JPH0844482A - 座標入力装置 - Google Patents
座標入力装置Info
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- JPH0844482A JPH0844482A JP18032794A JP18032794A JPH0844482A JP H0844482 A JPH0844482 A JP H0844482A JP 18032794 A JP18032794 A JP 18032794A JP 18032794 A JP18032794 A JP 18032794A JP H0844482 A JPH0844482 A JP H0844482A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電磁ノイズを発生せず、また外部や自機の内
部回路の電磁ノイズに影響されず、検出精度が高く、筆
圧の検出が可能であり、低消費電流で安価に実施できる
座標入力装置を提供する。 【構成】 XY座標軸のそれぞれに沿って複数のストラ
イプ状の磁気抵抗素子パターン3、3を付着させた平面
部材2、2をそれぞれの磁気抵抗素子パターン3、3が
対向するようにスペーサ11を介して配置し、先端に磁
性体を設けたペン1により上側の平面部材2上に座標入
力を行なわせ、XY軸に沿ったそれぞれの磁気抵抗素子
パターン3、3の出力変化を介してペンによる入力座標
を検出する。平面部材2は透明材料とし、座標入力部の
下部には、コンピュータ8の表示部9を配置し、平面部
材2を介して表示部9を視認できるようにする。
部回路の電磁ノイズに影響されず、検出精度が高く、筆
圧の検出が可能であり、低消費電流で安価に実施できる
座標入力装置を提供する。 【構成】 XY座標軸のそれぞれに沿って複数のストラ
イプ状の磁気抵抗素子パターン3、3を付着させた平面
部材2、2をそれぞれの磁気抵抗素子パターン3、3が
対向するようにスペーサ11を介して配置し、先端に磁
性体を設けたペン1により上側の平面部材2上に座標入
力を行なわせ、XY軸に沿ったそれぞれの磁気抵抗素子
パターン3、3の出力変化を介してペンによる入力座標
を検出する。平面部材2は透明材料とし、座標入力部の
下部には、コンピュータ8の表示部9を配置し、平面部
材2を介して表示部9を視認できるようにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は座標入力装置、特に2次
元座標値を検出しコンピュータ等に入力する座標入力装
置に関するものである。
元座標値を検出しコンピュータ等に入力する座標入力装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータやLCD
(液晶表示装置)の低消費電力化や小型薄型化に伴い、
キーボードの無いペン入力コンピュータが登場した。こ
の種の機器は、その使い勝手や携帯性を武器にコンピュ
ータ市場に新しい分野を切り開きつつあり、将来は、手
帳やノートに代わるペーパーレス化時代のツールとして
期待されている。
(液晶表示装置)の低消費電力化や小型薄型化に伴い、
キーボードの無いペン入力コンピュータが登場した。こ
の種の機器は、その使い勝手や携帯性を武器にコンピュ
ータ市場に新しい分野を切り開きつつあり、将来は、手
帳やノートに代わるペーパーレス化時代のツールとして
期待されている。
【0003】この種の装置では、ペン入力を検出する装
置を有する。従来より、座標入力技術としては、電磁結
合方式や静電容積方式、抵抗膜方式、超音波方式が知ら
れている。
置を有する。従来より、座標入力技術としては、電磁結
合方式や静電容積方式、抵抗膜方式、超音波方式が知ら
れている。
【0004】図8、図9は、従来例の一例として電磁結
合方式の座標入力装置の構造を示している。図8は電磁
結合方式の座標入力装置を持つペンコンピュータの概略
構成をしている。
合方式の座標入力装置の構造を示している。図8は電磁
結合方式の座標入力装置を持つペンコンピュータの概略
構成をしている。
【0005】図8のように、装置は入力/表示部である
タブレット/LCD部100と、演算処理/インターフ
ェイス部であるプリント回路基板部200から構成され
る。プリント回路基板部200は、下ケース300で補
強されている。タブレット/LCD部100は、入力部
がLCDの表示面に重ね合わされて構成されているの
で、キーボードの無い携帯性に優れたコンピュータが構
成できる。
タブレット/LCD部100と、演算処理/インターフ
ェイス部であるプリント回路基板部200から構成され
る。プリント回路基板部200は、下ケース300で補
強されている。タブレット/LCD部100は、入力部
がLCDの表示面に重ね合わされて構成されているの
で、キーボードの無い携帯性に優れたコンピュータが構
成できる。
【0006】プリント回路基板部200には、ACアダ
プタ400の入力コネクタや電池210、インバータ2
11、DC−DCコンバータ212等の電源部、さら
に、演算処理する論理回路部220、ICカード230
を装着可能なメモリ部、インターフェイスコネクタ24
0等から構成される。タブレット/LCD部100とプ
リント回路基板部200はインターフェイスケーブル5
00により接続されている。
プタ400の入力コネクタや電池210、インバータ2
11、DC−DCコンバータ212等の電源部、さら
に、演算処理する論理回路部220、ICカード230
を装着可能なメモリ部、インターフェイスコネクタ24
0等から構成される。タブレット/LCD部100とプ
リント回路基板部200はインターフェイスケーブル5
00により接続されている。
【0007】図9は、タブレット/LCD部100のタ
ブレットを電磁結合方式にて構成する場合の検出原理を
説明する。タブレット表面にはループアンテナ群101
が多数個配置されており、このループアンテナ群101
はX座標検出用の3個のループコイルX1、X2、X3
とY座標検出用の3個のループコイルY1、Y2、Y3
とで構成される。
ブレットを電磁結合方式にて構成する場合の検出原理を
説明する。タブレット表面にはループアンテナ群101
が多数個配置されており、このループアンテナ群101
はX座標検出用の3個のループコイルX1、X2、X3
とY座標検出用の3個のループコイルY1、Y2、Y3
とで構成される。
【0008】一方、電子ペンの先端には、送受信コイル
102が埋め込まれており、コイルとコンデンサから成
る共振回路を構成する。電子ペンはこの共振回路を持つ
だけで、電池を内蔵していない。
102が埋め込まれており、コイルとコンデンサから成
る共振回路を構成する。電子ペンはこの共振回路を持つ
だけで、電池を内蔵していない。
【0009】このような構成において、電子ペンの送受
信コイル102の共振周波数に合う信号が、高周波の信
号源103、104よりループアンテナ群101に入力
すると、電子ペンの共振周波数に合う電磁波がループア
ンテナから放出される。
信コイル102の共振周波数に合う信号が、高周波の信
号源103、104よりループアンテナ群101に入力
すると、電子ペンの共振周波数に合う電磁波がループア
ンテナから放出される。
【0010】電子ペンの送受信コイル102は共振し電
磁エネルギを蓄積する。次の瞬間にタブレット上のルー
プアンテナ群は受信回路105、106に接続され、受
信状態に切り替わり、送受信コイル102から放出され
る電磁波を検出する。上記の送信および受信時に時分割
でコイルX1〜X3、Y1〜Y3を用い、これら各ルー
プコイルの検出信号の強度分布から、ペン先の位置を求
めることができる。
磁エネルギを蓄積する。次の瞬間にタブレット上のルー
プアンテナ群は受信回路105、106に接続され、受
信状態に切り替わり、送受信コイル102から放出され
る電磁波を検出する。上記の送信および受信時に時分割
でコイルX1〜X3、Y1〜Y3を用い、これら各ルー
プコイルの検出信号の強度分布から、ペン先の位置を求
めることができる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
電磁結合方式のペン入力タブレットは、多数個のループ
アンテナで構成された無線局である。したがって、外部
に電磁ノイズを輻射する問題を回避するのが困難であ
り、また、図8に破線の矢印で示すように、自身のDC
−DCコンバータ212や論理回路部220から発生す
る近傍磁界により検出精度に影響を受ける問題がある。
さらに、筺体シールドが、ループアンテナ101と電子
ペン内部の送受信コイル102の間で授受される電磁波
を撹乱する問題がある。
電磁結合方式のペン入力タブレットは、多数個のループ
アンテナで構成された無線局である。したがって、外部
に電磁ノイズを輻射する問題を回避するのが困難であ
り、また、図8に破線の矢印で示すように、自身のDC
−DCコンバータ212や論理回路部220から発生す
る近傍磁界により検出精度に影響を受ける問題がある。
さらに、筺体シールドが、ループアンテナ101と電子
ペン内部の送受信コイル102の間で授受される電磁波
を撹乱する問題がある。
【0012】また、上記の電磁結合方式は、高周波回路
を使うため、消費電流も多く、また、制御回路も含める
と、価格も比較的高くなる問題がある。
を使うため、消費電流も多く、また、制御回路も含める
と、価格も比較的高くなる問題がある。
【0013】その他の座標入力方式としては、抵抗膜方
式や静電容量方式があるが、静電容量方式は、電磁結合
方式同様に高周波回路を使うため、消費電流も多く、コ
スト的な問題がある。
式や静電容量方式があるが、静電容量方式は、電磁結合
方式同様に高周波回路を使うため、消費電流も多く、コ
スト的な問題がある。
【0014】抵抗膜方式は、消費電流は少なく価格は安
いが、検出精度が電磁結合方式や静電容量方式と比較し
て一桁落ちる問題がある。さらに、静電容量方式と抵抗
膜方式は筆圧の検出ができないという問題がある。
いが、検出精度が電磁結合方式や静電容量方式と比較し
て一桁落ちる問題がある。さらに、静電容量方式と抵抗
膜方式は筆圧の検出ができないという問題がある。
【0015】本発明の課題は、以上の問題を解決し、電
磁ノイズを発生せず、また外部や自機の内部回路の電磁
ノイズに影響されず、検出精度が高く、筆圧の検出が可
能であり、低消費電流で安価に実施できる座標入力装置
を提供することにある。
磁ノイズを発生せず、また外部や自機の内部回路の電磁
ノイズに影響されず、検出精度が高く、筆圧の検出が可
能であり、低消費電流で安価に実施できる座標入力装置
を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、本発明においては、2次元座標値を検出しコンピ
ュータ等に入力する座標入力装置において、座標を指示
するための先端に着磁された磁性体を有するぺンと、2
次元座標の2本の座標軸のそれぞれに沿って複数のスト
ライプ状の磁電変換素子を付着させた平面部材と、前記
平面部材上の所望の位置に前記ペン先端を配置すること
により、前記ペンの磁性体による前記磁電変換素子の出
力変化を検出し、この検出結果に基づき前記ペンによる
入力座標を演算出力する検出回路から成る構成を採用し
た。
めに、本発明においては、2次元座標値を検出しコンピ
ュータ等に入力する座標入力装置において、座標を指示
するための先端に着磁された磁性体を有するぺンと、2
次元座標の2本の座標軸のそれぞれに沿って複数のスト
ライプ状の磁電変換素子を付着させた平面部材と、前記
平面部材上の所望の位置に前記ペン先端を配置すること
により、前記ペンの磁性体による前記磁電変換素子の出
力変化を検出し、この検出結果に基づき前記ペンによる
入力座標を演算出力する検出回路から成る構成を採用し
た。
【0017】
【作用】以上の構成によれば、ペンの磁性体による磁電
変換素子の出力変化を介してペンによる入力座標を検出
することができる。
変換素子の出力変化を介してペンによる入力座標を検出
することができる。
【0018】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づき、本発明の
詳細を説明する。本発明の座標入力装置は、磁気抵抗素
子等の磁電変換素子を用いて座標入力を行なう。以下で
は、座標入力装置をペンコンピュータに適用した実施例
を説明する。
詳細を説明する。本発明の座標入力装置は、磁気抵抗素
子等の磁電変換素子を用いて座標入力を行なう。以下で
は、座標入力装置をペンコンピュータに適用した実施例
を説明する。
【0019】図1は本発明の座標入力装置を採用したペ
ンコンピュータの第1の実施例を示している。
ンコンピュータの第1の実施例を示している。
【0020】本実施例では、先端に磁性体を保持したぺ
ン1のぺン先を、平面部材2の表面に接触させた状態で
自在に移動して座標入力を行なう。
ン1のぺン先を、平面部材2の表面に接触させた状態で
自在に移動して座標入力を行なう。
【0021】平面部材2は透明であり、夫々、X座標検
出用とY座標検出用の2枚用いられる。これらの2枚の
平面部材2の対向面には、磁電変換素子として、磁気抵
抗素子パターン3が形成される。磁気抵抗素子パターン
3は、パーマロイなどの磁気抵抗素子材料を塗布した
後、櫛歯状にエッチングすることにより形成される。
出用とY座標検出用の2枚用いられる。これらの2枚の
平面部材2の対向面には、磁電変換素子として、磁気抵
抗素子パターン3が形成される。磁気抵抗素子パターン
3は、パーマロイなどの磁気抵抗素子材料を塗布した
後、櫛歯状にエッチングすることにより形成される。
【0022】磁気抵抗素子パターン3の歯部の端部に
は、コネクタランドパターン4が設置され、平面部材の
相当箇所をコネクタ5に差し込むと、磁気抵抗素子と位
置検出回路が接続される。このような構成により、ワイ
ヤーボンディングやリードの半田付けと比較して、組立
性が向上する。
は、コネクタランドパターン4が設置され、平面部材の
相当箇所をコネクタ5に差し込むと、磁気抵抗素子と位
置検出回路が接続される。このような構成により、ワイ
ヤーボンディングやリードの半田付けと比較して、組立
性が向上する。
【0023】コネクタからはフレキシブル基板(FP
C)6が引き出され、後述の位置検出回路と接続されて
いる。
C)6が引き出され、後述の位置検出回路と接続されて
いる。
【0024】以上のようにして、コンピュータ8の座標
入力部が構成される。コンピュータ8の上面には、スイ
ッチ7が設けられ、このスイッチ7はファンクションキ
ーなどを構成し、公知の種々の情報処理のための操作、
座標系の原点リセット等の特殊操作を行なうためのもの
である。
入力部が構成される。コンピュータ8の上面には、スイ
ッチ7が設けられ、このスイッチ7はファンクションキ
ーなどを構成し、公知の種々の情報処理のための操作、
座標系の原点リセット等の特殊操作を行なうためのもの
である。
【0025】座標入力面を構成する平面部材2の大き
さ、サイズは、コンピュータ8の表示部9の大きさ、サ
イズに一致しており、その座標も一致する。ペン1の入
力座標系と表示部9の座標系は、通常、座標検出処理に
おいて1対1に対応づけられる。
さ、サイズは、コンピュータ8の表示部9の大きさ、サ
イズに一致しており、その座標も一致する。ペン1の入
力座標系と表示部9の座標系は、通常、座標検出処理に
おいて1対1に対応づけられる。
【0026】図4は磁電変換素子である磁気抵抗素子の
磁場の強さの変化に対する電気抵抗値の依存性のグラフ
を示している。図示のように、磁場がかかると、N極S
極に関係なく電気抵抗値は減少し、外部磁界のある強さ
で飽和する。
磁場の強さの変化に対する電気抵抗値の依存性のグラフ
を示している。図示のように、磁場がかかると、N極S
極に関係なく電気抵抗値は減少し、外部磁界のある強さ
で飽和する。
【0027】つまり、磁気抵抗素子は、磁界のない時が
最も電気抵抗値が高く、磁界の変化に対応する抵抗値変
化の割合は3〜4%程度である。なお磁気抵抗素子材料
としては、代表的なものにパーマロイがある。
最も電気抵抗値が高く、磁界の変化に対応する抵抗値変
化の割合は3〜4%程度である。なお磁気抵抗素子材料
としては、代表的なものにパーマロイがある。
【0028】図2に平面部材2、および磁気抵抗素子3
を構成する磁性層の構成例を示す。前記のように、平面
部材2は透明であり、平面部材2を介して図1のコンピ
ュータ8の表示部9に表示される情報を視認することが
できる。平面部材2の材質としては、石英ガラスなどの
強化硝子やプラスチックなどが最適である。
を構成する磁性層の構成例を示す。前記のように、平面
部材2は透明であり、平面部材2を介して図1のコンピ
ュータ8の表示部9に表示される情報を視認することが
できる。平面部材2の材質としては、石英ガラスなどの
強化硝子やプラスチックなどが最適である。
【0029】下側の平面部材2の上側表面には、X方向
磁気抵抗素子301であるパーマロイが約500オング
ストロームの厚さで蒸着され、X軸方向に一定の間隔を
おいて、例えば80μm、一定の幅(例えば20μm)
のストライプ状に複数条、Y軸方向に平行にエッチング
されている。この寸法設定により、0.1mmの検出精
度が確保でき、この場合、磁気抵抗素子を遮光部材と考
えると、コンピュータ表示部9からの光の透過率は80
%となる。磁気抵抗素子3上には、保護層である窒化シ
リコンの層10を約2μmの厚さで蒸着しておく。
磁気抵抗素子301であるパーマロイが約500オング
ストロームの厚さで蒸着され、X軸方向に一定の間隔を
おいて、例えば80μm、一定の幅(例えば20μm)
のストライプ状に複数条、Y軸方向に平行にエッチング
されている。この寸法設定により、0.1mmの検出精
度が確保でき、この場合、磁気抵抗素子を遮光部材と考
えると、コンピュータ表示部9からの光の透過率は80
%となる。磁気抵抗素子3上には、保護層である窒化シ
リコンの層10を約2μmの厚さで蒸着しておく。
【0030】同様の部材を90度平面内で回転し、磁性
層を上向きに配置したものがY座標検出用の平面部材2
であり、これら2枚の平面部材2をスペーサ11を介し
て積層することにより座標入力部が構成される。
層を上向きに配置したものがY座標検出用の平面部材2
であり、これら2枚の平面部材2をスペーサ11を介し
て積層することにより座標入力部が構成される。
【0031】図2右上には、ぺン1の先端部の構造を示
してある。図示のように、握り部15の先端に、着磁さ
れた磁性体13(この場合ペン先がN極となっている)
が固着されている。
してある。図示のように、握り部15の先端に、着磁さ
れた磁性体13(この場合ペン先がN極となっている)
が固着されている。
【0032】さらに、磁性体13を包むように非磁性体
から成る接触部14が握り部15先端に設けられてい
る。この接触部14は、弾性部材l2を介して保持され
ている。接触部14は、ペン先を保護するとともに、筆
圧に応じた磁場を平面部材2の磁気抵抗素子パターン3
に作用させるためのものである。
から成る接触部14が握り部15先端に設けられてい
る。この接触部14は、弾性部材l2を介して保持され
ている。接触部14は、ペン先を保護するとともに、筆
圧に応じた磁場を平面部材2の磁気抵抗素子パターン3
に作用させるためのものである。
【0033】すなわち、ペン1の先端接触部14が平面
部材の表面に接触すると、対応する座標のXおよびY方
向の座標を検出するための磁気抵抗素子3の電気抵抗値
が小さくなる。ペン1を更に強く押すと、磁性体l3と
接触部14間の空隙が減少し、磁気抵抗素子の磁気抵抗
値は更に小さくなる。この変化の大きさを筆圧情報とし
て検出することができる。
部材の表面に接触すると、対応する座標のXおよびY方
向の座標を検出するための磁気抵抗素子3の電気抵抗値
が小さくなる。ペン1を更に強く押すと、磁性体l3と
接触部14間の空隙が減少し、磁気抵抗素子の磁気抵抗
値は更に小さくなる。この変化の大きさを筆圧情報とし
て検出することができる。
【0034】図5に本発明による位置検出回路の例を示
す。図5において、XおよびY方向磁気抵抗素子は切替
装置としてのマルチプレクサ16に入力し、平面部材2
の磁気抵抗素子3の本数に対応した数値にプリセットさ
れたカウンタ17の示すカウント値に対応した一本の磁
気抵抗素子と定電流源18を接続する。定電流源18は
基準抵抗19を介してマルチプレクサ16に入力し、磁
気抵抗素子に電流を供給する。
す。図5において、XおよびY方向磁気抵抗素子は切替
装置としてのマルチプレクサ16に入力し、平面部材2
の磁気抵抗素子3の本数に対応した数値にプリセットさ
れたカウンタ17の示すカウント値に対応した一本の磁
気抵抗素子と定電流源18を接続する。定電流源18は
基準抵抗19を介してマルチプレクサ16に入力し、磁
気抵抗素子に電流を供給する。
【0035】抵抗値検出回路20は基準抵抗19の両端
のグラウンドからの電圧値、ViとVrを計測し、以下
の計算を行って磁気抵抗素子の抵抗値Riを出力する。
すなわち、基準抵抗19の抵抗値をRSとすると、 Ri=V/I=Vi/((Vr−Vi)/Rs) =Vi*RS/(Vr−Vi) 抵抗値検出回路20は、RAM21、比較器22、演算
処理回路23に測定した抵抗値のデジタルデータを出力
する。基準抵抗19の両端の電圧Vi、Vrは、抵抗値
検出回路20に入力した時点で、ADコンバータにより
デジタル変換される。
のグラウンドからの電圧値、ViとVrを計測し、以下
の計算を行って磁気抵抗素子の抵抗値Riを出力する。
すなわち、基準抵抗19の抵抗値をRSとすると、 Ri=V/I=Vi/((Vr−Vi)/Rs) =Vi*RS/(Vr−Vi) 抵抗値検出回路20は、RAM21、比較器22、演算
処理回路23に測定した抵抗値のデジタルデータを出力
する。基準抵抗19の両端の電圧Vi、Vrは、抵抗値
検出回路20に入力した時点で、ADコンバータにより
デジタル変換される。
【0036】RAM21に入力されたデータはカウンタ
17に対応する番地、つまり、平面部材2上の所定の磁
気抵抗素子パターン3に対応する番地、に記憶され、カ
ウンタ値が一巡してもう一度同じ番地をカウントした
時、比較器22は、再び抵抗値検出回路20の出力する
値とRAMから出力される同じ番地の一巡前の値を比較
する。一方、演算処理回路23に入力されたデータは、
筆圧の検出に使用される。
17に対応する番地、つまり、平面部材2上の所定の磁
気抵抗素子パターン3に対応する番地、に記憶され、カ
ウンタ値が一巡してもう一度同じ番地をカウントした
時、比較器22は、再び抵抗値検出回路20の出力する
値とRAMから出力される同じ番地の一巡前の値を比較
する。一方、演算処理回路23に入力されたデータは、
筆圧の検出に使用される。
【0037】比較器22の出力特性を図7に示す。図示
のように、今回の値Rtが、前の値Rt−1よりRd以
上小さくなったとき、Highレベルを出力する。つま
り、比較器22は、次のように±Rdだけヒステリシス
を持っている。
のように、今回の値Rtが、前の値Rt−1よりRd以
上小さくなったとき、Highレベルを出力する。つま
り、比較器22は、次のように±Rdだけヒステリシス
を持っている。
【0038】 Low→High: Rt−Rt−1< −Rd High→Low: Rt・Rt−1>Rd 比較器22の出力は演算処理回路23に入力され、比較
器出力22がLowからHighレベルになったとき、
演算処理回路23は、カウンタ値を読み取りその値をぺ
ン1の位置座標として出力する。比較器22の出力がL
owレベルになると、その座標の出力を取りやめる。
器出力22がLowからHighレベルになったとき、
演算処理回路23は、カウンタ値を読み取りその値をぺ
ン1の位置座標として出力する。比較器22の出力がL
owレベルになると、その座標の出力を取りやめる。
【0039】また、前述のように、演算処理回路23
は、抵抗値検出回路20の出力とRAM21の値から、
比較器出力22がLowからHighレベルになったタ
イミングで、変化量の大きさを検出し、変化量の大きさ
に応じた筆圧信号を出力する。比較器出力22がLow
レベルになると、その出力を取りやめる。
は、抵抗値検出回路20の出力とRAM21の値から、
比較器出力22がLowからHighレベルになったタ
イミングで、変化量の大きさを検出し、変化量の大きさ
に応じた筆圧信号を出力する。比較器出力22がLow
レベルになると、その出力を取りやめる。
【0040】以下に、図6のタイミングチャートを参照
して、上記構成における座標検出動作を説明する。図6
の一点鎖線の部分に注目すると、カウンタ17は番地デ
ータ(10110111)を出力する。マルチプレクサ
16は、クロックの立ち上がりのタイミングで(101
10111)番地の磁気抵抗素子と定電流源18を接続
し、所定の動作により、抵抗値検出回路20は抵抗値2
4の測定値を出力する。
して、上記構成における座標検出動作を説明する。図6
の一点鎖線の部分に注目すると、カウンタ17は番地デ
ータ(10110111)を出力する。マルチプレクサ
16は、クロックの立ち上がりのタイミングで(101
10111)番地の磁気抵抗素子と定電流源18を接続
し、所定の動作により、抵抗値検出回路20は抵抗値2
4の測定値を出力する。
【0041】比較器22は、RAM21に記録されてい
る一巡前の(10110111)番地の抵抗値データと
抵抗値出力24である今回のデータを比較し、抵抗値が
小さくなっていることを検出し、比較出力27を出力す
る。
る一巡前の(10110111)番地の抵抗値データと
抵抗値出力24である今回のデータを比較し、抵抗値が
小さくなっていることを検出し、比較出力27を出力す
る。
【0042】演算処理回路23は、比較器出力がHig
hレベルになったことを確認し、ペン1の座標データと
して座標データ(10110111)を、比較器出力が
Lowレベルに戻るまで出力する。
hレベルになったことを確認し、ペン1の座標データと
して座標データ(10110111)を、比較器出力が
Lowレベルに戻るまで出力する。
【0043】また、演算処理回路23は、一巡前と今回
の抵抗値の変化量を計測し、その変化量に応じて、図7
の右側に示す筆圧値を比較器出力がLowレベルに戻る
まで出力する。
の抵抗値の変化量を計測し、その変化量に応じて、図7
の右側に示す筆圧値を比較器出力がLowレベルに戻る
まで出力する。
【0044】一方、RAM21は、クロック28の立下
がり、即ち、図5において、インバータ29のクロック
出力の立上がりタイミングで、(10110111)番
地の記憶内容を更新する。
がり、即ち、図5において、インバータ29のクロック
出力の立上がりタイミングで、(10110111)番
地の記憶内容を更新する。
【0045】このようにして、各磁気抵抗素子のメッシ
ュ上の点を順次走査し、その点における抵抗値を測定
し、RAM21に格納するとともに、RAM21に格納
された前回の同じメッシュ上の点の抵抗値との比較に基
づき、その点にペンが存在するかどうかを判定すること
により、座標検出、およびその際の筆圧検出を行なう。
ュ上の点を順次走査し、その点における抵抗値を測定
し、RAM21に格納するとともに、RAM21に格納
された前回の同じメッシュ上の点の抵抗値との比較に基
づき、その点にペンが存在するかどうかを判定すること
により、座標検出、およびその際の筆圧検出を行なう。
【0046】以上のような処理により、ペン1の座標検
出が行なえ、磁気抵抗素子のパターンピッチのオーダの
精度で座標検出が可能となる。表示部9を視認するため
の透過率を80%程度確保することを考えても、前述の
寸法設定によれば10μmオーダの座標検出精度を達成
することができる。
出が行なえ、磁気抵抗素子のパターンピッチのオーダの
精度で座標検出が可能となる。表示部9を視認するため
の透過率を80%程度確保することを考えても、前述の
寸法設定によれば10μmオーダの座標検出精度を達成
することができる。
【0047】また、以上の構成では、磁場の変化を検出
するために磁気抵抗素子に流す電流は1mA以下でよ
く、低消費電力化が実現できる。さらに、ループアンテ
ナなどが無いため、電磁ノイズを放射せず、また、内部
回路によって影響を受けないなどの優れた利点がある。
するために磁気抵抗素子に流す電流は1mA以下でよ
く、低消費電力化が実現できる。さらに、ループアンテ
ナなどが無いため、電磁ノイズを放射せず、また、内部
回路によって影響を受けないなどの優れた利点がある。
【0048】なお、図5の検出回路では、磁気抵抗素子
のメッシュ上の交点を全て走査するようになっている。
磁気抵抗素子の歯数が増えてくると検出速度が間に合わ
なくなる可能性がある。その場合には、例えば、X座
標、Y座標で夫々1回路づつ図5と同様の構成を用い、
これらを並列に動作させることにより、検出速度の問題
を解決できる。
のメッシュ上の交点を全て走査するようになっている。
磁気抵抗素子の歯数が増えてくると検出速度が間に合わ
なくなる可能性がある。その場合には、例えば、X座
標、Y座標で夫々1回路づつ図5と同様の構成を用い、
これらを並列に動作させることにより、検出速度の問題
を解決できる。
【0049】また、図2に示した座標検出部は図3のよ
うに構成することもできる。図3の構成で図2と異なる
ところは、一枚の平面部材2の上に、ガラスなどの絶縁
性を有する保護層10を介してXおよびY方向検出用の
磁気抵抗素子301、302を重ねて蒸着エッチングし
たこと、また、保護用平面部材12をスペーサ11を介
して座標入力面に配置した点である(ここでは図2と異
なりy軸方向からの側面を図示している)。
うに構成することもできる。図3の構成で図2と異なる
ところは、一枚の平面部材2の上に、ガラスなどの絶縁
性を有する保護層10を介してXおよびY方向検出用の
磁気抵抗素子301、302を重ねて蒸着エッチングし
たこと、また、保護用平面部材12をスペーサ11を介
して座標入力面に配置した点である(ここでは図2と異
なりy軸方向からの側面を図示している)。
【0050】図3の構成によれば、一枚の基板にXY座
標検出素子を形成してあるため、2枚の平面部材間の位
置合わせをする必要がなく、組立性が向上し、また、座
標検出精度や絶対座標についての製品間のばらつきがな
くなる、という利点がある。
標検出素子を形成してあるため、2枚の平面部材間の位
置合わせをする必要がなく、組立性が向上し、また、座
標検出精度や絶対座標についての製品間のばらつきがな
くなる、という利点がある。
【0051】さらに、図3の構成では、保護用平面部材
12の側からぺンlを当てて座標入力を行なうようにな
っているので、保護用平面部材12には前述の平面部材
2ほどの強度が必要なく、薄く構成できるため、磁気抵
抗素子の抵抗値変化が増大し、信号のSN比が向上し、
筆圧感度も向上するという利点がある。
12の側からぺンlを当てて座標入力を行なうようにな
っているので、保護用平面部材12には前述の平面部材
2ほどの強度が必要なく、薄く構成できるため、磁気抵
抗素子の抵抗値変化が増大し、信号のSN比が向上し、
筆圧感度も向上するという利点がある。
【0052】
【発明の効果】以上から明らかなように、本発明によれ
ば、2次元座標の2本の座標軸のそれぞれに沿って複数
のストライプ状の磁電変換素子を付着させた平面部材上
に座標入力を行なわせ、ペンの磁性体による磁電変換素
子の出力変化を介してペンによる入力座標を検出する構
成なので、電磁ノイズを発生せず、また外部や自機の内
部回路の電磁ノイズに影響されず、検出精度が高く、筆
圧の検出が可能であり、低消費電流で安価に実施できる
優れた座標入力装置を提供することができる。
ば、2次元座標の2本の座標軸のそれぞれに沿って複数
のストライプ状の磁電変換素子を付着させた平面部材上
に座標入力を行なわせ、ペンの磁性体による磁電変換素
子の出力変化を介してペンによる入力座標を検出する構
成なので、電磁ノイズを発生せず、また外部や自機の内
部回路の電磁ノイズに影響されず、検出精度が高く、筆
圧の検出が可能であり、低消費電流で安価に実施できる
優れた座標入力装置を提供することができる。
【図1】本発明による座標入力装置の入力部の構成を示
した斜視図である。
した斜視図である。
【図2】図1の装置の座標検出素子部を説明する断面図
である。
である。
【図3】図1の装置の座標検出素子部の異なる構成を説
明する断面図である。
明する断面図である。
【図4】図1の装置に用いられる磁気抵抗素子の動作原
理を説明するグラフ図である。
理を説明するグラフ図である。
【図5】図1の装置に用いられる座標検出回路のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図6】図5における座標検出処理を説明するタイミン
グチャート図である。
グチャート図である。
【図7】図5中の比較器22の出力特性を示すグラフ図
である。
である。
【図8】従来の座標検出入力装置を説明する斜視図であ
る。
る。
【図9】従来の座標検出方法の一つである電磁結合方式
の検出原理を説明する斜視図である。
の検出原理を説明する斜視図である。
1 ペン 2 平面部材 3 磁気抵抗素子パターン 4 コネクタランドパターン 5 コネクタ 8 コンピュータ 9 表示部 12 弾性部材 13 磁性体 14 接触部 16 マルチプレクサ 17 カウンタ 18 定電流源 20 抵抗値検出回路 21 RAM 22 比較器 23 演算処理回路 301 磁気抵抗素子パターン 302 磁気抵抗素子パターン
Claims (6)
- 【請求項1】 2次元座標値を検出しコンピュータ等に
入力する座標入力装置において、 座標を指示するための先端に着磁された磁性体を有する
ぺンと、 2次元座標の2本の座標軸のそれぞれに沿って複数のス
トライプ状の磁電変換素子を付着させた平面部材と、 前記平面部材上の所望の位置に前記ペン先端を配置する
ことにより、前記ペンの磁性体による前記磁電変換素子
の出力変化を検出し、この検出結果に基づき前記ペンに
よる入力座標を演算出力する検出回路から成ることを特
徴とする座標入力装置。 - 【請求項2】 前記2次元座標の2本の座標軸のそれぞ
れに沿って設けられた複数のストライプ状磁電変換素子
が、同一の平面部材上に絶縁保護層を介して交差するよ
うに配置されることを特徴とする請求項1に記載の座標
入力装置。 - 【請求項3】 前記平面部材の磁電変換素子が配置され
る面と反対側の面から前記ペンの先端を接触させるか、
前記平面部材上に保護部材を設けることにより、磁電変
換素子に直接ペンが接触しないように構成したことを特
徴とする請求項1または2に記載の座標入力装置。 - 【請求項4】 前記磁電変換素子が磁気抵抗素子である
ことを特徴とする請求項1〜3までのいずれか1項に記
載の座標入力装置。 - 【請求項5】 前記ペン先端の磁性体の外側に、座標入
力面との接触圧力により変位する接触部を設け、前記磁
気抵抗素子の出力変化を介して入力時の筆圧を検出する
ことを特徴とする請求項1〜4までのいずれか1項に記
載の座標入力装置。 - 【請求項6】 前記検出回路は、2次元座標の2本の座
標軸のそれぞれに沿って配置された複数の磁電変換素子
が形成するメッシュ上の各交点を順次走査して抵抗値を
測定し、直前の走査におけるその走査点の抵抗値からの
変化を検出することにより、ペンの入力座標を検出する
ことを特徴とする請求項1〜5までのいずれか1項に記
載の座標入力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18032794A JPH0844482A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 座標入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18032794A JPH0844482A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 座標入力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0844482A true JPH0844482A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16081280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18032794A Pending JPH0844482A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 座標入力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0844482A (ja) |
-
1994
- 1994-08-01 JP JP18032794A patent/JPH0844482A/ja active Pending
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