JPH05325183A - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH05325183A JPH05325183A JP12769392A JP12769392A JPH05325183A JP H05325183 A JPH05325183 A JP H05325183A JP 12769392 A JP12769392 A JP 12769392A JP 12769392 A JP12769392 A JP 12769392A JP H05325183 A JPH05325183 A JP H05325183A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 14
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 abstract description 14
- 238000005204 segregation Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 M o Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板温度 250℃以上にて基板の上に、磁性体
層、保護層を順にスパッタ法により形成して磁気ディス
クを製造するに際し、保護層の構成材料として前記基板
温度において磁性体層中へ拡散しない非拡散性元素、例
えばZrを用いるようにする。 【効果】 CoCr系合金磁性体層中の結晶粒界に基板温度
を高めることによって偏析が促進されるCrの偏析量が、
保護層を構成する非拡散性元素によって減少するという
ことがなく、高い保磁力を有する磁気ディスクが得られ
る。
層、保護層を順にスパッタ法により形成して磁気ディス
クを製造するに際し、保護層の構成材料として前記基板
温度において磁性体層中へ拡散しない非拡散性元素、例
えばZrを用いるようにする。 【効果】 CoCr系合金磁性体層中の結晶粒界に基板温度
を高めることによって偏析が促進されるCrの偏析量が、
保護層を構成する非拡散性元素によって減少するという
ことがなく、高い保磁力を有する磁気ディスクが得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高い保磁力を有する
磁気ディスクが得られるようにした、磁気ディスクの製
造方法に関するものである。
磁気ディスクが得られるようにした、磁気ディスクの製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、情報量の増大に対応する
ため、磁気ディスク装置の高容量化及び磁気ディスクの
高密度化が図られている。記録密度向上のためには、記
録媒体（磁性体層）の厚みを薄くすることが必要とされ
ている。この点から、媒体膜厚減少に限界がみられる塗
布型磁気ディスクに代わるものとして、基板上にスパッ
タ法により磁性体層を形成した構造のスパッタ薄膜型磁
気ディスクが注目されており、その一部は実用に供され
ている。
ため、磁気ディスク装置の高容量化及び磁気ディスクの
高密度化が図られている。記録密度向上のためには、記
録媒体（磁性体層）の厚みを薄くすることが必要とされ
ている。この点から、媒体膜厚減少に限界がみられる塗
布型磁気ディスクに代わるものとして、基板上にスパッ
タ法により磁性体層を形成した構造のスパッタ薄膜型磁
気ディスクが注目されており、その一部は実用に供され
ている。
【０００３】また、磁性体層（磁性層）の厚みを薄くす
ることとともに、保磁力（Hc）を高めることが記録密度
向上のための有力な手段となっている。そのため、従
来、スパッタ薄膜型磁気ディスクにおいては、保磁力を
高めるために基板温度を通常の温度 150〜 250℃程度よ
りも高くした状態で、基板の上に、CoNiCrなどのCoCr系
合金よりなる磁性体層（磁性層）、保護層を順にスパッ
タ法により形成して、磁気ディスクを作製するようにし
た方法が知られている（例えば、石川ほか，第11回日本
応用磁気学会学術講演概要集，１pA−10，p.18，1987、
堀川ほか，第14回日本応用磁気学会学術講演概要集，８
pB−16，p.27，1990）。
ることとともに、保磁力（Hc）を高めることが記録密度
向上のための有力な手段となっている。そのため、従
来、スパッタ薄膜型磁気ディスクにおいては、保磁力を
高めるために基板温度を通常の温度 150〜 250℃程度よ
りも高くした状態で、基板の上に、CoNiCrなどのCoCr系
合金よりなる磁性体層（磁性層）、保護層を順にスパッ
タ法により形成して、磁気ディスクを作製するようにし
た方法が知られている（例えば、石川ほか，第11回日本
応用磁気学会学術講演概要集，１pA−10，p.18，1987、
堀川ほか，第14回日本応用磁気学会学術講演概要集，８
pB−16，p.27，1990）。
【０００４】上記のようにした磁気ディスクの製造方法
では、CoCr系合金よりなる磁性体層上に、保護層として
C（炭素）よりなる C保護層を形成するようにしてい
る。そして、保磁力向上の理由としては、基板温度を通
常の温度よりも高めることにより、CoCr系合金磁性体層
中の結晶粒界へのCrの偏析が促進されることにあると考
えられている。
では、CoCr系合金よりなる磁性体層上に、保護層として
C（炭素）よりなる C保護層を形成するようにしてい
る。そして、保磁力向上の理由としては、基板温度を通
常の温度よりも高めることにより、CoCr系合金磁性体層
中の結晶粒界へのCrの偏析が促進されることにあると考
えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
技術では、例えば基板温度を 300℃よりも高くした状態
で、CoCr系合金磁性体層、 C保護層を順に形成するよう
にした場合には、保磁力が低下するという問題がある。
そこで、本発明者らは、この保磁力低下の原因について
研究を重ねた結果、基板温度 250℃以上にて基板の上
に、CoCr系合金磁性体層、 C保護層を順にスパッタ法に
より形成する場合、保護層の構成材料である CがCoCr系
合金磁性体層中へ拡散することを突き止めた。
技術では、例えば基板温度を 300℃よりも高くした状態
で、CoCr系合金磁性体層、 C保護層を順に形成するよう
にした場合には、保磁力が低下するという問題がある。
そこで、本発明者らは、この保磁力低下の原因について
研究を重ねた結果、基板温度 250℃以上にて基板の上
に、CoCr系合金磁性体層、 C保護層を順にスパッタ法に
より形成する場合、保護層の構成材料である CがCoCr系
合金磁性体層中へ拡散することを突き止めた。
【０００６】この発明は、上記の知見に基づいて考え出
されたものであって、基板温度 250℃以上にて基板の上
に、磁性体層、保護層を順にスパッタ法により形成し
て、磁気ディスクを製造するに際し、保護層の構成材料
として上記基板温度において磁性体層中へ拡散しない非
拡散性元素を用いることにより、高い保磁力を有する磁
気ディスクが得られるようにした、磁気ディスクの製造
方法の提供をその目的とする。
されたものであって、基板温度 250℃以上にて基板の上
に、磁性体層、保護層を順にスパッタ法により形成し
て、磁気ディスクを製造するに際し、保護層の構成材料
として上記基板温度において磁性体層中へ拡散しない非
拡散性元素を用いることにより、高い保磁力を有する磁
気ディスクが得られるようにした、磁気ディスクの製造
方法の提供をその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明による磁気ディスクの製造方法は、基板
温度 250℃以上にて基板の上に、磁性体層、保護層を順
にスパッタ法により形成して磁気ディスクを製造する方
法において、前記保護層の構成材料として前記基板温度
において前記磁性体層中へ拡散しない非拡散性元素を用
いることを特徴とする。
めに、この発明による磁気ディスクの製造方法は、基板
温度 250℃以上にて基板の上に、磁性体層、保護層を順
にスパッタ法により形成して磁気ディスクを製造する方
法において、前記保護層の構成材料として前記基板温度
において前記磁性体層中へ拡散しない非拡散性元素を用
いることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明者らは、上述した保磁力低下の原因につ
いて研究を重ねた結果、基板温度 250℃以上にて基板の
上に、CoCr系合金磁性体層、 C保護層を順にスパッタ法
により形成する場合、 C保護層の構成材料である CがCo
Cr系合金磁性体層中へ拡散すること突き止めた。このこ
とから、CoCr系合金磁性体層中の結晶粒界に基板温度を
高めることによって偏析が促進されるCrの偏析量が、上
記 Cの拡散によって減少することにより、保磁力が低下
するものと考えた。また、基板上に、非磁性元素であり
広く用いられる例えばCrよりなるCr下地層、磁性体層、
C保護層を順に有する構造の磁気ディスクにおいては、
磁性体層上に C保護層を形成すると、Cr下地層から磁性
体層中の結晶粒界へ偏析していたCrを引き寄せ、Cr偏析
量が減少することにより、保磁力が低下するものと考え
た。なお、基板上に、Cr下地層、CoCr系合金磁性体層、
及び C保護層を有する構造の磁気ディスクにおいても、
上記のことから、CoCr系合金磁性体層におけるCr偏析量
が減少し、保磁力が低下するものと考えた。
いて研究を重ねた結果、基板温度 250℃以上にて基板の
上に、CoCr系合金磁性体層、 C保護層を順にスパッタ法
により形成する場合、 C保護層の構成材料である CがCo
Cr系合金磁性体層中へ拡散すること突き止めた。このこ
とから、CoCr系合金磁性体層中の結晶粒界に基板温度を
高めることによって偏析が促進されるCrの偏析量が、上
記 Cの拡散によって減少することにより、保磁力が低下
するものと考えた。また、基板上に、非磁性元素であり
広く用いられる例えばCrよりなるCr下地層、磁性体層、
C保護層を順に有する構造の磁気ディスクにおいては、
磁性体層上に C保護層を形成すると、Cr下地層から磁性
体層中の結晶粒界へ偏析していたCrを引き寄せ、Cr偏析
量が減少することにより、保磁力が低下するものと考え
た。なお、基板上に、Cr下地層、CoCr系合金磁性体層、
及び C保護層を有する構造の磁気ディスクにおいても、
上記のことから、CoCr系合金磁性体層におけるCr偏析量
が減少し、保磁力が低下するものと考えた。
【０００９】そこで、保護層の構成材料として、 250℃
以上の基板温度において磁性体層中へ拡散しない非拡散
性元素を用いることにより、磁性体層中の結晶粒界にお
けるCr偏析量の減少をなくして、高い保磁力を有する磁
気ディスクが得られるようにしたのである。上記保護層
を構成する非拡散性元素としては、Li、Be、B 、Na、M
g、Al、Si、P 、S 、K 、Ca、Sc、Ti、V 、Cr、Mn、F
e、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、As、Se、Sr、Y 、Zr、Nb、M
o、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、I 、Ba、L
a、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Y
b、Lu、Hf、Ta、W 、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl、Pb、及
びBiの群から選ばれた１種、もしくは、H 、Li、Be、B
、C 、N、O 、F 、Na、Mg、Al、Si、P 、S 、Cl、K 、
Ca、Sc、Ti、V 、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、G
e、As、Se、Br、Rb、Sr、Y 、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、P
d、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、I 、Ba、La、Ce、Pr、N
d、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、T
a、W 、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl、Pb、及びBiの群から
選ばれた２種以上を挙げることができる。なお、潤滑性
を高めるために、必要に応じて上記非拡散性元素よりな
る保護層上に、従来の Cなどを用いた層を形成するよう
にしてもよい。
以上の基板温度において磁性体層中へ拡散しない非拡散
性元素を用いることにより、磁性体層中の結晶粒界にお
けるCr偏析量の減少をなくして、高い保磁力を有する磁
気ディスクが得られるようにしたのである。上記保護層
を構成する非拡散性元素としては、Li、Be、B 、Na、M
g、Al、Si、P 、S 、K 、Ca、Sc、Ti、V 、Cr、Mn、F
e、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、As、Se、Sr、Y 、Zr、Nb、M
o、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、I 、Ba、L
a、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Y
b、Lu、Hf、Ta、W 、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl、Pb、及
びBiの群から選ばれた１種、もしくは、H 、Li、Be、B
、C 、N、O 、F 、Na、Mg、Al、Si、P 、S 、Cl、K 、
Ca、Sc、Ti、V 、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、G
e、As、Se、Br、Rb、Sr、Y 、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、P
d、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、I 、Ba、La、Ce、Pr、N
d、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、T
a、W 、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl、Pb、及びBiの群から
選ばれた２種以上を挙げることができる。なお、潤滑性
を高めるために、必要に応じて上記非拡散性元素よりな
る保護層上に、従来の Cなどを用いた層を形成するよう
にしてもよい。
【００１０】この発明による方法においては、基板とし
ては、カーボン基板、強化ガラス基板、結晶化ガラス基
板、セラミック基板、チタン基板、およびシリコン基板
などが挙げられる。なお、アルミニウム合金基板、無電
解NiP めっき基板は、基板温度 250℃以上においては変
形し易いなどの耐熱性点で劣り、現状では好ましくな
い。
ては、カーボン基板、強化ガラス基板、結晶化ガラス基
板、セラミック基板、チタン基板、およびシリコン基板
などが挙げられる。なお、アルミニウム合金基板、無電
解NiP めっき基板は、基板温度 250℃以上においては変
形し易いなどの耐熱性点で劣り、現状では好ましくな
い。
【００１１】この発明による方法が適用される磁気ディ
スクの磁性体層の媒体材料としては、CoNiCr、CoCrTa、
CoCrPtなどのCoCr系合金が挙げられる。また、下地層と
して例えばCr下地層を有する磁性体層の媒体材料として
は、上記CoNiCr、CoCrTa、CoCrPtなどの他に、CoNiPt、
γ−Fe2O3 などが挙げられる。
スクの磁性体層の媒体材料としては、CoNiCr、CoCrTa、
CoCrPtなどのCoCr系合金が挙げられる。また、下地層と
して例えばCr下地層を有する磁性体層の媒体材料として
は、上記CoNiCr、CoCrTa、CoCrPtなどの他に、CoNiPt、
γ−Fe2O3 などが挙げられる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。 〔実施例１〕まず、磁気ディスクの基板としてのカーボ
ン基板の作製について説明すると、炭化焼成後にガラス
質炭素となる熱硬化性樹脂であるフェノール・フォルム
アルデヒド樹脂を磁気ディスク形状に成形した後、N2ガ
ス雰囲気中で1000〜1500℃の温度で予備焼成する。次い
で、これを熱間静水圧加圧装置（ＨＩＰ）を使用して25
00℃に加熱しつつ2000気圧の等方的圧力を加えてＨＩＰ
処理する。この得られた成形体に所定の周端面加工、表
面研磨を施して、厚さ1.27mmの3.5 インチ用のカーボン
基板とした。
ン基板の作製について説明すると、炭化焼成後にガラス
質炭素となる熱硬化性樹脂であるフェノール・フォルム
アルデヒド樹脂を磁気ディスク形状に成形した後、N2ガ
ス雰囲気中で1000〜1500℃の温度で予備焼成する。次い
で、これを熱間静水圧加圧装置（ＨＩＰ）を使用して25
00℃に加熱しつつ2000気圧の等方的圧力を加えてＨＩＰ
処理する。この得られた成形体に所定の周端面加工、表
面研磨を施して、厚さ1.27mmの3.5 インチ用のカーボン
基板とした。
【００１３】インライン式D.C.マグネトロンスパッタ装
置を用いて、カーボン基板上に、下地層として厚み3000
ÅのCr層と、CoCr系合金磁性体層として厚み 600ÅのCo
62.5Ni30Cr7.5 層と、保護層として厚み 300ÅのZr層と
を、この記述順に順次形成しして、磁気ディスクを作製
した。この場合、Arガス圧は３×10-3Torrとし、基板温
度を 250〜 600℃の範囲（図１参照）で変化させ、各基
板温度条件毎に、磁気ディスクを作製した。また、上記
のZr層に代えて C層を形成して比較例としての磁気ディ
スクを作製した。
置を用いて、カーボン基板上に、下地層として厚み3000
ÅのCr層と、CoCr系合金磁性体層として厚み 600ÅのCo
62.5Ni30Cr7.5 層と、保護層として厚み 300ÅのZr層と
を、この記述順に順次形成しして、磁気ディスクを作製
した。この場合、Arガス圧は３×10-3Torrとし、基板温
度を 250〜 600℃の範囲（図１参照）で変化させ、各基
板温度条件毎に、磁気ディスクを作製した。また、上記
のZr層に代えて C層を形成して比較例としての磁気ディ
スクを作製した。
【００１４】作製したこれらの各磁気ディスクから８×
８mm寸法の試料を切り出し、振動試料型磁力計（ＶＳ
Ｍ）を用いて磁気特性を測定した。保磁力Hcの測定結果
を図１に示す。図１から理解されるように、比較例の磁
気ディスクにおいては、基板温度を 300℃よりも高める
と、 C保護層の構成材料である CのCo62.5Ni30Cr7.5 層
中への拡散がより進行することにより、磁性体層である
Co62.5Ni30Cr7.5 層中の結晶粒界におけるCr偏析量が減
少し、基板温度を高めるに従って保磁力が低下してい
る。これに対して、この実施例の方法では、保護層の構
成材料として、 250℃以上の基板温度においてもCo62.5
Ni30Cr7.5 層へ拡散しない非拡散性元素であるZrを用い
るようにしたので、Co62.5Ni30Cr7.5 層中の結晶粒界に
基板温度を高めることによって偏析が促進されるCrの偏
析量が、Zrによって減少することがなく、基板温度を高
めるに従って保磁力が向上し、高い保磁力を有する磁気
ディスクが得られた。
８mm寸法の試料を切り出し、振動試料型磁力計（ＶＳ
Ｍ）を用いて磁気特性を測定した。保磁力Hcの測定結果
を図１に示す。図１から理解されるように、比較例の磁
気ディスクにおいては、基板温度を 300℃よりも高める
と、 C保護層の構成材料である CのCo62.5Ni30Cr7.5 層
中への拡散がより進行することにより、磁性体層である
Co62.5Ni30Cr7.5 層中の結晶粒界におけるCr偏析量が減
少し、基板温度を高めるに従って保磁力が低下してい
る。これに対して、この実施例の方法では、保護層の構
成材料として、 250℃以上の基板温度においてもCo62.5
Ni30Cr7.5 層へ拡散しない非拡散性元素であるZrを用い
るようにしたので、Co62.5Ni30Cr7.5 層中の結晶粒界に
基板温度を高めることによって偏析が促進されるCrの偏
析量が、Zrによって減少することがなく、基板温度を高
めるに従って保磁力が向上し、高い保磁力を有する磁気
ディスクが得られた。
【００１５】なお、基板温度 400℃にて作製した実施例
及び比較例による磁気ディスクについて、その深さ（厚
み）方向の組成をＥＳＣＡ分析（electron spectroscop
y for chemical analysis ）により分析した。その結
果、比較例による磁気ディスクでは、 CのCo62.5Ni30Cr
7.5 層中への拡散が確認された。これに対して、実施例
による磁気ディスクでは、ZrのCo62.5Ni30Cr7.5 層中へ
の拡散は、認められなかった。
及び比較例による磁気ディスクについて、その深さ（厚
み）方向の組成をＥＳＣＡ分析（electron spectroscop
y for chemical analysis ）により分析した。その結
果、比較例による磁気ディスクでは、 CのCo62.5Ni30Cr
7.5 層中への拡散が確認された。これに対して、実施例
による磁気ディスクでは、ZrのCo62.5Ni30Cr7.5 層中へ
の拡散は、認められなかった。
【００１６】〔実施例２〕基板としてカーボン基板に代
えて以下に述べる基板を使用するようにしたこと以外
は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクをそれぞれ作
製し、各磁気ディスクの保磁力を測定した。その結果、
強化ガラス基板、結晶化ガラス基板、セラミック基板、
チタン基板、及びシリコン基板をそれぞれ用いた場合に
も、これらの基板の種類によらず、実施例１と同様の保
磁力を有する磁気ディスクが得られた。
えて以下に述べる基板を使用するようにしたこと以外
は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクをそれぞれ作
製し、各磁気ディスクの保磁力を測定した。その結果、
強化ガラス基板、結晶化ガラス基板、セラミック基板、
チタン基板、及びシリコン基板をそれぞれ用いた場合に
も、これらの基板の種類によらず、実施例１と同様の保
磁力を有する磁気ディスクが得られた。
【００１７】〔実施例３〕保護層の構成材料としてZrに
代えて以下に述べるものを用いるようにしたこと以外
は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクをそれぞれ作
製し、各磁気ディスクの保磁力を測定した。その結果、
Be、Mg、Al、Si、Sc、Ti、V 、Cr、Cu、Zn、Ge、Y 、N
b、Mo、Pd、Hf、Ta、W 、Pt、Au、Pb、Bi、La、Ce、P
r、Nd、及びEuをそれぞれ単独で用いて保護層を形成し
た場合にも、これらの構成材料の種類によらず、実施例
１と同様の保磁力を有する磁気ディスクが得られた。
代えて以下に述べるものを用いるようにしたこと以外
は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクをそれぞれ作
製し、各磁気ディスクの保磁力を測定した。その結果、
Be、Mg、Al、Si、Sc、Ti、V 、Cr、Cu、Zn、Ge、Y 、N
b、Mo、Pd、Hf、Ta、W 、Pt、Au、Pb、Bi、La、Ce、P
r、Nd、及びEuをそれぞれ単独で用いて保護層を形成し
た場合にも、これらの構成材料の種類によらず、実施例
１と同様の保磁力を有する磁気ディスクが得られた。
【００１８】〔実施例４〕保護層の構成材料としてZrに
代えて以下に述べるものを用いるようにしたこと以外
は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクをそれぞれ作
製し、各磁気ディスクの保磁力を測定した。その結果、
NiP 、SiN 、SiC 、TiC 、ZnSe、及びZnS をそれぞれ単
独で用いて保護層を形成した場合にも、これらの構成材
料の種類によらず、実施例１と同様の保磁力を有する磁
気ディスクが得られた。
代えて以下に述べるものを用いるようにしたこと以外
は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクをそれぞれ作
製し、各磁気ディスクの保磁力を測定した。その結果、
NiP 、SiN 、SiC 、TiC 、ZnSe、及びZnS をそれぞれ単
独で用いて保護層を形成した場合にも、これらの構成材
料の種類によらず、実施例１と同様の保磁力を有する磁
気ディスクが得られた。
【００１９】〔実施例５〕Co62.5Ni30Cr7.5 層に代えて
以下に述べる磁性体層を形成するようにしたこと以外
は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクをそれぞれ作
製し、各磁気ディスクの保磁力を測定した。その結果、
CoCrTa層、CoCr層、CoNiPt層、CoCrPt層、及びγ−Fe2O
3 層をそれぞれ形成した場合にも、 Cを用いて保護層を
形成したものに比べて、高い保磁力を有する磁気ディス
クが得られた。
以下に述べる磁性体層を形成するようにしたこと以外
は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクをそれぞれ作
製し、各磁気ディスクの保磁力を測定した。その結果、
CoCrTa層、CoCr層、CoNiPt層、CoCrPt層、及びγ−Fe2O
3 層をそれぞれ形成した場合にも、 Cを用いて保護層を
形成したものに比べて、高い保磁力を有する磁気ディス
クが得られた。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、この発明による磁気
ディスクの製造方法によると、基板温度 250℃以上にて
基板の上に、磁性体層、保護層を順にスパッタ法により
形成して磁気ディスクを製造するに際し、保護層の構成
材料として前記基板温度において磁性体層中へ拡散しな
い非拡散性元素を用いるようにしたものであるから、磁
性体層中の結晶粒界に基板温度を高めることによって偏
析が促進されるCrの偏析量が、保護層を構成する非拡散
性元素によって減少するということがなく、高い保磁力
を有する磁気ディスクが得られる。
ディスクの製造方法によると、基板温度 250℃以上にて
基板の上に、磁性体層、保護層を順にスパッタ法により
形成して磁気ディスクを製造するに際し、保護層の構成
材料として前記基板温度において磁性体層中へ拡散しな
い非拡散性元素を用いるようにしたものであるから、磁
性体層中の結晶粒界に基板温度を高めることによって偏
析が促進されるCrの偏析量が、保護層を構成する非拡散
性元素によって減少するということがなく、高い保磁力
を有する磁気ディスクが得られる。
【図１】この発明の一実施例により得られた磁気ディス
クに関する基板温度と保磁力との関係を示す図である。
クに関する基板温度と保磁力との関係を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板温度 250℃以上にて基板の上に、磁
性体層、保護層を順にスパッタ法により形成して磁気デ
ィスクを製造する方法において、前記保護層の構成材料
として前記基板温度において前記磁性体層中へ拡散しな
い非拡散性元素を用いることを特徴とする磁気ディスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12769392A JPH05325183A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12769392A JPH05325183A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325183A true JPH05325183A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14966371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12769392A Withdrawn JPH05325183A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05325183A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759617A (en) * | 1996-05-20 | 1998-06-02 | Fujitsu Limited | Production process for a hard disk magnetic recording medium |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP12769392A patent/JPH05325183A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759617A (en) * | 1996-05-20 | 1998-06-02 | Fujitsu Limited | Production process for a hard disk magnetic recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |