JPH0844435A - 加熱温度制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 予め設定された加熱装置の通電率を増加させ
るよう制御することにより、温度の立上り時間の最も遅
い加熱装置の立上り時間を短縮して装置全体の立上り時
間を短縮させる加熱温度制御装置を提供する。 【構成】 通電により対象物１１，３１を加熱する加熱
手段１３，３３と、対象物１１，３１の温度を検知する
温度検知手段１７，３７と、検知温度に基づいて加熱手
段１３，３３の通電率を制御する下位通電率制御手段１
５，３５とを有する複数の加熱装置２０，４０と、複数
の加熱装置２０，４０の各々の加熱手段１３，３３の通
電率を検知する複数の通電率検知手段２１，４１と、複
数の通電率検知手段２１，４１が検知した各々の通電率
を比較して最も温度の立上りが遅れている加熱装置を判
別する通電率比較手段２３と、通電率比較手段２３が最
も温度の立上りが遅れていると判別した加熱装置の加熱
手段の通電率を変化させるよう加熱装置を制御する上位
通電率制御手段４４とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、たとえばプリンタ装置
や複写機のように、転写用の感光体ドラムが加熱する必
要がある場合はそのヒータと、定着用加熱ローラのヒー
タのように、複数の加熱装置を有する装置に関し、特に
それらの加熱装置の加熱温度を制御する加熱温度制御装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のプリンタ装置等の転写用の感光体
ドラムにはＯＰＣ（有機光導電体）系の材料が多く用い
られているが、このＯＰＣ系の感光体ドラムはコストが
低い等の利点を有する反面、耐久性が乏しいため、耐久
性が求められる場合にはａ−Ｓｉ（アモルファスシリコ
ン）系の材料が用いられる。このａ−Ｓｉ系の材料は機
械的強度の最も優れた材料であると共に、高速光応答性
に富んで感度が良好であるという利点を有している。

【０００３】しかしながらこのａ−Ｓｉ系の感光体ドラ
ムは、その帯電過程においてコロナ放電で生じるオゾン
に晒されるため、そのドラム表面にシリカ（ＳｉＯ）が
形成される。そしてこのシリカは親水性の為、感光体ド
ラム周囲の空気湿度が高いとそのドラム表面に水分子が
吸着する。その結果感光体ドラム表面の電気伝導性が変
化して、コロナ帯電時の電荷保持機能が著しく阻害さ
れ、感光体ドラム表面に形成された静電潜像が乱れるい
わゆる“画像流れ”が生じる。

【０００４】このような“画像流れ”の現象を防止する
方法の１つとして従来は、感光体ドラム内部にドラム加
熱用ヒータを設け、転写による画像形成を行う前にａ−
Ｓｉドラムを一定温度に迄加熱することにより、ドラム
表面に吸着した水分子を蒸発により除去して“画像流
れ”の発生を防止する方法がある（実公平１−３４２０
５号，実公平１−３４２０６号公報）。

【０００５】このような従来のａ−Ｓｉ系の感光体ドラ
ムにおいては、電源投入時からその温度を立ち上げて転
写可能状態になる迄の立上り時間を短くする必要がある
が、そのためには大電力ヒータを使えば容易に達成する
ことができる。しかしながら、大電力ヒータを使うと装
置全体の消費電力が大きくなるだけでなく、大電力ヒー
タにより加熱して感光体ドラムの温度を一定の目標温度
に保とうとする場合には、不可避的に生ずるオーバーシ
ュート（目標温度を通り越して目標温度からいくらかの
温度ずれ込む）の、その目標温度を越えてから停止する
までの目標温度との温度差が大きくなる。この為、コロ
ナ帯電時の電荷保持機能が温度変化により影響を受ける
ことから、静電潜像が不安定となって確実な画像形成を
行うことができなくなるおそれがあるという問題があ
る。

【０００６】このような問題を解決するためにはａ−Ｓ
ｉ感光体ドラムのヒータに小電力ヒータを用いればよい
が、そうすると今度は上記立上り時間が長くなり待ち時
間が長くなってしまう。他方、プリンタ装置等において
は転写紙に転写されたトナー画像を定着させる為に加熱
ローラを用いているが、この加熱ローラのヒータも前記
感光体ドラムのドラム用加熱ヒータのように、装置全体
の消費電力が大きくなるのを防止するためにやはり小電
力ヒータを用いている。

【０００７】それから温度制御装置としては従来は、検
知温度により通電のパルス幅やパルス周期等を変えてヒ
ータの通電率（所定時間当たりの通電量）を変化させる
よう制御することにより、目標温度付近での通電動作の
不安定状態を除去すると共に、温度変化に対する通電の
応答性を向上させようとするものがあり（特公昭５３−
３４２７４号公報）、このような温度制御装置は上記ａ
−Ｓｉ感光体ドラムや加熱ローラのヒータにも用いるこ
とができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに１つの装置に複数の加熱装置が用いられていると、
各々の加熱装置の温度の立上り時間が異なる為、装置全
体の温度の立上り時間は最も遅い加熱装置の立上り時間
により定まり、換言すれば一つの加熱装置の温度の立上
り時間が遅いと装置全体の立上り時間が遅くなってしま
うという問題があった。特に近年においてはクイックス
タートの要請、すなわち温度の立上り時間をできるだけ
短縮させて待ち時間を短縮させようという要請が強まっ
てきており、この要請に反する結果を招くおそれがあ
る。

【０００９】そこで本発明は、上記問題点に鑑みて、予
め設定された加熱装置の通電率を増加させるよう制御す
ることにより、温度の立上り時間の最も遅い加熱装置の
立上り時間を短縮して装置全体の立上り時間を短縮させ
る加熱温度制御装置を提供することを課題とするもので
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明による加熱温度制御装置は、次のような構成
としたものである。 （１）通電により対象物を加熱する加熱手段と、前記対
象物の温度を検知する温度検知手段と、前記検知温度に
基づいて前記加熱手段の通電率を制御する個別通電率制
御手段とを有する複数の加熱装置と、前記複数の加熱装
置の各々の加熱手段の通電率を検知する複数の通電率検
知手段と、前記複数の通電率検知手段が検知した各々の
通電率を比較して最も温度の立上りが遅れている加熱装
置を判別する通電率比較手段と、前記通電率比較手段が
最も温度の立上りが遅れていると判別した加熱装置の加
熱手段の通電率を増加させるよう前記加熱装置を制御す
る上位通電率制御手段とを備えた。

【００１１】（２）前記構成（１）の加熱温度制御装置
において、前記個別通電率制御手段が行う通電率の制御
は、通電のパルス周期が一定でパルス幅を変化させるこ
とにより所定時間当たりの通電量を制御する。

【００１２】（３）前記構成（１）の加熱温度制御装置
において、個別通電率制御手段が行う通電率の制御は、
通電のパルス幅が一定でパルス周期を変化させることに
より所定時間当たりの通電量を制御する。

【００１３】（４）前記構成（１）の加熱温度制御装置
において、個別通電率制御手段が行う通電率の制御は、
通電のパルス周期及びパルス幅が一定でパルス振幅高さ
を変化させることにより所定時間当たりの通電量を制御
する。

【００１４】（５）前記構成（１）ないし（４）のいず
れかの加熱温度制御装置を画像形成装置に適用し、前記
対象物として、アモルファスシリコン感光体ドラムと、
定着用の加熱ローラに適用する。

【００１５】（６）前記構成（５）の加熱温度制御装置
において、加熱ローラを加熱する加熱手段としてセラミ
ックヒータを用いる。

【００１６】

【作用】

（１）上記手段における構成（１）の加熱温度制御装置
によれば、複数の加熱装置の各々において、加熱手段が
通電により対象物を加熱し、温度検知手段が対象物の温
度を検知し、個別通電率制御手段が対象物の温度に基づ
いて加熱手段の通電率を制御することにより、対象物が
目標温度に達するように、また目標温度に達した後はそ
の目標温度を維持するように加熱手段を制御している。

【００１７】このとき、複数の通電率検知手段が上記複
数の加熱装置の各々の加熱手段の通電率を検知してい
る。そして複数の通電率検知手段が検知した各々の通電
率を通電率比較手段が比較し、その結果最も温度の立上
りが遅れている加熱装置を該比較手段が判別する。さら
に、通電率比較手段が最も温度の立上りが遅れていると
判別した加熱装置の加熱手段の通電率を増加させるよ
う、上位通電率制御手段が加熱装置を制御する。

【００１８】このように上位通電率制御手段が加熱装置
の加熱手段の通電率を増加させることにより、設定され
ていた温度の立上り速度を増加させて、その温度の立ち
上がりにかかる時間を短縮させることができ、このこと
により装置全体の温度の立上り時間を短縮して待ち時間
を短縮させることができる。

【００１９】（２）上記手段における構成（２）ないし
（４）の加熱温度制御装置によれば、通電のパルス幅，
パルス周期，或はパルス振幅高さを変化させることによ
り前記通電率を容易、確実に変化させて上記個別通電率
制御手段による制御を円滑に行うことができる。

【００２０】（３）上記手段における構成（５）の加熱
温度制御装置によれば、画像形成装置のアモルファスシ
リコン感光体ドラムと、定着用の加熱ローラの加熱温度
制御に本発明を適用させることができ、これにより画像
形成装置の立上りを速くして画像形成装置が使用可能に
なる迄の待ち時間を短縮することができる。

【００２１】（４）上記手段における構成（６）の加熱
温度制御装置によれば、セラミックヒータは温度の立上
り時間が短いので定着用の加熱ローラを非常に短時間で
目標温度に到達させることができ、これと比較して制御
されるアモルファスシリコン感光体ドラムの温度の立上
り時間も短縮させて装置全体の温度の立上り時間の短縮
に寄与することができる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面に基づい
て説明する。図１ないし図８は、本発明による加熱温度
制御装置の第１実施例を示す図である。

【００２３】図１は本発明による加熱温度制御装置が、
ａ−Ｓｉ感光体ドラム１１を用いたプリンタ装置に適用
された場合について示し、加熱温度制御装置の構成を示
すブロック図である。ａ−Ｓｉ感光体ドラム１１は前述
のような、“画像流れ”を防止するためにａ−Ｓｉ感光
体ドラム１１をヒータにより加熱する方式をとってお
り、このためａ−Ｓｉ感光体ドラム１１はドラム用ヒー
タ１３（加熱手段）により加熱されるようになってい
る。このドラム用ヒータ１３には例えばハロゲンヒータ
が用いられる。

【００２４】ドラム用ヒータ１３はこれに通電すること
により発熱してａ−Ｓｉ感光体ドラム１１を加熱するよ
うになっており、ドラム用ヒータ１３への通電はドラム
ヒータ用通電率制御手段１５（個別通電率制御手段）に
より、所定時間当たりの通電量を制御されて通電される
ようになっている。

【００２５】すなわち、ドラム用ヒータ１３により加熱
されてその温度が上昇したａ−Ｓｉ感光体ドラム１１の
温度は、ドラム用サーミスタ１７（温度検知手段）によ
り検知され、その検知温度はドラムヒータ用通電率制御
手段１５に信号出力される。

【００２６】そしてドラムヒータ用通電率制御手段１５
は、図２に示すような設定テーブルを記憶するドラムヒ
ータ用通電率設定テーブル記録部１９を参照して、ドラ
ム用サーミスタ１７からの検知温度に対応する通電率を
探し出し、その通電率に基づいて通電させるようドラム
用ヒータ１３を制御する。

【００２７】この通電率は図２の設定テーブルから分か
るように、温度が上昇するにつれて通電率が低減される
ように設定されており、これにより目標温度を通り越し
てしまうオーバーシュートを防止又は抑制できるように
なっている。また通電率は図３に示すように、周期Ｌは
一定だがパルス幅がＷ１，Ｗ２と各々異なるようにして
所定時間当たりの通電量が異なるように定められてい
る。

【００２８】上記ドラム用ヒータ１３，ドラムヒータ用
通電率制御手段１５，ドラム用サーミスタ１７，及びド
ラムヒータ用通電率設定テーブル記録部１９は、全体と
してａ−Ｓｉ感光体ドラム１１の加熱装置２０を構成し
ている。

【００２９】ドラムヒータ用通電率制御手段１５が制御
している通電率は、ドラムヒータ用通電率サンプリング
手段２１（通電率検知手段）により検知されて、この検
知された通電率は通電率比較手段２３に信号出力され
る。

【００３０】このときのサンプリング動作は図４に示す
ように、サンプリング（検知）を開始してから時間△Ｔ
毎に時間△Ｔの間サンプリングを行い、第１回サンプリ
ング時には通電時間Ｔ１を、第２回サンプリング時
には通電時間Ｔ２を、第３回サンプリング時には通電
時間Ｔ３を、第４回サンプリング時には通電時間Ｔ４
を、という具合に次々と通電率のサンプリングを行って
いく。

【００３１】このように各サンプリング時間△Ｔは、少
なくとも１つのパルス幅（通電時間Ｔ１等）を確実に検
知できるように、パルスの周期Ｌよりも十分大きな長さ
を有している。またサンプリング時間の総計Ｔｓは変数
であり、このＴｓは時間の経過と共に△Ｔずつ増えてい
く（Ｔｓ＝Ｔｓ＋△Ｔ）。

【００３２】再び図１において、定着用加熱ローラ３１
を加熱する定着用ヒータ３３には比較的立上りの速い
（数秒〜１０数秒）セラミックヒータが用いられる。定
着用ヒータ３３はこれに通電することにより発熱して定
着用加熱ローラ３１を加熱するようになっており、定着
用ヒータ３３への通電は定着ヒータ用通電率制御手段３
５（個別通電率制御手段）により、所定時間当たりの通
電量を制御されて通電されるようになっている。

【００３３】すなわち、定着用ヒータ３３により加熱さ
れてその温度が上昇した定着用加熱ローラ３１の温度
は、定着用サーミスタ３７（温度検知手段）により検知
され、その検知温度は定着ヒータ用通電率制御手段３５
に信号出力される。

【００３４】そして定着ヒータ用通電率制御手段３５
は、図５に示すような設定テーブルを記憶する定着ヒー
タ用通電率設定テーブル記録部３９を参照して、定着用
サーミスタ３７からの検知温度から通電率を探し出し、
その通電率に基づいてヒータ３３に通電させる。

【００３５】この通電率は温度が上昇するにつれて低減
されるように設定されており、これにより目標温度を通
り越してしまうオーバーシュートを防止又は抑制できる
ようになっている。また通電率は上記加熱装置２０と同
様に、図３に示す、周期Ｌは一定だがパルス幅がＷ１，
Ｗ２と各々異なるよう、すなわち通電のパルス周期が一
定でパルス幅を変化させることにより所定時間当たりの
通電量を定めた制御を行っている。

【００３６】定着ヒータ用通電率制御手段３５が制御し
ている通電率は通電率サンプリング手段４１（通電率検
知手段）により検知されて、この検知された通電率は通
電率比較手段２３に信号出力される。このときのサンプ
リング動作は通電率サンプリング手段２１と同様に図４
に基づいて前述したように行われる。

【００３７】通電率サンプリング手段２１及び通電率サ
ンプリング手段４１から、通電率比較手段２３に入力さ
れたドラムヒータ用通電率と定着ヒータ用通電率は、通
電率比較手段２３により比較されて、通電率比較手段２
３は温度の立上りが遅れているのはドラム用ヒータ１３
と定着用ヒータ３３との間でどちらの方か判別し、その
結果を上位通電率制御手段４４に信号出力する。

【００３８】温度の立上りがどちらが遅いかを判断する
には、どちらの通電率（パルス幅）が大きいかを判断す
ることにより行う。すなわち、目標温度に近づくにつれ
て通電率は小さくなっていくよう設定テーブルが設定さ
れている為、通電率が大きい程目標温度から遠ざかって
いることになる。したがって通電率が大きい方が温度の
立上りが遅れていると判断することができる。

【００３９】通電率比較手段２３が、ドラム用ヒータ１
３の方が温度の立上りが遅れていると判断したときは、
上位通電率制御手段４４はその信号に基づいてドラムヒ
ータ用通電率制御手段１５に信号出力し、現在の通電率
よりも設定テーブル上１段上（１つ少ない番号）の通電
率に増加させて通電するよう、ドラムヒータ用通電率制
御手段１５にドラム用ヒータ１３を制御させる。

【００４０】通電率比較手段２３が定着用ヒータ３３の
方が温度の立上りが遅れていると判断したときは、上位
通電率制御手段４４はその信号に基づいて定着ヒータ用
通電率制御手段３５に信号出力し、現在の通電率よりも
設定テーブル上１段上の通電率に増加させて通電するよ
う、定着ヒータ用通電率制御手段３５に定着用ヒータ３
３を制御させる。

【００４１】次にこのような加熱温度制御装置の動作に
ついて、図６のフローチャートに基づいて説明する。電
源投入時はサンプリングは行われておらず総計Ｔｓは０
であり（ステップＳ１）、ドラムヒータ用通電率制御手
段１５，定着ヒータ用通電率制御手段３５によるドラム
用ヒータ１３，定着用ヒータ３３の通電制御が開始され
る。このような通電制御が行われると共に、通電率サン
プリング手段２１，４１によるドラム用ヒータ１３，定
着用ヒータ３３の通電率のサンプリングが繰返し行われ
（ステップＳ２）、そのサンプリング毎に次のような動
作が行われる。

【００４２】まずドラム用ヒータ１３と定着用ヒータ３
３の両方、又はいずれか一方が、ドラムヒータ用通電率
制御手段１５又は定着ヒータ用通電率制御手段３５に制
御される為の通電が行われていないかが判別され（ステ
ップＳ３）、ＹＥＳの場合はステップＳ２の前に戻って
同じ動作を繰り返す。ステップＳ３においてＮＯの場合
は次に、ドラム用ヒータ１３及び定着用ヒータ３３の両
方が共に通電率が０かが判別され（ステップＳ４）、Ｙ
ＥＳの場合はステップＳ２の前に戻って同じ動作を繰り
返す。

【００４３】ステップＳ４においてＮＯの場合は、ステ
ップＳ３及びステップＳ４の両方に該当しないというこ
となので、ドラム用ヒータ１３及び定着用ヒータ３３の
両方がドラムヒータ用通電率制御手段１５及び定着ヒー
タ用通電率制御手段３５により通電制御が行われてお
り、かつドラム用ヒータ１３及び定着用ヒータ３３の両
方が共に通電率が０でないということになる。

【００４４】この場合は次に、定着用ヒータ３３の通電
率がドラム用ヒータ１３の通電率より大きいかが判別さ
れ、ＹＥＳの場合は定着用加熱ローラ３１の温度の立上
りの方がａ−Ｓｉ感光体ドラム１１よりも遅れていると
判断され、前述のように上位通電率制御手段４４が定着
ヒータ用通電率制御手段３５に信号出力して、設定テー
ブルに定める現在の通電率よりも設定テーブル上１段上
の通電率に増加させて通電制御させる（ステップＳ
６）。

【００４５】もしこのような制御を行わない場合には、
図７に示すようなａ−Ｓｉ感光体ドラム１１の温度の立
上りを示すグラフＲ、及び定着用加熱ローラ３１の温度
の立上りを示すグラフＪのように、各々は時間ｔ₀，ｔ₁
をかけて立ち上げていたものを、上記のような制御を行
うことにより、図８に示すようなグラフに変えることが
できる。

【００４６】すなわち図８において、サンプリングＳ１
を行ってパルス幅の比較を行い、定着用加熱ローラ３１
のパルス幅（Ｊ）の方がａ−Ｓｉ感光体ドラム１１のパ
ルス幅（Ｒ）より大きいので、定着用加熱ローラ３１の
方が温度の立上りが遅れていると判断し、パルス幅を設
定テーブル上１段増加させて通電させることにより、図
７のときよりも急勾配で下降して立上り速度を増加させ
ていく。この結果定着用加熱ローラ３１の立上り時間
（Ｊ）は図７のときのｔ₁よりも短い時間ｔ₃（図８）に
短縮されることになる。

【００４７】再び図６のフローチャートにおいて、ステ
ップＳ５においてＮＯの場合は次に、ドラム用ヒータ１
３の通電率と定着用ヒータ３３の通電率は等しいかにつ
いて判断され（ステップＳ７）、ＹＥＳのときはステッ
プＳ２の前に戻って同じ動作を繰り返す。この場合は両
方の温度の立上り時間が同じでどちらも遅れていないと
いうことなので、どちらも立上り時間を短縮させる必要
がなく制御をそのまま続行させる。

【００４８】ステップＳ７においてＮＯの場合は、定着
用ヒータ３３の通電率よりもドラム用ヒータ１３の通電
率の方が大きいということなので、ａ−Ｓｉ感光体ドラ
ム１１の温度の立上りの方が定着用加熱ローラ３１より
も遅れていると通電率比較手段２３により判断され、今
度は上位通電率制御手段４４はドラムヒータ用通電率制
御手段１５に信号出力して、設定テーブルに定める現在
の通電率よりも１段上の通電率に増加させて通電制御さ
せる。

【００４９】すなわち図８においてサンプリングＳ２を
行うことにより、今度はａ−Ｓｉ感光体ドラム１１のパ
ルス幅（Ｒ）の方が定着用加熱ローラ３１のパルス幅
（Ｊ）より大きいので、ａ−Ｓｉ感光体ドラム１１の方
が温度の立上りが遅れていると判断し、パルス幅を設定
テーブル上１段増加させて通電させることにより図７の
ときよりも急勾配で下降して立上り速度を増加させてい
く。

【００５０】この結果、ａ−Ｓｉ感光体ドラム１１の温
度の立上り時間（Ｒ）は図７のときのｔ₀よりも短い時
間ｔ₂に短縮されるため、プリンタ装置全体の立上り時
間はｔ₀からｔ₂に短縮されることになる。

【００５１】図９は本発明による加熱温度制御装置の第
２実施例について示す図である。前記第１実施例におい
ては図３に示すように、周期Ｌは同じでパルス幅をＷ
１，Ｗ２のように変えることにより通電率を変えていた
のに対し、この第２実施例は図９に示すように、パルス
幅はすべてＷで一定にしておいて周期をＬ１，Ｌ２，Ｌ
３のように変えることにより通電率を変えるようにした
ものである。

【００５２】図１０は本発明による加熱温度制御装置の
第３実施例について示す図である。前記第１実施例は周
期を一定にしてパルス幅を変え、前記第２実施例はパル
ス幅を一定にして周期を変えることにより通電率を変え
るようにしていたのに対し、この第３実施例は図１０に
示すようにパルス幅Ｗも周期Ｌも一定にしておき、パル
ス振幅高さをＨ１，Ｈ２のように変えることにより通電
率を変えるようにしたものである。

【００５３】なお、上記実施例においては本発明をプリ
ンタ装置内の２つの加熱手段に適用する場合について説
明したが、プリンタ装置以外の画像形成装置に本発明を
適用してもよいのはもちろん、画像形成装置以外の他の
装置に本発明を適用することもでき、さらには３つ以上
の加熱手段を有する装置に本発明を適用することもでき
る。

【００５４】また上記実施例においては各ヒータの通電
率を、パルス幅，パルス周期，又はパルス振幅高さを変
えることにより行ったが、他にも所定時間当たりの通電
量を変えることができるものであればどのような手法を
用いてもよい。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、加
熱装置の加熱手段の通電率をテーブルに設定されていた
ものより１段増加させるよう制御することにより、テー
ブルに設定されていた温度の立上り速度を増加させて、
その温度の立ち上がりにかかる時間を短縮させることが
でき、このことにより装置全体の立上り時間を短縮して
待ち時間を短縮させることができる。

【００５６】また本発明は、大電力ヒータを用いること
なく小電力ヒータを用いて実施することができるので、
装置全体の消費電力が大きくなるのを防止できると共
に、前記オーバーシュートによる大きな温度変化により
静電潜像が不安定となるのを防止して確実な画像形成を
行うことができる。

【００５７】また前記第１実施例によれば、画像形成装
置のアモルファスシリコン感光体ドラムと、定着用の加
熱ローラの加熱温度制御に本発明を適用させることがで
き、これにより画像形成装置の温度の立上りを速くして
画像形成装置が使用可能になる迄の待ち時間を短縮する
ことができる。

【００５８】また前記第１実施例によれば、セラミック
ヒータは温度の立上り時間が短いので定着用の加熱ロー
ラを非常に短時間で目標温度に到達させることができ、
これと比較して制御されるアモルファスシリコン感光体
ドラムの温度の立上り時間も短縮させて、装置全体の温
度の立上り時間の短縮に寄与することができる。

【００５９】さらに前記第１実施例ないし第３実施例に
よれば、通電のパルス幅，パルス周期，或はパルス振幅
高さを変化させることにより、前記通電率を容易、確実
に変化させて上記個別通電率制御手段による制御を円滑
に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による加熱温度制御装置の第１実施例を
示す構成ブロック図である。

【図２】ドラム用ヒータ１３の通電率を設定したテーブ
ルを示す図である。

【図３】ヒータ用通電率を通電時のパルス幅で示す波形
図であり、図３（ａ）はパルス周期Ｌに対してパルス幅
がＷ１の通電率を示す波形図、図３（ｂ）はパルス幅が
図３（ａ）のＷ１より小さいＷ２の通電率を示す波形図
である。

【図４】通電率サンプリング手段によるサンプリング動
作時におけるタイムチャートである。

【図５】定着用ヒータ３３の通電率を設定したテーブル
を示す図である。

【図６】本発明による加熱温度制御装置の実施例の動作
手順を示すフローチャートである。

【図７】ドラムヒータ用通電率制御手段１５，定着ヒー
タ用通電率制御手段３５による制御動作だけが行われて
上位通電率制御手段４４による制御動作が行われないと
仮定した場合のａ−Ｓｉ感光体ドラム１１の立上り状態
を示すグラフＲと定着用加熱ローラ３１の立上り状態を
示すグラフＪを示す図である。

【図８】ドラムヒータ用通電率制御手段１５，定着ヒー
タ用通電率制御手段３５と共に上位通電率制御手段４４
も制御動作を行った本発明の実施例におけるａ−Ｓｉ感
光体ドラム１１の立上り状態を示すグラフＲと定着用加
熱ローラ３１の立上り状態を示すグラフＪを示す図であ
る。

【図９】本発明による加熱温度制御装置の第２実施例に
係るヒータの通電率を示すパルス波形図であり、図９
（ａ）は周期Ｌ１のパルス波形図、図９（ｂ）は周期Ｌ
２のパルス波形図、そして図９（ｃ）は周期Ｌ３のパル
ス波形図である。

【図１０】本発明による加熱温度制御装置の第３実施例
に係るヒータの通電率を示すパルス波形図であり、図１
０（ａ）はパルス振幅高さＨ１のパルス波形図、図１０
（ｂ）はパルス振幅高さＨ２のパルス波形図である。

【符号の説明】

１１ ａ−Ｓｉ感光体ドラム １３ ドラム用ヒータ １５ ドラムヒータ用通電率制御手段 １７ ドラム用サーミスタ １９ ドラムヒータ用通電率設定テーブル記録部 ２０，４０ 加熱装置 ２１ ドラムヒータ用通電率サンプリング手段 ２３ 通電率比較手段 ３１ 定着用加熱ローラ ３３ 定着用ヒータ ３５ 定着ヒータ用通電率制御手段 ３７ 定着用サーミスタ ３９ 定着ヒータ用通電率設定テーブル記録部 ４１ 定着ヒータ用通電率サンプリング手段 ４４ 上位通電率制御手段

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 15/20 １０９ 21/20 Ｈ０５Ｂ 3/00 ３１０ Ｄ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 通電により対象物を加熱する加熱手段
   と、前記対象物の温度を検知する温度検知手段と、前記
   検知温度に基づいて前記加熱手段の通電率を制御する個
   別通電率制御手段とを有する複数の加熱装置と、 前記複数の加熱装置の各々の加熱手段の通電率を検知す
   る複数の通電率検知手段と、 前記複数の通電率検知手段が検知した各々の通電率を比
   較して最も温度の立上りが遅れている加熱装置を判別す
   る通電率比較手段と、 前記通電率比較手段が最も温度の立上りが遅れていると
   判別した加熱装置の加熱手段の通電率を増加させるよう
   前記加熱装置を制御する上位通電率制御手段と、 を備えたことを特徴とする加熱温度制御装置。
2. 【請求項２】 前記加熱温度制御装置を画像形成装置に
   適用し、前記対象物として、アモルファスシリコン感光
   体ドラムと、定着用の加熱ローラに適用することを特徴
   とする請求項１に記載の加熱温度制御装置。
3. 【請求項３】 前記加熱ローラを加熱する加熱手段とし
   てセラミックヒータを用いることを特徴とする請求項２
   に記載の加熱温度制御装置。