JPH0834684A - 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 - Google Patents
熱分解窒化ほう素成形体の製造方法Info
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- JPH0834684A JPH0834684A JP17517794A JP17517794A JPH0834684A JP H0834684 A JPH0834684 A JP H0834684A JP 17517794 A JP17517794 A JP 17517794A JP 17517794 A JP17517794 A JP 17517794A JP H0834684 A JPH0834684 A JP H0834684A
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5062—Borides, Nitrides or Silicides
- C04B41/5064—Boron nitride
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は目的とする熱分解窒化ほう素成形体
を予備蒸着層より容易に剥離し、カーボンからの汚染も
ないものとして容易に、かつ安価に得る熱分解窒化ほう
素系成形体の製造方法の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による熱分解窒化ほう素成形体の製造
方法は、黒鉛製基材の表面に化学気相反応法により熱分
解窒化ほう素製品成形体を作製する方法において、黒鉛
製基材の表面に予め熱膨張率が目的とする熱分解窒化ほ
う素製品成形体の熱膨張率よりも 0.1×10-6／℃以上大
きい予備蒸着層を設けてなることを特徴とするものであ
る。
を予備蒸着層より容易に剥離し、カーボンからの汚染も
ないものとして容易に、かつ安価に得る熱分解窒化ほう
素系成形体の製造方法の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による熱分解窒化ほう素成形体の製造
方法は、黒鉛製基材の表面に化学気相反応法により熱分
解窒化ほう素製品成形体を作製する方法において、黒鉛
製基材の表面に予め熱膨張率が目的とする熱分解窒化ほ
う素製品成形体の熱膨張率よりも 0.1×10-6／℃以上大
きい予備蒸着層を設けてなることを特徴とするものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱分解窒化ほう素成形体
の製造方法、特には化合物半導体引上げ用ルツボ、分子
線エピタキシー用金属蒸着用ルツボ、結晶育成用治具、
放熱板、電気絶縁用部品などとして有用とされる、熱分
解窒化ほう素成形体の製造方法に関するものである。
の製造方法、特には化合物半導体引上げ用ルツボ、分子
線エピタキシー用金属蒸着用ルツボ、結晶育成用治具、
放熱板、電気絶縁用部品などとして有用とされる、熱分
解窒化ほう素成形体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】熱分解窒化ほう素（以下Ｐ−ＢＮと略記
する）は高純度で不活性な窒化ほう素であることから、
化合物半導体引上げ用ルツボ、分子線エピタキシー用金
属蒸着用ルツボ、結晶育成用治具などに幅広い範囲で用
いられている。そして、このＰ−ＢＮの製造については
いくつかの方法が知られており、この中ではハロゲン化
ほう素とアンモニアガスとを温度 1,450〜 2,300℃、圧
力50torr未満という条件で化学気相反応法（以下ＣＶＤ
法と略記する）でＰ−ＢＮを析出させる方法（米国特許
第 3,152,000号明細書参照）が広く用いられている。
する）は高純度で不活性な窒化ほう素であることから、
化合物半導体引上げ用ルツボ、分子線エピタキシー用金
属蒸着用ルツボ、結晶育成用治具などに幅広い範囲で用
いられている。そして、このＰ−ＢＮの製造については
いくつかの方法が知られており、この中ではハロゲン化
ほう素とアンモニアガスとを温度 1,450〜 2,300℃、圧
力50torr未満という条件で化学気相反応法（以下ＣＶＤ
法と略記する）でＰ−ＢＮを析出させる方法（米国特許
第 3,152,000号明細書参照）が広く用いられている。
【０００３】これはＰ−ＢＮと熱膨張係数の異なる独自
形状の基体を用い、この基体にＰ−ＢＮを析出させ、そ
の後基体とＰ−ＢＮ膜を分離させて独自形状のＰ−ＢＮ
成形体を得るという方法で行なわれている。この基体と
しては、その高耐熱性、高化学的安定性から黒鉛を用い
るのが一般的とされているが、この基体と接する面にお
いてＰ−ＢＮには黒鉛付着による汚染が発生するので、
これについてはその解決法として予備蒸着層と不連続境
界を形成したのちにＰ−ＢＮを形成する方法（特公平 4
-56766号公報参照）、Ｐ−ＢＮを被覆した黒鉛基体を用
いる方法（特開平 4-31309号公報参照）が知られてい
る。
形状の基体を用い、この基体にＰ−ＢＮを析出させ、そ
の後基体とＰ−ＢＮ膜を分離させて独自形状のＰ−ＢＮ
成形体を得るという方法で行なわれている。この基体と
しては、その高耐熱性、高化学的安定性から黒鉛を用い
るのが一般的とされているが、この基体と接する面にお
いてＰ−ＢＮには黒鉛付着による汚染が発生するので、
これについてはその解決法として予備蒸着層と不連続境
界を形成したのちにＰ−ＢＮを形成する方法（特公平 4
-56766号公報参照）、Ｐ−ＢＮを被覆した黒鉛基体を用
いる方法（特開平 4-31309号公報参照）が知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この予備蒸着
層と不連続境界を形成し、これにＰ−ＢＮを形成する方
法では目的とするＰ−ＢＮ成形品の表面に予備蒸着層が
小片となって一部残るために、これを除去するには機械
的研磨を行なう必要があり、これによって汚染がもたら
されるという不利があり、またこの不連続境界を単に原
料供給中断によるようにすると、Ｐ−ＢＮ成形品との剥
離性が悪くなり、特に直径が10mmφ以下のパイプ状のも
の、シード部をもつＶＧＦルツボ（バーティカル・グラ
ジエント・フリーズ）などの複雑な形状のものも剥離が
困難で、機械的、化学的除去が必要になるという欠点が
ある。
層と不連続境界を形成し、これにＰ−ＢＮを形成する方
法では目的とするＰ−ＢＮ成形品の表面に予備蒸着層が
小片となって一部残るために、これを除去するには機械
的研磨を行なう必要があり、これによって汚染がもたら
されるという不利があり、またこの不連続境界を単に原
料供給中断によるようにすると、Ｐ−ＢＮ成形品との剥
離性が悪くなり、特に直径が10mmφ以下のパイプ状のも
の、シード部をもつＶＧＦルツボ（バーティカル・グラ
ジエント・フリーズ）などの複雑な形状のものも剥離が
困難で、機械的、化学的除去が必要になるという欠点が
ある。
【０００５】また、これを基体としてＰ−ＢＮを被覆し
た黒鉛基体を用いる方法では、基体上にＰ−ＢＮ膜を形
成したのち、これをＣＶＤ装置より取り出してこれに製
品となるＰ−ＢＮを積層するのであるが、この場合には
製品としてのＰ−ＢＮを積層するまでの間に基材表面が
汚染されるために製品も汚染されるというおそれがあ
る。
た黒鉛基体を用いる方法では、基体上にＰ−ＢＮ膜を形
成したのち、これをＣＶＤ装置より取り出してこれに製
品となるＰ−ＢＮを積層するのであるが、この場合には
製品としてのＰ−ＢＮを積層するまでの間に基材表面が
汚染されるために製品も汚染されるというおそれがあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決したＰ−ＢＮ成形体の製造方法に関する
ものであり、これは黒鉛製基材の表面にＣＶＤ法により
Ｐ−ＢＮ製品成形体を作製する方法において、黒鉛製基
板の表面に予め熱膨張率が目的とするＰ−ＢＮ製品成形
体の熱膨張率よりも 0.1×10-6／℃以上大きい予備蒸着
層を設けてなることを特徴とするものである。
利、欠点を解決したＰ−ＢＮ成形体の製造方法に関する
ものであり、これは黒鉛製基材の表面にＣＶＤ法により
Ｐ−ＢＮ製品成形体を作製する方法において、黒鉛製基
板の表面に予め熱膨張率が目的とするＰ−ＢＮ製品成形
体の熱膨張率よりも 0.1×10-6／℃以上大きい予備蒸着
層を設けてなることを特徴とするものである。
【０００７】すなわち、本発明者らは従来法の不利、欠
点を解決した効率的なＰ−ＢＮ成形体の製造方法を開発
すべく種々検討した結果、黒鉛製基材の表面にＣＶＤ法
でＰ−ＢＮ成形体を形成させる方法において、この黒鉛
製基材の表面に予め予備蒸着層を設けるが、この予備蒸
着層をその熱膨張率が目的とするＰ−ＢＮ成形品の熱膨
張率よりも 0.1×10-6／℃以上大きいものとしたとこ
ろ、Ｐ−ＢＮ成形体をこの予備蒸着膜からの剥離が容易
となるし、これから小片などの粉も発生しないというこ
とを見出し、したがってこれによれば機械的工程で剥離
したり、研磨する必要がなく、汚染のないＰ−ＢＮ成形
体を容易に、かつ安価に得ることができるということを
確認して本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述
する。
点を解決した効率的なＰ−ＢＮ成形体の製造方法を開発
すべく種々検討した結果、黒鉛製基材の表面にＣＶＤ法
でＰ−ＢＮ成形体を形成させる方法において、この黒鉛
製基材の表面に予め予備蒸着層を設けるが、この予備蒸
着層をその熱膨張率が目的とするＰ−ＢＮ成形品の熱膨
張率よりも 0.1×10-6／℃以上大きいものとしたとこ
ろ、Ｐ−ＢＮ成形体をこの予備蒸着膜からの剥離が容易
となるし、これから小片などの粉も発生しないというこ
とを見出し、したがってこれによれば機械的工程で剥離
したり、研磨する必要がなく、汚染のないＰ−ＢＮ成形
体を容易に、かつ安価に得ることができるということを
確認して本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述
する。
【０００８】
【作用】本発明はＰ−ＢＮ成形体の製造方法に関するも
のであり、これは前記したように黒鉛製基材の表面にＣ
ＶＤ法でＰ−ＢＮ成形体を形成するに当り、黒鉛製基材
の表面に予め熱膨張率が目的とするＰ−ＢＮ成形体の熱
膨張率よりも 0.1×10-6／℃以上大きい予備蒸着層を設
けてなるものであるが、これによれば目的とするＰ−Ｂ
Ｎ成形品の予備蒸着層からの剥離が容易に行なわれるの
で、目的とするＰ−ＢＮ成形品を容易に、かつ安価に得
ることができるという有利性が与えられる。
のであり、これは前記したように黒鉛製基材の表面にＣ
ＶＤ法でＰ−ＢＮ成形体を形成するに当り、黒鉛製基材
の表面に予め熱膨張率が目的とするＰ−ＢＮ成形体の熱
膨張率よりも 0.1×10-6／℃以上大きい予備蒸着層を設
けてなるものであるが、これによれば目的とするＰ−Ｂ
Ｎ成形品の予備蒸着層からの剥離が容易に行なわれるの
で、目的とするＰ−ＢＮ成形品を容易に、かつ安価に得
ることができるという有利性が与えられる。
【０００９】本発明によるＰ−ＢＮ成形品の製造は、黒
鉛製基体の表面に予め目的とするＰ−ＢＮ成形品の熱膨
張率よりも熱膨張率が 0.1×10-6／℃以上大きい予備蒸
着層を設け、この予備蒸着層にＰ−ＢＮをＣＶＤ法で成
形するのであるが、一般にこのＰ−ＢＮ生成反応は 1,5
00〜 2,200℃の高温で行なわれ、反応終了後これが冷却
されると、Ｐ−ＢＮと予備蒸着層との間にはその熱膨張
率の差によって隙間が生じるので、このＰ−ＢＮ成形体
は予備蒸着層から容易に剥離することができ、このＰ−
ＢＮ成形体はその表面付近にカーボンなどの付着のない
ものとなる。
鉛製基体の表面に予め目的とするＰ−ＢＮ成形品の熱膨
張率よりも熱膨張率が 0.1×10-6／℃以上大きい予備蒸
着層を設け、この予備蒸着層にＰ−ＢＮをＣＶＤ法で成
形するのであるが、一般にこのＰ−ＢＮ生成反応は 1,5
00〜 2,200℃の高温で行なわれ、反応終了後これが冷却
されると、Ｐ−ＢＮと予備蒸着層との間にはその熱膨張
率の差によって隙間が生じるので、このＰ−ＢＮ成形体
は予備蒸着層から容易に剥離することができ、このＰ−
ＢＮ成形体はその表面付近にカーボンなどの付着のない
ものとなる。
【００１０】この予備蒸着層を形成する物質はＰ−ＢＮ
に接触してもこれを汚染しないものであればよく、した
がってこれにはＰＧ、ＡｌＮ、ＳｉＮなどが例示される
が、これは好ましくはＰ−ＢＮからなるものとすること
がよい。しかし、この予備蒸着層はその熱膨張率が目的
とするＰ−ＢＮ成形体の熱膨張率よりも 0.1×10-6／℃
以上大きいものとすることが必要であり、これが 0.1×
10-6／℃以下では目的とするＰ−ＢＮ成形体をこの予備
蒸着膜から剥離することが難しくなるし、この熱膨張率
がＰ−ＢＮ成形体の熱膨張率よりも小さいと逆にこれが
Ｐ−ＢＮに強く接着してしまうという不利が発生する。
に接触してもこれを汚染しないものであればよく、した
がってこれにはＰＧ、ＡｌＮ、ＳｉＮなどが例示される
が、これは好ましくはＰ−ＢＮからなるものとすること
がよい。しかし、この予備蒸着層はその熱膨張率が目的
とするＰ−ＢＮ成形体の熱膨張率よりも 0.1×10-6／℃
以上大きいものとすることが必要であり、これが 0.1×
10-6／℃以下では目的とするＰ−ＢＮ成形体をこの予備
蒸着膜から剥離することが難しくなるし、この熱膨張率
がＰ−ＢＮ成形体の熱膨張率よりも小さいと逆にこれが
Ｐ−ＢＮに強く接着してしまうという不利が発生する。
【００１１】なお、このＰ−ＢＮの熱膨張率はその配向
度に依存し、これは１〜４×10-6／℃の範囲で変化させ
ることが可能であるが、この配向度はＰ−ＢＮの反応温
度により変化し、高温側、低圧側では高くなるのでその
熱膨張率を低くすることができる。例えば、ハロゲン化
ほう素とアンモニアガスとの反応を 1,800〜 2,100℃、
圧力２torrで反応させると、図１に示したようにこの反
応温度の上昇と共にこの熱膨張係数は 3.4×10-6／℃か
ら 1.5×10-6／℃に下がり、温度を 1,900℃で一定と
し、反応圧力を 0.5〜８torrに変化させて反応したとき
には図２に示したようにこの熱膨張係数は 2.0×10-6／
℃から 2.8×10-6／℃に上昇する。
度に依存し、これは１〜４×10-6／℃の範囲で変化させ
ることが可能であるが、この配向度はＰ−ＢＮの反応温
度により変化し、高温側、低圧側では高くなるのでその
熱膨張率を低くすることができる。例えば、ハロゲン化
ほう素とアンモニアガスとの反応を 1,800〜 2,100℃、
圧力２torrで反応させると、図１に示したようにこの反
応温度の上昇と共にこの熱膨張係数は 3.4×10-6／℃か
ら 1.5×10-6／℃に下がり、温度を 1,900℃で一定と
し、反応圧力を 0.5〜８torrに変化させて反応したとき
には図２に示したようにこの熱膨張係数は 2.0×10-6／
℃から 2.8×10-6／℃に上昇する。
【００１２】したがって、この予備蒸着膜としてＰ−Ｂ
Ｎ膜を使用する場合には、例えばこれを 1,900℃、２to
rrの条件で成膜させて熱膨張率が 2.3×10-6／℃のもの
とし、これに目的とするＰ−ＢＮ成形品の成形はこれよ
りも温度の高い 2,000℃、２torrで行なえばこれを熱膨
張率が 1.7×10-6／℃のものとすることができ、両者の
間には 0.5×10-6／℃の差があるので、両者の剥離を容
易に行なうことができるという有利性が与えられる。
Ｎ膜を使用する場合には、例えばこれを 1,900℃、２to
rrの条件で成膜させて熱膨張率が 2.3×10-6／℃のもの
とし、これに目的とするＰ−ＢＮ成形品の成形はこれよ
りも温度の高い 2,000℃、２torrで行なえばこれを熱膨
張率が 1.7×10-6／℃のものとすることができ、両者の
間には 0.5×10-6／℃の差があるので、両者の剥離を容
易に行なうことができるという有利性が与えられる。
【００１３】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例 直径 150mmφ、長さ 200mmの円筒型グラファイ製の基体
を電気炉内に設置し、炉に真空ポンプを接続して炉内を
１torrにまで減圧としたのち、ここに三塩化ほう素１リ
ットル／分とアンモニアガス10リットル／分との混合ガ
スを供給し、 1,900℃、２torrという条件で２時間反応
させ、この基体表面に厚さ 100μｍの熱膨張率が 2.3×
10-6／℃であるＰ−ＢＮからなる予備蒸着層を形成させ
た。
を電気炉内に設置し、炉に真空ポンプを接続して炉内を
１torrにまで減圧としたのち、ここに三塩化ほう素１リ
ットル／分とアンモニアガス10リットル／分との混合ガ
スを供給し、 1,900℃、２torrという条件で２時間反応
させ、この基体表面に厚さ 100μｍの熱膨張率が 2.3×
10-6／℃であるＰ−ＢＮからなる予備蒸着層を形成させ
た。
【００１４】ついで、原料ガスの供給を１時間中断して
から炉内の温度を 2,000℃に昇温したのち、ここに三塩
化ほう素１リットル／分とアンモニアガス２リットル／
分の混合ガスを供給し、 2,000℃、２torrという条件で
24時間反応させて、この予備蒸着層の上に厚さが 1,200
μｍで熱膨張率が 1.7×10-6／℃であるＰ−ＢＮ層を被
着させてＰ−ＢＮルツボを形成させ、室温まで冷却して
からこのＰ−ＢＮルツボを予備蒸着膜から剥離したとこ
ろ、これは容易に剥離することができ、このＰ−ＢＮル
ツボの表面付近にはカーボンなどは全く付着していなか
った。
から炉内の温度を 2,000℃に昇温したのち、ここに三塩
化ほう素１リットル／分とアンモニアガス２リットル／
分の混合ガスを供給し、 2,000℃、２torrという条件で
24時間反応させて、この予備蒸着層の上に厚さが 1,200
μｍで熱膨張率が 1.7×10-6／℃であるＰ−ＢＮ層を被
着させてＰ−ＢＮルツボを形成させ、室温まで冷却して
からこのＰ−ＢＮルツボを予備蒸着膜から剥離したとこ
ろ、これは容易に剥離することができ、このＰ−ＢＮル
ツボの表面付近にはカーボンなどは全く付着していなか
った。
【００１５】なお、このＰ−ＢＮルツボはカーボン除去
の後処理が不要であったし、サンドペーパー処理も必要
がないので、内壁面に研磨材などの混入する心配もな
く、したがって品質的に高純度の内壁をもつＰ−ＢＮル
ツボを得ることができた。
の後処理が不要であったし、サンドペーパー処理も必要
がないので、内壁面に研磨材などの混入する心配もな
く、したがって品質的に高純度の内壁をもつＰ−ＢＮル
ツボを得ることができた。
【００１６】比較例１ 実施例と同じように円筒型グラファイト製基体の表面
に、Ｐ−ＢＮからなる予備蒸着層を形成させ、これにＰ
−ＢＮ層を被着させてＰ−ＢＮルツボを作成したが、こ
の予備蒸着層の形成条件をＰ−ＢＮルツボの形成と同様
に 2,000℃、２torrとしたところ、この予備蒸着層も熱
膨張率がＰ−ＢＮルツボの熱膨張率と同じ1.7×10-6／
℃となったので、室温まで冷却してからこのＰ−ＢＮル
ツボを予備蒸着層から剥離しようとしても、これは容易
に剥離せず、したがってカッターなどで切り込みを入れ
て分離したところ、この場合には内面にカッターのキズ
が発生したし、部分的には剥離しないところもあり、結
果的にはサンドペーパーによる仕上げが必要となり、工
業的に不利なものとなった。
に、Ｐ−ＢＮからなる予備蒸着層を形成させ、これにＰ
−ＢＮ層を被着させてＰ−ＢＮルツボを作成したが、こ
の予備蒸着層の形成条件をＰ−ＢＮルツボの形成と同様
に 2,000℃、２torrとしたところ、この予備蒸着層も熱
膨張率がＰ−ＢＮルツボの熱膨張率と同じ1.7×10-6／
℃となったので、室温まで冷却してからこのＰ−ＢＮル
ツボを予備蒸着層から剥離しようとしても、これは容易
に剥離せず、したがってカッターなどで切り込みを入れ
て分離したところ、この場合には内面にカッターのキズ
が発生したし、部分的には剥離しないところもあり、結
果的にはサンドペーパーによる仕上げが必要となり、工
業的に不利なものとなった。
【００１７】比較例２ 実施例と同じように円筒型グラファイト製基体の表面
に、Ｐ−ＢＮからなる予備蒸着層を形成させ、これにＰ
−ＢＮ層を被着させてＰ−ＢＮルツボを作成したが、こ
の予備蒸着層の成形条件を 2,100℃、２torrとしてこれ
を熱膨張率が 1.4×10-6／℃のものとし、Ｐ−ＢＮルツ
ボの成形条件を 2,000℃、２torrとして熱膨張率が 1.7
×10-6／℃のものとしたところ、これは予備蒸着層のＰ
−ＢＮのほうがＰ−ＢＮルツボの熱膨張率より小さいも
のであるために、冷却後もＰ−ＢＮルツボは剥離するこ
とができず、機械的、化学的方法によりカーボン付着層
を除去することが必要となり、Ｐ−ＢＮルツボは汚染し
たものになるという不利がもたらされた。
に、Ｐ−ＢＮからなる予備蒸着層を形成させ、これにＰ
−ＢＮ層を被着させてＰ−ＢＮルツボを作成したが、こ
の予備蒸着層の成形条件を 2,100℃、２torrとしてこれ
を熱膨張率が 1.4×10-6／℃のものとし、Ｐ−ＢＮルツ
ボの成形条件を 2,000℃、２torrとして熱膨張率が 1.7
×10-6／℃のものとしたところ、これは予備蒸着層のＰ
−ＢＮのほうがＰ−ＢＮルツボの熱膨張率より小さいも
のであるために、冷却後もＰ−ＢＮルツボは剥離するこ
とができず、機械的、化学的方法によりカーボン付着層
を除去することが必要となり、Ｐ−ＢＮルツボは汚染し
たものになるという不利がもたらされた。
【００１８】
【発明の効果】本発明はＰ−ＢＮ成形体の製造方法に関
するものであり、これは前記したように黒鉛製基材の表
面に予め熱膨張率が目的とするＰ−ＢＮ成形体の熱膨張
率よりも 0.1×10-6／℃以上大きい予備蒸着層を設け、
この予備蒸着層上にＣＶＤ法によりＰ−ＢＮ成形体を設
けてなるものであるが、これによれば冷却後、このＰ−
ＢＮ成形体を容易に予備蒸着層から剥離することがで
き、この場合カーボン片などの付着もないので、目的と
するＰ−ＢＮ成形体を容易に、かつ安価に得ることがで
きるという有利性が与えられる。
するものであり、これは前記したように黒鉛製基材の表
面に予め熱膨張率が目的とするＰ−ＢＮ成形体の熱膨張
率よりも 0.1×10-6／℃以上大きい予備蒸着層を設け、
この予備蒸着層上にＣＶＤ法によりＰ−ＢＮ成形体を設
けてなるものであるが、これによれば冷却後、このＰ−
ＢＮ成形体を容易に予備蒸着層から剥離することがで
き、この場合カーボン片などの付着もないので、目的と
するＰ−ＢＮ成形体を容易に、かつ安価に得ることがで
きるという有利性が与えられる。
【図１】ハロゲン化ほう素とアンモニアガスとの反応で
Ｐ−ＢＮを合成するときの、圧力２torr、温度 1,800〜
2,100 という反応条件とＰ−ＢＮの熱膨張率との関係グ
ラフを示したものである。
Ｐ−ＢＮを合成するときの、圧力２torr、温度 1,800〜
2,100 という反応条件とＰ−ＢＮの熱膨張率との関係グ
ラフを示したものである。
【図２】ハロゲン化ほう素とアンモニアガスとの反応で
Ｐ−ＢＮを合成するときの、 1,900℃、圧力１〜８torr
という反応条件とＰ−ＢＮの熱膨張率との関係グラフを
示したものである。
Ｐ−ＢＮを合成するときの、 1,900℃、圧力１〜８torr
という反応条件とＰ−ＢＮの熱膨張率との関係グラフを
示したものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳沢 勲 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 黒鉛製基材の表面に化学気相反応法によ
り熱分解窒化ほう素製品成形体を作製する方法におい
て、黒鉛製基材の表面に予め熱膨張率が目的とする熱分
解窒化ほう素製品成形体の熱膨張率よりも 0.1×10-6／
℃以上大きい予備蒸着層を設けてなることを特徴とする
熱分解窒化ほう素成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17517794A JPH0834684A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17517794A JPH0834684A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0834684A true JPH0834684A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15991621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17517794A Pending JPH0834684A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834684A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6670025B2 (en) * | 2001-05-24 | 2003-12-30 | General Electric Company | Pyrolytic boron nitride crucible and method |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP17517794A patent/JPH0834684A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6670025B2 (en) * | 2001-05-24 | 2003-12-30 | General Electric Company | Pyrolytic boron nitride crucible and method |
| US7147910B2 (en) | 2001-05-24 | 2006-12-12 | General Electric Company | Pyrolytic boron nitride crucible and method |
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