JPH0843456A - 交流レベル検出回路 - Google Patents
交流レベル検出回路Info
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- JPH0843456A JPH0843456A JP17785894A JP17785894A JPH0843456A JP H0843456 A JPH0843456 A JP H0843456A JP 17785894 A JP17785894 A JP 17785894A JP 17785894 A JP17785894 A JP 17785894A JP H0843456 A JPH0843456 A JP H0843456A
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- semiconductor diode
- diode
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 交流信号のレベル検出回路の温度補償をダイ
オードのバイアス点のみでなく、検波効率にまで適用す
る。 【構成】 定電圧源８から抵抗４及び５を介して検波用
ダイオード２及び補償用ダイオード３にそれぞれわずか
な順電流を流し、両者の端子電圧の差を差動増幅器９で
増幅することとともに、補償用ダイオード３の端子電圧
を差動増幅器２１で増幅して、その端子電圧が上昇した
時は増幅率を増加する方向に制御する可変利得増幅器２
２を有し、その出力をレベル検出信号として取り出す。
オードのバイアス点のみでなく、検波効率にまで適用す
る。 【構成】 定電圧源８から抵抗４及び５を介して検波用
ダイオード２及び補償用ダイオード３にそれぞれわずか
な順電流を流し、両者の端子電圧の差を差動増幅器９で
増幅することとともに、補償用ダイオード３の端子電圧
を差動増幅器２１で増幅して、その端子電圧が上昇した
時は増幅率を増加する方向に制御する可変利得増幅器２
２を有し、その出力をレベル検出信号として取り出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は交流信号のレベル検出回
路に関し、特に温度に対して安定な検出回路に関する。
路に関し、特に温度に対して安定な検出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の温度補償型レベル検出回路では、
図２に示すように交流信号１のレベルを検波ダイオード
２によって検出する際に、微少交流電圧まで検出する場
合に、ダイオード２の順方向にわずかの電流が流れるま
で電圧源８と抵抗４でバイアスを与え、かつ第２のダイ
オード３に抵抗５でバイアスを与え、ダイオード２と３
を同特性にし、抵抗４と５を同じ値とし、差動増幅器９
よって両ダイオードの端子電圧の差を増幅して出力する
ことにより、温度変化によるダイオード２の端子電圧の
変動を打ち消すようにしている。この図２の回路では、
交流信号１の大きさによってダイオード２の端子電圧が
変化し、ひいては差動増幅器９の出力が交流信号１の大
きさに応じて変動することを利用して、交流信号１のレ
ベルを検出している。
図２に示すように交流信号１のレベルを検波ダイオード
２によって検出する際に、微少交流電圧まで検出する場
合に、ダイオード２の順方向にわずかの電流が流れるま
で電圧源８と抵抗４でバイアスを与え、かつ第２のダイ
オード３に抵抗５でバイアスを与え、ダイオード２と３
を同特性にし、抵抗４と５を同じ値とし、差動増幅器９
よって両ダイオードの端子電圧の差を増幅して出力する
ことにより、温度変化によるダイオード２の端子電圧の
変動を打ち消すようにしている。この図２の回路では、
交流信号１の大きさによってダイオード２の端子電圧が
変化し、ひいては差動増幅器９の出力が交流信号１の大
きさに応じて変動することを利用して、交流信号１のレ
ベルを検出している。
【０００３】温度によってダイオード２のバイアス点が
変動することは、図２の回路の採用によって回避できる
が、図３に示すようにダイオードでは電圧−電流特性の
微分値が温度によって変化し、同じバイアス電流でも検
波出力は低温ほど小さくなる。
変動することは、図２の回路の採用によって回避できる
が、図３に示すようにダイオードでは電圧−電流特性の
微分値が温度によって変化し、同じバイアス電流でも検
波出力は低温ほど小さくなる。
【０００４】従って従来は、図２のように、抵抗１０と
サーミスタ１１によって温度が上昇するほど分圧比の大
となる分圧回路を設けて、上記の検波効率の変動を補償
した結果を出力端子１２に出していた。
サーミスタ１１によって温度が上昇するほど分圧比の大
となる分圧回路を設けて、上記の検波効率の変動を補償
した結果を出力端子１２に出していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の方式では、
温度補償用の素子、すなわち温度に敏感な素子がダイオ
ード３とサーミスタ１１との２個であり、実装上はこの
両者を検波ダイオード２に熱的に結合する必要があっ
て、構造上複雑となる。また、本来、温度特性の異なる
ダイオードとサーミスタを互いに特性を打ち消すように
調整することはやっかいである。
温度補償用の素子、すなわち温度に敏感な素子がダイオ
ード３とサーミスタ１１との２個であり、実装上はこの
両者を検波ダイオード２に熱的に結合する必要があっ
て、構造上複雑となる。また、本来、温度特性の異なる
ダイオードとサーミスタを互いに特性を打ち消すように
調整することはやっかいである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに本発明は次の手段を提供する。
めに本発明は次の手段を提供する。
【０００７】交流信号を第１の半導体ダイオードによ
って検波することによって該交流信号の大きさを検出す
る回路であって、該第１の半導体ダイオードに最適のバ
イアスを与えるために電流バイアスを加え、かつ前記第
１の半導体ダイオードと同じ特性の第２の半導体ダイオ
ードに同じ量のバイアス電流を与え、両半導体ダイオー
ドに流れる直流電流または両半導体ダイオードの端子電
圧を差動増幅器に加え、この差動増幅器の出力が前記第
１の半導体ダイオードに印加される交流信号の大きさに
応じて変ることを利用し、該差動増幅器の出力によっ
て、前記交流信号のレベルを検出し、前記第１の半導体
ダイオードのバイアス点の温度変化を補償するようにし
たレベル検出回路において、前記第２の半導体ダイオー
ドの端子電圧に応じて、前記差動増幅器を含むレベル信
号増幅系の利得を制御する交流レベル検出回路。
って検波することによって該交流信号の大きさを検出す
る回路であって、該第１の半導体ダイオードに最適のバ
イアスを与えるために電流バイアスを加え、かつ前記第
１の半導体ダイオードと同じ特性の第２の半導体ダイオ
ードに同じ量のバイアス電流を与え、両半導体ダイオー
ドに流れる直流電流または両半導体ダイオードの端子電
圧を差動増幅器に加え、この差動増幅器の出力が前記第
１の半導体ダイオードに印加される交流信号の大きさに
応じて変ることを利用し、該差動増幅器の出力によっ
て、前記交流信号のレベルを検出し、前記第１の半導体
ダイオードのバイアス点の温度変化を補償するようにし
たレベル検出回路において、前記第２の半導体ダイオー
ドの端子電圧に応じて、前記差動増幅器を含むレベル信
号増幅系の利得を制御する交流レベル検出回路。
【０００８】前記第１の半導体ダイオードに第１の抵
抗を直列に接続し、前記第２の半導体ダイオードに第２
の抵抗を直列に接続し、前記第１の半導体ダイオードお
よび第１の抵抗でなる第１の直流回路ならびに前記第２
の半導体ダイオードおよび第２の抵抗でなる第２の直流
回路を並列に接続して前記電流バイアス用の直流電圧を
加え、前記第１の半導体ダイオードおよび第１の抵抗の
接続点である第１の節点と前記第２の半導体ダイオード
および第２の抵抗の接続点である第２の節点とを前記差
動増幅器の差動入力端子にそれぞれ接続したことを特徴
とする上記に記載の交流レベル検出回路。
抗を直列に接続し、前記第２の半導体ダイオードに第２
の抵抗を直列に接続し、前記第１の半導体ダイオードお
よび第１の抵抗でなる第１の直流回路ならびに前記第２
の半導体ダイオードおよび第２の抵抗でなる第２の直流
回路を並列に接続して前記電流バイアス用の直流電圧を
加え、前記第１の半導体ダイオードおよび第１の抵抗の
接続点である第１の節点と前記第２の半導体ダイオード
および第２の抵抗の接続点である第２の節点とを前記差
動増幅器の差動入力端子にそれぞれ接続したことを特徴
とする上記に記載の交流レベル検出回路。
【０００９】前記レベル信号増幅系は、前記差動増幅
器と、この差動増幅器の出力を増幅する利得可変増幅器
とでなり、前記第２の半導体ダイオードの端子電圧に応
じて該利得可変増幅器の利得を制御することを特徴とす
る上記またはに記載の交流レベル検出回路。
器と、この差動増幅器の出力を増幅する利得可変増幅器
とでなり、前記第２の半導体ダイオードの端子電圧に応
じて該利得可変増幅器の利得を制御することを特徴とす
る上記またはに記載の交流レベル検出回路。
【００１０】前記第２の半導体ダイオードの端子電圧
を第２の差動増幅器で増幅して前記利得可変増幅器の利
得制御端子に加えることを特徴とする上記に記載の交
流レベル検出回路。
を第２の差動増幅器で増幅して前記利得可変増幅器の利
得制御端子に加えることを特徴とする上記に記載の交
流レベル検出回路。
【００１１】
【作用】本発明では、第２のダイオードの端子電圧でレ
ベル信号増幅系の利得を制御しているので、ダイオード
の検波効率が温度によって変動しても、レベル信号増幅
系においてその変動を補償できる。
ベル信号増幅系の利得を制御しているので、ダイオード
の検波効率が温度によって変動しても、レベル信号増幅
系においてその変動を補償できる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例の回路図である。
【００１３】補償用のダイオード３の端子電圧は差動増
幅器２１によって増幅されて可変利得増幅器２２の利得
を制御する。この可変利得増幅器２２は２つのダイオー
ド２，３の端子電圧の差を増幅する差動増幅器９の出力
を増幅して出力する。
幅器２１によって増幅されて可変利得増幅器２２の利得
を制御する。この可変利得増幅器２２は２つのダイオー
ド２，３の端子電圧の差を増幅する差動増幅器９の出力
を増幅して出力する。
【００１４】例えば、低温になるほどダイオード２，３
の端子電圧を上昇し、これを差動増幅器２１によって反
転増幅した出力は温度に比例した電圧となり、これによ
って可変利得増幅器２２の利得が上昇する方向に制御す
る。この制御電圧と利得の関係をあらかじめ検波ダイオ
ードの電流・電圧の微分値の温度変化に対して適当に選
んでおけば、温度による検波効率の変化を打ち消せる。
の端子電圧を上昇し、これを差動増幅器２１によって反
転増幅した出力は温度に比例した電圧となり、これによ
って可変利得増幅器２２の利得が上昇する方向に制御す
る。この制御電圧と利得の関係をあらかじめ検波ダイオ
ードの電流・電圧の微分値の温度変化に対して適当に選
んでおけば、温度による検波効率の変化を打ち消せる。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明したように、本発明は、バイ
アス電流補償用のダイオードの端子電圧の温度による変
化によって検波効率の変化を補償するので、別の補償素
子を必要とせず、温度に敏感な素子を検波ダイオードと
補償用ダイオードとの２個に限定できるので構造上簡単
になり、また補償調整が容易となる利点を有する。
アス電流補償用のダイオードの端子電圧の温度による変
化によって検波効率の変化を補償するので、別の補償素
子を必要とせず、温度に敏感な素子を検波ダイオードと
補償用ダイオードとの２個に限定できるので構造上簡単
になり、また補償調整が容易となる利点を有する。
【図１】本発明の一実施例の回路図。
【図２】従来例の回路図。
【図３】温度補償作用を説明するためのダイオードの電
圧・電流静特性。
圧・電流静特性。
２ 検波用ダイオード ３ 補償用ダイオード ９，２１ 差動増幅器 ２２ 可変利得増幅器
Claims (4)
- 【請求項１】交流信号を第１の半導体ダイオードによっ
て検波することによって該交流信号の大きさを検出する
回路であって、該第１の半導体ダイオードに最適のバイ
アスを与えるために電流バイアスを加え、かつ前記第１
の半導体ダイオードと同じ特性の第２の半導体ダイオー
ドに同じ量のバイアス電流を与え、両半導体ダイオード
に流れる直流電流または両半導体ダイオードの端子電圧
を差動増幅器に加え、この差動増幅器の出力が前記第１
の半導体ダイオードに印加される交流信号の大きさに応
じて変ることを利用し、該差動増幅器の出力によって前
記交流信号のレベルを検出し、前記第１の半導体ダイオ
ードのバイアス点の温度変化を補償するようにしたレベ
ル検出回路において、前記第２の半導体ダイオードの端
子電圧に応じて、前記差動増幅器を含むレベル信号増幅
系の利得を制御する交流レベル検出回路。 - 【請求項２】前記第１の半導体ダイオードに第１の抵抗
を直列に接続し、前記第２の半導体ダイオードに第２の
抵抗を直列に接続し、前記第１の半導体ダイオードおよ
び第１の抵抗でなる第１の直流回路ならびに前記第２の
半導体ダイオードおよび第２の抵抗でなる第２の直流回
路を並列に接続して前記電流バイアス用の直流電圧を加
え、前記第１の半導体ダイオードおよび第１の抵抗の接
続点である第１の節点と前記第２の半導体ダイオードお
よび第２の抵抗の接続点である第２の節点とを前記差動
増幅器の差動入力端子にそれぞれ接続したことを特徴と
する請求項１に記載の交流レベル検出回路。 - 【請求項３】前記レベル信号増幅系は、前記差動増幅器
と、この差動増幅器の出力を増幅する利得可変増幅器と
でなり、前記第２の半導体ダイオードの端子電圧に応じ
て該利得可変増幅器の利得を制御することを特徴とする
請求項１または２に記載の交流レベル検出回路。 - 【請求項４】前記第２の半導体ダイオードの端子電圧を
第２の差動増幅器で増幅して前記利得可変増幅器の利得
制御端子に加えることを特徴とする請求項３に記載の交
流レベル検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17785894A JP2576414B2 (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 交流レベル検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17785894A JP2576414B2 (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 交流レベル検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0843456A true JPH0843456A (ja) | 1996-02-16 |
| JP2576414B2 JP2576414B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=16038324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17785894A Expired - Lifetime JP2576414B2 (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 交流レベル検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576414B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009145277A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Fujitsu Telecom Networks Ltd | 電流検出回路 |
| JP2013090144A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Fujitsu Ltd | 信号検波回路 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP17785894A patent/JP2576414B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009145277A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Fujitsu Telecom Networks Ltd | 電流検出回路 |
| JP2013090144A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Fujitsu Ltd | 信号検波回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2576414B2 (ja) | 1997-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960910 |