JPH083976B2 - 電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体 - Google Patents
電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体Info
- Publication number
- JPH083976B2 JPH083976B2 JP9566789A JP9566789A JPH083976B2 JP H083976 B2 JPH083976 B2 JP H083976B2 JP 9566789 A JP9566789 A JP 9566789A JP 9566789 A JP9566789 A JP 9566789A JP H083976 B2 JPH083976 B2 JP H083976B2
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- Japan
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- heater
- particle size
- particles
- cathode
- alumina
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- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、例えば陰極線管や撮像管などに使用して
好適な電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体
に関する。
好適な電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体
に関する。
(従来の技術) 傍熱型陰極用ヒータは、一般にタングステン或いはレ
ニウム−タングステンからなるコイル状に巻回された金
属線の表面に、粒径1.5μmのアルミナ粒子を電気泳動
法、吹付け法等で被覆後、更にアルミナ粒子とタングス
テン粒子からなるダーク層を被覆し、焼成することで形
成される。
ニウム−タングステンからなるコイル状に巻回された金
属線の表面に、粒径1.5μmのアルミナ粒子を電気泳動
法、吹付け法等で被覆後、更にアルミナ粒子とタングス
テン粒子からなるダーク層を被覆し、焼成することで形
成される。
(発明が解決しようとする課題) ところが、上記のようにして形成された従来のヒータ
は、焼成時に変形が生じ易く、又、アルミナ層にクラッ
クが生じ易い。これは第10図(b)に示すように、金属
線とダーク層との距離が近くなっており、凹凸を有する
アルミナ層は強度が弱く、クラックの原因となる。特
に、含浸型陰極用として用いる場合には、ヒータ温度が
従来より数百度高いため、変形或いはクラックに起因し
てヒータ・カソード間の絶縁不良が生じ、ヒータ断線が
起こるという問題があった。
は、焼成時に変形が生じ易く、又、アルミナ層にクラッ
クが生じ易い。これは第10図(b)に示すように、金属
線とダーク層との距離が近くなっており、凹凸を有する
アルミナ層は強度が弱く、クラックの原因となる。特
に、含浸型陰極用として用いる場合には、ヒータ温度が
従来より数百度高いため、変形或いはクラックに起因し
てヒータ・カソード間の絶縁不良が生じ、ヒータ断線が
起こるという問題があった。
この発明は、変形やクラックが生じ難く、絶縁耐圧が
優れたヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体を提供す
ることを目的とする。
優れたヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体を提供す
ることを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明は、ダブルヘリカルに巻回された金属線と、
この金属線に被覆された絶縁アルミナ層と、この絶縁ア
ルミナ層に被覆されたダーク層とを有する電子管用ヒー
タにおいて、絶縁アルミナ層の混合アルミナ粒子は、9
9.8%以上の純度で平均粒径が7乃至12μmの範囲であ
り且つ粒度分布は粒径15μm以上の粒子及び粒径6μm
以下の粒子がそれぞれ10乃至30重量%の範囲であって残
部が6μmを超え15μm未満の範囲の粒子である電子管
用ヒータである。
この金属線に被覆された絶縁アルミナ層と、この絶縁ア
ルミナ層に被覆されたダーク層とを有する電子管用ヒー
タにおいて、絶縁アルミナ層の混合アルミナ粒子は、9
9.8%以上の純度で平均粒径が7乃至12μmの範囲であ
り且つ粒度分布は粒径15μm以上の粒子及び粒径6μm
以下の粒子がそれぞれ10乃至30重量%の範囲であって残
部が6μmを超え15μm未満の範囲の粒子である電子管
用ヒータである。
又、この発明は、陰極基体と、この陰極基体を支持す
る陰極スリーブと、この陰極スリーブ内に内装されるこ
の発明のヒータを備えてなる含浸型陰極構体である。
る陰極スリーブと、この陰極スリーブ内に内装されるこ
の発明のヒータを備えてなる含浸型陰極構体である。
(作用) この発明によるヒータを用いれば、ヒータ・カソード
間の絶縁耐圧性が著しく向上し、含浸型陰極の動作温度
が高いことに起因する耐圧不良を未然に防止することが
出来る。
間の絶縁耐圧性が著しく向上し、含浸型陰極の動作温度
が高いことに起因する耐圧不良を未然に防止することが
出来る。
(実施例) 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に
説明する。
説明する。
この発明のヒータ1は第1図に示すように構成され、
ダブルヘリカルに巻回された芯線となる金属線2と、こ
の金属線2に被覆された絶縁アルミナ層3と、この絶縁
アルミナ層3に被覆されたダーク層4とからなってい
る。
ダブルヘリカルに巻回された芯線となる金属線2と、こ
の金属線2に被覆された絶縁アルミナ層3と、この絶縁
アルミナ層3に被覆されたダーク層4とからなってい
る。
この場合、絶縁アルミナ層3は、アルミナ粒子が99.8
%以上の純度で平均粒径が7〜12μmであり、且つアル
ミナ粒子の粒度分布が粒径15μm以上の粒子及び粒径6
μm以下の粒子をそれぞれ10〜30重量%含み、残部が6
μmを超え15μm未満である。又、このような絶縁アル
ミナ層3の厚さは、70〜150μmの範囲に設定されてい
る。そして、絶縁アルミナ層3の充填密度は、50〜70%
の範囲に設定されている。尚、このアルミナ粒子は、溶
融アルミナを粉砕して作られている。
%以上の純度で平均粒径が7〜12μmであり、且つアル
ミナ粒子の粒度分布が粒径15μm以上の粒子及び粒径6
μm以下の粒子をそれぞれ10〜30重量%含み、残部が6
μmを超え15μm未満である。又、このような絶縁アル
ミナ層3の厚さは、70〜150μmの範囲に設定されてい
る。そして、絶縁アルミナ層3の充填密度は、50〜70%
の範囲に設定されている。尚、このアルミナ粒子は、溶
融アルミナを粉砕して作られている。
又、上記のダーク層4は、タングステンとアルミナの
混合粒子からなっている。
混合粒子からなっている。
次に、上記の数値に設定した理由について、述べるこ
とにする。
とにする。
使用するアルミナ粒子の純度について、99.8%以上
が必要な理由は、第3図に示す通りである。即ち、純度
以外の因子をこの発明の実施例と同様にして純度と耐圧
不良発生率との関係を調べた結果、99.8%以上で耐圧不
良発生率が0%となった。
が必要な理由は、第3図に示す通りである。即ち、純度
以外の因子をこの発明の実施例と同様にして純度と耐圧
不良発生率との関係を調べた結果、99.8%以上で耐圧不
良発生率が0%となった。
尚、耐圧不良発生率は、各々の純度でコーティングし
たヒータを各50個測定して求めた。耐圧不良試験は、ヒ
ータ温度について、定格6.3Vに対し7Vで実施し、ヒータ
・陰極間の電圧はDC100Vから1分間に100V毎ずつ高めて
実施し、1000V以下で絶縁破壊したものを不良とした。
たヒータを各50個測定して求めた。耐圧不良試験は、ヒ
ータ温度について、定格6.3Vに対し7Vで実施し、ヒータ
・陰極間の電圧はDC100Vから1分間に100V毎ずつ高めて
実施し、1000V以下で絶縁破壊したものを不良とした。
平均粒径と耐圧の関係について、実験により求め
た。条件はヒータ温度について、定格6.3Vに対し7Vで実
施し、ヒータ・カソード間の電圧はDC100Vから1分間に
100V毎ずつ高めて実施した。このときの充填率、コーテ
ィング厚は、同一条件とした。その結果を、第4図に示
す。この結果より、平均粒径は7〜12μmが絶縁耐圧に
優れていることが判明した。12μm以上では、焼成強度
不足、7μm以下では変形、クラックに起因して絶縁耐
圧が劣化することが判明した(第5図、第6図において
充填率が50〜70%の時、粉落ち発生率は0%で、クラッ
ク発生率は低い値を示している)。
た。条件はヒータ温度について、定格6.3Vに対し7Vで実
施し、ヒータ・カソード間の電圧はDC100Vから1分間に
100V毎ずつ高めて実施した。このときの充填率、コーテ
ィング厚は、同一条件とした。その結果を、第4図に示
す。この結果より、平均粒径は7〜12μmが絶縁耐圧に
優れていることが判明した。12μm以上では、焼成強度
不足、7μm以下では変形、クラックに起因して絶縁耐
圧が劣化することが判明した(第5図、第6図において
充填率が50〜70%の時、粉落ち発生率は0%で、クラッ
ク発生率は低い値を示している)。
この7〜12μmの平均粒径を用いて、充填率を50〜70
%にするには第7図に示すように、6μm以下の粒子と
15μm以上の粒子を各々10〜30重量%含んでいることが
必要である(第7図は、平均粒径を9.0μmに保って6
μm以下の粒子と15μm以上の粒子を各々同じ重量%添
加した時の充填率を示す実験データ)。
%にするには第7図に示すように、6μm以下の粒子と
15μm以上の粒子を各々10〜30重量%含んでいることが
必要である(第7図は、平均粒径を9.0μmに保って6
μm以下の粒子と15μm以上の粒子を各々同じ重量%添
加した時の充填率を示す実験データ)。
コーティングの厚さに関しては、第8図にコーティ
ング厚と絶縁耐圧の関係を示す。この第8図から明らか
なように、70μm以下では急激に耐圧が劣化する。そし
て、70μm以上では、ほぼ耐圧値は比例することが明ら
かである。しかし、コーティング厚は陰極径の大きさか
ら制約を受け、且つコーティング厚が厚くなればなる
程、陰極温度の上昇スピードが遅くなる。例えば、出画
時間(ヒータをオンしてから出画するのに十分なエミッ
ションが出る時間を言い、温度上昇が速いほど出画時間
は短い)とコーティング厚との関係は、120μmで5.7
秒、150μmで7.0秒、200μmで10.0秒である。
ング厚と絶縁耐圧の関係を示す。この第8図から明らか
なように、70μm以下では急激に耐圧が劣化する。そし
て、70μm以上では、ほぼ耐圧値は比例することが明ら
かである。しかし、コーティング厚は陰極径の大きさか
ら制約を受け、且つコーティング厚が厚くなればなる
程、陰極温度の上昇スピードが遅くなる。例えば、出画
時間(ヒータをオンしてから出画するのに十分なエミッ
ションが出る時間を言い、温度上昇が速いほど出画時間
は短い)とコーティング厚との関係は、120μmで5.7
秒、150μmで7.0秒、200μmで10.0秒である。
このことを考慮すると、コーティング厚は70〜150μ
mの範囲が妥当である。
mの範囲が妥当である。
充填密度に関しては、粒度調合により充填密度を変
化させることが出来る。充填密度とクラック発生率(変
形発生率)、絶縁破壊電圧、コーティング粉落ち発生率
の関係をそれぞれ第5図、第9図、第6図に示す。この
結果より、充填率50〜70%がクラック発生率、コーティ
ング剥がれ発生率が少なく、その結果、絶縁破壊電圧が
高くなっていることが明らかである。
化させることが出来る。充填密度とクラック発生率(変
形発生率)、絶縁破壊電圧、コーティング粉落ち発生率
の関係をそれぞれ第5図、第9図、第6図に示す。この
結果より、充填率50〜70%がクラック発生率、コーティ
ング剥がれ発生率が少なく、その結果、絶縁破壊電圧が
高くなっていることが明らかである。
又、焼成時の変形の発生は、クラック発生率とほぼ一
致することが明らかとなった。
致することが明らかとなった。
アルミナ粒子の製造方法には、溶融アルミナを粉砕
する以外に、バイヤー法、アンモニウム明ばんの熱分解
法(水酸化アルミを硫酸と反応させ、硫酸アルミにした
後、硫安と反応させてアンモニウム明ばんを作り焼成す
る方法)等があるが、焼成時の粒子の収縮を考慮する
と、粒子の収縮がない溶融アルミナを粉砕方法で作った
粉末を用いるのが、クラック発生即ち変形がなく、耐圧
も優れた結果が得られる。
する以外に、バイヤー法、アンモニウム明ばんの熱分解
法(水酸化アルミを硫酸と反応させ、硫酸アルミにした
後、硫安と反応させてアンモニウム明ばんを作り焼成す
る方法)等があるが、焼成時の粒子の収縮を考慮する
と、粒子の収縮がない溶融アルミナを粉砕方法で作った
粉末を用いるのが、クラック発生即ち変形がなく、耐圧
も優れた結果が得られる。
さて次に、上記のような絶縁アルミナ層3の製造方法
について述べておく。
について述べておく。
平均粒径9.0μm、30μm以上が2.3重量%、30〜15μ
mが15.3重量%、15〜6μmが57.4重量%、6μm以下
が25.0重量%の粒度分布を有する溶融アルミナの粉砕粒
で、純度99.85%以上を有するものを用いた。
mが15.3重量%、15〜6μmが57.4重量%、6μm以下
が25.0重量%の粒度分布を有する溶融アルミナの粉砕粒
で、純度99.85%以上を有するものを用いた。
このアルミナ粒子の粒度分布は、吹付け法により被覆
した場合、55%の密度になるように調整してある。この
アルミナ粒子を酢酸エステルに2重量%のニトロセルロ
ースを添加した溶媒重量比で1:1.4(=アルミナ:溶
媒)に混合し、この混合物を吹付け法により片厚100μ
mに被覆した。
した場合、55%の密度になるように調整してある。この
アルミナ粒子を酢酸エステルに2重量%のニトロセルロ
ースを添加した溶媒重量比で1:1.4(=アルミナ:溶
媒)に混合し、この混合物を吹付け法により片厚100μ
mに被覆した。
吹付けは均一な厚み(肉厚が偏らないように)に付着
するよう、吹付けノズルを様々な角度に取付けてある。
するよう、吹付けノズルを様々な角度に取付けてある。
この後、更に平均粒径1μmのタングステンと平均粒
径2μmのアルミナ粉とバインダーが重量比で1:4:5に
混合してある混合物を吹付け法によりダーク層4に片厚
20μm被覆する。
径2μmのアルミナ粉とバインダーが重量比で1:4:5に
混合してある混合物を吹付け法によりダーク層4に片厚
20μm被覆する。
このダーク層4は、ヒータ1の熱を効率良く陰極へ供
給するのに効果がある。
給するのに効果がある。
このように、アルミナを塗布したヒータを乾燥した
後、約1700℃の水素中で焼結させた。
後、約1700℃の水素中で焼結させた。
但し、焼結時間は、従来例の場合の2倍とした。
尚、上記のようなこの発明のヒータ1において、絶縁
アルミナ層のアルミナ粒子中の不純物を構成する主な元
素はNaであり、当然Na+イオンとして、アルミナ粒子中
を動くので、Naは少ない方が絶縁耐圧は向上する。
アルミナ層のアルミナ粒子中の不純物を構成する主な元
素はNaであり、当然Na+イオンとして、アルミナ粒子中
を動くので、Naは少ない方が絶縁耐圧は向上する。
又、平均粒径・粒度分布・粒子の姿様の項目を、既述
のようなアルミナ粒子を用いることにより、焼成時の強
度は十分な物が得られ、且つ焼成時の変形は少ない。即
ち、平均粒径を大きく且つ溶融アルミナ粉砕品を用いる
ことで、焼成時の収縮を抑えることが出来、その結果、
ヒータ変形を防止することが出来る。
のようなアルミナ粒子を用いることにより、焼成時の強
度は十分な物が得られ、且つ焼成時の変形は少ない。即
ち、平均粒径を大きく且つ溶融アルミナ粉砕品を用いる
ことで、焼成時の収縮を抑えることが出来、その結果、
ヒータ変形を防止することが出来る。
更に、粒度分布を幅広く、即ち、充填率が50〜70%の
充填になるような分布粒子を用いることで、焼成時の絶
縁アルミナ層強度を十分な物に出来る。
充填になるような分布粒子を用いることで、焼成時の絶
縁アルミナ層強度を十分な物に出来る。
尚、完成品は、第10図(a)に示すように、金属線と
ダーク層との距離が離れており、従来例である同図
(b)に比べ凹凸がない。
ダーク層との距離が離れており、従来例である同図
(b)に比べ凹凸がない。
又、この実施例では、吹付け法によりアルミナ粒子を
塗布したが、これに限らず電着法でも行なえる。
塗布したが、これに限らず電着法でも行なえる。
さて最後に、上記のような電子管用ヒータ1を備えた
含浸型陰極構体の一実施例について説明すると、この発
明の含浸型陰極構体は第2図に示すように構成され、図
中の符号5は陰極基体であり、例えば粒径3μm程度の
タングステン粉末を比重16程度になるように焼結し、そ
の多孔質タングステン基体にBaO、CaO、Al2O3よりなる
電子放射物質を含浸して得られるもので、カップ状固定
部材6内に設けられている。この固定部材6は、高融点
金属よりなる陰極スリーブ7の一端にろう材により接合
されている。この陰極スリーブ7内には、陰極基体5が
所望の動作温度になるように、加熱するためのヒータ1
が配設されている。勿論、このヒータ1は上記のこの発
明によるヒータである。
含浸型陰極構体の一実施例について説明すると、この発
明の含浸型陰極構体は第2図に示すように構成され、図
中の符号5は陰極基体であり、例えば粒径3μm程度の
タングステン粉末を比重16程度になるように焼結し、そ
の多孔質タングステン基体にBaO、CaO、Al2O3よりなる
電子放射物質を含浸して得られるもので、カップ状固定
部材6内に設けられている。この固定部材6は、高融点
金属よりなる陰極スリーブ7の一端にろう材により接合
されている。この陰極スリーブ7内には、陰極基体5が
所望の動作温度になるように、加熱するためのヒータ1
が配設されている。勿論、このヒータ1は上記のこの発
明によるヒータである。
又、陰極スリーブ7の外側には、所定間隔をおいて同
軸的に筒状ホルダー8が配設され、陰極スリーブ7は複
数例えば3個の短冊状ストラップ9を介してこのホルダ
ー8に支持されている。この場合、ストラップ9の一端
が陰極スリーブ7の下端部に取付けられ、他端がホルダ
ー8の上端部に取付けられている。
軸的に筒状ホルダー8が配設され、陰極スリーブ7は複
数例えば3個の短冊状ストラップ9を介してこのホルダ
ー8に支持されている。この場合、ストラップ9の一端
が陰極スリーブ7の下端部に取付けられ、他端がホルダ
ー8の上端部に取付けられている。
[発明の効果] この発明によれば、ヒータは上記のような数値に設定
され、このヒータを備えた含浸型陰極構体を使用した電
子管においては、ヒータ・カソード間の絶縁耐圧特性が
従来より1.5〜2倍程度向上することが出来、含浸型陰
極構体の動作温度が高いことに起因する耐圧不良を防止
することが出来た。
され、このヒータを備えた含浸型陰極構体を使用した電
子管においては、ヒータ・カソード間の絶縁耐圧特性が
従来より1.5〜2倍程度向上することが出来、含浸型陰
極構体の動作温度が高いことに起因する耐圧不良を防止
することが出来た。
尚、第10図(a)及び(b)はこの発明と従来例との
各ヒータにおける断面を示す35倍の顕微鏡写真である
が、従来例では金属線とダーク層との距離が近くなって
おり、凹凸を有するアルミナ層は強度が弱く、クラック
の原因となる。この結果、、耐圧特性が悪い。
各ヒータにおける断面を示す35倍の顕微鏡写真である
が、従来例では金属線とダーク層との距離が近くなって
おり、凹凸を有するアルミナ層は強度が弱く、クラック
の原因となる。この結果、、耐圧特性が悪い。
しかし、この発明では金属線とダーク層との距離が離
れており、従来例に比べ凹凸がない均一な絶縁アルミナ
層及びダーク層が形成されているので、耐圧特性が優れ
ている。
れており、従来例に比べ凹凸がない均一な絶縁アルミナ
層及びダーク層が形成されているので、耐圧特性が優れ
ている。
第1図はこの発明の一実施例に係る電子管用ヒータを示
す正面図、第2図はこの発明の別の一実施例に係る電子
管用ヒータを備えた含浸型陰極構体を一部切欠いて示す
斜視図、第3図はこの発明のヒータの絶縁アルミナ層に
使用するアルミナ粒子の純度と耐圧不良発生率との関係
を示す特性図、第4図は同じく平均粒径と絶縁破壊電圧
との関係を示す特性図、第5図は同じくアルミナ充填率
とクラック発生率との関係を示す特性図、第6図は同じ
くアルミナ充填率とコーティングの粉落ち発生率との関
係を示す特性図、第7図は同じくアルミナ粒子とアルミ
ナ充填率との関係を示す特性図、第8図は同じくコーテ
ィングの厚さと絶縁破壊電圧との関係を示す特性図、第
9図は同じくアルミナ充填率と絶縁破壊電圧との関係を
示す特性図、第10図(a)、(b)はそれぞれこの発明
と従来例の各電子管用ヒータにおける断面の粒子構造を
示す顕微鏡写真である。 1……ヒータ、2……金属線、3……絶縁アルミナ層、
4……ダーク層、5……陰極基体、7……陰極スリー
ブ。
す正面図、第2図はこの発明の別の一実施例に係る電子
管用ヒータを備えた含浸型陰極構体を一部切欠いて示す
斜視図、第3図はこの発明のヒータの絶縁アルミナ層に
使用するアルミナ粒子の純度と耐圧不良発生率との関係
を示す特性図、第4図は同じく平均粒径と絶縁破壊電圧
との関係を示す特性図、第5図は同じくアルミナ充填率
とクラック発生率との関係を示す特性図、第6図は同じ
くアルミナ充填率とコーティングの粉落ち発生率との関
係を示す特性図、第7図は同じくアルミナ粒子とアルミ
ナ充填率との関係を示す特性図、第8図は同じくコーテ
ィングの厚さと絶縁破壊電圧との関係を示す特性図、第
9図は同じくアルミナ充填率と絶縁破壊電圧との関係を
示す特性図、第10図(a)、(b)はそれぞれこの発明
と従来例の各電子管用ヒータにおける断面の粒子構造を
示す顕微鏡写真である。 1……ヒータ、2……金属線、3……絶縁アルミナ層、
4……ダーク層、5……陰極基体、7……陰極スリー
ブ。
Claims (2)
- 【請求項1】ダブルヘリカルに巻回された金属線と、こ
の金属線に被覆された絶縁アルミナ層と、この絶縁アル
ミナ層に被覆されたダーク層とを有する電子管用ヒータ
において、 上記絶縁アルミナ層の混合アルミナ粒子は、99.8%以上
の純度で平均粒径が7乃至12μmの範囲であり且つ粒度
分布は粒径15μm以上の粒子及び粒径6μm以下の粒子
がそれぞれ10乃至30重量%の範囲であって残部が6μm
を超え15μm未満の範囲の粒子であることを特徴とする
電子管用ヒータ。 - 【請求項2】陰極構体と、この陰極構体を支持する陰極
スリーブと、この陰極スリーブ内に内装される上記請求
項1の電子管用ヒータを備えたことを特徴とする含浸型
陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9566789A JPH083976B2 (ja) | 1989-04-15 | 1989-04-15 | 電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9566789A JPH083976B2 (ja) | 1989-04-15 | 1989-04-15 | 電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276128A JPH02276128A (ja) | 1990-11-13 |
| JPH083976B2 true JPH083976B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=14143848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9566789A Expired - Fee Related JPH083976B2 (ja) | 1989-04-15 | 1989-04-15 | 電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083976B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11185606A (ja) | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Matsushita Electron Corp | 陰極線管の製造方法 |
| US6242854B1 (en) * | 1998-01-20 | 2001-06-05 | Matsushita Electronics Corporation | Indirectly heated cathode for a CRT having high purity alumina insulating layer with limited amounts of Na OR Si |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5331591B2 (ja) | 2008-06-25 | 2013-10-30 | トムソン ライセンシング | Tdmaマルチホップ無線ネットワークにおける時間同期化の方法及び装置 |
-
1989
- 1989-04-15 JP JP9566789A patent/JPH083976B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5331591B2 (ja) | 2008-06-25 | 2013-10-30 | トムソン ライセンシング | Tdmaマルチホップ無線ネットワークにおける時間同期化の方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02276128A (ja) | 1990-11-13 |
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