JPH0836731A - 磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH0836731A JPH0836731A JP17119194A JP17119194A JPH0836731A JP H0836731 A JPH0836731 A JP H0836731A JP 17119194 A JP17119194 A JP 17119194A JP 17119194 A JP17119194 A JP 17119194A JP H0836731 A JPH0836731 A JP H0836731A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保磁力Hc並びに保磁力角形比Ｓ* を向上した
磁気記録媒体とその製造方法を提供することを目的とし
ている。特に基板をガラス基板とした場合に有効な技術
である。 【構成】 非磁性（アルミニウム、ガラス等）材料の基
板４０の上に、貴金属を主成分とする膜４１、Crを主成
分とする下地膜４２、Coを主成分とする磁性膜４３、保
護膜４４を順次設けて磁気記録媒体が構成されている。
製造は前記の膜を順次スパッタリングにより成膜して行
う。基板４０の加熱を必要とする場合は、貴金属を主成
分とする膜４１の形成後に行う。
磁気記録媒体とその製造方法を提供することを目的とし
ている。特に基板をガラス基板とした場合に有効な技術
である。 【構成】 非磁性（アルミニウム、ガラス等）材料の基
板４０の上に、貴金属を主成分とする膜４１、Crを主成
分とする下地膜４２、Coを主成分とする磁性膜４３、保
護膜４４を順次設けて磁気記録媒体が構成されている。
製造は前記の膜を順次スパッタリングにより成膜して行
う。基板４０の加熱を必要とする場合は、貴金属を主成
分とする膜４１の形成後に行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録に適した磁
気記録媒体とその製造方法に関する。
気記録媒体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パソコン等で採用されている磁気ハード
ディスクドライブにおける磁気記録媒体は、パソコン等
の小型化に対応できるように記録密度の向上が図られる
研究がなされている。この磁気記録媒体は従来アルミニ
ウム基板にNiP メッキ（無電界メッキ）を施し円周方向
に砥粒による研磨傷（テクスチャー）を付けた後に、Cr
を主成分とする下地膜と、Coを主成分とする磁性膜と、
カーボンを主成分とする保護膜を順次真空中にてスパッ
タリングにより成膜し、必要に応じて真空中にて２００
〜３００℃に加熱して製造されている。
ディスクドライブにおける磁気記録媒体は、パソコン等
の小型化に対応できるように記録密度の向上が図られる
研究がなされている。この磁気記録媒体は従来アルミニ
ウム基板にNiP メッキ（無電界メッキ）を施し円周方向
に砥粒による研磨傷（テクスチャー）を付けた後に、Cr
を主成分とする下地膜と、Coを主成分とする磁性膜と、
カーボンを主成分とする保護膜を順次真空中にてスパッ
タリングにより成膜し、必要に応じて真空中にて２００
〜３００℃に加熱して製造されている。
【０００３】これらの磁気記録媒体の高密度化には高い
保磁力Hc、高い保磁力角形比Ｓ* 、高い残留角形比RSが
要求される。例えば、現在の保磁力Hcは１４００〜１６
００Oe、Ｓ* は９３％以上、RSは９０％以上であるが高
密度化の為には、保磁力２０００Oe以上、角形比も上記
程度が要求される。
保磁力Hc、高い保磁力角形比Ｓ* 、高い残留角形比RSが
要求される。例えば、現在の保磁力Hcは１４００〜１６
００Oe、Ｓ* は９３％以上、RSは９０％以上であるが高
密度化の為には、保磁力２０００Oe以上、角形比も上記
程度が要求される。
【０００４】記録密度を向上させるもう一つの手段とし
て、磁気ヘッドの浮上量の低減を図ることが重要であ
る。現在のアルミニウム基板ではテクスチャー加工によ
り基板表面を機械的に荒らしているため、表面の平滑性
はRa=60A（オングストローム、以下Ａで表示する）程度
であり、ヘッドの浮上量は、約７００A 程度が限界であ
る。これにより記録密度の向上が阻害されている。そこ
で、表面の平滑性が高いガラス基板の採用が提案されて
おり、一部実用化が始まっている。
て、磁気ヘッドの浮上量の低減を図ることが重要であ
る。現在のアルミニウム基板ではテクスチャー加工によ
り基板表面を機械的に荒らしているため、表面の平滑性
はRa=60A（オングストローム、以下Ａで表示する）程度
であり、ヘッドの浮上量は、約７００A 程度が限界であ
る。これにより記録密度の向上が阻害されている。そこ
で、表面の平滑性が高いガラス基板の採用が提案されて
おり、一部実用化が始まっている。
【０００５】このガラス基板では、表面の平滑性がRa=1
0A程度で非常に平滑でヘッドの浮上量はかなり低くでき
２００A 程度の浮上量も実現できる。しかしこのガラス
基板では、アルミ基板と同様の成膜プロセスを使用する
と多くの問題が発生する。例えば円周方向の機械的テク
スチャーが施せないため、保磁力角形比Ｓ* が80％程度
に低下してしまい、記録密度を向上できない等の問題点
が発生する。保磁力角形比Ｓ* の低下を改良する手段と
して、ガラス基板に、TiとSiとからなる非晶質合金層を
形成し、その上に磁性膜、保護膜を順次形成した磁気記
録媒体（特開平４−２４７３２３号、特開平４−２４１
２２２号）や、Crを主成分とする非磁性下地膜内に、M
o、Ｗのうち少なくとも１種を含ませ、この下地膜の上
に磁性膜、保護膜を順次形成した磁気記録媒体（特開平
５−３２５１６３号）が提案されている。これらの磁気
記録媒体によれば、保磁力角形比Ｓ* として９３％程度
が得られているが、保磁力Hcは概ね１５００〜１６５０
Oe程度である。
0A程度で非常に平滑でヘッドの浮上量はかなり低くでき
２００A 程度の浮上量も実現できる。しかしこのガラス
基板では、アルミ基板と同様の成膜プロセスを使用する
と多くの問題が発生する。例えば円周方向の機械的テク
スチャーが施せないため、保磁力角形比Ｓ* が80％程度
に低下してしまい、記録密度を向上できない等の問題点
が発生する。保磁力角形比Ｓ* の低下を改良する手段と
して、ガラス基板に、TiとSiとからなる非晶質合金層を
形成し、その上に磁性膜、保護膜を順次形成した磁気記
録媒体（特開平４−２４７３２３号、特開平４−２４１
２２２号）や、Crを主成分とする非磁性下地膜内に、M
o、Ｗのうち少なくとも１種を含ませ、この下地膜の上
に磁性膜、保護膜を順次形成した磁気記録媒体（特開平
５−３２５１６３号）が提案されている。これらの磁気
記録媒体によれば、保磁力角形比Ｓ* として９３％程度
が得られているが、保磁力Hcは概ね１５００〜１６５０
Oe程度である。
【０００６】また、ガラス基板上にNiP スパッタ膜を下
地に使用し記録再生特性の改善を図る手段も提案されて
いる（特開平５−２０５２４４号）。これらは磁性膜に
CoNiCr磁性膜や、CoCrPt磁性膜を使用しているがこれら
の磁性膜は結晶粒径が大きくなり、ノイズ特性が悪い問
題がある。
地に使用し記録再生特性の改善を図る手段も提案されて
いる（特開平５−２０５２４４号）。これらは磁性膜に
CoNiCr磁性膜や、CoCrPt磁性膜を使用しているがこれら
の磁性膜は結晶粒径が大きくなり、ノイズ特性が悪い問
題がある。
【０００７】ノイズ等の記録再生特性が良好な材料とし
て、CoCrTa、CoCrPtTa等のTaを含有する磁性膜は、テク
スチャーを施したアルミニウム基板上では保磁力角形比
Ｓ*が９３％程度のものが得られるが、テクスチャーの
施されていないアルミニウム基板では、保磁力角形比Ｓ
* が８０％程度しか得られない欠点を持つ。
て、CoCrTa、CoCrPtTa等のTaを含有する磁性膜は、テク
スチャーを施したアルミニウム基板上では保磁力角形比
Ｓ*が９３％程度のものが得られるが、テクスチャーの
施されていないアルミニウム基板では、保磁力角形比Ｓ
* が８０％程度しか得られない欠点を持つ。
【０００８】このようにガラス基板上では、保磁力角形
比Ｓ* は８０％程度と低いものしか得られず記録密度を
向上できない。また保磁力HcはCoCrTaでは、１４００Oe
程度、CoCrPtTaでは、１８００Oe程度が限界である。
比Ｓ* は８０％程度と低いものしか得られず記録密度を
向上できない。また保磁力HcはCoCrTaでは、１４００Oe
程度、CoCrPtTaでは、１８００Oe程度が限界である。
【０００９】ガラス基板とアルミニウム基板での保磁力
Hcの比較も行われているが、CoCrTaの磁性膜は、ガラス
基板を用いた場合、アルミニウム合金基板を用いた場合
に比べて保磁力が低い事がわかっている（日立金属技報
Vol ．10(1994)P39〜44、図３）。
Hcの比較も行われているが、CoCrTaの磁性膜は、ガラス
基板を用いた場合、アルミニウム合金基板を用いた場合
に比べて保磁力が低い事がわかっている（日立金属技報
Vol ．10(1994)P39〜44、図３）。
【００１０】これらの保磁力が現れるのはCr合金膜が基
板上に（２００）面が結晶成長し、そのうえにCo合金磁
性膜のＣ軸が前記（２００）面内に沿う形でCoが結晶配
向するためと考えられている。
板上に（２００）面が結晶成長し、そのうえにCo合金磁
性膜のＣ軸が前記（２００）面内に沿う形でCoが結晶配
向するためと考えられている。
【００１１】これらの低い保磁力Hcを向上させるため
に、ガラス基板の上にＷ下地膜を形成する提案（特開平
５−８１６３７号）や、ガラス基板と下地膜の間にTi、
Mo、Ｗ、Zu、Al、Mu、Si等の金属やSiO 2 、Al2 O 3 、
TiN 、AlN 等の酸化物または窒化物膜を形成する提案
（特開平２−２９９２３号）も知られている。
に、ガラス基板の上にＷ下地膜を形成する提案（特開平
５−８１６３７号）や、ガラス基板と下地膜の間にTi、
Mo、Ｗ、Zu、Al、Mu、Si等の金属やSiO 2 、Al2 O 3 、
TiN 、AlN 等の酸化物または窒化物膜を形成する提案
（特開平２−２９９２３号）も知られている。
【００１２】しかしながら、これらの手段によって得ら
れる保磁力Hcは概ね１０００〜１３００Oe程度である。
れる保磁力Hcは概ね１０００〜１３００Oe程度である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来の種々の改
良提案では、保磁力Hcの向上が、記録密度の向上の為に
は未だ不十分であった。
良提案では、保磁力Hcの向上が、記録密度の向上の為に
は未だ不十分であった。
【００１４】本発明は保磁力Hc並びに保磁力角形比Ｓ*
を向上した磁気記録媒体とその製造方法を提供すること
を目的としている。
を向上した磁気記録媒体とその製造方法を提供すること
を目的としている。
【００１５】ヘッドの浮上量を小さくできるガラス基板
とした場合、ガラス基板の表面および基板内部にはNa、
Ｋ等の不純物が、アルミニウム合金基板等の金属基板よ
り多く含まれ、かつ大気成分が吸蔵、吸着されており、
成膜時に加熱を受けた際に下地膜としてのCr合金膜の
（２００）面成長が、前記不純物や大気成分により阻害
され、下地膜の上に形成されるCo合金磁性膜のＣ軸が基
板面に対して平行となるような結晶成長が阻害されると
考えられる。この為、保磁力角形比Ｓ* が高く、かつ保
磁力Hcの高い磁気記録媒体が得られない。
とした場合、ガラス基板の表面および基板内部にはNa、
Ｋ等の不純物が、アルミニウム合金基板等の金属基板よ
り多く含まれ、かつ大気成分が吸蔵、吸着されており、
成膜時に加熱を受けた際に下地膜としてのCr合金膜の
（２００）面成長が、前記不純物や大気成分により阻害
され、下地膜の上に形成されるCo合金磁性膜のＣ軸が基
板面に対して平行となるような結晶成長が阻害されると
考えられる。この為、保磁力角形比Ｓ* が高く、かつ保
磁力Hcの高い磁気記録媒体が得られない。
【００１６】またガラス基板は赤外線ヒータ加熱では、
温度が上がりにくく、アルミニウム基板よりも長時間加
熱する必要があるため、不純物が真空中に多く放出され
る。その為下地膜および磁性膜を構成するCr、Coの成長
が阻害されやすく、磁気特性が悪い問題が発生している
と考えられている。
温度が上がりにくく、アルミニウム基板よりも長時間加
熱する必要があるため、不純物が真空中に多く放出され
る。その為下地膜および磁性膜を構成するCr、Coの成長
が阻害されやすく、磁気特性が悪い問題が発生している
と考えられている。
【００１７】更には、ガラス基板においては、従来のCo
NiCr磁性膜は粒径が大きく磁化遷移領域におけるジグザ
グ磁壁の磁気遷移幅を小さくできない。そこで媒体ノイ
ズが高く高密度化には適さない。そこで粒径が小さなCo
CrTa系の磁性膜を使用する方がよい。しかしこのCoCrTa
系は保磁力Hcが低く保磁力角形比Ｓ* も低い問題がある
ためこれを解決する必要がある。
NiCr磁性膜は粒径が大きく磁化遷移領域におけるジグザ
グ磁壁の磁気遷移幅を小さくできない。そこで媒体ノイ
ズが高く高密度化には適さない。そこで粒径が小さなCo
CrTa系の磁性膜を使用する方がよい。しかしこのCoCrTa
系は保磁力Hcが低く保磁力角形比Ｓ* も低い問題がある
ためこれを解決する必要がある。
【００１８】このように本発明はこれらCo合金膜、特に
CoCrTa等のTaを含有する磁性膜において、特にガラス基
板での保磁力Hcの低下、保磁力角形比Ｓ* の低下を解決
する事を目的とする。
CoCrTa等のTaを含有する磁性膜において、特にガラス基
板での保磁力Hcの低下、保磁力角形比Ｓ* の低下を解決
する事を目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記の如くの目的を達成
した本発明は、アルミニウム基板、ガラス基板等の非磁
性基板とCrを主成分とする下地膜の間に貴金属を主成分
とする膜を設けるようにしたものである。
した本発明は、アルミニウム基板、ガラス基板等の非磁
性基板とCrを主成分とする下地膜の間に貴金属を主成分
とする膜を設けるようにしたものである。
【００２０】即ち本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板
上にCrを主成分とする下地膜、Coを主成分とする磁性
膜、保護膜が順次積層された磁気記録媒体において、前
記非磁性基板とCrを主成分とする下地膜の間に、貴金属
を主成分とする膜が設けてあることを特徴とする磁気記
録媒体である。
上にCrを主成分とする下地膜、Coを主成分とする磁性
膜、保護膜が順次積層された磁気記録媒体において、前
記非磁性基板とCrを主成分とする下地膜の間に、貴金属
を主成分とする膜が設けてあることを特徴とする磁気記
録媒体である。
【００２１】又、前記貴金属を主成分とする膜は、Au、
Ag、Ir、Os、Pd、Pt、Rd、Ruの膜又はこれらの貴金属の
内の少なくとも１種類の材料を主成分とする合金の膜と
したことを特徴とする磁気記録媒体である。
Ag、Ir、Os、Pd、Pt、Rd、Ruの膜又はこれらの貴金属の
内の少なくとも１種類の材料を主成分とする合金の膜と
したことを特徴とする磁気記録媒体である。
【００２２】又、前記非磁性基板は、無電界メッキが施
された、アルミニウムを主成分とする基板であることを
特徴とする磁気記録媒体である。
された、アルミニウムを主成分とする基板であることを
特徴とする磁気記録媒体である。
【００２３】又、前記非磁性基板は、ソーダガラス、強
化ガラス、結晶化ガラス、セラミックまたはカーボンの
いずれかの非金属基板であることを特徴とする磁気記録
媒体である。
化ガラス、結晶化ガラス、セラミックまたはカーボンの
いずれかの非金属基板であることを特徴とする磁気記録
媒体である。
【００２４】次に本発明の磁気記録媒体の製造方法は、
非磁性基板上に、貴金属を主成分とする膜を形成した
後、Crを主成分とする下地膜、Coを主成分とする磁性
膜、保護膜を順次所定の厚さで形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法である。
非磁性基板上に、貴金属を主成分とする膜を形成した
後、Crを主成分とする下地膜、Coを主成分とする磁性
膜、保護膜を順次所定の厚さで形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法である。
【００２５】又、非磁性基板上に、貴金属を主成分とす
る膜を形成した後、前記非磁性基板を加熱し、Crを主成
分とする下地膜、Coを主成分とする磁性膜、保護膜を順
次所定の厚さで形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法である。
る膜を形成した後、前記非磁性基板を加熱し、Crを主成
分とする下地膜、Coを主成分とする磁性膜、保護膜を順
次所定の厚さで形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法である。
【００２６】又、前記貴金属を主成分とする膜は、Au、
Ag、Ir、Os、Pd、Pt、Rd、Ruの膜又はこれらの貴金属の
内の少なくとも１種類の材料を主成分とする合金の膜と
する磁気記録媒体の製造方法である。
Ag、Ir、Os、Pd、Pt、Rd、Ruの膜又はこれらの貴金属の
内の少なくとも１種類の材料を主成分とする合金の膜と
する磁気記録媒体の製造方法である。
【００２７】又、非磁性基板は、無電界メッキが施され
た、アルミニウムを主成分とする基板とした磁気記録媒
体の製造方法である。
た、アルミニウムを主成分とする基板とした磁気記録媒
体の製造方法である。
【００２８】又、前記非磁性基板は、ソーダガラス、強
化ガラス、結晶化ガラス、セラミックまたはカーボンの
いずれかの非金属基板とした磁気記録媒体の製造方法で
ある。
化ガラス、結晶化ガラス、セラミックまたはカーボンの
いずれかの非金属基板とした磁気記録媒体の製造方法で
ある。
【００２９】
【作用】この発明の磁気記録媒体によれば、貴金属を主
成分とする膜によって、基板からの不純物、特にガラス
基板におけるNa、K 等の拡散を防止する事により、成膜
雰囲気の真空中の不純物濃度を下げ、その後成膜する下
地膜におけるCrの（２００）面の成長を促進し、結晶配
向の良い膜の形成を可能にし、同時にその後成膜するCo
合金磁性膜の結晶配向の良い膜成長を可能にする。
成分とする膜によって、基板からの不純物、特にガラス
基板におけるNa、K 等の拡散を防止する事により、成膜
雰囲気の真空中の不純物濃度を下げ、その後成膜する下
地膜におけるCrの（２００）面の成長を促進し、結晶配
向の良い膜の形成を可能にし、同時にその後成膜するCo
合金磁性膜の結晶配向の良い膜成長を可能にする。
【００３０】これにより、ガラス基板であっても、高保
磁力Hcで、かつ保磁力角形比Ｓ* が９２％以上とテクス
チャーを施したアルミ基板並みの優れた磁気特性を実現
できる。
磁力Hcで、かつ保磁力角形比Ｓ* が９２％以上とテクス
チャーを施したアルミ基板並みの優れた磁気特性を実現
できる。
【００３１】ガラス基板を真空中に導入し、基板上に最
初に貴金属を主成分とする膜をスパッタリングにより形
成し、その後加熱することにより、基板からのＨ2 Ｏ等
のガス放出を低下させ、真空度の低下をおさえることが
できる。
初に貴金属を主成分とする膜をスパッタリングにより形
成し、その後加熱することにより、基板からのＨ2 Ｏ等
のガス放出を低下させ、真空度の低下をおさえることが
できる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。図中（ａ）が実施例の断面図、（ｂ）が従来品の
断面図である。
する。図中（ａ）が実施例の断面図、（ｂ）が従来品の
断面図である。
【００３３】基板４０として、アルミニウム基板では表
面に１０ミクロン程度のNiP メッキ（無電界メッキ）を
施し、円周方向にテクスチャーが施されたものが使用さ
れる。大きさは、外径９５mm、６５mm、４８mm等とし、
厚みは１．２７mm、０．８mm、０．６３５mm等とする。
また非金属基板としては、ガラス基板では、ソーダガラ
ス、強化ガラス、あるいは、米国CORNING 社製の結晶化
ガラス（カナサイト）が使用でき、同様にセラミック基
板としては、アルミナ系の基板や、その他カーボンを主
成分とする基板も使用することができる。
面に１０ミクロン程度のNiP メッキ（無電界メッキ）を
施し、円周方向にテクスチャーが施されたものが使用さ
れる。大きさは、外径９５mm、６５mm、４８mm等とし、
厚みは１．２７mm、０．８mm、０．６３５mm等とする。
また非金属基板としては、ガラス基板では、ソーダガラ
ス、強化ガラス、あるいは、米国CORNING 社製の結晶化
ガラス（カナサイト）が使用でき、同様にセラミック基
板としては、アルミナ系の基板や、その他カーボンを主
成分とする基板も使用することができる。
【００３４】これら基板４０上に貴金属薄膜４１が形成
されており、その貴金属はAu、Ag、Ir、Os、Pd、Pt、R
d、Ruの一つ或いはこれら貴金属の内、少なくとも１種
類を主成分とする合金膜とされている。その膜厚は例え
ば、Ptを主成分とする合金（PtSi、PtC 、PtB 、PtNiP
等）を使用した場合は膜厚が、１０〜２０００A （１〜
２００nm）、好ましくは２００〜１０００A （２０〜１
００nm）程度で以下で説明するように保磁力Hc、保磁力
角形比Ｓ* が優れた磁気記録媒体が得られる。Pt以外の
貴金属の合金としては、Agの合金AgSi、AgB 、Irの合金
IrSi、IrB 、Osの合金OsSi、OsB 、Pdの合金PdB 、PdC
、Rdの合金RdSi、RdB 、Ruの合金RuSi、RuB を採用す
ることができる。膜厚は前記Ptを主成分とする合金と同
様とする。
されており、その貴金属はAu、Ag、Ir、Os、Pd、Pt、R
d、Ruの一つ或いはこれら貴金属の内、少なくとも１種
類を主成分とする合金膜とされている。その膜厚は例え
ば、Ptを主成分とする合金（PtSi、PtC 、PtB 、PtNiP
等）を使用した場合は膜厚が、１０〜２０００A （１〜
２００nm）、好ましくは２００〜１０００A （２０〜１
００nm）程度で以下で説明するように保磁力Hc、保磁力
角形比Ｓ* が優れた磁気記録媒体が得られる。Pt以外の
貴金属の合金としては、Agの合金AgSi、AgB 、Irの合金
IrSi、IrB 、Osの合金OsSi、OsB 、Pdの合金PdB 、PdC
、Rdの合金RdSi、RdB 、Ruの合金RuSi、RuB を採用す
ることができる。膜厚は前記Ptを主成分とする合金と同
様とする。
【００３５】この貴金属薄膜４１の上に積層してCrを主
成分とした下地膜４２が形成してある。
成分とした下地膜４２が形成してある。
【００３６】膜厚は１０〜２０００A （１〜２００nm）
で、好ましくは３００〜１０００A（３０〜１００nm）
である。前記膜厚の範囲内では、Crを主成分とした下地
膜４２の膜厚に保磁力Hcは比例して増加する。
で、好ましくは３００〜１０００A（３０〜１００nm）
である。前記膜厚の範囲内では、Crを主成分とした下地
膜４２の膜厚に保磁力Hcは比例して増加する。
【００３７】前記下地膜４２の上に積層してCoを主成分
とする磁性膜４３が形成されている。膜厚は１０〜１０
００A （１〜１００nm）程度で、好ましくは、１００〜
５００A （１０〜５０nm）である。Co合金に含まれる他
の組成は、Crが５〜２０at％、Taが０．５〜８at％、そ
の他に、Ni、Pt等を含ませることも可能である。
とする磁性膜４３が形成されている。膜厚は１０〜１０
００A （１〜１００nm）程度で、好ましくは、１００〜
５００A （１０〜５０nm）である。Co合金に含まれる他
の組成は、Crが５〜２０at％、Taが０．５〜８at％、そ
の他に、Ni、Pt等を含ませることも可能である。
【００３８】典型的には、Co-12at%Cr-2at%Ta 等のCoCr
Ta系、Co-30at%Ni-7.5at%Cr 等のCoNiCr系、Co-13at%Cr
-6at%Pt-3at%Ta、Co-13at%Cr-12at%Pt等のCoCrNiPtTa系
とすることができる。
Ta系、Co-30at%Ni-7.5at%Cr 等のCoNiCr系、Co-13at%Cr
-6at%Pt-3at%Ta、Co-13at%Cr-12at%Pt等のCoCrNiPtTa系
とすることができる。
【００３９】前記磁性膜４３の上に積層して保護と潤滑
性を付与するためのカーボン系の保護膜４４が１０〜３
００A （１〜３０nm）程度積層されている。この保護膜
４４の表面には、必要に応じてフォンブリン系のグリー
スが、１０〜４０A （１〜４nm）程度塗布する場合もあ
る。
性を付与するためのカーボン系の保護膜４４が１０〜３
００A （１〜３０nm）程度積層されている。この保護膜
４４の表面には、必要に応じてフォンブリン系のグリー
スが、１０〜４０A （１〜４nm）程度塗布する場合もあ
る。
【００４０】図１（ａ）、（ｂ）に示したように実施例
の磁気記録媒体の構造は、従来品に対し、下地膜４２
と、基板４０の間に貴金属薄膜４１を設けている点で相
違しているものである。
の磁気記録媒体の構造は、従来品に対し、下地膜４２
と、基板４０の間に貴金属薄膜４１を設けている点で相
違しているものである。
【００４１】図２には実施例の磁気特性を示した。磁気
特性を測定した磁気記録媒体は、貴金属薄膜４１をPtを
主成分とする合金膜（PtSi）とし厚さを５０nmとした。
Crを主成分とした下地膜４２はCrとし、厚さ１００nm、
Coを主成分とする磁性膜４３は厚さを３５nmとし、Co-1
2at%Cr-2at%Ta とCo-13at%Cr-6at%Pt-3at%Taの場合につ
いて測定した。基板４０はアルミニウム基板またはガラ
ス基板（結晶化ガラス）を用いた。また保護膜４４は、
Ｃを２０nmとした。
特性を測定した磁気記録媒体は、貴金属薄膜４１をPtを
主成分とする合金膜（PtSi）とし厚さを５０nmとした。
Crを主成分とした下地膜４２はCrとし、厚さ１００nm、
Coを主成分とする磁性膜４３は厚さを３５nmとし、Co-1
2at%Cr-2at%Ta とCo-13at%Cr-6at%Pt-3at%Taの場合につ
いて測定した。基板４０はアルミニウム基板またはガラ
ス基板（結晶化ガラス）を用いた。また保護膜４４は、
Ｃを２０nmとした。
【００４２】比較のために、同様のアルミニウム基板お
よびガラス基板でなる基板４０に、図１（ｂ）のように
Crを主成分とするCrの下地膜４２を１００nm、前記と同
様の組成のCoを主成分とする磁性膜４３を３５nm、Ｃの
保護膜４４を２０nmとした従来技術の場合を測定して図
２に示してある。
よびガラス基板でなる基板４０に、図１（ｂ）のように
Crを主成分とするCrの下地膜４２を１００nm、前記と同
様の組成のCoを主成分とする磁性膜４３を３５nm、Ｃの
保護膜４４を２０nmとした従来技術の場合を測定して図
２に示してある。
【００４３】また表１には、基板４０としてガラス基板
（結晶化ガラス）を用い、前記と同様の貴金属薄膜４１
を５０nm、Crを主成分とした下地膜４２を１００nm、Co
-13at%Cr-6at%Pt-3at%Taの磁性膜４３を３５nm、保護膜
４４を２０nmとした実施例と、従来技術としては、ガラ
ス基板を用いて、貴金属薄膜４１を設けることなく、Ni
p 膜を５０nmを設けたものと設けないもの、並びに磁性
膜４３としては前記と同様のCoCrPtTa膜と、Co-13at%Cr
-12at%Ta膜としたものについて磁気特性を示した。
（結晶化ガラス）を用い、前記と同様の貴金属薄膜４１
を５０nm、Crを主成分とした下地膜４２を１００nm、Co
-13at%Cr-6at%Pt-3at%Taの磁性膜４３を３５nm、保護膜
４４を２０nmとした実施例と、従来技術としては、ガラ
ス基板を用いて、貴金属薄膜４１を設けることなく、Ni
p 膜を５０nmを設けたものと設けないもの、並びに磁性
膜４３としては前記と同様のCoCrPtTa膜と、Co-13at%Cr
-12at%Ta膜としたものについて磁気特性を示した。
【００４４】 表１ 磁気特性の下地層依存性（ガラス基板） 加熱温度 Hc Brd Ｓ* Ｒｓ （℃） (Oe) (Gum) （％） （％） 本実施例 貴金属薄膜/Cr/Co13Cr6Pt3Ta 350 2600 280 94 95 （合金膜） 従来技術 NiP /Cr/Co13Cr6Pt3Ta 350 1900 280 86 98 従来技術 下地なし /Cr/Co13Cr6Pt3Ta 350 1900 280 84 92 従来技術 NiP /Cr/Co13Cr12Pt 350 2300 310 86 87
【００４５】図２および表１から明らかなように、実施
例では保磁力Hcについては最大２６００Oeと向上でき、
また保磁力角形比Ｓ* については９４〜８７％と向上で
き、従来技術に比べて優れた磁気記録媒体が得られた。
例では保磁力Hcについては最大２６００Oeと向上でき、
また保磁力角形比Ｓ* については９４〜８７％と向上で
き、従来技術に比べて優れた磁気記録媒体が得られた。
【００４６】図３および図４はCo-13at%Cr-6at%Pt-3at%
Taの磁性膜４３のグレイン径（結晶粒の大きさ）および
グレイン径の分布を調べたものである。図３が実施例の
磁性膜４３、図４が従来技術の磁性膜４３である。
Taの磁性膜４３のグレイン径（結晶粒の大きさ）および
グレイン径の分布を調べたものである。図３が実施例の
磁性膜４３、図４が従来技術の磁性膜４３である。
【００４７】実施例の磁性膜４３のグレイン径は平均２
３０Ａであり、従来技術の平均２８０Ａに比べてグレイ
ン径が小さく、またグレインの大きさもそろっているこ
とが判明し、磁気特性に有効に作用していると認められ
た。
３０Ａであり、従来技術の平均２８０Ａに比べてグレイ
ン径が小さく、またグレインの大きさもそろっているこ
とが判明し、磁気特性に有効に作用していると認められ
た。
【００４８】前記実施例の磁気記録媒体の製造には図５
に示したような典型的なインライン型スパッタ装置が望
ましい。装置は、大気開放が繰り返される装入室２１と
排出室２２の間に、ゲートバルブ２３、２３を介設し
て、スパッタ室２４、加熱室２５、スパッタ室２６、２
７、２８を順次連設して構成されている。前記基板４０
はパレットと称するディスクキャリア（図示していな
い）に支持されて装入室２１側から矢示２９の方向に、
排出室２２へ向けて、間欠的に移送されて、スパッタ室
２４、２６〜２８では両面がターゲット（図示していな
い）と対向し、また加熱室２５では両面がヒータと対向
し、成膜或いは加熱が行なわれる。
に示したような典型的なインライン型スパッタ装置が望
ましい。装置は、大気開放が繰り返される装入室２１と
排出室２２の間に、ゲートバルブ２３、２３を介設し
て、スパッタ室２４、加熱室２５、スパッタ室２６、２
７、２８を順次連設して構成されている。前記基板４０
はパレットと称するディスクキャリア（図示していな
い）に支持されて装入室２１側から矢示２９の方向に、
排出室２２へ向けて、間欠的に移送されて、スパッタ室
２４、２６〜２８では両面がターゲット（図示していな
い）と対向し、また加熱室２５では両面がヒータと対向
し、成膜或いは加熱が行なわれる。
【００４９】加熱室２５および各スパッタ室２４、２６
〜２８は、1 ｘ10-7Torr以下の到達圧力に高真空ポンプ
等により排気される。加熱室２５は最低２個の赤外線ヒ
ータを備え、ディスクキャリアで搬送されてくる基板４
０を、両面から加熱できるように赤外線ヒータが対向し
て配置されている。加熱室２５の次にはスパッタ室２
６、２７、２８が複数設置されており、各スパッタ室２
４、２６〜２８には最低２個以上のターゲット電極を備
え、基板４０の両面に同時に成膜できるようになってい
る。
〜２８は、1 ｘ10-7Torr以下の到達圧力に高真空ポンプ
等により排気される。加熱室２５は最低２個の赤外線ヒ
ータを備え、ディスクキャリアで搬送されてくる基板４
０を、両面から加熱できるように赤外線ヒータが対向し
て配置されている。加熱室２５の次にはスパッタ室２
６、２７、２８が複数設置されており、各スパッタ室２
４、２６〜２８には最低２個以上のターゲット電極を備
え、基板４０の両面に同時に成膜できるようになってい
る。
【００５０】各室はゲートバルブ２３で仕切られてお
り、ディスクキャリアはスパッタ室の下部に設置されて
いる搬送機構により自由に所定のスパッタ室或いは加熱
室へ移動が可能となっている。またスパッタ室をゲート
バルブ２３で仕切る事によりスパッタ室間のクロスコン
タミネーションを防止するような構造になっている。
り、ディスクキャリアはスパッタ室の下部に設置されて
いる搬送機構により自由に所定のスパッタ室或いは加熱
室へ移動が可能となっている。またスパッタ室をゲート
バルブ２３で仕切る事によりスパッタ室間のクロスコン
タミネーションを防止するような構造になっている。
【００５１】前記基板４０を装入室２１を介して真空中
に導入し高真空排気しある程度の脱ガスを行う。成膜時
のスパッタ室２４、２６〜２８は、１〜２０m Torr程度
になるまでアルゴンガスを導入する。膜厚はスパッタガ
ス圧、ターゲット電極に投入するパワー、放電時間で制
御する事ができ、スパッタガス圧は１〜１０m Torr、投
入パワーは０．３〜３．０Kwが望ましい。
に導入し高真空排気しある程度の脱ガスを行う。成膜時
のスパッタ室２４、２６〜２８は、１〜２０m Torr程度
になるまでアルゴンガスを導入する。膜厚はスパッタガ
ス圧、ターゲット電極に投入するパワー、放電時間で制
御する事ができ、スパッタガス圧は１〜１０m Torr、投
入パワーは０．３〜３．０Kwが望ましい。
【００５２】実施例では前記貴金属薄膜４１をスパッタ
室２４で、Crを主成分とした下地膜４２をスパッタ室２
６で、Coを主成分とする磁性膜を４３をスパッタ室２７
で、そしてカーボン系の保護膜４４をスパッタ室２８で
順次連続成膜し排出室２２へ排出するようにしている。
前記貴金属薄膜４１については２００〜１０００A （２
０〜１００nm）程度、Crを主成分とした下地膜について
は３００〜１０００A（３０〜１００nm）程度、Coを主
成分とする磁性膜については１００〜５００A（１０〜
５０nm）程度に膜厚を制御して、保磁力Hc、保磁力角形
比Ｓ* とも良好な媒体を得る事ができる。
室２４で、Crを主成分とした下地膜４２をスパッタ室２
６で、Coを主成分とする磁性膜を４３をスパッタ室２７
で、そしてカーボン系の保護膜４４をスパッタ室２８で
順次連続成膜し排出室２２へ排出するようにしている。
前記貴金属薄膜４１については２００〜１０００A （２
０〜１００nm）程度、Crを主成分とした下地膜について
は３００〜１０００A（３０〜１００nm）程度、Coを主
成分とする磁性膜については１００〜５００A（１０〜
５０nm）程度に膜厚を制御して、保磁力Hc、保磁力角形
比Ｓ* とも良好な媒体を得る事ができる。
【００５３】加熱は前記貴金属薄膜４１の成膜後が望ま
しく、従来のアルミニウム基板では１５０〜３００℃、
前記ガラス基板等の非金属基板では必要に応じて２００
〜５００℃に加熱するのが望ましい。
しく、従来のアルミニウム基板では１５０〜３００℃、
前記ガラス基板等の非金属基板では必要に応じて２００
〜５００℃に加熱するのが望ましい。
【００５４】従って、加熱の必要が無い場合は、装置は
加熱室２５の無いもので構成し、貴金属薄膜４１、下地
膜４２、磁性膜４３、保護膜４４を順次成膜するように
する。
加熱室２５の無いもので構成し、貴金属薄膜４１、下地
膜４２、磁性膜４３、保護膜４４を順次成膜するように
する。
【００５５】
【発明の効果】以上に説明した通り本発明によれば、保
磁力Hcおよび保磁力角形比Ｓ* を向上した磁気記録媒体
とできる効果がある。
磁力Hcおよび保磁力角形比Ｓ* を向上した磁気記録媒体
とできる効果がある。
【００５６】また、磁性膜のグレイン径の微細化および
粒径の均一化が図られるので、磁気記録媒体の電気的特
性、特に記録再成特性のノイズ低減に効果がある。
粒径の均一化が図られるので、磁気記録媒体の電気的特
性、特に記録再成特性のノイズ低減に効果がある。
【００５７】更に非磁性基板はガラス基板等でもアルミ
ニウム基板でも略同等の特性を得て、基板の材質に左右
されない効果があり、製造の管理も容易となる効果があ
る。
ニウム基板でも略同等の特性を得て、基板の材質に左右
されない効果があり、製造の管理も容易となる効果があ
る。
【図１】磁気記録媒体の一部拡大断面図で、（ａ）は実
施例、（ｂ）は従来技術のものである。
施例、（ｂ）は従来技術のものである。
【図２】実施例の磁気特性のグラフで、（ａ）は保磁力
Hcのグラフ、（ｂ）は保磁力角形比Ｓ* のグラフであ
る。
Hcのグラフ、（ｂ）は保磁力角形比Ｓ* のグラフであ
る。
【図３】実施例の磁性膜のグレイン径の図で、（ａ）は
顕微鏡（６０万倍）写真の模写図、（ｂ）はヒストグラ
ムである。
顕微鏡（６０万倍）写真の模写図、（ｂ）はヒストグラ
ムである。
【図４】従来技術の磁性膜のグレイン径の図で、（ａ）
は顕微鏡（６０万倍）写真の模写図、（ｂ）はヒストグ
ラムである。
は顕微鏡（６０万倍）写真の模写図、（ｂ）はヒストグ
ラムである。
【図５】実施例の製造装置の構成図である。
２１ 装入室 ２２ 排出室 ２３ ゲートバルブ ２４、２６、２７、２８ スパッタ室 ２５ 加熱室 ４０ 基板 ４１ 貴金属薄膜 ４２ 下地膜 ４３ 磁性膜 ４４ 保護膜
Claims (9)
- 【請求項１】 非磁性基板上にCrを主成分とする下地
膜、Coを主成分とする磁性膜、保護膜が順次積層された
磁気記録媒体において、前記非磁性基板とCrを主成分と
する下地膜の間に、貴金属を主成分とする膜が設けてあ
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 貴金属を主成分とする膜は、Au、Ag、I
r、Os、Pd、Pt、Rd、Ruの膜又はこれらの貴金属の内の
少なくとも１種類の材料を主成分とする合金の膜とした
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板は、無電界メッキが施され
た、アルミニウムを主成分とする基板であることを特徴
とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性基板は、ソーダガラス、強化ガラ
ス、結晶化ガラス、セラミックまたはカーボンのいずれ
かの非金属基板であることを特徴とする請求項１記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性基板上に、貴金属を主成分とする
膜を形成した後、Crを主成分とする下地膜、Coを主成分
とする磁性膜、保護膜を順次所定の厚さで形成すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 非磁性基板上に、貴金属を主成分とする
膜を形成した後、前記非磁性基板を加熱し、Crを主成分
とする下地膜、Coを主成分とする磁性膜、保護膜を順次
所定の厚さで形成することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項７】 貴金属を主成分とする膜は、Au、Ag、I
r、Os、Pd、Pt、Rd、Ruの膜又はこれらの貴金属の内の
少なくとも１種類の材料を主成分とする合金の膜とする
請求項５または６記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 非磁性基板は、無電界メッキが施され
た、アルミニウムを主成分とする基板とした請求項５ま
たは６記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 非磁性基板は、ソーダガラス、強化ガラ
ス、結晶化ガラス、セラミックまたはカーボンのいずれ
かの非金属基板とした請求項５または６記載の磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17119194A JPH0836731A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17119194A JPH0836731A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836731A true JPH0836731A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15918703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17119194A Pending JPH0836731A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0836731A (ja) |
-
1994
- 1994-07-22 JP JP17119194A patent/JPH0836731A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040405 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040518 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |