１nm程度の金属下地膜上に堆積させることによっ
て得られる（１１１）に強く配向したＡｌ電極は、優れ
た耐電力性を有することが特開平５−９０２６８号公
報、特開平５−２２６３３７号公報等に開示されてお
り、結晶配向性を改善することによって、弾性表面波装
置電極のマイグレーション耐性を高めることができる。
装置は、その電極の耐電力性向上が不可欠となってい
る。従来、弾性表面波装置の電極のストレスマイグレー
ション耐性、すなわち耐電力性を高めるためには、電極
材料にＣｕやＴｉなどの微量添加や、電極膜の結晶性の
改善などが有効であることが知られている。例えば、膜
厚が〜１nm程度の金属下地膜上に堆積させることによっ
て得られる（１１１）に強く配向したＡｌ電極は、優れ
た耐電力性を有することが特開平５−９０２６８号公
報、特開平５−２２６３３７号公報等に開示されてお
り、結晶配向性を改善することによって、弾性表面波装
置電極のマイグレーション耐性を高めることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した、特開平５−
９０３６８号公報に開示されている（１１１）配向Ａｌ
電極は、耐電力性は向上するものの、薄いながらも下地
にＡｌ以外の金属を用いているために、電極加工時に、
この下地金属が完全にはエッチングできず、残渣として
残ってしまう。このようなエッチング残渣は、導電性を
持つ材料であることから、電極間ショート（短絡）を誘
発するという問題を持っている。
９０３６８号公報に開示されている（１１１）配向Ａｌ
電極は、耐電力性は向上するものの、薄いながらも下地
にＡｌ以外の金属を用いているために、電極加工時に、
この下地金属が完全にはエッチングできず、残渣として
残ってしまう。このようなエッチング残渣は、導電性を
持つ材料であることから、電極間ショート（短絡）を誘
発するという問題を持っている。
【０００４】また、特開平５−２２６３３７号公報に
は、薄膜の下地層としてアモルファス状あるいは微細流
組織のＡｌないしＡｌ合金薄膜を用いることによって、
（１１１）配向のＡｌあるいはＡｌ合金薄膜が得られる
ことが報告されている。この構造の場合には、電極薄膜
と下地金属との材料が同じＡｌないしＡｌ合金からなる
ため、材料の違いからくるエッチング残渣の発生という
問題はなくなるものの、下地層をアモルファス状あるい
は微細流組織に形成させなくてはならないという点で、
大がかりな装置改造、作業工程の増加、作業時間の増大
などが要求され、作成プロセス面で手間がかかってしま
うという問題がある。
は、薄膜の下地層としてアモルファス状あるいは微細流
組織のＡｌないしＡｌ合金薄膜を用いることによって、
（１１１）配向のＡｌあるいはＡｌ合金薄膜が得られる
ことが報告されている。この構造の場合には、電極薄膜
と下地金属との材料が同じＡｌないしＡｌ合金からなる
ため、材料の違いからくるエッチング残渣の発生という
問題はなくなるものの、下地層をアモルファス状あるい
は微細流組織に形成させなくてはならないという点で、
大がかりな装置改造、作業工程の増加、作業時間の増大
などが要求され、作成プロセス面で手間がかかってしま
うという問題がある。
【０００５】本発明は、上記従来例の欠点を解決するた
めのもので、その目的は、ＡｌあるいはＡｌ合金の配向
性を低下させることなく、かつ、Ａｌと同じエッチング
液で残渣を残さずにエッチングできる下地金属膜を提供
し、電極間ショートがなく、耐電力性に優れた弾性表面
波装置を提供することにある。
めのもので、その目的は、ＡｌあるいはＡｌ合金の配向
性を低下させることなく、かつ、Ａｌと同じエッチング
液で残渣を残さずにエッチングできる下地金属膜を提供
し、電極間ショートがなく、耐電力性に優れた弾性表面
波装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による弾性表面波
装置は、図１に示すように、チタン（Ｔｉ）、バナジウ
ム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム
（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、ランタン（Ｌ
ａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タング
ステン（Ｗ）等で代表されるいずれかの遷移金属、ある
いはこれらの２種類以上より成る合金に、０．５〜５重
量％のＳｉを添加した合金を下地膜とし、この上にＡｌ
またはＡｌ系合金を堆積してなる高配向Ａｌ電極を有す
る弾性表面波装置である。ここで、Ｓｉ添加の合金下地
膜の膜厚は、この上に堆積するＡｌまたはＡｌ系合金膜
が（１１１）に強く配向させるためには、０．１〜数nm
の範囲にあることが望ましい。
装置は、図１に示すように、チタン（Ｔｉ）、バナジウ
ム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム
（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、ランタン（Ｌ
ａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タング
ステン（Ｗ）等で代表されるいずれかの遷移金属、ある
いはこれらの２種類以上より成る合金に、０．５〜５重
量％のＳｉを添加した合金を下地膜とし、この上にＡｌ
またはＡｌ系合金を堆積してなる高配向Ａｌ電極を有す
る弾性表面波装置である。ここで、Ｓｉ添加の合金下地
膜の膜厚は、この上に堆積するＡｌまたはＡｌ系合金膜
が（１１１）に強く配向させるためには、０．１〜数nm
の範囲にあることが望ましい。
【０００７】
【作用】本発明者らは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ等の遷移金属
下地膜の場合、微量のＳｉをこれに添加すると残渣を残
さずに下地金属膜までエッチングできることを発見し、
本発明に至った。一般に、下地膜金属に用いる遷移金属
はＳｉと反応しやすく、このために、Ｓｉを下地膜金属
に微量添加することによって、ＡｌあるいはＡｌ合金膜
のエッチング液でも容易にエッチングされる状態に変わ
ったものと考えられる。
下地膜の場合、微量のＳｉをこれに添加すると残渣を残
さずに下地金属膜までエッチングできることを発見し、
本発明に至った。一般に、下地膜金属に用いる遷移金属
はＳｉと反応しやすく、このために、Ｓｉを下地膜金属
に微量添加することによって、ＡｌあるいはＡｌ合金膜
のエッチング液でも容易にエッチングされる状態に変わ
ったものと考えられる。
【０００８】Ｓｉ添加の合金下地膜の膜厚は、０．３〜
数nmの範囲にあることが望ましい。これよりも薄くても
厚くても、この上に堆積するＡｌあるいはＡｌ合金膜の
配向性は低下してしまう。また、下地膜が厚くなると、
たとえＳｉの添加によって下地膜金属のエッチング性が
高まったとしても、ＡｌあるいはＡｌ系合金に比べれ
ば、下地金属の方がエッチングされにくいので、下地膜
が厚くなると、残渣を残さないようにエッチングするた
めにはエッチング時間を長くせねばならず、その結果、
ＡｌあるいはＡｌ系合金の電極幅が小さくなってしま
い、設計値通りの特性を持った弾性表面波装置を製造す
るのが難しくなる。本発明の０．５〜５重量％のＳｉを
添加した金属下地膜は、下地膜としての効果、すなわ
ち、この上に堆積したＡｌあるいはＡｌ合金膜を高配向
化させる効果は、下地膜の膜厚が上記の範囲であれば、
Ｓｉを添加していない場合と全く変わりがない。また、
Ｓｉの添加量は下地膜のエッチング性ならびにＡｌある
いはＡｌ合金膜の配向性に影響し、０．５重量％より少
ないと、エッチング残渣が生じ、５重量％より多いと、
ＡｌあるいはＡｌ合金の配向性が低下するばかりでな
く、Ｓｉがエッチング残渣が生じてしまうので好ましく
ない。
数nmの範囲にあることが望ましい。これよりも薄くても
厚くても、この上に堆積するＡｌあるいはＡｌ合金膜の
配向性は低下してしまう。また、下地膜が厚くなると、
たとえＳｉの添加によって下地膜金属のエッチング性が
高まったとしても、ＡｌあるいはＡｌ系合金に比べれ
ば、下地金属の方がエッチングされにくいので、下地膜
が厚くなると、残渣を残さないようにエッチングするた
めにはエッチング時間を長くせねばならず、その結果、
ＡｌあるいはＡｌ系合金の電極幅が小さくなってしま
い、設計値通りの特性を持った弾性表面波装置を製造す
るのが難しくなる。本発明の０．５〜５重量％のＳｉを
添加した金属下地膜は、下地膜としての効果、すなわ
ち、この上に堆積したＡｌあるいはＡｌ合金膜を高配向
化させる効果は、下地膜の膜厚が上記の範囲であれば、
Ｓｉを添加していない場合と全く変わりがない。また、
Ｓｉの添加量は下地膜のエッチング性ならびにＡｌある
いはＡｌ合金膜の配向性に影響し、０．５重量％より少
ないと、エッチング残渣が生じ、５重量％より多いと、
ＡｌあるいはＡｌ合金の配向性が低下するばかりでな
く、Ｓｉがエッチング残渣が生じてしまうので好ましく
ない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明について実施例を用いて説明す
る。なお以下の実施例においては、電極は、特開平５−
９０２６８号公報に記載されているイオンビームスパッ
タ法により作製した。
る。なお以下の実施例においては、電極は、特開平５−
９０２６８号公報に記載されているイオンビームスパッ
タ法により作製した。
【００１０】（実施例１）０〜８重量％のＳｉを添加し
たＣｕ−Ｓｉ合金ターゲットとＡｌ−０．５重量％Ｃｕ
合金（以下、Ａｌ−０．５％Ｃｕと記す）ターゲットを
備えたイオンビームスパッタ装置で、Ｃｕ−Ｓｉ合金下
地膜上にＡｌ−０．５％Ｃｕ膜をイオンビームスパッタ
法により作製し、Ｘ線回折により配向度の指標となるＡ
ｌ（１１１）ピークのロッキングカーブ半値幅を測定し
た。ここで、下地膜およびＡｌ−０．５％Ｃｕ合金膜の
膜厚は、それぞれ０．４nm、１００nmとした。さらに、
これらの膜を用いて、６７４ＭＨｚ帯の弾性表面波フィ
ルターを作製し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、
電極間の残渣有無を任意に選んだ１０個のフィルターで
詳細に調べた。なお、エッチング加工は、温度５５℃の
リン酸（１００％）溶液に浸漬することにより行った。
表１に、それぞれの下地膜上に形成したＡｌ−０．５
％Ｃｕ膜のＡｌ（１１１）ロッキングカーブの半値幅及
びエッチング残渣の有無を示す。Ｃｕ下地膜に添加した
Ｓｉが０．５〜５重量％の範囲内であれば、電極膜の配
向性が低下させることなく、エッチング残渣が生じない
ことが分かる。本実施例においては、下地膜上に形成す
るＡｌあるいはＡｌ系合金として、Ａｌ−０．５％Ｃｕ
合金の実施例について述べたが、純Ａｌ、Ａｌ−２％Ｃ
ｕ合金、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ合金、Ａｌ−１
％Ｔｉ合金、Ａｌ−２％Ｐｄ合金であっても同様の結果
が得られた。
たＣｕ−Ｓｉ合金ターゲットとＡｌ−０．５重量％Ｃｕ
合金（以下、Ａｌ−０．５％Ｃｕと記す）ターゲットを
備えたイオンビームスパッタ装置で、Ｃｕ−Ｓｉ合金下
地膜上にＡｌ−０．５％Ｃｕ膜をイオンビームスパッタ
法により作製し、Ｘ線回折により配向度の指標となるＡ
ｌ（１１１）ピークのロッキングカーブ半値幅を測定し
た。ここで、下地膜およびＡｌ−０．５％Ｃｕ合金膜の
膜厚は、それぞれ０．４nm、１００nmとした。さらに、
これらの膜を用いて、６７４ＭＨｚ帯の弾性表面波フィ
ルターを作製し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、
電極間の残渣有無を任意に選んだ１０個のフィルターで
詳細に調べた。なお、エッチング加工は、温度５５℃の
リン酸（１００％）溶液に浸漬することにより行った。
表１に、それぞれの下地膜上に形成したＡｌ−０．５
％Ｃｕ膜のＡｌ（１１１）ロッキングカーブの半値幅及
びエッチング残渣の有無を示す。Ｃｕ下地膜に添加した
Ｓｉが０．５〜５重量％の範囲内であれば、電極膜の配
向性が低下させることなく、エッチング残渣が生じない
ことが分かる。本実施例においては、下地膜上に形成す
るＡｌあるいはＡｌ系合金として、Ａｌ−０．５％Ｃｕ
合金の実施例について述べたが、純Ａｌ、Ａｌ−２％Ｃ
ｕ合金、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ合金、Ａｌ−１
％Ｔｉ合金、Ａｌ−２％Ｐｄ合金であっても同様の結果
が得られた。
【００１１】
【表１】
【００１２】（実施例２）実施例１において、残渣の生
じなかったＣｕ−１．０ｗｔ．％Ｓｉ下地膜について、
膜厚を変えたＣｕ−１．０ｗｔ．％Ｓｉ下地膜上に、１
００nmのＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ合金を堆積し、
Ａｌ（１１１）のロッキングカーブ半値幅を測定した。
表２に示すとおり、Ｃｕ−１．０ｗｔ．％Ｓｉ下地膜の
膜厚が、０．１〜１nmの場合にこの上に堆積したＡｌ−
１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ合金が（１１１）に高配向化す
ることがわかる。
じなかったＣｕ−１．０ｗｔ．％Ｓｉ下地膜について、
膜厚を変えたＣｕ−１．０ｗｔ．％Ｓｉ下地膜上に、１
００nmのＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ合金を堆積し、
Ａｌ（１１１）のロッキングカーブ半値幅を測定した。
表２に示すとおり、Ｃｕ−１．０ｗｔ．％Ｓｉ下地膜の
膜厚が、０．１〜１nmの場合にこの上に堆積したＡｌ−
１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ合金が（１１１）に高配向化す
ることがわかる。
【００１３】
【表２】
【００１４】（実施例３）下地金属に用いる遷移金属と
して、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃ
ｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニ
オブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、ランタン（Ｌａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタ
ル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）について、Ｓｉの添加
量と、これらのＳｉ添加遷移金属下地膜（膜厚は、０．
５nm）上に堆積したＡｌ−２％Ｃｕ合金膜（膜厚は、１
００nm）のＡｌ（１１１）ピークのロッキングカーブ半
値幅ならびに、電極加工後（エッチング液は、温度５５
℃のリン酸（１００％）溶液を用いた）の残渣の有無を
調べたところ、実施例１とほぼ同様な結果が得られた。
すなわち、Ｓｉの添加量がが０．５〜５重量％の範囲内
であれば、遷移金属の種類によらず、Ａｌ−２．０％Ｃ
ｕ膜の配向性を低下させることなく、エッチング残渣の
ない電極加工ができることが分かった。本実施例におい
ては、下地膜上に形成するＡｌあるいはＡｌ系合金とし
て、Ａｌ−２％Ｃｕ合金の実施例について述べたが、純
Ａｌ、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．
５％Ｃｕ合金、Ａｌ−１％Ｔｉ合金、Ａｌ−２％Ｐｄ合
金であっても同様の結果が得られた。
して、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃ
ｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニ
オブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、ランタン（Ｌａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタ
ル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）について、Ｓｉの添加
量と、これらのＳｉ添加遷移金属下地膜（膜厚は、０．
５nm）上に堆積したＡｌ−２％Ｃｕ合金膜（膜厚は、１
００nm）のＡｌ（１１１）ピークのロッキングカーブ半
値幅ならびに、電極加工後（エッチング液は、温度５５
℃のリン酸（１００％）溶液を用いた）の残渣の有無を
調べたところ、実施例１とほぼ同様な結果が得られた。
すなわち、Ｓｉの添加量がが０．５〜５重量％の範囲内
であれば、遷移金属の種類によらず、Ａｌ−２．０％Ｃ
ｕ膜の配向性を低下させることなく、エッチング残渣の
ない電極加工ができることが分かった。本実施例におい
ては、下地膜上に形成するＡｌあるいはＡｌ系合金とし
て、Ａｌ−２％Ｃｕ合金の実施例について述べたが、純
Ａｌ、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．
５％Ｃｕ合金、Ａｌ−１％Ｔｉ合金、Ａｌ−２％Ｐｄ合
金であっても同様の結果が得られた。
【００１５】（実施例４）１ｗｔ．％のＳｉを添加した
実施例３の遷移金属下地膜の膜厚を変えて、この上に２
００nmのＡｌ−１％Ｔｉ合金を堆積させた電極膜につい
て、実施例１あるいは３と同様、Ａｌ（１１１）ピーク
のロッキングカーブ半値幅、ならびに、エッチング残渣
の有無を調べた。表３に、１ｗｔ．％のＳｉを添加した
遷移金属下地膜に対して、Ａｌ−１％Ｔｉ膜が高配向化
する下地膜厚の領域、ならびに下地膜のエッチング残渣
を残さない下地膜厚の領域を示す。ここで、Ａｌ（１１
１）ロッキングカーブの半値幅が４．０度以下の場合を
高配向と定義した。また、エッチング残渣の有無は、任
意に選んだ１０個のフィルターのうち、エッチング残渣
のあるフィルターが１個以下の場合を残渣無しと判定し
た。なお、電極加工のエッチングには、温度５５℃のリ
ン酸（１００％）溶液を用いた。表３からわかるとお
り、Ａｌ−１％Ｔｉ膜が高配向を示し、かつ、エッチン
グ残渣を生じさせない、１ｗｔ．％のＳｉを添加した遷
移金属下地膜の膜厚は、遷移金属の種類によって多少違
いがあるものの、０．１〜数nmの範囲内である。
実施例３の遷移金属下地膜の膜厚を変えて、この上に２
００nmのＡｌ−１％Ｔｉ合金を堆積させた電極膜につい
て、実施例１あるいは３と同様、Ａｌ（１１１）ピーク
のロッキングカーブ半値幅、ならびに、エッチング残渣
の有無を調べた。表３に、１ｗｔ．％のＳｉを添加した
遷移金属下地膜に対して、Ａｌ−１％Ｔｉ膜が高配向化
する下地膜厚の領域、ならびに下地膜のエッチング残渣
を残さない下地膜厚の領域を示す。ここで、Ａｌ（１１
１）ロッキングカーブの半値幅が４．０度以下の場合を
高配向と定義した。また、エッチング残渣の有無は、任
意に選んだ１０個のフィルターのうち、エッチング残渣
のあるフィルターが１個以下の場合を残渣無しと判定し
た。なお、電極加工のエッチングには、温度５５℃のリ
ン酸（１００％）溶液を用いた。表３からわかるとお
り、Ａｌ−１％Ｔｉ膜が高配向を示し、かつ、エッチン
グ残渣を生じさせない、１ｗｔ．％のＳｉを添加した遷
移金属下地膜の膜厚は、遷移金属の種類によって多少違
いがあるものの、０．１〜数nmの範囲内である。
【００１６】
【表３】
【００１７】（実施例５）下地金属として、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｐｄ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗより選ばれた２種類以
上の遷移金属よりなる合金を用いた場合について、Ｓｉ
の添加量と、これらのＳｉ添加遷移金属合金下地膜（膜
厚は、０．５nm）上に堆積したＡｌ−２％Ｐｄ合金膜
（膜厚は、１００nm）のＡｌ（１１１）ピークのロッキ
ングカーブ半値幅ならびに、電極加工後（エッチング液
は、温度２５℃の硝酸（４０％）溶液を用いた）の残渣
の有無を調べたところ、実施例１あるいは実施例３とほ
ぼ同様な結果が得られた。すなわち、Ｓｉの添加量がが
０．５〜５重量％の範囲内であれば、遷移金属合金の種
類によらず、Ａｌ−２％Ｐｄ膜の配向性を低下させるこ
となく、エッチング残渣のない電極加工ができることが
分かった。本実施例においては、下地膜上に形成するＡ
ｌあるいはＡｌ系合金として、Ａｌ−２％Ｐｄ合金の実
施例について述べたが、純Ａｌ、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合
金、Ａｌ−２％Ｃｕ合金、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃ
ｕ合金、Ａｌ−１％Ｔｉ合金であっても同様の結果が得
られた。
Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｐｄ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗより選ばれた２種類以
上の遷移金属よりなる合金を用いた場合について、Ｓｉ
の添加量と、これらのＳｉ添加遷移金属合金下地膜（膜
厚は、０．５nm）上に堆積したＡｌ−２％Ｐｄ合金膜
（膜厚は、１００nm）のＡｌ（１１１）ピークのロッキ
ングカーブ半値幅ならびに、電極加工後（エッチング液
は、温度２５℃の硝酸（４０％）溶液を用いた）の残渣
の有無を調べたところ、実施例１あるいは実施例３とほ
ぼ同様な結果が得られた。すなわち、Ｓｉの添加量がが
０．５〜５重量％の範囲内であれば、遷移金属合金の種
類によらず、Ａｌ−２％Ｐｄ膜の配向性を低下させるこ
となく、エッチング残渣のない電極加工ができることが
分かった。本実施例においては、下地膜上に形成するＡ
ｌあるいはＡｌ系合金として、Ａｌ−２％Ｐｄ合金の実
施例について述べたが、純Ａｌ、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合
金、Ａｌ−２％Ｃｕ合金、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃ
ｕ合金、Ａｌ−１％Ｔｉ合金であっても同様の結果が得
られた。
【００１８】（実施例６）１ｗｔ．％のＳｉを添加した
遷移金属合金下地膜の膜厚を変えて、この上に２００nm
のＡｌ−１％Ｔｉ合金を堆積させた電極膜について、実
施例４と同様、Ａｌ（１１１）ピークのロッキングカー
ブ半値幅、ならびに、エッチング残渣の有無を調べた。
表４に、１ｗｔ．％のＳｉを添加した遷移金属下地膜に
対して、Ａｌ−１％Ｔｉ膜が高配向化する下地膜厚の領
域、ならびに下地膜のエッチング残渣を残さない下地膜
厚の領域を示す。ここで、高配向とは、Ａｌ（１１１）
ロッキングカーブの半値幅が４．０度以下と定義した。
また、エッチング残渣の有無は、任意に選んだ１０個の
フィルターの内、エッチング残渣のあるフィルターが１
個以下の場合を残渣無しと判定した。なお、電極加工の
エッチングには、温度２５℃の硝酸（４０％）溶液を用
いた。表３からわかるとおり、Ａｌ−１％Ｔｉ膜が高配
向を示し、かつ、エッチング残渣を生じさせない、１ｗ
ｔ．％のＳｉを添加した遷移金属下地膜の膜厚は、遷移
金属の種類によって多少違いがあるものの、０．１〜数
nmの範囲内である。
遷移金属合金下地膜の膜厚を変えて、この上に２００nm
のＡｌ−１％Ｔｉ合金を堆積させた電極膜について、実
施例４と同様、Ａｌ（１１１）ピークのロッキングカー
ブ半値幅、ならびに、エッチング残渣の有無を調べた。
表４に、１ｗｔ．％のＳｉを添加した遷移金属下地膜に
対して、Ａｌ−１％Ｔｉ膜が高配向化する下地膜厚の領
域、ならびに下地膜のエッチング残渣を残さない下地膜
厚の領域を示す。ここで、高配向とは、Ａｌ（１１１）
ロッキングカーブの半値幅が４．０度以下と定義した。
また、エッチング残渣の有無は、任意に選んだ１０個の
フィルターの内、エッチング残渣のあるフィルターが１
個以下の場合を残渣無しと判定した。なお、電極加工の
エッチングには、温度２５℃の硝酸（４０％）溶液を用
いた。表３からわかるとおり、Ａｌ−１％Ｔｉ膜が高配
向を示し、かつ、エッチング残渣を生じさせない、１ｗ
ｔ．％のＳｉを添加した遷移金属下地膜の膜厚は、遷移
金属の種類によって多少違いがあるものの、０．１〜数
nmの範囲内である。
【００１９】
【表４】
【００２０】以上の実施例においては、イオンビームス
パッタ法で作製した弾性表面波装置について説明した
が、電極の作製法はイオンビームスパッタ法に限定され
るものではなく、蒸着法あるいは通常のスパッタ法にお
いてもほとんど同様の結果が得られた。
パッタ法で作製した弾性表面波装置について説明した
が、電極の作製法はイオンビームスパッタ法に限定され
るものではなく、蒸着法あるいは通常のスパッタ法にお
いてもほとんど同様の結果が得られた。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＳｉを０．
５〜５重量％添加した遷移金属あるいはそれらよりなる
合金の下地膜は、ＡｌあるいはＡｌ合金の配向性を低下
させることなく、かつ、Ａｌと同じエッチング液で残渣
を残さずにエッチングできるために、電極間ショートが
なく、耐電力性に優れた弾性表面波装置を提供できるも
のである。
５〜５重量％添加した遷移金属あるいはそれらよりなる
合金の下地膜は、ＡｌあるいはＡｌ合金の配向性を低下
させることなく、かつ、Ａｌと同じエッチング液で残渣
を残さずにエッチングできるために、電極間ショートが
なく、耐電力性に優れた弾性表面波装置を提供できるも
のである。
【図１】本発明の電極膜の構成図である。
１ 基板 ２ 遷移金属に０．５〜５重量％Ｓｉを添加した下地金
属膜 ３ （１１１）配向Ａｌ膜
属膜 ３ （１１１）配向Ａｌ膜
Claims (2)
- 【請求項１】下地膜とこの上に堆積したアルミニウム
（Ａｌ）またはＡｌ系合金より成る電極において、該下
地膜が、金属Ｍに０．５〜５重量％のシリコン（Ｓｉ）
を添加してなるＭ−Ｓｉ合金であり、金属Ｍは遷移金属
のいずれか１種、あるいはそれらの二種類以上よりなる
合金であって、該ＡｌまたはＡｌ系合金が（１１１）配
向であることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】Ｍ−Ｓｉ合金下地膜の膜厚が０．３〜３nm
であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7146187A JPH08340233A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7146187A JPH08340233A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08340233A true JPH08340233A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15402109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7146187A Pending JPH08340233A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08340233A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388361B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-05-14 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device and process for manufacturing the same |
| US6407486B1 (en) | 1999-05-31 | 2002-06-18 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave device |
| US6486591B2 (en) | 2000-12-14 | 2002-11-26 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| CN104600189A (zh) * | 2013-10-30 | 2015-05-06 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
-
1995
- 1995-06-13 JP JP7146187A patent/JPH08340233A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6407486B1 (en) | 1999-05-31 | 2002-06-18 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave device |
| US6388361B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-05-14 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device and process for manufacturing the same |
| DE10046414B4 (de) * | 1999-10-18 | 2004-04-01 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren zum Herstellen einer akustischen Oberflächenwellenvorrichtung |
| US6486591B2 (en) | 2000-12-14 | 2002-11-26 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| CN104600189A (zh) * | 2013-10-30 | 2015-05-06 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
| JP2015088896A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US9406862B2 (en) | 2013-10-30 | 2016-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device including multilayer metal film |
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