JPH084166B2 - 半導体レ−ザの注入電流設定回路 - Google Patents
半導体レ−ザの注入電流設定回路Info
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- JPH084166B2 JPH084166B2 JP62048669A JP4866987A JPH084166B2 JP H084166 B2 JPH084166 B2 JP H084166B2 JP 62048669 A JP62048669 A JP 62048669A JP 4866987 A JP4866987 A JP 4866987A JP H084166 B2 JPH084166 B2 JP H084166B2
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光通信の分野において、光増幅及び光波長
バンド・パス・フィルタ等に用いられる半導体レーザの
注入電流を設定する回路に関するものである。
バンド・パス・フィルタ等に用いられる半導体レーザの
注入電流を設定する回路に関するものである。
第６図及び第７図は、従来の注入電流設定回路を一例
図（例えば、昭和57年度電子通信学会総合全国大会予稿
集、第８巻、第282頁に記載）である。
図（例えば、昭和57年度電子通信学会総合全国大会予稿
集、第８巻、第282頁に記載）である。
まず、第６図の回路は、半導体レーザの平均出力光を
一定にするように、半導体レーザの注入電流を設定する
回路である。
一定にするように、半導体レーザの注入電流を設定する
回路である。
第６図において、半導体レーザ１の光出力L1は、光フ
ァイバ11を介して外部に出力される。また、半導体レー
ザ１からのモニタ用出力光L2を受光素子２で受光し、そ
の光電流I1による出力電圧をロー・パス・フィルタ３で
平均化する。そしてその平均出力と基準電圧回路６から
与えられる基準電圧とを差動増幅器４に与えて、その差
分を増幅し、その差分に応じてトランジスタ７を制御す
ることにより、半導体レーザ１の注入電流を制御する。
ァイバ11を介して外部に出力される。また、半導体レー
ザ１からのモニタ用出力光L2を受光素子２で受光し、そ
の光電流I1による出力電圧をロー・パス・フィルタ３で
平均化する。そしてその平均出力と基準電圧回路６から
与えられる基準電圧とを差動増幅器４に与えて、その差
分を増幅し、その差分に応じてトランジスタ７を制御す
ることにより、半導体レーザ１の注入電流を制御する。
この回路においては、半導体レーザ１の平均出力光を
一定にすることができる。
一定にすることができる。
次に、第７図は、光出力の最大ピーク値を一定にする
ように半導体レーザの注入電流を設定する回路である。
ように半導体レーザの注入電流を設定する回路である。
第７図において、変調信号S1はコンデンサ５を介して
半導体レーザ１に印加される。半導体レーザ１からの出
力光は変調されて大きくなったり、小さくなったりす
る。その出力光のうちのモニタ用光出力L2を受光素子２
で受けて光電流I1を生じさせる。したがって光出力の大
小に応じた光電流I1が流れる。この光電流I1によって生
ずる電圧を差動増幅器８で増幅し、ダイオード９によっ
て半波整流を行なった後、コンデンサ10に充電すること
により、光電流I1の最大値、すなわち光出力の最大ピー
クの値に比例した電圧が得られる。
半導体レーザ１に印加される。半導体レーザ１からの出
力光は変調されて大きくなったり、小さくなったりす
る。その出力光のうちのモニタ用光出力L2を受光素子２
で受けて光電流I1を生じさせる。したがって光出力の大
小に応じた光電流I1が流れる。この光電流I1によって生
ずる電圧を差動増幅器８で増幅し、ダイオード９によっ
て半波整流を行なった後、コンデンサ10に充電すること
により、光電流I1の最大値、すなわち光出力の最大ピー
クの値に比例した電圧が得られる。
この電圧と基準電圧回路６から与えられる基準電圧と
を差動増幅器４によって比較し、その差分に応じてトラ
ンジスタ７を制御することにより、半導体レーザ１の注
入電流を制御する。
を差動増幅器４によって比較し、その差分に応じてトラ
ンジスタ７を制御することにより、半導体レーザ１の注
入電流を制御する。
この回路においては、半導体レーザ１の光出力の最大
ピーク値を一定にすることができる。
ピーク値を一定にすることができる。
しかしながら、上記のごとき従来の回路は、もっぱら
発光源として半導体レーザを用いるときに出力光パワー
を一定にするための回路であるので、半導体レーザを光
増幅素子、あるいは光増幅し、かつ光波長バンド・パス
・フィルタ特製を有する素子として用いる場合には不適
当な回路であった。
発光源として半導体レーザを用いるときに出力光パワー
を一定にするための回路であるので、半導体レーザを光
増幅素子、あるいは光増幅し、かつ光波長バンド・パス
・フィルタ特製を有する素子として用いる場合には不適
当な回路であった。
すなわち、半導体レーザを光増幅素子、あるいは光増
幅し、かつ光波長バンド・パス・フィルタ特性を有する
素子として用いる場合には、半導体レーザに注入される
入力光すなわち注入光の大きさに応じて、光増幅して出
力される光の大きさは変化するが、前記のごとき従来の
回路では、注入光パワーが変化すると、光増幅の利得を
変えて出力光が一定になるように注入電流を制御してし
まう。ところが、半導体レーザを光増幅素子、あるいは
光増幅し、かつ光波長バンド・パス・フィルタ特性を有
する素子として用いる場合には、常に、光増幅の利得が
一定になるように注入電流を設定する必要がある。
幅し、かつ光波長バンド・パス・フィルタ特性を有する
素子として用いる場合には、半導体レーザに注入される
入力光すなわち注入光の大きさに応じて、光増幅して出
力される光の大きさは変化するが、前記のごとき従来の
回路では、注入光パワーが変化すると、光増幅の利得を
変えて出力光が一定になるように注入電流を制御してし
まう。ところが、半導体レーザを光増幅素子、あるいは
光増幅し、かつ光波長バンド・パス・フィルタ特性を有
する素子として用いる場合には、常に、光増幅の利得が
一定になるように注入電流を設定する必要がある。
また、前記のごとき従来の回路は、発光源用の回路で
あるので、入力光の光受信信号を外部に出力することが
できないし、また、半導体レーザの外部との光の出入口
が１つしかないので、光を外部から注入し、かつ光増幅
された光を外部に出力する、ということは出来ないとい
う欠点があった。
あるので、入力光の光受信信号を外部に出力することが
できないし、また、半導体レーザの外部との光の出入口
が１つしかないので、光を外部から注入し、かつ光増幅
された光を外部に出力する、ということは出来ないとい
う欠点があった。
本発明は、上記のごとき従来技術の問題を解決するこ
とを目的とするものである。
とを目的とするものである。
上記の目的を達成するため、本発明においては、半導
体レーザに外部から変調された光を注入する手段と、上
記半導体レーザから光増幅されて出力された出力光を受
光して電気信号に変換する受光素子と、該受光素子の出
力電流の最低値の大きさを、注入光がないときにおける
上記半導体レーザの発振閾値付近の発光量またはそれ以
下の発光量の光を受光した際の上記受光素子の出力電流
の大きさに等しくなるように、上記半導体レーザの注入
電流を帰還制御する手段とを備えることにより、半導体
レーザのバイアス点を常に発振閾値附近に保つように注
入電流を設定するように構成している。
体レーザに外部から変調された光を注入する手段と、上
記半導体レーザから光増幅されて出力された出力光を受
光して電気信号に変換する受光素子と、該受光素子の出
力電流の最低値の大きさを、注入光がないときにおける
上記半導体レーザの発振閾値付近の発光量またはそれ以
下の発光量の光を受光した際の上記受光素子の出力電流
の大きさに等しくなるように、上記半導体レーザの注入
電流を帰還制御する手段とを備えることにより、半導体
レーザのバイアス点を常に発振閾値附近に保つように注
入電流を設定するように構成している。
上記の構成により、本発明においては、注入光の大き
さや周囲温度が変化しても常に光増幅の利得を一定に保
つことが出来る。
さや周囲温度が変化しても常に光増幅の利得を一定に保
つことが出来る。
また、本発明の他の構成においては、上記の構成に加
えて、半導体レーザから光増幅されて出力された出力光
を分岐し、一方を上記受光素子に与え、他方を外部に出
力する手段を備えることにより、光を外部から注入し、
かつ光増幅された光を外部に出力することが出来るよう
に構成している。
えて、半導体レーザから光増幅されて出力された出力光
を分岐し、一方を上記受光素子に与え、他方を外部に出
力する手段を備えることにより、光を外部から注入し、
かつ光増幅された光を外部に出力することが出来るよう
に構成している。
すなわち、本発明においては、半導体レーザを光増幅
及び光波長バンド・パス・フィルタとして用いるとき
に、注入電流を発振閾値電流附近あるいはそれ以下の値
に常に設定できるようにするために、ディジタル強度変
調のかかった光を注入した半導体レーザの光出力の最低
値を検出し、その大きさが光を注入していないときの半
導体レーザの発振閾値かそれ以下での光出力と同じ大き
さになるように半導体レーザの注入電流を帰還制御する
ことを特徴とする。
及び光波長バンド・パス・フィルタとして用いるとき
に、注入電流を発振閾値電流附近あるいはそれ以下の値
に常に設定できるようにするために、ディジタル強度変
調のかかった光を注入した半導体レーザの光出力の最低
値を検出し、その大きさが光を注入していないときの半
導体レーザの発振閾値かそれ以下での光出力と同じ大き
さになるように半導体レーザの注入電流を帰還制御する
ことを特徴とする。
上記のように、本発明においては、入力光が零になる
ときの半導体レーザの出力（発振閾値電流に相当する光
出力で、一種の雑音光である）を検出するため、入力光
はパルス状で、オフになることを必要とする。従ってデ
ィジタル強度変調のかかった光を入力として用いる。
ときの半導体レーザの出力（発振閾値電流に相当する光
出力で、一種の雑音光である）を検出するため、入力光
はパルス状で、オフになることを必要とする。従ってデ
ィジタル強度変調のかかった光を入力として用いる。
第１図は、本発明の第１の実施例図であり、また、第
２図は、第１図の回路における主な部位の電位を示す図
である。
２図は、第１図の回路における主な部位の電位を示す図
である。
第１図において、外部から光ファイバ12を介して送ら
れてきたディジタル強度変調のかかった入力光L3を半導
体レーザ13に注入する。
れてきたディジタル強度変調のかかった入力光L3を半導
体レーザ13に注入する。
この入力光（すなわち注入光）L3としては、第２図
（ａ）に示すように、例えば振幅とデューティの異なる
２種類のパルスを設定する。
（ａ）に示すように、例えば振幅とデューティの異なる
２種類のパルスを設定する。
上記の注入された光は、半導体レーザ13で光増幅され
て増幅光L4となり、受光素子14（例えばピン・フォト・
ダイオード）に入射されて光電変換される。これが第２
図（ｂ）である。これによって抵抗R1に光電流I1が流
れ、電位Vaが生じる。
て増幅光L4となり、受光素子14（例えばピン・フォト・
ダイオード）に入射されて光電変換される。これが第２
図（ｂ）である。これによって抵抗R1に光電流I1が流
れ、電位Vaが生じる。
上記の光電流によって生じた電位Vaは最低ピーク値検
出回路15に入力する。
出回路15に入力する。
この最低ピーク値検出回路15において、まず、上記の
電位Vaは、差動増幅器24で増幅され、Ａ点の電位すなわ
ち第２図（ｃ）のようになる。
電位Vaは、差動増幅器24で増幅され、Ａ点の電位すなわ
ち第２図（ｃ）のようになる。
次に、Ａ点の電位は、ダイオード16で半波整流され、
コンデンサ19に充電されることにより、Ｆ点には、Ａ点
の電位の最大値が出力される〔第２図（ｈ）〕。この値
は、第２図（ｃ）のパルスのピークv1又はv2に相当する
ものである。
コンデンサ19に充電されることにより、Ｆ点には、Ａ点
の電位の最大値が出力される〔第２図（ｈ）〕。この値
は、第２図（ｃ）のパルスのピークv1又はv2に相当する
ものである。
一方、コンデンサ20を用いてＡ点の電位の交流成分を
求めることにより、Ｂ点の電位が得られる〔第２図
（ｄ）〕。
求めることにより、Ｂ点の電位が得られる〔第２図
（ｄ）〕。
上記Ｂ点の電位は直流成分がないもの、すなわち、平
均をとると零になるものである。
均をとると零になるものである。
次に、Ｂ点の電位をダイオード17によって半波整流
し、コンデンサ21に充電することにより、Ｂ点の電位の
負の最大値を得る。これがＣ点の電位〔第２図（ｅ）〕
である。同時に、Ｂ点の電位をダイオード18によって上
記ダイオード17とは逆向きの半波整流をし、コンデンサ
22に充電することにより、Ｂ点の電位の正の最大値を得
る。これがＤ点の電位〔第２図（ｆ）〕である。
し、コンデンサ21に充電することにより、Ｂ点の電位の
負の最大値を得る。これがＣ点の電位〔第２図（ｅ）〕
である。同時に、Ｂ点の電位をダイオード18によって上
記ダイオード17とは逆向きの半波整流をし、コンデンサ
22に充電することにより、Ｂ点の電位の正の最大値を得
る。これがＤ点の電位〔第２図（ｆ）〕である。
次に、Ｃ点の電位とＤ点の電位との差を増幅率１倍の
差動増幅器25によって求める。これがＥ点の電位〔第２
図（ｇ）〕である。
差動増幅器25によって求める。これがＥ点の電位〔第２
図（ｇ）〕である。
上記Ｅ点の電位は、Ａ点の電位の最大値と最小値との
差、すなわち、Ａ点の電位の変動の振幅のピーク・ツー
・ピークの値である。
差、すなわち、Ａ点の電位の変動の振幅のピーク・ツー
・ピークの値である。
一方、コンデンサ19から出力されたＡ点の電位の最大
値がＦ点の電位として得られている。このＦ点の電位と
上記Ｅ点の電位との差を増幅率１倍の差動増幅器26によ
って求める。これがＧ点の電位〔第２図（ｉ）〕であ
る。
値がＦ点の電位として得られている。このＦ点の電位と
上記Ｅ点の電位との差を増幅率１倍の差動増幅器26によ
って求める。これがＧ点の電位〔第２図（ｉ）〕であ
る。
このＧ点の電位は、Ａ点の電位の最大値から、Ａ点の
電位の変動の振動のピーク・ツー・ピークの値を引いた
ものであり、これは、半導体レーザ13に光注入がないと
きの発振閾値附近あるいはそれ以下で発光している光の
量に比例している。
電位の変動の振動のピーク・ツー・ピークの値を引いた
ものであり、これは、半導体レーザ13に光注入がないと
きの発振閾値附近あるいはそれ以下で発光している光の
量に比例している。
すなわち、第２図（ｉ）に示すごとく、Ｇ点の電位に
おいて、図の左半分はv1−（v3＋v5）であるが、そのう
ちのv3＋v5は、第２図（ｄ）から判るように第２図
（ｃ）に示すＡの電位のうちのパルス振幅分である。し
たがってv1からこれを引いたものは、発振閾値に対応す
る電位Paとなる。また、Ｇ点の電位の右半分も同様であ
る。
おいて、図の左半分はv1−（v3＋v5）であるが、そのう
ちのv3＋v5は、第２図（ｄ）から判るように第２図
（ｃ）に示すＡの電位のうちのパルス振幅分である。し
たがってv1からこれを引いたものは、発振閾値に対応す
る電位Paとなる。また、Ｇ点の電位の右半分も同様であ
る。
次に、Ｇ点の電位と基準電圧回路28から与えられる基
準電位の差分とを差動増幅器27で増幅して出力する。
準電位の差分とを差動増幅器27で増幅して出力する。
次に、差動増幅器27の出力をトランジスタ29のベース
に入力し、増幅して出力されるコレクタ電流を半導体レ
ーザ13の注入電流とする。なおR2〜R6は抵抗である。
に入力し、増幅して出力されるコレクタ電流を半導体レ
ーザ13の注入電流とする。なおR2〜R6は抵抗である。
上記の注入電流設定回路は、半導体レーザに光注入が
ないときのレーザ発光量を、発振閾値附近あるいはそれ
以下での発光量の値で一定になるように制御する回路で
ある。
ないときのレーザ発光量を、発振閾値附近あるいはそれ
以下での発光量の値で一定になるように制御する回路で
ある。
この回路においては、第３図（ａ）に示すように、例
えば、周囲温度が20℃から40℃に変化した場合でも、光
出力がPaの値で一定になるように注入電流がIaからIa′
に変化し、光出力を発振閾値附近、あるいはそれ以下に
保つことが出来る。
えば、周囲温度が20℃から40℃に変化した場合でも、光
出力がPaの値で一定になるように注入電流がIaからIa′
に変化し、光出力を発振閾値附近、あるいはそれ以下に
保つことが出来る。
また、注入光にディジタル信号光が入射した際に、そ
の入射光の大きさが変化しても、第３図（ｂ）に示すよ
うに、本発明では半導体レーザの発振閾値に対応するパ
ワーPaを検出しているので、その値は注入光のない時の
光出力となっており、第３図（ａ）のように発振閾値附
近あるいはそれ以下に保つことが出来る。
の入射光の大きさが変化しても、第３図（ｂ）に示すよ
うに、本発明では半導体レーザの発振閾値に対応するパ
ワーPaを検出しているので、その値は注入光のない時の
光出力となっており、第３図（ａ）のように発振閾値附
近あるいはそれ以下に保つことが出来る。
次に、第４図は本発明の第２の実施例図である。
この実施例は、前記第１図の回路にコンデンサ30を付
加し、受光素子14の出力の交流成分を取り出して光受信
信号S2とするように構成したものである。
加し、受光素子14の出力の交流成分を取り出して光受信
信号S2とするように構成したものである。
なお、第４図において、破線で囲った部分15は、前記
第１図と同様の最低ピーク値検出回路である。
第１図と同様の最低ピーク値検出回路である。
第４図の回路においては、注入光のディジタル信号光
の平均光パワーあるいは最大ピークパワーの大きさが変
動しても、また周囲温度が変動しても常に半導体レーザ
を発振閾値附近あるいはそれ以下に設定することがで
き、かつ、光受信信号を得ることができる。
の平均光パワーあるいは最大ピークパワーの大きさが変
動しても、また周囲温度が変動しても常に半導体レーザ
を発振閾値附近あるいはそれ以下に設定することがで
き、かつ、光受信信号を得ることができる。
次に、第５図は本発明の第３の実施例図である。
第５図においては、光ファイバ31を介して半導体レー
ザ13に入力光L3を注入する。半導体レーザ13によって光
増幅された増幅光L4は、入射光の一部を反射して大部分
を透過する半透明鏡33によって二つに分岐される。そし
て、そのうちのモニタ用光L5は受光素子14に入射し前記
第１図と同様な回路によって半導体レーザ13の注入電流
を制御する。
ザ13に入力光L3を注入する。半導体レーザ13によって光
増幅された増幅光L4は、入射光の一部を反射して大部分
を透過する半透明鏡33によって二つに分岐される。そし
て、そのうちのモニタ用光L5は受光素子14に入射し前記
第１図と同様な回路によって半導体レーザ13の注入電流
を制御する。
一方、半透明鏡34を透過した出力光L6は、光ファイバ
32を介して外部へ出力される。この光出力は、例えば、
光増幅された光として次の受信装置に送出される。すな
わち、光信号を中継することができる。
32を介して外部へ出力される。この光出力は、例えば、
光増幅された光として次の受信装置に送出される。すな
わち、光信号を中継することができる。
なお、この実施例においても光受信信号S2を取り出す
ためのコンデンサ30を設けているが、これは省略するこ
とも出来る。
ためのコンデンサ30を設けているが、これは省略するこ
とも出来る。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、光増幅及び光波
長バンド・パス・フィルタに用いられる半導体レーザの
注入電流を、注入光の大きさや周囲の温度が変動しても
常に発振閾値電流附近、あるいはそれ以下に設定するこ
とが出来るので、注入光の大きさや周囲温度が変化して
も常に光増幅の利得を一定に保つことが出来、また、光
を外部から注入し、かつ光増幅された光を外部に出力す
ることが出来る、等の効果が得られる。
長バンド・パス・フィルタに用いられる半導体レーザの
注入電流を、注入光の大きさや周囲の温度が変動しても
常に発振閾値電流附近、あるいはそれ以下に設定するこ
とが出来るので、注入光の大きさや周囲温度が変化して
も常に光増幅の利得を一定に保つことが出来、また、光
を外部から注入し、かつ光増幅された光を外部に出力す
ることが出来る、等の効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例図、第２図は第１図の回路に
おける各点の電位を示す図、第３図は第１図の回路にお
ける特性図、第４図及び第５図はそれぞれ本発明の他の
実施例図、第６図及び第７図はそれぞれは従来装置の一
例図である。 〈符号の説明〉 １……半導体レーザ、２……受光素子 ３……ロー・パス・フィルタ ４……差動増幅器、５……コンデンサ ６……基準電圧回路、７……トランジスタ ８……差動増幅器、９……ダイオード 10……コンデンサ、11、12……光ファイバ 13……半導体レーザ、14……受光素子 15……最低ピーク値検出回路 16、17、18……ダイオード 19、20、21、22……コンデンサ 24、25、26、27……差動増幅器 28……基準電圧回路、29……トランジスタ 30……コンデンサ、31、32……光ファイバ 33……半透明鏡
おける各点の電位を示す図、第３図は第１図の回路にお
ける特性図、第４図及び第５図はそれぞれ本発明の他の
実施例図、第６図及び第７図はそれぞれは従来装置の一
例図である。 〈符号の説明〉 １……半導体レーザ、２……受光素子 ３……ロー・パス・フィルタ ４……差動増幅器、５……コンデンサ ６……基準電圧回路、７……トランジスタ ８……差動増幅器、９……ダイオード 10……コンデンサ、11、12……光ファイバ 13……半導体レーザ、14……受光素子 15……最低ピーク値検出回路 16、17、18……ダイオード 19、20、21、22……コンデンサ 24、25、26、27……差動増幅器 28……基準電圧回路、29……トランジスタ 30……コンデンサ、31、32……光ファイバ 33……半透明鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/14
Claims (2)
- 【請求項１】半導体レーザに外部から変調された光を注
入する手段と、上記半導体レーザから光増幅されて出力
された出力光を受光して電気信号に変換する受光素子
と、該受光素子の出力電流の最低値の大きさを、注入光
がないときにおける上記半導体レーザの発振閾値付近の
発光量またはそれ以下の発光量の光を受光した際の上記
受光素子の出力電流の大きさに等しくなるように、上記
半導体レーザの注入電流を帰還制御する手段とを備えた
ことを特徴とする半導体レーザの注入電流設定回路。 - 【請求項２】半導体レーザに外部から変調された光を注
入する手段と、上記半導体レーザから光増幅されて出力
された出力光を受光して電気信号に変換する受光素子
と、該受光素子の出力電流の最低値の大きさを、注入光
がないときにおける上記半導体レーザの発振閾値付近の
発光量またはそれ以下の発光量の光を受光した際の上記
受光素子の出力電流の大きさに等しくなるように、上記
半導体レーザの注入電流を帰還制御する手段と、上記半
導体レーザから光増幅されて出力された出力光を分岐
し、一方を上記受光素子に与え、他方を外部に出力する
手段とを備えたことを特徴とする半導体レーザの注入電
流設定回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048669A JPH084166B2 (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体レ−ザの注入電流設定回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048669A JPH084166B2 (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体レ−ザの注入電流設定回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216395A JPS63216395A (ja) | 1988-09-08 |
| JPH084166B2 true JPH084166B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=12809736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62048669A Expired - Fee Related JPH084166B2 (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体レ−ザの注入電流設定回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084166B2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP62048669A patent/JPH084166B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63216395A (ja) | 1988-09-08 |
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