JPH0834200B2 - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPH0834200B2 JPH0834200B2 JP60123497A JP12349785A JPH0834200B2 JP H0834200 B2 JPH0834200 B2 JP H0834200B2 JP 60123497 A JP60123497 A JP 60123497A JP 12349785 A JP12349785 A JP 12349785A JP H0834200 B2 JPH0834200 B2 JP H0834200B2
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- Japan
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- etching
- glass
- layer
- gas
- material layer
- Prior art date
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はエッチング方法に関する。本発明のエッチン
グ方法は、例えば半導体製造プロセスにおけるエッチン
グ技術に利用でき、その他各種産業におけるエッチング
技術に適用できるものである。
グ方法は、例えば半導体製造プロセスにおけるエッチン
グ技術に利用でき、その他各種産業におけるエッチング
技術に適用できるものである。
本発明のエッチング方法は、半導体基板上のガラス系
物により成る層の表面にフッ素系エッチングガスを選択
的に吸着させ、該吸着部分を水により処理して該吸着部
分を除去する手段をとることによって、ダメージや汚染
の小さなエッチング方法としたものである。
物により成る層の表面にフッ素系エッチングガスを選択
的に吸着させ、該吸着部分を水により処理して該吸着部
分を除去する手段をとることによって、ダメージや汚染
の小さなエッチング方法としたものである。
エッチング技術は従来より有用な技術として各種産業
に用いられているが、未だ解決されるべき問題がある。
に用いられているが、未だ解決されるべき問題がある。
例えば、反応性イオンエッチング（RIE）法は、下地
との選択性がとれる異方性エッチングが可能なことか
ら、VLSI化の進む半導体の微細加工技術として、極めて
重要なものになっている。しかしRIE法を用いると、自
己バイアス電圧によって加速された荷電粒子により基板
（Si基板など）がダメージを受けることがあり、またRI
Eのためのエッチングガスの構成元素に起因して汚染が
生じることがあるなど、RIEの本質に基づいた問題があ
る。従ってRIE法をそのまま用いて半導体デバイスなど
を製作すると、製品の電気的特性に重大な欠陥が及ぼさ
れる場合がある。
との選択性がとれる異方性エッチングが可能なことか
ら、VLSI化の進む半導体の微細加工技術として、極めて
重要なものになっている。しかしRIE法を用いると、自
己バイアス電圧によって加速された荷電粒子により基板
（Si基板など）がダメージを受けることがあり、またRI
Eのためのエッチングガスの構成元素に起因して汚染が
生じることがあるなど、RIEの本質に基づいた問題があ
る。従ってRIE法をそのまま用いて半導体デバイスなど
を製作すると、製品の電気的特性に重大な欠陥が及ぼさ
れる場合がある。
例えばその具体例としては、Si基板上のSiO2膜をCHF3
ガスを用いてRIEし、その後半導体デバイスを製作する
と、電極（Alなど）と拡散層とのコンタクト抵抗が増大
したり、Si基板中の少数キャリアのリコンビネーション
・ラフタイムが減少したりするなど、電気的特性への悪
影響が生ずることがある。これを防ぐため、従来は次の
ような手段が講じられていた。
ガスを用いてRIEし、その後半導体デバイスを製作する
と、電極（Alなど）と拡散層とのコンタクト抵抗が増大
したり、Si基板中の少数キャリアのリコンビネーション
・ラフタイムが減少したりするなど、電気的特性への悪
影響が生ずることがある。これを防ぐため、従来は次の
ような手段が講じられていた。
RIEの条件を変えて、ダメージが小さく、汚染も生
じにくいように設定する。
じにくいように設定する。
RIEを途中で止め、数100ÅのSiO2を残してこの部分
はダメージの生じない他の手段でエッチングする。
はダメージの生じない他の手段でエッチングする。
RIE後のSi基板を、汚染・損傷の生じない方法でエ
ッチングし、Si基板中の汚染損傷層を除去する。
ッチングし、Si基板中の汚染損傷層を除去する。
以上〜等の手段があるが、を採用しようとする
と、微細加工に必要なエッチングの異方性、下地との選
択性、エッチング均一性及びプロセスに見合った適度の
プロセス速度のすべてを同時に満たすRIE条件の設定は
極めて困難であり、事実上実施は難しい。では制御性
良く数100ÅのSiO2を残すことが困難で、また残りのSiO
2を除去する手段として溶液エッチングを用いると結果
的にRIE加工した部分のSiO2もエッチングしてしまい、
微細加工上問題が残ることになる。は種々の方法で実
用化されているが、Si中のダメージ層の深さは500Åに
も及ぶことがあり、0.1μ程度の薄さでジャンクション
をとる構造が主流になると考えられる今後の半導体デバ
イス技術では、汚染層・損傷層が生じたからといってこ
れを500Åもエッチング除去するわけにはゆかず、かつ
このエッチング除去に溶液エッチングなどの手段を用い
ると、上記の問題点で述べたとおり、RIE加工した部
分もエッチングしてしまうため微細加工の要請に反する
ということになる。
と、微細加工に必要なエッチングの異方性、下地との選
択性、エッチング均一性及びプロセスに見合った適度の
プロセス速度のすべてを同時に満たすRIE条件の設定は
極めて困難であり、事実上実施は難しい。では制御性
良く数100ÅのSiO2を残すことが困難で、また残りのSiO
2を除去する手段として溶液エッチングを用いると結果
的にRIE加工した部分のSiO2もエッチングしてしまい、
微細加工上問題が残ることになる。は種々の方法で実
用化されているが、Si中のダメージ層の深さは500Åに
も及ぶことがあり、0.1μ程度の薄さでジャンクション
をとる構造が主流になると考えられる今後の半導体デバ
イス技術では、汚染層・損傷層が生じたからといってこ
れを500Åもエッチング除去するわけにはゆかず、かつ
このエッチング除去に溶液エッチングなどの手段を用い
ると、上記の問題点で述べたとおり、RIE加工した部
分もエッチングしてしまうため微細加工の要請に反する
ということになる。
上記のような背景から、エッチング技術においては、
異方性エッチングが可能であって、しかも従来よりダメ
ージが小さく、汚染の小さいエッチング方法の確立が強
く望まれている。
異方性エッチングが可能であって、しかも従来よりダメ
ージが小さく、汚染の小さいエッチング方法の確立が強
く望まれている。
〔問題を解決する技術的手段〕 上述の問題点を解決するため、本願の第１の発明にお
いては、第１図に示すように、半導体基板上の化学的に
活性な材料であるガラス系の物質（第１図に示す工程Ｉ
参照）により成る層の表面をフッ素系エッチングガスに
曝し（同工程II）、該表面にフッ素系エッチングガスを
吸着させ（同工程III）、該吸着部分を水によって処理
して該吸着部分を除去する（工程IV）という技術的手段
をとる。
いては、第１図に示すように、半導体基板上の化学的に
活性な材料であるガラス系の物質（第１図に示す工程Ｉ
参照）により成る層の表面をフッ素系エッチングガスに
曝し（同工程II）、該表面にフッ素系エッチングガスを
吸着させ（同工程III）、該吸着部分を水によって処理
して該吸着部分を除去する（工程IV）という技術的手段
をとる。
また本願の第２の発明においては、半導体基板上に不
純物を含んだガラス系の物質層を形成し（同じく工程
Ｉ）、該不純物を含んだガラス系の物質層上に少なくと
も１層の膜を形成し、（同工程II a）、該不純物を含ん
だガラス系の物質層上の膜を異方性エッチングして溝を
形成し（工程II b）、該不純物を含んだガラス系の物質
層をエッチングガスに曝し（工程にII c）、該不純物を
含んだ層の雰囲気の圧力を変化させることによりエッチ
ングガスを上記溝底部の上記不純物を含んだガラス系の
物質層に吸着させ（工程II）（ガラス系の物質層は、上
記溝の底部として結果的に露出している）、吸着された
部分を水により処理して該吸着部分をエッチングする
（工程IV）という技術的段をとる。
純物を含んだガラス系の物質層を形成し（同じく工程
Ｉ）、該不純物を含んだガラス系の物質層上に少なくと
も１層の膜を形成し、（同工程II a）、該不純物を含ん
だガラス系の物質層上の膜を異方性エッチングして溝を
形成し（工程II b）、該不純物を含んだガラス系の物質
層をエッチングガスに曝し（工程にII c）、該不純物を
含んだ層の雰囲気の圧力を変化させることによりエッチ
ングガスを上記溝底部の上記不純物を含んだガラス系の
物質層に吸着させ（工程II）（ガラス系の物質層は、上
記溝の底部として結果的に露出している）、吸着された
部分を水により処理して該吸着部分をエッチングする
（工程IV）という技術的段をとる。
本発明に係るエッチング方法の構成について、第２図
乃至第６図の例示を参照して説明すると、次の通りであ
る。なお各図とも断面状態であるが、ハッチングは省略
した。
乃至第６図の例示を参照して説明すると、次の通りであ
る。なお各図とも断面状態であるが、ハッチングは省略
した。
まず工程１で第２図のように、基板１上にガラス系の
物質（活性な材料）により成る層２（例えば不純物を含
んだ、Asをドープしたガラスその他）を形成する。次に
第３図に示す如く工程II aとして該活性材料層（ガラス
系物質層）２上に少なくとも１層の膜（第３図の例では
シリコンナイトライド膜31とシリコン酸化膜32の２層の
膜。なおシリコンナイトライドはSiとＮとの比が特定で
きない物質、シリコン酸化物はSiとＯとの比が特定でき
ない物質も包含する。）を形成する。次いで工程II bに
おいて膜に溝を形成するのであるが、図示の例示ではま
ず第４図（ａ）のように膜31,32の上にフォトレジスト
層４を形成する。この場合溝を形成すべき部分の上には
レジスト層４を設けないように、パターニングする。次
に第４図（ｂ）の如くシリコン酸化膜32をエッチング
し、次いで第４図（ｃ）の如くシリコンナイトライド膜
31をエッチングして、溝５を形成する。第４図（ｃ）の
状態で、露出した活性材料層（ガラス系物質層）２をフ
ッ素系エッチングガスに曝す（工程II c）。次に、活性
材料層（ガラス系物質層）２の雰囲気の状態を変化させ
ること、特に雰囲気の圧力を変化させることにより、活
性材料層（ガラス系物質層）２の表面にフッ素系エッチ
ングガスを吸着させる（工程III）。この状態を第５図
に示した。次に工程IVにおいて、フッ素系エッチングガ
スが吸着された部分を、水で処理することにより、吸着
部分をエッチングする。工程IVにより第６図の構造を得
る。
物質（活性な材料）により成る層２（例えば不純物を含
んだ、Asをドープしたガラスその他）を形成する。次に
第３図に示す如く工程II aとして該活性材料層（ガラス
系物質層）２上に少なくとも１層の膜（第３図の例では
シリコンナイトライド膜31とシリコン酸化膜32の２層の
膜。なおシリコンナイトライドはSiとＮとの比が特定で
きない物質、シリコン酸化物はSiとＯとの比が特定でき
ない物質も包含する。）を形成する。次いで工程II bに
おいて膜に溝を形成するのであるが、図示の例示ではま
ず第４図（ａ）のように膜31,32の上にフォトレジスト
層４を形成する。この場合溝を形成すべき部分の上には
レジスト層４を設けないように、パターニングする。次
に第４図（ｂ）の如くシリコン酸化膜32をエッチング
し、次いで第４図（ｃ）の如くシリコンナイトライド膜
31をエッチングして、溝５を形成する。第４図（ｃ）の
状態で、露出した活性材料層（ガラス系物質層）２をフ
ッ素系エッチングガスに曝す（工程II c）。次に、活性
材料層（ガラス系物質層）２の雰囲気の状態を変化させ
ること、特に雰囲気の圧力を変化させることにより、活
性材料層（ガラス系物質層）２の表面にフッ素系エッチ
ングガスを吸着させる（工程III）。この状態を第５図
に示した。次に工程IVにおいて、フッ素系エッチングガ
スが吸着された部分を、水で処理することにより、吸着
部分をエッチングする。工程IVにより第６図の構造を得
る。
上記のように本発明は、活性な材料により成る層乃至
は不純物を含んだ層であるガラス系物質層にフッ素系エ
ッチングガスを吸着させ、吸着後該吸着部分を水により
処理して該吸着された部分を除去させるので、吸着部分
のみを選択的にエッチングすることが可能である。従っ
て、本発明の方法をRIE技術などのエッチング方法と併
用すれば、RIEの微細加工性を損なわずに必要な選択性
エッチングが達成できる。かつ本発明の方法は、フッ素
系エッチングガスの吸着現象を利用するので、基板への
ダメージも汚染も生じない。
は不純物を含んだ層であるガラス系物質層にフッ素系エ
ッチングガスを吸着させ、吸着後該吸着部分を水により
処理して該吸着された部分を除去させるので、吸着部分
のみを選択的にエッチングすることが可能である。従っ
て、本発明の方法をRIE技術などのエッチング方法と併
用すれば、RIEの微細加工性を損なわずに必要な選択性
エッチングが達成できる。かつ本発明の方法は、フッ素
系エッチングガスの吸着現象を利用するので、基板への
ダメージも汚染も生じない。
以下本発明の一実施例を説明する。
この実施例は、ガラス系の物質としてリンやヒ素をド
ープしたガラスを用いて層を形成し（以下「活性材料層
２」と称する）、これをフッ素系の反応性ガスを用いて
エッチングする場合に、本発明を具体化したものであ
る。本実施例は、本発明者らが発見した以下記すような
興味深い現象に基づく。
ープしたガラスを用いて層を形成し（以下「活性材料層
２」と称する）、これをフッ素系の反応性ガスを用いて
エッチングする場合に、本発明を具体化したものであ
る。本実施例は、本発明者らが発見した以下記すような
興味深い現象に基づく。
即ち、Si基板上に形成されたPSG（リンシリケートガ
ラス）やAsSG（ヒ素シリケートガラス）等の、不純物を
ドープした酸化物を、SiO2用の反応性イオンエッチング
装置のチャンバー内に置き、数分間放置後、チャンバー
内をパージして大気圧とし、前記基板を流水処理する
と、Si基板上の上記活性なPSGやAsSGなどが数百Å〜数
千Åの深さまでエッチングされていたのである。この現
象は、RIE装置内チャンバー内のエッチングガスに起因
する残留ガス（特にSiO2のエッチャントとなるようなＦ
系のもの）が、チャンバー内をパージする際の急激な圧
力変化で活性な材料の表面に吸着し、これが流水中でH2
Oと反応してHFを形成して、ガス吸着された部分だけが
選択的にエッチングされたものと解釈される。
ラス）やAsSG（ヒ素シリケートガラス）等の、不純物を
ドープした酸化物を、SiO2用の反応性イオンエッチング
装置のチャンバー内に置き、数分間放置後、チャンバー
内をパージして大気圧とし、前記基板を流水処理する
と、Si基板上の上記活性なPSGやAsSGなどが数百Å〜数
千Åの深さまでエッチングされていたのである。この現
象は、RIE装置内チャンバー内のエッチングガスに起因
する残留ガス（特にSiO2のエッチャントとなるようなＦ
系のもの）が、チャンバー内をパージする際の急激な圧
力変化で活性な材料の表面に吸着し、これが流水中でH2
Oと反応してHFを形成して、ガス吸着された部分だけが
選択的にエッチングされたものと解釈される。
この実施例は、上記のガス吸着現象を利用すれば半導
体基板中に汚染乃至は損傷層を生じさせず、しかもRIE
を用いる場合にはその異方性・微細加工性を損なわずに
エッチングができるという知見に基づくものである。
体基板中に汚染乃至は損傷層を生じさせず、しかもRIE
を用いる場合にはその異方性・微細加工性を損なわずに
エッチングができるという知見に基づくものである。
まず第２図を参照する。図の如く本例ではSi基板１上
に活性な材料であるAsSG（不純物としてのヒ素を含むシ
リケートガラス）により、活性材料層２を形成する。こ
の層２は数百Åの厚さとした。この工程は第１図の工程
Ｉに相当する。
に活性な材料であるAsSG（不純物としてのヒ素を含むシ
リケートガラス）により、活性材料層２を形成する。こ
の層２は数百Åの厚さとした。この工程は第１図の工程
Ｉに相当する。
次に第３図に示すように、例えばSi3N4の如きシリコ
ンナイトライドによる膜（以下Si3N4と記す）31、及びS
iO2の如きシリコン酸化物による膜（以下SiO2膜と記
す）32を形成する。これは第１図の工程II aに相当す
る。
ンナイトライドによる膜（以下Si3N4と記す）31、及びS
iO2の如きシリコン酸化物による膜（以下SiO2膜と記
す）32を形成する。これは第１図の工程II aに相当す
る。
次に第４図（ａ）のように、フォトレジスト（図中PR
にて示す）でパターニングする。即ち、溝を形成すべき
部分以外にレジスト層４を形成する。この状態で最上層
のSiO2膜32をCHF3系の反応性ガスでRIEする。その際、S
iO2膜32のエッチング終点の判定を光学的終点判定法を
用いて、例えばレーザー、分光器等で行えば、SiO2膜32
をエッチング除去した後、Si3N4膜31上で、エッチング
を止めることができる。これで第４図（ｂ）の構造が得
られる。次に、中間層のSi3N4層を、シリコンナイトラ
イド／シリコン酸化物の選択比の大きいガス、例えばフ
ロン32、フロン41等のSi3N4/SiO2の選択エッチングが可
能なガスでRIEし、下層の活性材料層２上でエッチング
をストップさせる。以上が第１図の工程II bに相当し、
これにより第４図（ｃ）の構造が得られる。
にて示す）でパターニングする。即ち、溝を形成すべき
部分以外にレジスト層４を形成する。この状態で最上層
のSiO2膜32をCHF3系の反応性ガスでRIEする。その際、S
iO2膜32のエッチング終点の判定を光学的終点判定法を
用いて、例えばレーザー、分光器等で行えば、SiO2膜32
をエッチング除去した後、Si3N4膜31上で、エッチング
を止めることができる。これで第４図（ｂ）の構造が得
られる。次に、中間層のSi3N4層を、シリコンナイトラ
イド／シリコン酸化物の選択比の大きいガス、例えばフ
ロン32、フロン41等のSi3N4/SiO2の選択エッチングが可
能なガスでRIEし、下層の活性材料層２上でエッチング
をストップさせる。以上が第１図の工程II bに相当し、
これにより第４図（ｃ）の構造が得られる。
なお上記シリコンナイトライド／シリコン酸化物の選
択比の大きいガスとして、炭素とフッ素とを構成元素と
して少なくとも有するガスを含有し、かつF/C比の小さ
いガス（つまりCF4やCHF3のようにF/Cが4:1や3:1の如く
フッ素リッチになってF/C比が大きくなっているものに
対し、例えばCH2F2やCH3Fの如くF/C比が2:1や1:1のよう
にそのF/C比が小さいもの）に、CO2を過剰に、つまりＦ
＊をCOFとして除去することにより、Ｆ＊の再結合によ
るCHF3 +（SiO2エッチャントとして作用する）の発生を
抑制できる程度に混合して得らガスを採用できる。例え
ば、F/C比の小さいガスとしてCH2F2を用い、これにCO2
を装置や条件により適宜設定した量、例えば流量比で30
〜70％混合して、エッチングガスとして用いることがで
きる。
択比の大きいガスとして、炭素とフッ素とを構成元素と
して少なくとも有するガスを含有し、かつF/C比の小さ
いガス（つまりCF4やCHF3のようにF/Cが4:1や3:1の如く
フッ素リッチになってF/C比が大きくなっているものに
対し、例えばCH2F2やCH3Fの如くF/C比が2:1や1:1のよう
にそのF/C比が小さいもの）に、CO2を過剰に、つまりＦ
＊をCOFとして除去することにより、Ｆ＊の再結合によ
るCHF3 +（SiO2エッチャントとして作用する）の発生を
抑制できる程度に混合して得らガスを採用できる。例え
ば、F/C比の小さいガスとしてCH2F2を用い、これにCO2
を装置や条件により適宜設定した量、例えば流量比で30
〜70％混合して、エッチングガスとして用いることがで
きる。
この溝５の形成により、第４図（ｃ）の通り活性材料
層２はその表面21が露出する。ここで、該表面21をエッ
チングガスに曝す。本実施例では、前段階でRIE処理し
たので、そのエッチングガスがRIE装置のチャンバー内
雰囲気に存在しているから、溝５形成後放置することで
足りる。勿論、他の条件にして別のガスに曝すのでもよ
い。本例では数分間放置した。これが第１図の工程II c
に相当する。
層２はその表面21が露出する。ここで、該表面21をエッ
チングガスに曝す。本実施例では、前段階でRIE処理し
たので、そのエッチングガスがRIE装置のチャンバー内
雰囲気に存在しているから、溝５形成後放置することで
足りる。勿論、他の条件にして別のガスに曝すのでもよ
い。本例では数分間放置した。これが第１図の工程II c
に相当する。
次に、RIE装置のチャンバー内をパージして、大気圧
とする。チャンバー内は10-2〜10-5Torr程度の真空にな
っているので、ここで急激な圧力変化が生ずる。この圧
力変化により活性材料層２の表面21、この場合AsSGの表
面にエッチングガスを吸着させる。これが第１図の工程
IIIであり、エッチングガス吸着の模様を模式的に第５
図で示した。本例でパージは、この種の技術で通例用い
られる、N2ガスを吸引させることによるパージとした。
とする。チャンバー内は10-2〜10-5Torr程度の真空にな
っているので、ここで急激な圧力変化が生ずる。この圧
力変化により活性材料層２の表面21、この場合AsSGの表
面にエッチングガスを吸着させる。これが第１図の工程
IIIであり、エッチングガス吸着の模様を模式的に第５
図で示した。本例でパージは、この種の技術で通例用い
られる、N2ガスを吸引させることによるパージとした。
次に純水で流水処理して、活性材料層２のみを選択的
にエッチング除去する。エッチングガス中のＦがHFとな
り、AsSGを溶解するためと考えられる。これが第１図の
工程IVである。得られた構造は第６図に示す。
にエッチング除去する。エッチングガス中のＦがHFとな
り、AsSGを溶解するためと考えられる。これが第１図の
工程IVである。得られた構造は第６図に示す。
上記方法を用いると、最後の活性材料層２のエッチン
グにはプラズマ等の荷電粒子を用いながら、半導体基板
１に汚染が生じたり、損傷が生じたりするおそれがな
い。従って、その後の後処理によるSiエッチ等も必要な
い。かつ、吸着現象を利用した純水によるエッチングで
あるため、活性材料層２（AsSG）のみが選択的にエッチ
ングされ、溶液エッチングを用いた場合の如き微細化を
損なうという心配もない。
グにはプラズマ等の荷電粒子を用いながら、半導体基板
１に汚染が生じたり、損傷が生じたりするおそれがな
い。従って、その後の後処理によるSiエッチ等も必要な
い。かつ、吸着現象を利用した純水によるエッチングで
あるため、活性材料層２（AsSG）のみが選択的にエッチ
ングされ、溶液エッチングを用いた場合の如き微細化を
損なうという心配もない。
上記実施例ではガラス系の物質としてAsSGを用いた
が、PSGのようにAs以外の不純物を含んだガラス系物質
でもよく、いずれにしてもフッ素系エッチングガスを吸
着してかつ吸着部分の水による処理により該吸着部分が
エッチングされるものであればよい。エッチングガス
も、このような吸着現象を呈し得るフッ素系エッチング
ガスならいずれも採用できる。
が、PSGのようにAs以外の不純物を含んだガラス系物質
でもよく、いずれにしてもフッ素系エッチングガスを吸
着してかつ吸着部分の水による処理により該吸着部分が
エッチングされるものであればよい。エッチングガス
も、このような吸着現象を呈し得るフッ素系エッチング
ガスならいずれも採用できる。
当然のことではあるが、本発明は上述した実施例にの
み限定されるものではない。
み限定されるものではない。
〔発明の効果〕 上述した如く本発明によれば、RIEのような異方性エ
ッチングの効果を損なうことなく、しかも製品に対する
ダメージや汚染が従来より小さいエッチング方法を実現
できたものである。
ッチングの効果を損なうことなく、しかも製品に対する
ダメージや汚染が従来より小さいエッチング方法を実現
できたものである。
第１図は本発明の方法を示す工程図である。第２図乃至
第６図は本発明の一実施例を示した図で、各々工程順に
断面図で示したものである。 Ｉ……活性材料層形成工程、II a……膜形成工程、II b
……溝形成工程、II c……エッチングガスに曝す工程、
III……エッチングの吸着工程、IV……吸着部分の処理
によるエッチング工程。
第６図は本発明の一実施例を示した図で、各々工程順に
断面図で示したものである。 Ｉ……活性材料層形成工程、II a……膜形成工程、II b
……溝形成工程、II c……エッチングガスに曝す工程、
III……エッチングの吸着工程、IV……吸着部分の処理
によるエッチング工程。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上のガラス系の物質により成る
層の表面をフッ素系エッチングガスに曝し、 該表面に選択的に該フッ素系エッチングガスを吸着さ
せ、 該吸着部分を水によって処理して該吸着部分を除去する
エッチング方法。 - 【請求項２】半導体基板上に不純物を含んだガラス系の
物質層を形成し、 該不純物を含んだガラス系の物質層上に少なくとも１層
の膜を形成し、 該不純物を含んだガラス系の物質層上の膜を異方性エッ
チングして溝を形成し、 該不純物を含んだガラス系の物質層の雰囲気の圧力を変
化させることによりフッ素系エッチングガスを上記溝底
部の上記不純物を含んだガラス系の物質層に吸着させ、 吸着された部分を水によって処理して該吸着部分をエッ
チングするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123497A JPH0834200B2 (ja) | 1985-06-08 | 1985-06-08 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123497A JPH0834200B2 (ja) | 1985-06-08 | 1985-06-08 | エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61283129A JPS61283129A (ja) | 1986-12-13 |
| JPH0834200B2 true JPH0834200B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=14862088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60123497A Expired - Lifetime JPH0834200B2 (ja) | 1985-06-08 | 1985-06-08 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834200B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354416A (en) * | 1986-09-05 | 1994-10-11 | Sadayuki Okudaira | Dry etching method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041229A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
-
1985
- 1985-06-08 JP JP60123497A patent/JPH0834200B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61283129A (ja) | 1986-12-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |