JPH0840775A - 窒化珪素焼結体およびその製造方法 - Google Patents

窒化珪素焼結体およびその製造方法

Info

Publication number
JPH0840775A
JPH0840775A JP6200079A JP20007994A JPH0840775A JP H0840775 A JPH0840775 A JP H0840775A JP 6200079 A JP6200079 A JP 6200079A JP 20007994 A JP20007994 A JP 20007994A JP H0840775 A JPH0840775 A JP H0840775A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon nitride
sintered body
nitride sintered
less
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6200079A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Yamada
俊行 山田
Bunkou So
文甲 曽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Isuzu Ceramics Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Isuzu Ceramics Research Institute Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Isuzu Ceramics Research Institute Co Ltd filed Critical Isuzu Ceramics Research Institute Co Ltd
Priority to JP6200079A priority Critical patent/JPH0840775A/ja
Priority to DE1995601970 priority patent/DE69501970T2/de
Priority to EP19950101096 priority patent/EP0666246B1/en
Priority to US08/384,981 priority patent/US5591687A/en
Publication of JPH0840775A publication Critical patent/JPH0840775A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 珪素を原料とする窒化珪素焼結体の欠点であ
る気孔や残留珪素を含まないようにし、機械的強度が高
い窒化珪素焼結体を得る。 【構成】 0.02wt%以上のFeを含有する窒化珪素
焼結体であつて、窒化珪素焼結体に含まれる粒径0.5
μm以上のFe化合物粒子について、200×200μ
mの2次元的範囲でFe化合物粒子が占める面積を0.
1%以上にし、200×200μmの2次元的範囲を縦
横20等分に区分したセル(10μm ×10μm 単位、
400個)でFe化合物粒子が占める面積を15%以下
にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は反応焼結を利用した窒化
珪素焼結体(セラミツクス)、特に機械的強度が高い窒
化珪素焼結体およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】特開昭56-14635号公報に開示されるよう
に、高密度窒化珪素焼結体の製造方法として、珪素粉末
にFe,Co,Ni,Mh,W,Mo,Ti,Al,M
g,Zrの内から選択される金属または酸化物の少くと
も1種の粉末を添加したうえ、温度1300〜1550
℃の窒素ガス雰囲気で焼結した仮焼体を、上記金属を含
む溶液中に浸漬し、次いで温度1350〜1550℃で
珪素含有蒸気を供給しながら再び焼結を行うものがあ
る。
【0003】上述の製造方法により成形体を焼結する
と、焼結中に添加金属または添加金属の酸化物が液相ま
たは/および気相になり、得られる焼結体の内部に気
孔、膨み、割れなどが生じるので、特に肉厚品の高温焼
結には向かない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上述の
問題に鑑み、珪素を原料とする窒化珪素焼結体の欠点で
ある気孔や残留珪素が存せず、したがつて機械的強度が
優れた、窒化珪素焼結体およびその製造方法を提供する
ことにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の構成は0.02wt%以上のFeを含有する
窒化珪素焼結体であつて、該窒化珪素焼結体に含まれる
粒径0.5μm以上のFe化合物粒子は、200×20
0μmの2次元的範囲に占める面積が0.1%以上であ
り、200×200μmの範囲を縦横20等分に区分し
たセル(10μm ×10μm 単位が400個)に占める
面積が15%以下であることを特徴とする。
【0006】
【作用】微細化された珪素に、珪素が窒化珪素(Si3
4 )になりかつ転化の際にα相窒化珪素を生成するの
に有効な原材料を添加することにより、次の理由から、
珪素を原料とする窒化珪素焼結体の欠点である気孔や残
留珪素などの問題がない、つまり残留珪素がなくFe分
が均一に分散した高強度の窒化珪素焼結体が得られる。
【0007】(a) 成形体中の気孔の内径が小さくな
り、窒化珪素焼結体中の気孔の内径も小さくなる。
【0008】(b) 珪素の窒化が円滑であり、残留珪素
が少くなる。
【0009】(c) Fe化合物粒子の粒径が小さくな
り、Fe化合物粒子が窒化珪素焼結体中に均一に分散す
る。
【0010】(d) 成形体の原料に添加されるZnO
が、珪素が窒化珪素に転化する際に生成するα相窒化珪
素の量を増加させ、窒化珪素焼結体の強度を高める。
【0011】
【実施例】本発明による窒化珪素焼結体は、0.02wt
%以上のFeを含有する珪素原料を用いることを特徴と
する。窒化珪素焼結体はSi,Al,Y,O,N,Z
n,Feの各元素を含み、各元素がSi,Si3 4
Al2 3 ,Y2 3 ,Znの酸化物として存在する重
量をそれぞれa,b,c,d,eとし、Feとして存在
する重量をfとする時、次の各式 6≦(c+d+e)100 /(1.67a+b+c+d+e+
f)≦12.0 1≦(c+d)/e 0.02≦ 100f/(1.67a+b+c+d+e+f)≦7.5 0.001 ≦ 100e/(1.67a+b+c+d+e+f)≦7.
5 を満足する組成である。上述の各式は図3に示す各資料
(資料B0を除く)から近似的に求めたものである。
【0012】上述した窒化珪素焼結体の組成において、
Znの代りに、Ca,Ni,Cu,Cr,Co,Mg,
Mn,Sn,Ho,Cd,Pbの内から選択される1種
または1種以上の元素を添加してもよい。
【0013】窒化珪素焼結体に含まれるFe化合物粒子
は、殆どが粒径0.5μm以下のものである。詳しく
は、窒化珪素焼結体に含まれる粒径0.5μm以上のF
e化合物粒子は、200×200μmの2次元的範囲に
占める面積が0.1%以上であり、200×200μm
の範囲を縦横20等分に区分したセル(10μm ×10
μm 単位が400個)に占める面積が15%以下であ
る。
【0014】本発明による窒化珪素焼結体は、非常に緻
密な組織を構成する。窒化珪素焼結体の気孔率は0.5
%以下であり、気孔の平均内径は2μm以下である。窒
化珪素焼結体に含まれる窒化珪素は柱状粒子として存在
し、図4に示すように、分析結果によれば柱状粒子の全
数の80%以上が直径0.2〜1.2μm、長さ7.5
μm以下である。換言すれば、図5に示すように、柱状
粒子の長さ/直径の値は1〜20であり、柱状粒子の全
数の50%以上は長さ/直径の値が4.5〜20であ
り、詳しくは柱状粒子の全数の約50%は長さ/直径の
値が4.5〜10である。
【0015】本発明による窒化珪素焼結体を製造するに
は、Si,Al,Y,O,N,Zn,Feの各元素を含
み、所定の組成比の粉末から成形体を成形し、該成形体
を窒素を含むガス雰囲気で温度1700℃以下で加熱し
てSiをSi3 4 に転化させ、次いで温度1700〜
2000℃で焼成して得る。
【0016】各元素Si,Al,Y,O,N,Zn,F
eの組成比は、各元素がSi,Si3 4 ,Al
2 3 ,Y2 3 ,Znの酸化物として存在する重量を
それぞれa,b,c,d,eとし、Feとして存在する
重量をfとする時、次の各式 6≦(c+d+e)100 /(1.67a+b+c+d+e+
f)≦12.0 20≦a/(a+b)≦90 1≦(c+d)/e 0.5≦ 100e/(a+b+c+d+e)≦7.5 1≦(c+d)/e 0.02≦ 100f/(1.67a+b+c+d+e+f)≦7.5 を満足するように、予め決定される。
【0017】Znの代りに、Ca,Ni,Cu,Cr,
Co,Mg,Mn,Sn,Ho,Cd,Pbの内から選
択される1種または1種以上の元素を用いることができ
る。前記成形体を作製するのに用いるSi粉末には、不
純物として0.07wt%以上のFe分を含み、かつ平均
粒径が1μm(レーザー回折法による)以下のものを用
いる。また、前記成形体を作製するのに用いる各組成の
粉末には、平均粒径が1μm以下のものを用いる。
【0018】次に、具体的実施例を説明する。
【0019】[実施例1]Fe0.28wt%を含有する
平均粒径0.3μmの珪素粉末59.2部(約60wt
%)と、平均粒径0.3μmのα相窒化珪素粉末30.
9部と、平均粒径1μmのY2 3 粉末6.49部と、
平均粒径0.7μmのAl2 3 粉末3.89部と、平
均粒径1μmのZnO粉末1.29部とを、メタノー
ル、分散剤、樹脂製ボールと一緒に樹脂製ポツトに入れ
たうえ、28時間ボールミリングを行い、平均粒径0.
5μmのスラリーを作製した。
【0020】次いで、前記スラリーを乾燥・粉砕したう
え、軸プレスにて縦10mm、横80mm、厚さ5mmの板状
体に成形し、該板状体に圧力2000kgf /cm2 でCI
P処理を施し、成形体を作製した。次いで、前記成形体
を圧力9.5kgf /cm2 の窒素ガス雰囲気にて、まず温
度1400℃で10時間焼成し、続いて温度1900℃
で5時間焼成し、窒化珪素焼結体A1(図3に代表的な組
成比の例として示す)を得た。
【0021】また、比較例として、珪素原料に含まれる
不純物の量が異なる原料を用い、実施例1と同様の成形
体から、同様の方法で焼結し、多数の焼結体B1(図3に
代表例として示す)を作製した。
【0022】図3に示すように、本発明による窒化珪素
焼結体A1と比較例の焼結体B1について、四点曲げによる
抗折強度(JISR1601)を測定したところ、本発明による
窒化珪素焼結体A1の抗折強度は、比較例の焼結体B1に比
べて、非常に優れたものであることが分つた。図1に示
すように、窒化珪素焼結体の原料に含まれるFeの量が
約0.08wt%以下では窒化珪素焼結体の抗折強度は半
減し、窒化珪素焼結体の原料に含まれるFeの量が約
0.08wt%以上、好ましくは0.1wt%を超えると窒
化珪素焼結体の抗折強度は約1000MPa という優れた
ものになる。
【0023】次に、Fe0.28(±0.02)wt%を
含有する珪素粉末の平均粒径が異なる原料を用い、実施
例1と同様(窒化珪素焼結体A1と組成比が同じ)の成形
体から、同様の方法で多数の窒化珪素焼結体C0を作製し
た。図2に示すように、得られた各窒化珪素焼結体C0に
ついて抗折強度を測定したところ、Fe0.28(±
0.02)wt%を含有する珪素粉末の平均粒径が約1μ
m以下では高い抗折強度を示すが、Fe0.28(±
0.02)wt%を含有する珪素粉末の平均粒径が約1μ
mを超えると従来公知のものと変らないことが分つた。
【0024】さらに、珪素と窒化珪素の混合比、Y2
3 ,Al2 3 ,ZnOの添加量が異なる原料を用い、
実施例1と同様の組成の成形体から、同様の方法で窒化
珪素焼結体D1〜D6,E1〜E3を作製した。図3に示すよう
に、各窒化珪素焼結体D1〜D6,E1〜E3の抗折強度はZn
Oの添加量に影響するところが大きく、ZnOの添加量
が0.01wt%以下でも0.06wt%以上でも、満足で
きるものではないことが分つた。
【0025】
【発明の効果】本発明は上述のように、0.02wt%以
上のFeを含有する窒化珪素焼結体であつて、該窒化珪
素焼結体に含まれる粒径0.5μm以上のFe化合物粒
子は、200×200μmの2次元的範囲に占める面積
が0.1%以上であり、200×200μmの範囲を縦
横20等分に区分したセル(10μm ×10μm 単位、
400個)に占める面積が15%以下であることを特徴
とするものであり、一般に不純物と考えられているFe
を多量に含んだ安価な珪素粉末を、主原料にして高強度
の窒化珪素焼結体を得ることができる。
【0026】本発明による窒化珪素焼結体は反応焼結を
利用するので、窒化珪素焼結体の焼成による収縮量は、
窒化珪素を主原料とする焼結体の1/3から1/4にな
り、窒化珪素焼結体の仕上りに変形が少く、ニアネツト
性(組成比の微小な相違により機械的性質が敏感に変化
しない)に優れ、製造経費を低減できる。
【0027】本発明の製造方法によれば、寸法安定性と
機械的強度に優れた窒化珪素焼結体を安価に製造でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る窒化珪素焼結体の原料に含まれる
Feの量と窒化珪素焼結体の抗折強度の関係を表す線図
である。
【図2】同窒化珪素焼結体の原料であるSi粉末の粒径
と窒化珪素焼結体の抗折強度の関係を表す線図である。
【図3】同窒化珪素焼結体の原料粉末の組成比と窒化珪
素焼結体の抗折強度を示す表図である。
【図4】同窒化珪素焼結体に含まれる窒化珪素の物理的
組成を示す線図である。
【図5】同窒化珪素焼結体に含まれる窒化珪素の物理的
組成を示す線図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C04B 35/58 102 V 35/65

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】0.02wt%以上のFeを含有する窒化珪
    素焼結体であつて、該窒化珪素焼結体に含まれる粒径
    0.5μm以上のFe化合物粒子は、200×200μ
    mの2次元的範囲に占める面積が0.1%以上であり、
    200×200μmの範囲を縦横20等分に区分したセ
    ル(10μm ×10μm 単位が400個)に占める面積
    が15%以下であることを特徴とする、窒化珪素焼結
    体。
  2. 【請求項2】前記窒化珪素焼結体の気孔率が0.5%以
    下であり、気孔の平均内径が2μm以下である、請求項
    1に記載の窒化珪素焼結体。
  3. 【請求項3】前記窒化珪素焼結体に含まれる窒化珪素の
    柱状粒子は、全柱状粒子数の80%以上が直径0.2〜
    1.2μm、長さ7.5μm以下であり、各柱状粒子の
    長さ/直径の値が1〜20であり、全柱状粒子数の50
    %以上が長さ/直径の値が4.5〜20である、請求項
    1に記載の窒化珪素焼結体。
  4. 【請求項4】前記窒化珪素焼結体はSi,Al,Y,
    O,N,Zn,Feの各元素を含み、各元素がSi,S
    3 4 ,Al2 3 ,Y2 3 ,Znの酸化物として
    存在する重量をそれぞれa,b,c,d,eとし、Fe
    として存在する重量をfとする時、次の各式 6≦(c+d+e)100 /(1.67a+b+c+d+e+
    f)≦12.0 1≦(c+d)/e 0.02≦ 100f/(1.67a+b+c+d+e+f)≦7.5 0.001 ≦ 100e/(1.67a+b+c+d+e+f)≦7.
    5 を満足する組成である、請求項1に記載の窒化珪素焼結
    体。
  5. 【請求項5】前記Zn元素の代りに、Ca,Ni,C
    u,Cr,Co,Mg,Mn,Sn,Ho,Cd,Pb
    の内から選択される少くとも1種の元素を含む、請求項
    4に記載の窒化珪素焼結体。
  6. 【請求項6】Si,Al,Y,O,N,Zn,Feの各
    元素を含み、各元素がSi,Si34 ,Al2 3
    2 3 ,Znの酸化物として存在する重量をそれぞれ
    a,b,c,d,eとし、Feとして存在する重量をf
    とする時、次の各式 6.0 ≦(c+d+e)100 /(1.67a+b+c+d+e
    +f)≦12.0 20≦a/(a+b)≦90 1≦(c+d)/e 0.5≦ 100e/(a+b+c+d+e)≦7.5 0.02≦ 100f/(1.67a+b+c+d+e+f)≦7.5 を満足する組成の粉末から成形体を成形し、該成形体を
    窒素を含むガス雰囲気で温度1700℃以下で加熱して
    SiをSi3 4 に転化させ、次いで温度1700〜2
    000℃で焼成することを特徴とする、窒化珪素焼結体
    の製造方法。
  7. 【請求項7】前記Znの代りに、Ca,Ni,Cu,C
    r,Co,Mg,Mn,Sn,Ho,Cd,Pbの内か
    ら選択される少くとも1種の元素を含む、請求項6に記
    載の窒化珪素焼結体の製造方法。
  8. 【請求項8】前記成形体を作製するのに用いるSi粉末
    は、平均粒径が1μm以下であり、不純物として0.0
    7wt%以上のFe分を含む、請求項6に記載の窒化珪素
    焼結体の製造方法。
  9. 【請求項9】前記成形体を作製するのに用いる各元素の
    粉末の平均粒径は1μm以下である、請求項6に記載の
    窒化珪素焼結体の製造方法。
JP6200079A 1994-02-07 1994-08-02 窒化珪素焼結体およびその製造方法 Pending JPH0840775A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6200079A JPH0840775A (ja) 1994-08-02 1994-08-02 窒化珪素焼結体およびその製造方法
DE1995601970 DE69501970T2 (de) 1994-02-07 1995-01-27 Sinterprodukt auf Siliciumnitridbasis
EP19950101096 EP0666246B1 (en) 1994-02-07 1995-01-27 Silicon nitride based sintered product
US08/384,981 US5591687A (en) 1994-02-07 1995-02-07 Silicon nitride based sintered product

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6200079A JPH0840775A (ja) 1994-08-02 1994-08-02 窒化珪素焼結体およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0840775A true JPH0840775A (ja) 1996-02-13

Family

ID=16418509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6200079A Pending JPH0840775A (ja) 1994-02-07 1994-08-02 窒化珪素焼結体およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0840775A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013234120A (ja) * 2007-03-15 2013-11-21 Toshiba Corp 窒化珪素焼結体とそれを用いた摺動部材
WO2014192149A1 (ja) * 2013-05-31 2014-12-04 京セラ株式会社 セラミック焼結体,これを用いてなる耐食性部材,フィルターならびにハレーション防止部材

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013234120A (ja) * 2007-03-15 2013-11-21 Toshiba Corp 窒化珪素焼結体とそれを用いた摺動部材
WO2014192149A1 (ja) * 2013-05-31 2014-12-04 京セラ株式会社 セラミック焼結体,これを用いてなる耐食性部材,フィルターならびにハレーション防止部材
CN105246860A (zh) * 2013-05-31 2016-01-13 京瓷株式会社 陶瓷烧结体、用其构成的耐腐蚀性构件、过滤器和防光晕构件
JPWO2014192149A1 (ja) * 2013-05-31 2017-02-23 京セラ株式会社 セラミック焼結体,これを用いてなる耐食性部材,フィルターならびにハレーション防止部材

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2777679B2 (ja) スピネルセラミックス及びその製造方法
JPS6152108B2 (ja)
JPH0840775A (ja) 窒化珪素焼結体およびその製造方法
US5591687A (en) Silicon nitride based sintered product
JP3320645B2 (ja) セラミックス焼結体の製造方法
JP3995284B2 (ja) 窒化珪素質焼結体及びその製造方法
US5545362A (en) Production method of sintered silicon nitride
JPH06279124A (ja) 窒化ケイ素焼結体の製造方法
JP2892186B2 (ja) 窒化珪素−炭化珪素質複合焼結体の製造方法
JP2004091243A (ja) 窒化珪素質焼結体の製造方法および窒化珪素質焼結体
JPH03218974A (ja) 窒化珪素焼結体およびその製造方法
EP0666246B1 (en) Silicon nitride based sintered product
JP2890849B2 (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JP2949936B2 (ja) 窒化ケイ素焼結体の製造方法
JP2692353B2 (ja) 高温高強度窒化珪素焼結体の製造方法
JP3159350B2 (ja) 高緻密質窒化珪素焼結体及びその製造方法
JP3216973B2 (ja) 窒化珪素質焼結体及びその製造方法
JP2777051B2 (ja) 窒化珪素質焼結体の製造方法
JPH08169763A (ja) 窒化ケイ素焼結体およびその製造方法
JP2656709B2 (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JPH03164472A (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JPH07187798A (ja) 窒化珪素質焼結体の製造方法
JP2946593B2 (ja) 窒化珪素質焼結体およびその製造方法
JPH07187797A (ja) 窒化珪素質焼結体の製造方法
JP2524607B2 (ja) セラミックスの製造方法