JPH0834223B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPH0834223B2 JPH0834223B2 JP61271139A JP27113986A JPH0834223B2 JP H0834223 B2 JPH0834223 B2 JP H0834223B2 JP 61271139 A JP61271139 A JP 61271139A JP 27113986 A JP27113986 A JP 27113986A JP H0834223 B2 JPH0834223 B2 JP H0834223B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- effect transistor
- field effect
- stripe electrode
- electrode
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電界効果トランジスタに関し、特に高周
波，高出力用途で使用されるショットキー形電界効果ト
ランジスタに関する。
波，高出力用途で使用されるショットキー形電界効果ト
ランジスタに関する。
従来、高周波，高出力用途で使用されるショットキー
形電界効果トランジスタは、電極がくし形に形成され第
２図のチャンネル部分の平面図に示すように、ソースオ
ーミックストライプ電極11とドレインオーミックストラ
イプ電極13およびゲート電極12の幅は各電極ストライプ
の長手方向に関して一様になっていた。従って、ソース
オーミック領域、ドレインオーミック領域及びゲート領
域は長手方向に一様になり、従ってチップ全体にわたっ
てソースオーミックストライプ電極11とドレインオーミ
ックストライプ電極13の間隔l3が一定になっている為、
次のような欠点を有していた。
形電界効果トランジスタは、電極がくし形に形成され第
２図のチャンネル部分の平面図に示すように、ソースオ
ーミックストライプ電極11とドレインオーミックストラ
イプ電極13およびゲート電極12の幅は各電極ストライプ
の長手方向に関して一様になっていた。従って、ソース
オーミック領域、ドレインオーミック領域及びゲート領
域は長手方向に一様になり、従ってチップ全体にわたっ
てソースオーミックストライプ電極11とドレインオーミ
ックストライプ電極13の間隔l3が一定になっている為、
次のような欠点を有していた。
即ち、電界効果トランジスタが高周波，高出力動作を
行っている場合、チップ全体に大電流が流れる為、それ
に応じてかなりの熱が発生し、チャンネル温度の上昇を
起こす。この時チャンネル温度の上昇は、熱流の重なり
の為、どうしても動作層の中央部がその端部より高くな
り、その部分のキャリアの移動度等が、高い温度上昇の
為低下し、高周波動作の機能が低下し、全体として高周
波動作の機能が低下し高周波かつ高出力用素子としてア
ンバランス動作をするという欠点があった。
行っている場合、チップ全体に大電流が流れる為、それ
に応じてかなりの熱が発生し、チャンネル温度の上昇を
起こす。この時チャンネル温度の上昇は、熱流の重なり
の為、どうしても動作層の中央部がその端部より高くな
り、その部分のキャリアの移動度等が、高い温度上昇の
為低下し、高周波動作の機能が低下し、全体として高周
波動作の機能が低下し高周波かつ高出力用素子としてア
ンバランス動作をするという欠点があった。
本発明の目的は、高周波かつ高出力動作をさせたと
き、チャンネルの温度上昇が不均一になった場合でも全
チャンネルに亘って均一に動作電流が流れ、均一な高周
波高出力動作を可能とする電界効果トランジスタを提供
することにある。
き、チャンネルの温度上昇が不均一になった場合でも全
チャンネルに亘って均一に動作電流が流れ、均一な高周
波高出力動作を可能とする電界効果トランジスタを提供
することにある。
本発明の電界効果トランジスタは、ドレイン，ソース
及びゲートを備えた電界効果トランジスタにおいて、前
記電界効果トランジスタのドレインオーミックストライ
プ電極の幅とソースオーミックストライプ電極の幅と
を、前記電界効果トランジスタの動作層における、各電
極ストライプの長手方向に関して、中央部に位置する部
分の方を周辺部に位置する部分のそれよりも太くして間
にゲート電極を挟んで対向する前記ドレインオーミック
ストライプ電極とソースオーミックストライプ電極との
間の距離で与えられるチャンネル長を部分的に短く設定
することによって動作中の前記動作層の温度分布の不均
一に基づく動作電流の不均一を補償していることを特徴
として構成される。
及びゲートを備えた電界効果トランジスタにおいて、前
記電界効果トランジスタのドレインオーミックストライ
プ電極の幅とソースオーミックストライプ電極の幅と
を、前記電界効果トランジスタの動作層における、各電
極ストライプの長手方向に関して、中央部に位置する部
分の方を周辺部に位置する部分のそれよりも太くして間
にゲート電極を挟んで対向する前記ドレインオーミック
ストライプ電極とソースオーミックストライプ電極との
間の距離で与えられるチャンネル長を部分的に短く設定
することによって動作中の前記動作層の温度分布の不均
一に基づく動作電流の不均一を補償していることを特徴
として構成される。
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第１図は本発明の一実施例の内容を平易に説明する
ための電界効果トランジスタチップの動作層の一部を抜
き出した平面図である。
る。第１図は本発明の一実施例の内容を平易に説明する
ための電界効果トランジスタチップの動作層の一部を抜
き出した平面図である。
第１図に示すように、ソースオーミックストライプ電
極１及びドレインオーミックストライプ電極３の電極幅
が何れも動作層の中央部において幅広に形成され、従っ
てソースオーミックストライプ電極１とドレインオーミ
ックストライプ電極３の長手方向の間隔は中央部の間隔
l1が端部の間隔l2より小さくなっている。従って本実施
例の電界効果トランジスタでは、チャンネル長は動作層
の中央部で短かく端部が長い構造を有している。なお２
はゲート電極である。
極１及びドレインオーミックストライプ電極３の電極幅
が何れも動作層の中央部において幅広に形成され、従っ
てソースオーミックストライプ電極１とドレインオーミ
ックストライプ電極３の長手方向の間隔は中央部の間隔
l1が端部の間隔l2より小さくなっている。従って本実施
例の電界効果トランジスタでは、チャンネル長は動作層
の中央部で短かく端部が長い構造を有している。なお２
はゲート電極である。
以上説明したように本発明は、電界効果トランジスタ
においてソースおよびドレインのオーミックストライプ
電極幅を長手方向において中央部を端部より太く形成し
たので、長手方向におけるチャンネル長は中央部で短か
く端部が長くなっている。そのため動作時温度上昇が大
きくキャリア移動度が低下する動作層の中央部ほどチャ
ンネル抵抗を下げてやることができ、キャリア移動度の
低下を相殺することができ、結果的に高周波，高出力動
作させた場合に全チャンネルを均一に動作させることが
できるという効果が得られる。
においてソースおよびドレインのオーミックストライプ
電極幅を長手方向において中央部を端部より太く形成し
たので、長手方向におけるチャンネル長は中央部で短か
く端部が長くなっている。そのため動作時温度上昇が大
きくキャリア移動度が低下する動作層の中央部ほどチャ
ンネル抵抗を下げてやることができ、キャリア移動度の
低下を相殺することができ、結果的に高周波，高出力動
作させた場合に全チャンネルを均一に動作させることが
できるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の電界効果トランジスタのチ
ャンネル部分の平面図、第２図は従来構造を有する電界
効果トランジスタの一例のチャンネル部分の平面図であ
る。 1,11……ソースオーミックストライプ電極、2,12……ゲ
ート電極,3,13……ドレインオーミックストライプ電
極。
ャンネル部分の平面図、第２図は従来構造を有する電界
効果トランジスタの一例のチャンネル部分の平面図であ
る。 1,11……ソースオーミックストライプ電極、2,12……ゲ
ート電極,3,13……ドレインオーミックストライプ電
極。
Claims (1)
- 【請求項１】ドレイン，ソース及びゲートを備えた電界
効果トランジスタにおいて、前記電界効果トランジスタ
のドレインオーミックストライプ電極の幅とソースオー
ミックストライプ電極の幅とを、前記電界効果トランジ
スタの動作層における、各電極ストライプの長手方向に
関して、中央部に位置する部分の方を周辺部に位置する
部分のそれよりも太くして間にゲート電極を挟んで対向
する前記ドレインオーミックストライプ電極とソースオ
ーミックストライプ電極との間の距離で与えられるチャ
ンネル長を部分的に短く設定することによって動作中の
前記動作層の温度分布の不均一に基づく動作電流の不均
一を補償していることを特徴とする電界効果トランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271139A JPH0834223B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271139A JPH0834223B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124568A JPS63124568A (ja) | 1988-05-28 |
| JPH0834223B2 true JPH0834223B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17495860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61271139A Expired - Lifetime JPH0834223B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834223B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3147048B2 (ja) | 1997-09-12 | 2001-03-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425678A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-26 | Nec Corp | Field effect transistor of ultra high frequency and high output |
| JPS6298673A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Hitachi Ltd | 砒化ガリウム半導体装置 |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP61271139A patent/JPH0834223B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63124568A (ja) | 1988-05-28 |
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