JPH0840717A - モノシラン分解用流動床反応器 - Google Patents
モノシラン分解用流動床反応器Info
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- JPH0840717A JPH0840717A JP17648094A JP17648094A JPH0840717A JP H0840717 A JPH0840717 A JP H0840717A JP 17648094 A JP17648094 A JP 17648094A JP 17648094 A JP17648094 A JP 17648094A JP H0840717 A JPH0840717 A JP H0840717A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 上開きの錐体を形成する壁を有し、そしてこ
の壁が鉛直線をなす角度が１.３〜３.９゜の範囲にある
モノシラン分解用流動床反応器。 【効果】 シリコン粒子の凝結を抑えかつ高いシラン変
換率を達成し得る。
の壁が鉛直線をなす角度が１.３〜３.９゜の範囲にある
モノシラン分解用流動床反応器。 【効果】 シリコン粒子の凝結を抑えかつ高いシラン変
換率を達成し得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モノシランの熱分解に
より多結晶シリコンを製造するためのモノシラン分解用
流動床反応器に関するものである。
より多結晶シリコンを製造するためのモノシラン分解用
流動床反応器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、多結晶シリコンは、モノシラン
（シラン）の熱分解反応により、シリコン棒上に析出し
て製造されている。この製造方法では、ベルジャーと称
する反応炉が用いられ、反応炉の壁面にシリコンが析出
するのを防止するために炉壁を冷却しており、熱効率が
悪い欠点がある。しかも、この方法では、析出面積が小
さいため、シリコンの析出速度が遅いこと、またバッチ
式であるために生産性が悪いという不利がある。かかる
技術の欠点を克服するため、流動化した実質的に析出面
積の大きな細かいシリコン顆粒上にシリコンを析出させ
る方法（流動化多結晶シリコン製造方法）が提案され
た。
（シラン）の熱分解反応により、シリコン棒上に析出し
て製造されている。この製造方法では、ベルジャーと称
する反応炉が用いられ、反応炉の壁面にシリコンが析出
するのを防止するために炉壁を冷却しており、熱効率が
悪い欠点がある。しかも、この方法では、析出面積が小
さいため、シリコンの析出速度が遅いこと、またバッチ
式であるために生産性が悪いという不利がある。かかる
技術の欠点を克服するため、流動化した実質的に析出面
積の大きな細かいシリコン顆粒上にシリコンを析出させ
る方法（流動化多結晶シリコン製造方法）が提案され
た。
【０００３】特開昭５８−２０４８１４号公報には、反
応管の直径を場所によって変えた流動床式反応器を用
い、反応管内を下から上へ流れるモノハロシランを含有
するガスの流量を変えて、高純度シリコン顆粒上にシリ
コンを析出させつつ、流動床内に浮遊するシリコン顆粒
の大きさの範囲を広くする多結晶シリコン粒子の製造方
法が開示されている。
応管の直径を場所によって変えた流動床式反応器を用
い、反応管内を下から上へ流れるモノハロシランを含有
するガスの流量を変えて、高純度シリコン顆粒上にシリ
コンを析出させつつ、流動床内に浮遊するシリコン顆粒
の大きさの範囲を広くする多結晶シリコン粒子の製造方
法が開示されている。
【０００４】また、特開昭５７−１４５０２１号公報に
は、上開きのテーパーを持つ流動床反応器内に底部にあ
る複数のノズルからクロロシランと水素ガスを導入して
反応器内にシリコン微粒子を流動させかつ該微粒子にシ
リコンを析出させ顆粒状に成長した多結晶シリコン粒子
を製造する方法が開示されている。上記の方法はいずれ
もモノハロシランあるいはモノクロルシランを原料とす
る多結晶シリコン粒子の製造法である。他方、加熱流動
床反応器において、モノシランの熱分解による多結晶シ
リコン粒子の製造法も知られている。ところが、従来の
モノシランの熱分解による多結晶シリコンの製造に使用
する加熱流動床反応器においては、反応器直径及び使用
粒子径によっては、流動化したシリコン粒子が凝結して
反応器内で閉鎖したり、流動床で形成される分解用ガス
（シランと水素）の泡が反応器直径以上の大きさとなっ
てスラッグフローとなり、高シラン変換率が得られない
というハロシランを原料とする製造方法では起こらない
問題があった。
は、上開きのテーパーを持つ流動床反応器内に底部にあ
る複数のノズルからクロロシランと水素ガスを導入して
反応器内にシリコン微粒子を流動させかつ該微粒子にシ
リコンを析出させ顆粒状に成長した多結晶シリコン粒子
を製造する方法が開示されている。上記の方法はいずれ
もモノハロシランあるいはモノクロルシランを原料とす
る多結晶シリコン粒子の製造法である。他方、加熱流動
床反応器において、モノシランの熱分解による多結晶シ
リコン粒子の製造法も知られている。ところが、従来の
モノシランの熱分解による多結晶シリコンの製造に使用
する加熱流動床反応器においては、反応器直径及び使用
粒子径によっては、流動化したシリコン粒子が凝結して
反応器内で閉鎖したり、流動床で形成される分解用ガス
（シランと水素）の泡が反応器直径以上の大きさとなっ
てスラッグフローとなり、高シラン変換率が得られない
というハロシランを原料とする製造方法では起こらない
問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】流動化したシリコン顆
粒上にモノシランの熱分解により生成したシリコンを析
出させる方法でのガス線速は通常 ２×Ｕｍｆ≦Ｕ≦８
×Ｕｍｆ （Ｕ：ガス線速、Ｕｍｆ：使用粒子の最小流
動化速度）が好ましいことが知れている。その理由はＵ
≦２×Ｕｍｆ の場合、シリコンが凝結し、８×Ｕｍｆ
≦Ｕの場合、流動床で形成されるガスの泡が反応器直径
以上の大きさとなってスラッグフローとなって、高いシ
ランの変換率が得られないためである。反応器直径及び
使用粒子径によっては、この範囲のガス線速でも、シリ
コンが凝結したり、流動床で形成される分解用ガス（シ
ランと水素）の泡が反応器直径以上の大きさとなってス
ラッグフローとなる。通常の円筒状反応器で１０００μ
ｍのシリコン粒子を用いて流動化多結晶シリコン製造を
行う場合、ガス線速がＵ＝６×Ｕｍｆでも流動床で形成
されるガスの泡の径が２００ｍｍにも達し、反応器直径
が２００ｍｍ未満では流動床全体がスラッグフローとな
り、高いシランの変換率が得れないという問題があっ
た。またコーン状の反応器を用いた流動化多結晶シリコ
ン製造方法もいくつか提案されているが、いずれも、出
発材料としての２５０〜５００μｍの微粒子から１〜２
ｍｍの顆粒に至る幅広い粒度分布を持つシリコン粒子を
良好な流動状態に保持することを目的としているため
に、コーンの角度が広すぎて該粒度分布を持つシリコン
粒子を用いて、原料ガス中のモノシラン濃度を１０ｍｏ
ｌ％で行う場合、ガス線速がＵ＝６×Ｕｍｆでも流動床
上部のガス線速度が小さくなった部分でシリコン粒子の
凝結が起こり反応の継続ができないという問題があっ
た。
粒上にモノシランの熱分解により生成したシリコンを析
出させる方法でのガス線速は通常 ２×Ｕｍｆ≦Ｕ≦８
×Ｕｍｆ （Ｕ：ガス線速、Ｕｍｆ：使用粒子の最小流
動化速度）が好ましいことが知れている。その理由はＵ
≦２×Ｕｍｆ の場合、シリコンが凝結し、８×Ｕｍｆ
≦Ｕの場合、流動床で形成されるガスの泡が反応器直径
以上の大きさとなってスラッグフローとなって、高いシ
ランの変換率が得られないためである。反応器直径及び
使用粒子径によっては、この範囲のガス線速でも、シリ
コンが凝結したり、流動床で形成される分解用ガス（シ
ランと水素）の泡が反応器直径以上の大きさとなってス
ラッグフローとなる。通常の円筒状反応器で１０００μ
ｍのシリコン粒子を用いて流動化多結晶シリコン製造を
行う場合、ガス線速がＵ＝６×Ｕｍｆでも流動床で形成
されるガスの泡の径が２００ｍｍにも達し、反応器直径
が２００ｍｍ未満では流動床全体がスラッグフローとな
り、高いシランの変換率が得れないという問題があっ
た。またコーン状の反応器を用いた流動化多結晶シリコ
ン製造方法もいくつか提案されているが、いずれも、出
発材料としての２５０〜５００μｍの微粒子から１〜２
ｍｍの顆粒に至る幅広い粒度分布を持つシリコン粒子を
良好な流動状態に保持することを目的としているため
に、コーンの角度が広すぎて該粒度分布を持つシリコン
粒子を用いて、原料ガス中のモノシラン濃度を１０ｍｏ
ｌ％で行う場合、ガス線速がＵ＝６×Ｕｍｆでも流動床
上部のガス線速度が小さくなった部分でシリコン粒子の
凝結が起こり反応の継続ができないという問題があっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、これら
の問題点すべてを解決して、シリコン粒子の凝結を抑え
ると共に、高いシラン変換率を達成し得るモノシラン分
解用流動床反応器を提供することにある。本発明の他の
目的は、モノシランの熱分解による多結晶シリコンの製
造に使用する加熱流動床反応器に特定の形状を選択して
シリコン粒子の凝結を抑え、かつ高シラン変換率を達成
し得るモノシラン分解用流動床反応器を提供することに
ある。
の問題点すべてを解決して、シリコン粒子の凝結を抑え
ると共に、高いシラン変換率を達成し得るモノシラン分
解用流動床反応器を提供することにある。本発明の他の
目的は、モノシランの熱分解による多結晶シリコンの製
造に使用する加熱流動床反応器に特定の形状を選択して
シリコン粒子の凝結を抑え、かつ高シラン変換率を達成
し得るモノシラン分解用流動床反応器を提供することに
ある。
【０００７】本発明のさらに他の目的および利点は以下
の説明から明らかになろう。本発明によれば、本発明の
上記目的および利点は、上開きの錐体を形成する壁を有
しそしてこの壁が鉛直線となす角度が１.３〜３.９゜の
範囲にあることを特徴とするモノシラン分解流動床反応
器によって達成される。
の説明から明らかになろう。本発明によれば、本発明の
上記目的および利点は、上開きの錐体を形成する壁を有
しそしてこの壁が鉛直線となす角度が１.３〜３.９゜の
範囲にあることを特徴とするモノシラン分解流動床反応
器によって達成される。
【０００８】流動化したシリコン顆粒上にシリコンを析
出させる方法でのガス線速は、通常２≦Ｕ／Ｕｍｆ≦８
（Ｕ：ガス線速、Ｕｍｆ：使用粒子の最小流動化速
度）が好ましいことが知られているが、本発明者等はシ
リコン粒子の凝結のしやすさは分解用ガス中のシラン濃
度とガス線速の相関に支配されると考えて、シリコンの
凝結を起こす場合の分解用ガス中のシラン濃度とガス線
速との関係について調査した。図１は、シリコン粒子が
凝結を起こす場合と起こさない場合の分解用ガス中のシ
ラン濃度とガス線速との関係である。図１中の実験デー
タは、反応温度、シラン濃度、流動層高さ、粒子径等も
様々である。この図１から、シリコンが凝結を起こさな
いためには、分解用ガス中のシラン濃度が高い場合に
は、大きなガス線速を必要とするが、分解用ガス中のシ
ラン濃度が低い場合には、小さなガス線速でもシリコン
の凝結が起きないことが見出された。そして分解用ガス
が下から上に流れる間に分解用ガス中のシランがシリコ
ンに変換し、シラン濃度が低下することに着目して、分
解用ガスが下から上に流れる間のシラン濃度の低下に併
せてガス線速を前記凝結を起こさない限度で小さくでき
ること、即ち、反応器直径を大きくすることができるこ
とを見出した。このように反応器直径を下から上に向か
うにつれて大きくしていくことによって流動床で形成さ
れるガスの泡が仮に一旦、反応直径以上の大きさとなっ
てスラッグフローとなっても泡が下から上に向かうにつ
れて反応器直径に比して小さくなる結果となってスラッ
グフローが解消され、シリコン粒子と分解用ガスとの接
触効率がよくなりシラン変換率を向上させ、かつシリコ
ンの凝結も起さないというような反応器形状が存在する
ことを見出した。
出させる方法でのガス線速は、通常２≦Ｕ／Ｕｍｆ≦８
（Ｕ：ガス線速、Ｕｍｆ：使用粒子の最小流動化速
度）が好ましいことが知られているが、本発明者等はシ
リコン粒子の凝結のしやすさは分解用ガス中のシラン濃
度とガス線速の相関に支配されると考えて、シリコンの
凝結を起こす場合の分解用ガス中のシラン濃度とガス線
速との関係について調査した。図１は、シリコン粒子が
凝結を起こす場合と起こさない場合の分解用ガス中のシ
ラン濃度とガス線速との関係である。図１中の実験デー
タは、反応温度、シラン濃度、流動層高さ、粒子径等も
様々である。この図１から、シリコンが凝結を起こさな
いためには、分解用ガス中のシラン濃度が高い場合に
は、大きなガス線速を必要とするが、分解用ガス中のシ
ラン濃度が低い場合には、小さなガス線速でもシリコン
の凝結が起きないことが見出された。そして分解用ガス
が下から上に流れる間に分解用ガス中のシランがシリコ
ンに変換し、シラン濃度が低下することに着目して、分
解用ガスが下から上に流れる間のシラン濃度の低下に併
せてガス線速を前記凝結を起こさない限度で小さくでき
ること、即ち、反応器直径を大きくすることができるこ
とを見出した。このように反応器直径を下から上に向か
うにつれて大きくしていくことによって流動床で形成さ
れるガスの泡が仮に一旦、反応直径以上の大きさとなっ
てスラッグフローとなっても泡が下から上に向かうにつ
れて反応器直径に比して小さくなる結果となってスラッ
グフローが解消され、シリコン粒子と分解用ガスとの接
触効率がよくなりシラン変換率を向上させ、かつシリコ
ンの凝結も起さないというような反応器形状が存在する
ことを見出した。
【０００９】上開きの錐体を形成する壁を有し、該壁と
鉛直線とのなす角度が０゜（即ち、直銅型）、または
１.３゜より小さいと、１０００μｍのシリコン粒子を
用いて、ガス線速がＵ＝６×Ｕｍｆで行う場合、流動床
で形成されるガスの泡が反応器直径以上の大きさとなっ
てスラッグフローとなり、泡が下から上に向かっても反
応器直径より小さくならないためにスラッグフローが解
消されず、モノシランの高い変換率は得られない。
鉛直線とのなす角度が０゜（即ち、直銅型）、または
１.３゜より小さいと、１０００μｍのシリコン粒子を
用いて、ガス線速がＵ＝６×Ｕｍｆで行う場合、流動床
で形成されるガスの泡が反応器直径以上の大きさとなっ
てスラッグフローとなり、泡が下から上に向かっても反
応器直径より小さくならないためにスラッグフローが解
消されず、モノシランの高い変換率は得られない。
【００１０】一方、上開きの錐体よりなる壁を有し、該
壁と鉛直線とのなす角度が３.９゜より大きいと２５０
〜５００μｍの微粒子から１〜２ｍｍの顆粒に至る幅広
い粒度分布を持つシリコン粒子を用いて原料ガス中のモ
ノシラン濃度を１０ｍｏｌ％で行う場合、ガス線速がＵ
＝６×Ｕｍｆでも流動床上部でのガス線速が小さくなり
シリコンの凝結が起こる。
壁と鉛直線とのなす角度が３.９゜より大きいと２５０
〜５００μｍの微粒子から１〜２ｍｍの顆粒に至る幅広
い粒度分布を持つシリコン粒子を用いて原料ガス中のモ
ノシラン濃度を１０ｍｏｌ％で行う場合、ガス線速がＵ
＝６×Ｕｍｆでも流動床上部でのガス線速が小さくなり
シリコンの凝結が起こる。
【００１１】次に、この発明の詳細な図面に基づいて説
明する。図２は、この発明の一実施例における反応容器
１の断面図であり、上開きの錐体を形成する壁を有し、
該壁と鉛直線とのなす角度が３.０゜である。反応容器
１は底部の直径２００ｍｍ、上部の直径が５１４ｍｍ
で、上部にガス抜き管７と、シリコンの種粒子を容器内
に挿入するための供給管３とを備えている。反応容器１
の底部には、原料モノシランガス導入管４と水素ガス導
入管５とできた顆粒状シリコンの抜出管６が設けてあ
る。顆粒状シリコンの抜出管６はガス分散板８の中心部
に設けてある。また、ガス分散板８より上方には、反応
容器１を包囲するようにヒータ２が設けてある。ガス抜
き管７にはガスサンプリング口９が設けてある。反応容
器１内に多結晶シリコンからなり２５０〜５００μｍの
微粒子から１０００μｍの顆粒に至る幅広い粒度分布を
持つ種粒子を静止層高が１０００ｍｍとなるように充填
し、容器内をヒータ２で加熱しながら原料ガス導入管４
及び水素導入管５よりモノシラン濃度が１０ｍｏｌ％、
ガス線速がＵ＝６×Ｕｍｆとなるように反応容器１内に
ガスを吹き込む。反応容器１内に吹き込まれたガスは反
応容器１内を上昇し、この過程で物理的には容器内のシ
リコン粒子を流動化させて流動層を形成し、化学的には
流動層を形成するシリコン粒子の表面にシリコンを析出
させて、シリコン粒子を成長させる。この間、遂次ガス
サンプリング口９よりガス中のモノシラン濃度をオンラ
インでガスクロマトグラフ１０により測定する。所定の
析出反応を終えたシリコンは、顆粒状シリコンの抜出管
６より反応容器１外に遂次抜き出され、代わりに供給管
３からは種粒子が反応容器内へ挿入される。シリコン析
出反応に使用された後のガスは、ガス抜き管７より反応
容器１外に排出される。
明する。図２は、この発明の一実施例における反応容器
１の断面図であり、上開きの錐体を形成する壁を有し、
該壁と鉛直線とのなす角度が３.０゜である。反応容器
１は底部の直径２００ｍｍ、上部の直径が５１４ｍｍ
で、上部にガス抜き管７と、シリコンの種粒子を容器内
に挿入するための供給管３とを備えている。反応容器１
の底部には、原料モノシランガス導入管４と水素ガス導
入管５とできた顆粒状シリコンの抜出管６が設けてあ
る。顆粒状シリコンの抜出管６はガス分散板８の中心部
に設けてある。また、ガス分散板８より上方には、反応
容器１を包囲するようにヒータ２が設けてある。ガス抜
き管７にはガスサンプリング口９が設けてある。反応容
器１内に多結晶シリコンからなり２５０〜５００μｍの
微粒子から１０００μｍの顆粒に至る幅広い粒度分布を
持つ種粒子を静止層高が１０００ｍｍとなるように充填
し、容器内をヒータ２で加熱しながら原料ガス導入管４
及び水素導入管５よりモノシラン濃度が１０ｍｏｌ％、
ガス線速がＵ＝６×Ｕｍｆとなるように反応容器１内に
ガスを吹き込む。反応容器１内に吹き込まれたガスは反
応容器１内を上昇し、この過程で物理的には容器内のシ
リコン粒子を流動化させて流動層を形成し、化学的には
流動層を形成するシリコン粒子の表面にシリコンを析出
させて、シリコン粒子を成長させる。この間、遂次ガス
サンプリング口９よりガス中のモノシラン濃度をオンラ
インでガスクロマトグラフ１０により測定する。所定の
析出反応を終えたシリコンは、顆粒状シリコンの抜出管
６より反応容器１外に遂次抜き出され、代わりに供給管
３からは種粒子が反応容器内へ挿入される。シリコン析
出反応に使用された後のガスは、ガス抜き管７より反応
容器１外に排出される。
【００１２】
【作用】本発明の反応器においては、流動床で形成され
る分解用ガス（シランと水素）の泡が反応容器直径以上
の大きさとなっても泡が上昇するにつれて反応器直径が
大きくなるので所定の高さ以上では、泡が反応器直径以
下となり、スラッグフローが解消され、シランの高い変
換率が得られる。また、流動床上部でのガス線速は２×
Ｕｍｆ≦Ｕとなるのでガス線速の低下によるシリコン粒
子の凝結も起こらない。反応器の形状は、上開きの錐体
を形成する壁を有し、該壁と鉛直線とのなす角度が１.
３゜以上３.９゜以内であれば問題ないが、モノシラン
の変換率をより高率とするためにはこの角度は３.０゜
以上３.９゜以内がより望ましい。
る分解用ガス（シランと水素）の泡が反応容器直径以上
の大きさとなっても泡が上昇するにつれて反応器直径が
大きくなるので所定の高さ以上では、泡が反応器直径以
下となり、スラッグフローが解消され、シランの高い変
換率が得られる。また、流動床上部でのガス線速は２×
Ｕｍｆ≦Ｕとなるのでガス線速の低下によるシリコン粒
子の凝結も起こらない。反応器の形状は、上開きの錐体
を形成する壁を有し、該壁と鉛直線とのなす角度が１.
３゜以上３.９゜以内であれば問題ないが、モノシラン
の変換率をより高率とするためにはこの角度は３.０゜
以上３.９゜以内がより望ましい。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明により理解されるように、本
発明によれば、相当広い粒子径の範囲であっても、また
反応器直径が相当に小さいものであってもシリコン粒子
の凝結がおこらず、シランのシリコンへの変換率も高率
が得られると言う効果を発揮することができる。
発明によれば、相当広い粒子径の範囲であっても、また
反応器直径が相当に小さいものであってもシリコン粒子
の凝結がおこらず、シランのシリコンへの変換率も高率
が得られると言う効果を発揮することができる。
【００１４】
実施例１ 図２に示す態様により下記条件で多結晶シリコンを製造
した。 反応器の形状：上開きの錐体を形成する壁を有し、該壁
と鉛直線とのなす角度が ３.０゜ 粒子平均径：１０００μｍ 反応温度：６５０℃ 原料ガスのモノシラン濃度：１０ｍｏｌ％ 原料ガス（モノシランと水素）線速：２ｍ／ｓｅｃ シリコン製造において、シリコン粒子が凝結し、反応器
が閉塞することもなく、さらに、モノシランのシリコン
への変換率は定常的に９９ｍｏｌ％以上で３カ月連続稼
働した。
した。 反応器の形状：上開きの錐体を形成する壁を有し、該壁
と鉛直線とのなす角度が ３.０゜ 粒子平均径：１０００μｍ 反応温度：６５０℃ 原料ガスのモノシラン濃度：１０ｍｏｌ％ 原料ガス（モノシランと水素）線速：２ｍ／ｓｅｃ シリコン製造において、シリコン粒子が凝結し、反応器
が閉塞することもなく、さらに、モノシランのシリコン
への変換率は定常的に９９ｍｏｌ％以上で３カ月連続稼
働した。
【００１５】比較例１ 反応管の形状が上開きの錐体を形成する壁を有し、しか
しながら該壁と鉛直線とのなす角度は４.０゜であっ
た。そのこと以外は実施例１と同様に反応を行ったとこ
ろ、モノシランを反応器に導入すると同時に流動床上部
でシリコン粒子の凝結が起こり反応器が閉塞した。
しながら該壁と鉛直線とのなす角度は４.０゜であっ
た。そのこと以外は実施例１と同様に反応を行ったとこ
ろ、モノシランを反応器に導入すると同時に流動床上部
でシリコン粒子の凝結が起こり反応器が閉塞した。
【００１６】実施例２ 反応管の形状が上開きの錐体を形成する壁を有し、該壁
と鉛直線とのなす角度が１.６゜以外は実施例１と同様
に反応を行ったところ、モノシランのシリコンへの変換
率は７０ｍｏｌ％だった。
と鉛直線とのなす角度が１.６゜以外は実施例１と同様
に反応を行ったところ、モノシランのシリコンへの変換
率は７０ｍｏｌ％だった。
【図１】分解用ガス中のシラン濃度と分解ガス線速との
相関において、シリコン粒子の凝結が起る場合と起らな
い場合を示す図である。
相関において、シリコン粒子の凝結が起る場合と起らな
い場合を示す図である。
【図２】本発明の流動床反応器の一実施態様の概略断面
図である。
図である。
○印：シリコン粒子の凝結なし ★印：シリコン粒子の凝結あり １：反応容器 ２：ヒータ ３：シリコン粒子供給管 ４：モノシランガス導入口 ５：水素ガス導入管 ６：粒状シリコン抜出管 ７：ガス抜き管 ８：ガス分散板 ９：ガスサンプリング口 １０：ガスクロマトグラフ
Claims (1)
- 【請求項１】 上開きの錐体を形成する壁を有し、そし
てこの壁が鉛直線となす角度が１.３〜３.９゜の範囲に
あることを特徴とするモノシラン分解用流動床反応器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17648094A JPH0840717A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | モノシラン分解用流動床反応器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17648094A JPH0840717A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | モノシラン分解用流動床反応器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0840717A true JPH0840717A (ja) | 1996-02-13 |
Family
ID=16014411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17648094A Withdrawn JPH0840717A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | モノシラン分解用流動床反応器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0840717A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010227805A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 連続処理装置 |
| KR20150048772A (ko) * | 2012-08-29 | 2015-05-07 | 헴로크세미컨덕터코포레이션 | 테이퍼 유동층 반응기 및 그의 사용 공정 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP17648094A patent/JPH0840717A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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